發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、電極和發(fā)光二極管芯片，所述基板包括上表面和與上表面相對的下表面，所述電極至少為兩個，所述電極形成在所述基板上，所述發(fā)光二極管芯片與所述電極電性連接，還包括光波轉(zhuǎn)變層，該光波轉(zhuǎn)變層覆蓋發(fā)光二極管芯片于基板上，該光波轉(zhuǎn)變層為至少二層光子晶體結(jié)構(gòu)，各層光子晶體結(jié)構(gòu)具有不同的間距，使發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)出射光線的波長范圍加寬，提高色彩表現(xiàn)度，并提高光線顏色對比度。
【專利說明】發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優(yōu)點，其作為一種新型的發(fā)光源，已經(jīng)被越來越廣泛地應(yīng)用。
[0003]現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)是采用單色光發(fā)光二極管晶粒配合熒光粉的結(jié)構(gòu)發(fā)出白光。然而，當(dāng)該種結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)運用在顯示器等作為背光模組時，單色光發(fā)光二極管晶粒配合熒光粉的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生白光的色彩表現(xiàn)度不高，且顯示器顯示的顏色的對比度較低。因此，如何提高運用到背光模組的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的色彩表現(xiàn)度成為了業(yè)界一直探索的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，有必要提供一種色彩表現(xiàn)度較高的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
[0005]—種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、電極和發(fā)光二極管芯片，所述基板包括上表面和與上表面相對的下表面，所述電極至少為兩個，所述電極形成在所述基板上，所述發(fā)光二極管芯片與所述電極電性連接，還包括光波轉(zhuǎn)變層，該光波轉(zhuǎn)變層覆蓋發(fā)光二極管芯片于基板上，該光波轉(zhuǎn)變層為至少二層光子晶體結(jié)構(gòu)，各層光子晶體結(jié)構(gòu)具有不同的間距。
[0006]上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，由于利用不同間距的光子晶粒作為多層光波轉(zhuǎn)變層覆蓋于發(fā)光二極管芯片上，而不同間距的光子晶體可使光線的原有波長轉(zhuǎn)變?yōu)椴煌牟ㄩL，因此光線穿射過不同層的光波轉(zhuǎn)變層后即可成為不同波長的光線，從而使單色發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)能夠發(fā)出具有更多波長種類的光線，從而使波長范圍加寬，提高色彩表現(xiàn)度，并提高光線顏色對比度。`
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是本發(fā)明第一實施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0008]圖2是圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0009]圖3是本發(fā)明第二實施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0010]圖4是圖3中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0011]圖5是本發(fā)明第三實施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0012]圖6是圖5中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0013]主要元件符號說明

發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) |10、20、30
基板__11_
上表面_m_
下表面_112_
第一邊_113_
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、電極和發(fā)光二極管芯片，所述基板包括上表面和與上表面相對的下表面，所述電極至少為兩個，所述電極形成在所述基板上，所述發(fā)光二極管芯片與所述電極電性連接，其特征在于:還包括光波轉(zhuǎn)變層，該光波轉(zhuǎn)變層覆蓋發(fā)光二極管芯片于基板上，該光波轉(zhuǎn)變層為至少二層光子晶體結(jié)構(gòu)，各層光子晶體結(jié)構(gòu)具有不同的間距。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述至少二層光波轉(zhuǎn)變層自基板的上表面向遠離基板的方向?qū)盈B設(shè)置。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述至少二層光波轉(zhuǎn)變層包括第一光波轉(zhuǎn)變層、第二光波轉(zhuǎn)變層和第三光波轉(zhuǎn)變層，該第一光波轉(zhuǎn)變層平鋪于基板的上表面，并將發(fā)光二極管芯片覆蓋于第一光波轉(zhuǎn)變層以內(nèi)，第二光波轉(zhuǎn)變層疊設(shè)于第一光波轉(zhuǎn)變層上，第三光波轉(zhuǎn)變層疊設(shè)于第二光波抓轉(zhuǎn)變層上。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一光波轉(zhuǎn)變層的光子晶體結(jié)構(gòu)的間距為180納米，第二光波轉(zhuǎn)變層的光子晶體結(jié)構(gòu)的間距為210納米，第三光波轉(zhuǎn)變層的光子晶體結(jié)構(gòu)的間距為300納米。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述至少二層光波轉(zhuǎn)變層覆蓋基板上表面的不同區(qū)域。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述至少二層光波轉(zhuǎn)變層將基板的上表面均分為至少二個區(qū)域，每一個光波轉(zhuǎn)變層覆蓋該基板的上表面等面積的區(qū)域。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述至少二層光波轉(zhuǎn)變層的各層均至少包括二層光子晶體結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述至少二層光波轉(zhuǎn)變層各層均包括下層、中層和上層，該下層覆蓋基板的上表面的一個所述等面積的區(qū)域，該中層磊疊于下層上，該上層磊疊于中層上。
9.如權(quán)利要求1-8中任意一項所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述發(fā)光二極管芯片為單色出光的光源。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:還包括反射杯，所述反射杯形成于基板的上表面并將發(fā)光二極管芯片環(huán)繞在反射杯中，所述光波轉(zhuǎn)變層容置于反射杯環(huán)繞形成的空間中。
【文檔編號】H01L33/50GK103682051SQ201210314558
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月30日
【發(fā)明者】洪孟賢 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司