白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu)：導(dǎo)電基底、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、紅綠發(fā)光層、第二電子傳輸層、電子注入層以及陰極；所述藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了藍(lán)光客體材料和雙極性電荷控制材料的藍(lán)光主體材料。雙極性電荷控制材料的摻雜降低了白光有機(jī)電致發(fā)光器件的電流，提高了藍(lán)光發(fā)光效率，相對(duì)于傳統(tǒng)的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，發(fā)光效率較高。本發(fā)明還提供了一種上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件，也稱為有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)，是一種將電能直接轉(zhuǎn)化為光能的器件。1987年，C.W.Tang及其合作者首次將空穴傳輸材料N，N' - 二苯基N，N' -二(3甲苯基)-4，4-'聯(lián)苯胺作為空穴傳輸層、具有電子傳輸能力的8-羥基喹啉鋁作為電子傳輸層和發(fā)光層，制成了具有雙層結(jié)構(gòu)的小分子有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)具有一些獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):(I)OLED屬于擴(kuò)散型面光源，不需要像發(fā)光二極管(LED) —樣通過額外的導(dǎo)光系統(tǒng)來獲得大面積的白光光源；(2)由于有機(jī)發(fā)光材料的多樣性，OLED照明可根據(jù)需要設(shè)計(jì)所需顏色的光，目前無論是小分子0LED，還是聚合物有機(jī)發(fā)光二極管(PLED)都已獲得了包含白光光譜在內(nèi)的所有顏色的光；(3)OLED可在多種襯底如玻璃、陶瓷、金屬、塑料等材料上制作，這使得設(shè)計(jì)照明光源時(shí)更加自由；(4)采用制作OLED顯示的方式制作OLED照明面板，可在照明的同時(shí)顯示信息；(5)0LED在照明系統(tǒng)中還可被用作可控色，允許使用者根據(jù)個(gè)人需要調(diào)節(jié)燈光氛圍。
[0004]白光有機(jī)電致發(fā)光器件通常設(shè)有兩個(gè)發(fā)光層，即藍(lán)光發(fā)光層和紅綠發(fā)光層。傳統(tǒng)的白光有機(jī)電致發(fā)光 器件的藍(lán)光發(fā)光層中載流子的傳輸能力較低，從而降低了其發(fā)光效率。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0006]—種白光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu):導(dǎo)電基底、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、紅綠發(fā)光層、第二電子傳輸層、電子注入層以及陰極；
[0007]所述藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了藍(lán)光客體材料和雙極性電荷控制材料的藍(lán)光主體材料。
[0008]在一個(gè)實(shí)施例中，所述雙極性電荷控制材料為Mo03、V2O5, WO3和ReO3中的至少一種。
[0009]在一個(gè)實(shí)施例中，所述藍(lán)光主體材料為4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)-9!1-咔唑、2，6-雙(3_(9H_咔唑-9-基)苯基)吡啶、3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶和1,4—雙(三苯基硅)苯中的至少一種；
[0010]所述藍(lán)光客體材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥、三(2- (4’，6’-二氟-5’ -氰基)苯基吡啶-N，C2’ )合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1，2，4-三唑)合銥和雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥)中的至少一種。
[0011]在一個(gè)實(shí)施例中，所述藍(lán)光客體材料占所述藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%?20% ；
[0012]所述雙極性電荷控制材料占所述藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的59TlO% ；
[0013]所述藍(lán)光發(fā)光層的厚度為5nnTl5nm。
[0014]在一個(gè)實(shí)施例中，所述電荷產(chǎn)生層的材質(zhì)為Mo03、V205、W03和ReO3中的至少一種；
[0015]所述電荷產(chǎn)生層的厚度為5nnT30nm。
[0016]在一個(gè)實(shí)施例中，所述紅綠發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了紅光客體材料和綠光客體材料的紅綠主體材料；
[0017]所述紅綠主體材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’-(1,3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、1，1- 二 [4-[N,N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒)和9，10-雙(1-萘基)蒽中的至少一種；
[0018]紅光客體材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [2- (2-氟苯基)-1，3_苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III)和三(1-苯基-異喹啉)合銥中的至少一種；
[0019]綠光客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥和三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III)中的至少一種。
[0020]在一個(gè)實(shí)施例中，所述紅光客體材料占所述紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%?2% ；
[0021]所述綠光客體材料占所述紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的29TlO% ；
[0022]所述紅綠發(fā)光層的厚度10nnT30nm。
[0023]在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3、WO3、V2O5和ReO3中的至少一種的空穴傳輸材料；
[0024]所述空穴傳輸材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’-二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺和1，1- 二 [4-[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中的至少一種；
[0025]MoO3> WO3> V2O5和ReO3占所述第一空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%?35% ；
[0026]所述第一空穴注入層的厚度為10nnTl5nm ;
[0027]所述第二空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 Mo03、WO3> V2O5和ReO3中的至少一種的所述空穴傳輸材料；
[0028]MoO3> WO3> V2O5和ReO3占所述第二空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%?35% ；
[0029]所述第二空穴注入層的厚度為10nnTl5nm。
[0030]在一個(gè)實(shí)施例中，所述電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 Cs2C03、CsF、CsN3> Li2C03、LiF和Li2O中至少一種的電子傳輸材料；
[0031]所述電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑和1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種；
[0032]Cs2C03、CsF、CsN3、Li2C03、LiF和Li2O占所述電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%"35% ；
[0033]所述電子注入層的厚度為20nnT40nm。
[0034]一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0035]提供潔凈的導(dǎo)電基底；
[0036]在所述導(dǎo)電基底上依次蒸鍍形成第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、紅綠發(fā)光層、第二電子傳輸層、電子注入層以及陰極；其中，所述藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了藍(lán)光客體材料和雙極性電荷控制材料的藍(lán)光主體材料。
[0037]這種白光有機(jī)電致發(fā)光器件的藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了藍(lán)光客體材料和雙極性電荷控制材料的藍(lán)光主體材料，雙極性電荷控制材料的摻雜降低白光有機(jī)電致發(fā)光器件的電流，提聞監(jiān)光發(fā)光效率，進(jìn)而提聞白光有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。這種白光有機(jī)電致發(fā)光器件，相對(duì)于傳統(tǒng)的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，發(fā)光效率較高。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0038]圖1為一實(shí)施方式的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0039]圖2為一實(shí)施方式的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0040]圖3為實(shí)施例f實(shí)施例7制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0042]如圖1所不的一實(shí)施方式的一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件,包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu):導(dǎo)電基底10、第一空穴注入層15、第一空穴傳輸層25、藍(lán)光發(fā)光層30、第一電子傳輸層35、電荷產(chǎn)生層40、第二空穴注入層45、第二空穴傳輸層55、紅綠發(fā)光層60、第二電子傳輸層65、電子注入層70以及陰極80。
[0043]導(dǎo)電基底10可以選擇ITO玻璃基板，ITO的厚度可以為100nnTl50nm。
[0044]第一空穴注入層15的材質(zhì)可以為摻雜了 MoO3、WO3、V2O5和ReO3中至少一種的電子傳輸材料。
[0045]電子傳輸材料可以為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)和 1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的至少一種。
[0046]MoO3> WO3> V2O5和ReO3占第一空穴注入層15的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%?35%。[0047]第一空穴注入層15的厚度可以為10nnTl5nm。
[0048]第一空穴傳輸層25的材質(zhì)可以為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基聯(lián)苯-4,4’- 二胺(NPB)、4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)和 1，1-二[4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)中的至少一種。
[0049]第一空穴傳輸層25的厚度可以30nnT50nm。
[0050]藍(lán)光發(fā)光層30的材質(zhì)為摻雜了藍(lán)光客體材料和雙極性電荷控制材料的藍(lán)光主體材料。
[0051 ] 雙極性電荷控制材料為既可以產(chǎn)生空穴，又可以產(chǎn)生電子的材料。
[0052]藍(lán)光發(fā)光層30的材質(zhì)為摻雜了藍(lán)光客體材料和雙極性電荷控制材料的藍(lán)光主體材料，雙極性電荷控制材料的摻雜降低器件電流，提高藍(lán)光發(fā)光效率，進(jìn)而提高器件的發(fā)光效率，相對(duì)于傳統(tǒng)的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，發(fā)光效率較高。
[0053]此外，器件電流的降低還延長(zhǎng)了器件的壽命。
[0054]藍(lán)光主體材料可以為CBP (4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯)、11￡? (9，9’-(1，3_苯基)二 -9H-咔唑)、CzSi(9-(4-叔丁苯基)-3，6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑)、26DCzPPY(2, 6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)批啶)、35DCzPPY(3, 5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶)和UGH2 (1,4—雙(三苯基硅)苯)中的至少一種。
[0055]藍(lán)光客體材料可以 為FIrpic (雙(4，6_ 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥)、FIr6(雙(4，6-二氟苯基吡啶)-四(l-吡唑基)硼酸合銥)、FCNIr (三(2- (4’，6’- 二氟-5’-氰基)苯基吡啶-N，C2’)合銥)、FIrtaz (雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(批啶-2-基)-1，2，4-三唑)合銥)和FIrM (雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥)中的至少一種。
[0056]雙極性電荷控制材料可以為Mo03、V2O5, WO3和ReO3中的至少一種。
[0057]藍(lán)光客體材料占藍(lán)光發(fā)光層30的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%~20%。
[0058]雙極性電荷控制材料占藍(lán)光發(fā)光層30的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的59TlO%。
[0059]藍(lán)光發(fā)光層30的厚度可以為5nnTl5nm。
[0060]第一電子傳輸層35的材質(zhì)可以為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4, 7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)和
1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。
[0061]第一電子傳輸層35的厚度可以為10nnT60nm。
[0062]電荷產(chǎn)生層40的材質(zhì)為Mo03、V2O5, WO3和ReO3中的至少一種。
[0063]電荷產(chǎn)生層40的厚度為5nnT30nm。
[0064]第二空穴注入層45的材質(zhì)可以為摻雜了 MoO3、WO3、V2O5和ReO3中至少一種的電子傳輸材料。
[0065]電子傳輸材料可以為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)和 1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的至少一種。[0066]MoO3> WO3> V2O5和ReO3占第二空穴注入層45的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%~35%。
[0067]第二空穴注入層45的厚度可以為10nnTl5nm。
[0068]第二空穴傳輸層55的材質(zhì)可以為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基聯(lián)苯-4,4’- 二胺(NPB)、4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)和 1，1-二[4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)中的至少一種。
[0069]第二空穴傳輸層55的厚度可以30nnT50nm。
[0070]紅綠發(fā)光層60的材質(zhì)為摻雜了紅光客體材料和綠光客體材料的紅綠主體材料。
[0071]紅綠主體材料可以為TCTA (4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺)、mCP(9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑)、CBP (4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯)、TPD (N, N，-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺)、TAPC (1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷)和ADN (9，10-雙(1-萘基)蒽)中的至少一種。
[0072]紅光客體材料可以為Ir (MDQ) 2 (acac) (二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥)、PQIr (二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))、(fbi)2Ir (acac)(二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III))、(F-BT)2IHacac) (二[2- (2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))、Ir(btp)2(acac) (二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III))和Ir(Piq)3 (三(1-苯基-異喹啉)合銥)的至少一種。
[0073]綠光客體材料為Ir(ppy)3 (三(2_苯基吡唳)合銥)、Ir (ppy)2(acac)(乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥)和Ir(Hippy)3 (三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III))中的至少一種。
[0074]紅光客體材料占紅綠發(fā)光層60的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%~2%。
[0075]綠光客體材料占紅綠發(fā)光層60的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的29TlO%。
[0076]紅綠發(fā)光層60的厚度10nnT30nm。
[0077]第二電子傳輸層65的材質(zhì)可以為4，7- 二苯基-1, 10-菲羅啉(Bphen)、4, 7~ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)和
1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。
[0078]第二電子傳輸層65的厚度可以為10nnT60nm。
[0079]電子注入層70的材質(zhì)為摻雜了 Cs2C03、CsF、CsN3> Li2C03、LiF和Li2O中至少一種的電子傳輸材料。
[0080]電子傳輸材料可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)和I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。
[0081]Cs2C03、CsF、CsN3、Li2C03、LiF和Li2O占電子注入層70的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的
259^35%。
[0082]電子注入層70的厚度為20nnT40nm。
[0083]陰極80的材質(zhì)可以為銀(Ag)、鋁(Al)或金(Au)等，陰極80的厚度可以為50nm~200nmo[0084]這種白光有機(jī)電致發(fā)光器件的藍(lán)光發(fā)光層30的材質(zhì)為摻雜了藍(lán)光客體材料和雙極性電荷控制材料的藍(lán)光主體材料，雙極性電荷控制材料的摻雜降低白光有機(jī)電致發(fā)光器件電流，提高藍(lán)光發(fā)光效率，進(jìn)而提高白光有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率，且隨亮度增加時(shí)，發(fā)光效率衰減較小，對(duì)比未摻雜雙極性電荷控制層的藍(lán)光發(fā)光層，發(fā)光效率提高0.7倍以上。
[0085]此外，雙極性電荷控制材料的摻雜降低白光有機(jī)電致發(fā)光器件電流，同時(shí)還延長(zhǎng)了白光有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
[0086]如圖2所示的上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0087]S10、提供潔凈的導(dǎo)電基底10。
[0088]導(dǎo)電基底10可以選擇ITO玻璃基板，ITO的厚度可以為100nnTl50nm。
[0089]導(dǎo)電基底10依次進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干待用。
[0090]洗凈后的導(dǎo)電基底10還可以進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電基底10表面的含氧量，提聞導(dǎo)電基底10表面的功函數(shù)。
[0091]S20、在SlO得到的導(dǎo)電基底10上依次蒸鍍形成第一空穴注入層15、第一空穴傳輸層25、藍(lán)光發(fā)光層30、第一電子傳輸層35、電荷產(chǎn)生層40、第二空穴注入層45、第二空穴傳輸層55、紅綠發(fā)光層60、第二電子傳輸層65、電子注入層70以及陰極80。
[0092]第一空穴注入層15的材質(zhì)可以為摻雜了 MoO3、WO3、V2O5和ReO3中至少一種的電子傳輸材料。
[0093]蒸發(fā)條件為:真空度8 X KT5Pa?3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1A?IA/S。
[0094]電子傳輸材料可以為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)和 1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的至少一種。
[0095]MoO3> WO3> V2O5和ReO3占第一空穴注入層15的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%?35%。
[0096]第一空穴注入層15的形成條件為:真空度8X10_5Pa?3X10_4Pa，蒸發(fā)速度0,1 A?I A/s,蒸發(fā)厚度 10nnTl5nm。
[0097]第一空穴傳輸層25的材質(zhì)可以為N，N’-二苯基-N，N’-二(1_萘基聯(lián)苯-4,4’- 二胺(NPB)、4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)和 1，1-二[4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)中的至少一種。
[0098]第一空穴傳輸層25的形成條件為:真空度8X10_5Pa?3X10_4Pa，蒸發(fā)速度
0.1A?2A/s,蒸發(fā)厚度 30nnT50nm。
[0099]藍(lán)光發(fā)光層30的材質(zhì)為摻雜了藍(lán)光客體材料和雙極性電荷控制材料的藍(lán)光主體材料。
[0100]藍(lán)光發(fā)光層30的材質(zhì)為摻雜了藍(lán)光客體材料和雙極性電荷控制材料的藍(lán)光主體材料，雙極性電荷控制材料的摻雜降低器件電流，提高藍(lán)光發(fā)光效率，進(jìn)而提高器件的發(fā)光效率，相對(duì)于傳統(tǒng)的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，發(fā)光效率較高。[0101]此外，器件電流的降低還延長(zhǎng)了器件的壽命。[0102]藍(lán)光主體材料可以為CBP (4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯)、11￡? (9，9’-(1，3_苯基)二 -9H-咔唑)、CzSi(9-(4-叔丁苯基)-3，6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑)、26DCzPPY(2, 6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)批啶)、35DCzPPY(3, 5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶)和UGH2 (1,4—雙(三苯基硅)苯)中的至少一種。[0103]藍(lán)光客體材料可以為FIrpic (雙(4，6_ 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥)、FIr6(雙(4，6-二氟苯基吡啶)-四(l-吡唑基)硼酸合銥)、FCNIr (三(2- (4’，6’- 二氟-5’-氰基)苯基吡啶-N，C2’)合銥)、FIrtaz (雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(批啶-2-基)-1，2，4-三唑)合銥)和FIrM (雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥)中的至少一種。[0104]雙極性電荷控制材料可以為Mo03、V2O5, WO3和ReO3中的至少一種。[0105]藍(lán)光客體材料占藍(lán)光發(fā)光層30的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%~20%。[0106]雙極性電荷控制材料占藍(lán)光發(fā)光層30的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的59TlO%。[0107]藍(lán)光發(fā)光層30的形成條件為:真空度8\10-%~3父10、&，蒸發(fā)速度0.|入~丨人/5,蒸發(fā)厚度5nnTl5nm。[0108]第一電子傳輸層35的材質(zhì)可以為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4, 7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)和1,3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。[0109]第一電子傳輸層35的形成條件為:真空度8X KT5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1人~2^4/3，蒸發(fā)厚度 10nnT60nm。[0110]電荷產(chǎn)生層40的材質(zhì)為Mo03、V205、WO3和ReO3中的至少一種。[0111]電荷產(chǎn)生層40的形成條件為:真空度8 X KT5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1A-1 A/s,蒸發(fā)厚度5nnT30nm。[0112]第二空穴注入層45的材質(zhì)可以為摻雜了 MoO3、TO3、V2O5和ReO3中至少一種的電子傳輸材料。[0113]電子傳輸材料可以為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’_聯(lián)苯_4，4’- 二胺(NPB)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)和 1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的至少一種。[0114]MoO3、WO3、V2O5和ReO3占第二空穴注入層45的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%~35%。[0115]第二空穴注入層45的形成條件為:真空度8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1 A~丨A/s,蒸發(fā)厚度10nnTl5nm。[0116]第二空穴傳輸層55的材質(zhì)可以為N，N’-二苯基-N，N’-二(1_萘基聯(lián)苯-4,4’- 二胺(NPB)、4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)和 1，1-二[4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)中的至少一種。[0117]第二空穴傳輸層55的形成條件為:真空度8 X KT5Pa~3 X10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1入~2乂5，蒸發(fā)厚度30nnT50nm。[0118]紅綠發(fā)光層60的材質(zhì)為摻雜了紅光客體材料和綠光客體材料的紅綠主體材料。
[0119]紅綠主體材料可以為TCTA (4，4’，4 "-三(咔唑_9_基)三苯胺)、mCP(9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑)、CBP (4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯)、TPD (N, N，-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺)、TAPC (1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷)和ADN (9，10-雙(1-萘基)蒽)中的至少一種。 [0120]紅光客體材料可以為Ir (MDQ) 2 (acac) (二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥)、PQIr (二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))、(fbi)2Ir (acac)(二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III))、(F-BT)2IHacac) (二[2- (2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))、Ir(btp)2(acac) (二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III))和Ir(Piq)3 (三(1-苯基-異喹啉)合銥)的至少一種。
[0121]綠光客體材料為Ir(ppy)3 (三(2_苯基吡唳)合銥)、Ir (ppy)2(acac)(乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥)和Ir(Hippy)3 (三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III))中的至少一種。
[0122]紅光客體材料占紅綠發(fā)光層60的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%~2%。
[0123]綠光客體材料占紅綠發(fā)光層60的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的2%~?Ο%。
[0124]紅綠發(fā)光層60的形成條件為:真空度8 X 10_5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1A~I A/s,蒸發(fā)厚度10nnT30nm。
[0125]第二電子傳輸層65的材質(zhì)可以為4，7- 二苯基-1, 10-菲羅啉(Bphen)、4, 7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)和
1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。
[0126]第二電子傳輸層65的形成條件為:真空度8X KT5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度
0.1蓋~2義73，蒸發(fā)厚度10nnT60nm。
[0127]電子注入層70的材質(zhì)為摻雜了 Cs2C03、CsF、CsN3> Li2C03、LiF和Li2O中至少一種的電子傳輸材料。
[0128]電子傳輸材料可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)和I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。
[0129]Cs2C03、CsF、CsN3、Li2C03、LiF和Li2O占電子注入層70的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的
259^35%。
[0130]電子注入層70的形成條件為:真空度8 X 10_5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1A~2A/s,蒸發(fā)厚度20nnT40nm。
[0131]陰極80的材質(zhì)可以為銀(Ag)、鋁(Al)或金(Au)等。
[0132]陰極80的形成條件為:真空度SXlO-5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度Ο.?Α~5A/S,蒸發(fā)厚度 50nm~200nm。
[0133]以下為具體實(shí)施例
[0134]實(shí)施例1
[0135]提供ITO厚度為150nm的ITO玻璃基板作為導(dǎo)電基底，并對(duì)其進(jìn)行如下處理:洗潔精清洗一去離子水清洗一丙酮清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干。對(duì)烘干后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)。
[0136]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/s的蒸發(fā)速度，在ITO玻璃上蒸鍍形成第一空穴注入層，第一空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3的N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(ΝΡΒ)，Μο03占第一空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的第一空穴注入層的厚度為12.5nm。
[0137]在真空度5X10_5Pa的條件下，以IΑ/s的蒸發(fā)速度，在第一空穴注入層上蒸鍍形成第一空穴傳輸層，第一空穴傳輸層的材質(zhì)為N, N' - 二苯基-N, N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，形成的第一空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0138]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第一空穴傳輸層上蒸鍍形成藍(lán)光發(fā)光層，藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3和FIrpic (雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥)的CBP (4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯)，MoO3占藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的7.5%,FIrpic占藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的12.5%，形成的藍(lán)光發(fā)光層的厚度為10nm。
[0139]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在藍(lán)光發(fā)光層上蒸鍍形成第一電子傳輸層，第一電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen),形成的第一電子傳輸層的厚度為35nm。
[0140]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第一電子傳輸層上蒸鍍形成電荷產(chǎn)生層，電荷產(chǎn)生層的材質(zhì)為MoO3，形成的電荷產(chǎn)生層的厚度為17.5nm。
[0141]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在電荷產(chǎn)生層上蒸鍍形成第二空穴注入層，第二空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3的N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)，MoO3占第二空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的摻雜濃度30%，形成的第二空穴注入層的厚度為12.5nm。
[0142]在真空度5X10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在第二空穴注入層上蒸鍍形成第二空穴傳輸層，第二空穴傳輸層的材質(zhì)為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，形成的第二空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0143]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第二空穴傳輸層上蒸鍍形成紅綠發(fā)光層，紅綠發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 Ir (MDQ)2 (acac) (二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥)和Ir(ppy)3 (三(2-苯基吡啶)合銥)的TCTA (4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺)，Ir (MDQ)2 (acac)占紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%, Ir(ppy)3占紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的6%，形成的紅綠發(fā)光層的厚度為20nm。
[0144]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I人/s的蒸發(fā)速度，在紅綠發(fā)光層上蒸鍍形成第二電子傳輸層，第二電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen),形成的第二電子傳輸層的厚度為35nm。
[0145]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I人/s的蒸發(fā)速度，在第二電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 Cs2CO3的4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，Cs2CO3占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的電子注入層的厚度30nm。
[0146]在真空度5X10_5Pa的條件下，以3A/s的蒸發(fā)速度，在電子注入層上蒸鍍形成陰極，陰極的材質(zhì)為Ag,形成的陰極的厚度為125nm。
[0147]實(shí)施例2
[0148]提供ITO厚度為120nm的ITO玻璃基板作為導(dǎo)電基底，并對(duì)其進(jìn)行如下處理:洗潔精清洗一去離子水清洗一丙酮清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干。對(duì)烘干后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)。
[0149]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.|.A/s的蒸發(fā)速度，在ITO玻璃上蒸鍍形成第一空穴注入層，第一空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 WO3的4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，WO3占第一空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%，形成的第一空穴注入層的厚度為10nm。
[0150]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在第一空穴注入層上蒸鍍形成第一空穴傳輸層，第一空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，形成的第一空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0151]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.丨A/s的蒸發(fā)速度，在第一空穴傳輸層上蒸鍍形成藍(lán)光發(fā)光層，藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 V2O5和FIr6(雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-批唑基)硼酸合銥)的mCP (9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑)，V2O5占藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%，F(xiàn)Ir6占藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%，形成的藍(lán)光發(fā)光層的厚度為5nm。
[0152]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在藍(lán)光發(fā)光層上蒸鍍形成第一電子傳輸層，第一電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP),形成的第一電子傳輸層的厚度為10nm。
[0153]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1A/S的蒸發(fā)速度，在第一電子傳輸層上蒸鍍形成電荷產(chǎn)生層，電荷產(chǎn)生層的材質(zhì)為V2O5，形成的電荷產(chǎn)生層的厚度為5nm。
[0154]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在電荷產(chǎn)生層上蒸鍍形成第二空穴注入層，第二空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 WO3的4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，WO3占第二空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的摻雜濃度25%，形成的第二空穴注入層的厚度為10nm。
[0155]在真空度5 X 10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在第二空穴注入層上蒸鍍形成第二空穴傳輸層，第二空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，形成的第二空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0156]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在第二空穴傳輸層上蒸鍍形成紅綠發(fā)光層，紅綠發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 PQIr (二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))和Ir (PPy)2(acac)(乙酰丙酮酸二(2_苯基卩比唳)銥)的mCP (9, 9’ -(I, 3-苯基)二 -9H-咔唑)，PQIr占紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%，Ir (ppy)2 (acac)占紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的2%，形成的紅綠發(fā)光層的厚度為10nm。
[0157]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在紅綠發(fā)光層上蒸鍍形成第二電子傳輸層，第二電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP),形成的第二電子傳輸層的厚度為10nm。
[0158]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在第二電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 CsF的4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)，CsF占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%，形成的電子注入層的厚度20nm。
[0159]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1A/S的蒸發(fā)速度，在電子注入層上蒸鍍形成陰極，陰極的材質(zhì)為Al,形成的陰極的厚度為50nm。
[0160]實(shí)施例3
[0161]提供ITO厚度為IOOnm的ITO玻璃基板作為導(dǎo)電基底，并對(duì)其進(jìn)行如下處理:洗潔精清洗一去離子水清洗一丙酮清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干。對(duì)烘干后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)。
[0162]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在ITO玻璃上蒸鍍形成第一空穴注入層，第一空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 V2O5的4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP),V2O5占第一空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的35%，形成的第一空穴注入層的厚度為15nm。
[0163]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，在第一空穴注入層上蒸鍍形成第一空穴傳輸層，第一空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，形成的第一空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0164]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I人/s的蒸發(fā)速度，在第一空穴傳輸層上蒸鍍形成藍(lán)光發(fā)光層，藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 WO3和FCNIr (三(2- (4’，6’- 二氟-5’-氰基)苯基吡啶-N, C2’ )合銥)的CzSi (9-(4-叔丁苯基)_3，6-雙(三苯基硅)_9H_咔唑)，WO3占藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的10%，F(xiàn)CNIr占藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的20%，形成的藍(lán)光發(fā)光層的厚度為15nm。
[0165]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，在藍(lán)光發(fā)光層上蒸鍍形成第一電子傳輸層，第一電子傳輸層的材質(zhì)為4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq),形成的第一電子傳輸層的厚度為60nm。
[0166]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在第一電子傳輸層上蒸鍍形成電荷產(chǎn)生層，電荷產(chǎn)生層的材質(zhì)為WO3，形成的電荷產(chǎn)生層的厚度為30nm。
[0167]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在電荷產(chǎn)生層上蒸鍍形成第二空穴注入層，第二空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 V2O5的4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，V2O5占第二空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的摻雜濃度35%，形成的第二空穴注入層的厚度為15nm。
[0168]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，在第二空穴注入層上蒸鍍形成第二空穴傳輸層，第二空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，形成的第二空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0169]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在第二空穴傳輸層上蒸鍍形成紅綠發(fā)光層，紅綠發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了(fbi) 2lr (acac) (二 [N-異丙基_2_ (4_氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III))和Ir(Hippy)3 (三[2_(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III))的CBP (4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯)，(fbi)2Ir (acac)占紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的2%，Ir(Hippy)3占紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的10%，形成的紅綠發(fā)光層的厚度為30nmo
[0170]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，在紅綠發(fā)光層上蒸鍍形成第二電子傳輸層，第二電子傳輸層的材質(zhì)為4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq),形成的第二電子傳輸層的厚度為60nm。
[0171]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，在第二電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 CsN3的4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)，CsN3占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的35%，形成的電子注入層的厚度40nmo
[0172]在真空度5X10_5Pa的條件下，以5A/S的蒸發(fā)速度，在電子注入層上蒸鍍形成陰極，陰極的材質(zhì)為Au,形成的陰極的厚度為ZOOnm。
[0173]實(shí)施例4
[0174]提供ITO厚度為IOOnm的ITO玻璃基板作為導(dǎo)電基底，并對(duì)其進(jìn)行如下處理:洗潔精清洗一去離子水清洗一丙酮清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干。對(duì)烘干后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)。
[0175]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5 A/s的蒸發(fā)速度，在ITO玻璃上蒸鍍形成第一空穴注入層，第一空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 ReO3的N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TH))，ReO3占第一空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的第一空穴注入層的厚度為13nm。
[0176]在真空度5X10_5Pa的條件下，以lA/S的蒸發(fā)速度，在第一空穴注入層上蒸鍍形成第一空穴傳輸層，第一空穴傳輸層的材質(zhì)為N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TH))，形成的第一空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0177]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第一空穴傳輸層上蒸鍍形成藍(lán)光發(fā)光層，藍(lán)光發(fā) 光層的材質(zhì)為摻雜了 1^03和？1代&2 (雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1，2，4-三唑)合銥)的26DCzPPY(2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶XReO3占藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的7%，F(xiàn)Irtaz占藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的12%，形成的藍(lán)光發(fā)光層的厚度為10nm。
[0178]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在藍(lán)光發(fā)光層上蒸鍍形成第一電子傳輸層，第一電子傳輸層的材質(zhì)為8-羥基喹啉鋁(Alq3),形成的第一電子傳輸層的厚度為40nm。
[0179]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第一電子傳輸層上蒸鍍形成電荷產(chǎn)生層，電荷產(chǎn)生層的材質(zhì)為ReO3，形成的電荷產(chǎn)生層的厚度為20nm。
[0180]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在電荷產(chǎn)生層上蒸鍍形成第二空穴注入層，第二空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 ReO3的N，N’-二(3-甲基苯基)-N, N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TH))，ReO3占第二空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的摻雜濃度30%，形成的第二空穴注入層的厚度為12nm。
[0181]在真空度5X10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在第二空穴注入層上蒸鍍形成第二空穴傳輸層，第二空穴傳輸層的材質(zhì)為N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TH))，形成的第二空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0182]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第二空穴傳輸層上蒸鍍形成紅綠發(fā)光層，紅綠發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了(F-BT)2Ir (acac) (二 [2_(2_氟苯基)_1，3_苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))和Ir (ppy)3 (三(2-苯基吡啶)合銥)的TPD (N，N’-二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺)，(F-BT)2Ir (acac)占紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，Ir (ppy) 3占紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%，形成的紅綠發(fā)光層的厚度為20nm。
[0183]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在紅綠發(fā)光層上蒸鍍形成第二電子傳輸層，第二電子傳輸層的材質(zhì)為8-輕基喹啉招(Alq3),形成的第二電子傳輸層的厚度為30nm。
[0184]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I人/s的蒸發(fā)速度，在第二電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 Li2CO3的8-羥基喹啉鋁(Alq3), Li2CO3占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的電子注入層的厚度30nm。
[0185]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，在電子注入層上蒸鍍形成陰極，陰極的材質(zhì)為Ag,形成的陰極的厚度為lOOnm。
[0186]實(shí)施例5
[0187]提供ITO厚度為IOOnm的ITO玻璃基板作為導(dǎo)電基底，并對(duì)其進(jìn)行如下處理:洗潔精清洗一去離子水清洗一丙酮清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干。對(duì)烘干后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)。
[0188]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.2人/s的蒸發(fā)速度，在ITO玻璃上蒸鍍形成第一空穴注入層，第一空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3的1，1-二 [4-[N，N' -二 (P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，Mo03占第一空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%，形成的第一空穴注入層的厚度為10nm。
[0189]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在第一空穴注入層上蒸鍍形成第一空穴傳輸層，第一空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，形成的第一空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0190]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第一空穴傳輸層上蒸鍍形成藍(lán)光發(fā)光層，藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3和FIrM(雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5_(吡啶-2-基)_四唑)合銥)的35DCzPPY (3，5-雙(3_(9H_咔唑-9-基)苯基)吡啶)，MoO3占藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的7%，F(xiàn)IrM占藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的12%，形成的藍(lán)光發(fā)光層的厚度為10nm。
[0191]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在藍(lán)光發(fā)光層上蒸鍍形成第一電子傳輸層，第一電子傳輸層的材質(zhì)為3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)，形成的第一電子傳輸層的厚度為40nm。
[0192]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.4A/S的蒸發(fā)速度，在第一電子傳輸層上蒸鍍形成電荷產(chǎn)生層，電荷產(chǎn)生層的材質(zhì)為MoO3，形成的電荷產(chǎn)生層的厚度為20nm。
[0193]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在電荷產(chǎn)生層上蒸鍍形成第二空穴注入層，第二空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3的1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，MoO3占第二空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的摻雜濃度28%，形成的第二空穴注入層的厚度為13nm。
[0194]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第二空穴注入層上蒸鍍形成第二空穴傳輸層，第二空穴傳輸層的材質(zhì)為1,1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，形成的第二空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0195]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第二空穴傳輸層上蒸鍍形成紅綠發(fā)光層，紅綠發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 Ir (btp)2(acac) (二(2_苯并噻吩_2_基-批啶)(乙酰丙酮)合銥(III))和Ir (ppy)2 (acac)(乙酰丙酮酸二(2_苯基吡啶)銥)的TAPC(1，1-二 [4_[N, N' -二(p_甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒)，Ir(btp)2(acac)占紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，Ir (PPy)2 (acac)占紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的7%，形成的紅綠發(fā)光層的厚度為20nm。
[0196]在真空度5X10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在紅綠發(fā)光層上蒸鍍形成第二電子傳輸層，第二電子傳輸層的材質(zhì)為3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)，形成的第二電子傳輸層的厚度為50nm。
[0197]在真空度5X10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在第二電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 LiF的3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)，LiF占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的電子注入層的厚度30nm。
[0198]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A,S的蒸發(fā)速度，在電子注入層上蒸鍍形成陰極，陰極的材質(zhì)為Al,形成的陰極的厚度為lOOnm。
[0199]實(shí)施例6
[0200]提供ITO厚度為IOOnm的ITO玻璃基板作為導(dǎo)電基底，并對(duì)其進(jìn)行如下處理:洗潔精清洗一去離子水清洗一丙酮清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干。對(duì)烘干后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)。
[0201]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.3A/s的蒸發(fā)速度，在ITO玻璃上蒸鍍形成第一空穴注入層，第一空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 WO3的N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺(NPB)，WO3占第一空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的第一空穴注入層的厚度為12nm。
[0202]在真空度5X10_5Pa的條件下，以IAiS的蒸發(fā)速度，在第一空穴注入層上蒸鍍形成第一空穴傳輸層，第一空穴傳輸層的材質(zhì)為N, N - 二苯基-N, N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，形成的第一空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0203]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第一空穴傳輸層上蒸鍍形成藍(lán)光發(fā)光層，藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 V2O5和FIrpic (雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥)的UGH2 (1，4一雙(三苯基硅)苯)，V2O5占藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的7%，F(xiàn)Irpic占藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的12%，形成的藍(lán)光發(fā)光層的厚度為 10nm。
[0204]在真空度5X10_5Pa的條件下，以IA/sH勺蒸發(fā)速度，在藍(lán)光發(fā)光層上蒸鍍形成第一電子傳輸層，第一電子傳輸層的材質(zhì)為i，J，o-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI )，形成的第一電子傳輸層的厚度為40nm。
[0205]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第一電子傳輸層上蒸鍍形成電荷產(chǎn)生層，電荷產(chǎn)生層的材質(zhì)為V2O5，形成的電荷產(chǎn)生層的厚度為20nm。[0206]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在電荷產(chǎn)生層上蒸鍍形成第二空穴注入層，第二空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 WO3的N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)，WO3占第二空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的摻雜濃度30%，形成的第二空穴注入層的厚度為12nm。
[0207]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在第二空穴注入層上蒸鍍形成第二空穴傳輸層，第二空穴傳輸層的材質(zhì)為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，形成的第二空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0208]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第二空穴傳輸層上蒸鍍形成紅綠發(fā)光層，紅綠發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 Ir(piq)3 (三(1_苯基-異喹啉)合銥)和Ir(mppy)3(三[2_(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III))的 ADN(9，10-雙(1-萘基)蒽)，Ir(piq)3占紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，Ir(Hippy)3占紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的6%，形成的紅綠發(fā)光層的厚度為20nm。
[0209]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在紅綠發(fā)光層上蒸鍍形成第二電子傳輸層，第二電子傳輸層的材質(zhì)為1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI )，形成的第二電子傳輸層的厚度為30nm。
[0210]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在第二電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 Li2O的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，Li2O占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的電子注入層的厚度30nmo
[0211]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，在電子注入層上蒸鍍形成陰極，陰極的材質(zhì)為Al,形成的陰極的厚度為lOOnm。
[0212]實(shí)施例7 (對(duì)比例)
[0213]提供ITO厚度為IOOnm的ITO玻璃基板作為導(dǎo)電基底，并對(duì)其進(jìn)行如下處理:洗潔精清洗一去離子水清洗一丙酮清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干。對(duì)烘干后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)。
[0214]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在ITO玻璃上蒸鍍形成第一空穴注入層，第一空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 V2O5的4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，V2O5占第一空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的第一空穴注入層的厚度為12nm。
[0215]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在第一空穴注入層上蒸鍍形成第一空穴傳輸層，第一空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，形成的第一空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0216]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第一空穴傳輸層上蒸鍍形成藍(lán)光發(fā)光層，藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 FIr6 (雙(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥)的CBP (4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯)，F(xiàn)Ir6占藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的13%，形成的藍(lán)光發(fā)光層的厚度為10nm。
[0217]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在藍(lán)光發(fā)光層上蒸鍍形成第一電子傳輸層，第一電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen),形成的第一電子傳輸層的厚度為40nm。[0218]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第一電子傳輸層上蒸鍍形成電荷產(chǎn)生層，電荷產(chǎn)生層的材質(zhì)為WO3，形成的電荷產(chǎn)生層的厚度為20nm。
[0219]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在電荷產(chǎn)生層上蒸鍍形成第二空穴注入層，第二空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3的4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)jMoO3占第二空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的摻雜濃度30%，形成的第二空穴注入層的厚度為12nm。[0220]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第二空穴注入層上蒸鍍形成第二空穴傳輸層，第二空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，形成的第二空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0221]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第二空穴傳輸層上蒸鍍形成紅綠發(fā)光層，紅綠發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 Ir (MDQ)2 (acac) (二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥)和Ir(ppy)3 (三(2-苯基吡啶)合銥)的TCTA (4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺)，Ir (MDQ) 2 (acac)占紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%, Ir (ppy) 3占紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的8%，形成的紅綠發(fā)光層的厚度為20nm。
[0222]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以丨人/s的蒸發(fā)速度，在紅綠發(fā)光層上蒸鍍形成第二電子傳輸層，第二電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen),形成的第二電子傳輸層的厚度為40nm。
[0223]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在第二電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 Cs2CO3的4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，Cs2CO3占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的電子注入層的厚度30nm。
[0224]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，在電子注入層上蒸鍍形成陰極，陰極的材質(zhì)為Al,形成的陰極的厚度為lOOnm。
[0225]如圖3所示的實(shí)施例f實(shí)施例7制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率圖，讀圖可以得到下表:
[0226]
【權(quán)利要求】
1.一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu):導(dǎo)電基底、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、紅綠發(fā)光層、第二電子傳輸層、電子注入層以及陰極； 所述藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了藍(lán)光客體材料和雙極性電荷控制材料的藍(lán)光主體材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述雙極性電荷控制材料為Mo03、V2O5, WO3和ReO3中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述藍(lán)光主體材料為4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯、9，9’-(1，3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)-9!1-咔唑、2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶和1，4—雙(三苯基硅)苯中的至少一種； 所述藍(lán)光客體材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥、三(2- (4’，6’ - 二氟-5’ -氰基)苯基吡啶-N，C2’ )合銥、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1，2，4_三唑)合銥和雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥)中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述藍(lán)光客體材料占所述藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%~20% ； 所述雙極性電荷控制材料占所述藍(lán)光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的59TlO% ； 所述藍(lán)光發(fā)光層的厚度為5nnTl5nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電`致發(fā)光器件，其特征在于，所述電荷產(chǎn)生層的材質(zhì)為Mo03、V2O5, WO3和ReO3中的至少一種； 所述電荷產(chǎn)生層的厚度為5nnT30nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅綠發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了紅光客體材料和綠光客體材料的紅綠主體材料； 所述紅綠主體材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ -二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、1，1-二[4-[N, N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷)和9，10-雙(1-萘基)蒽中的至少一種； 紅光客體材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [2- (2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III)和三(1-苯基-異喹啉)合銥中的至少一種； 綠光客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二( 2-苯基吡啶)銥和三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III)中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光客體材料占所述紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%~2% ； 所述綠光客體材料占所述紅綠發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的29TlO% ； 所述紅綠發(fā)光層的厚度10nnT30nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 Mo03、W03、V205和ReO3中的至少一種的空穴傳輸材料； 所述空穴傳輸材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’-二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺和1，1- 二 [4-[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中的至少一種； MoO3> WO3^V2O5和ReO3占所述第一空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%~35% ； 所述第一空穴注入層的厚度為10nnTl5nm ; 所述第二空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 Mo03、W03、V205和ReO3中的至少一種的所述空穴傳輸材料； MoO3> WO3^V2O5和ReO3占所述第二空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%~35% ； 所述第二空穴注入層的厚度為10nnTl5nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 Cs2C03、CsF、CsN3> Li2C03、LiF和Li2O中至少一種的電子傳輸材料； 所述電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑和1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種； Cs2C03、CsF、CsN3> Li2C03、LiF和Li2O占所述電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%"35% ； 所述電子注入層的厚度為20nnT40nm。
10.一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供潔凈的導(dǎo)電基底； 在所述導(dǎo)電基底上依次蒸鍍形成第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、藍(lán)光發(fā)光層、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、紅綠發(fā)光層、第二電子傳輸層、電子注入層以及陰極；其中，所述藍(lán)光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了藍(lán)光客體材料和雙極性電荷控制材料的藍(lán)光主體材料。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK103633247SQ201210312928
【公開日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2012年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月29日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 黃輝 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司