專利名稱：制造薄膜晶體管的方法和制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法
制造薄膜晶體管的方法和制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法技術(shù)領(lǐng)域
實施方式涉及制造薄膜晶體管的方法。另外，實施方式涉及制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法。
背景技術(shù)：
本申請要求2011年9月20日提交的韓國專利申請No. 10-2011-0094829的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
廣泛開發(fā)了用于顯示信息的設(shè)備。顯示設(shè)備包括液晶顯示(IXD)設(shè)備、有機發(fā)光顯示(OLED)設(shè)備、電泳顯示設(shè)備、場發(fā)射顯示(FED)設(shè)備和等離子體顯示設(shè)備。
在這些顯示設(shè)備中，與IXD設(shè)備相比，OLED設(shè)備具有更低的功率消耗、更寬的視角、更輕的重量和更高的亮度。因此，OLED設(shè)備被認為是下一代顯示設(shè)備。
一般地，制造OLED設(shè)備的處理工序是復雜的。換句話說，制造OLED設(shè)備需要使用大量的掩模。
由于復雜的制造處理工序，制造時間延長，制造成本增加并且生產(chǎn)率劣化。發(fā)明內(nèi)容
因此，實施方式關(guān)注于薄膜晶體管制造方法和OLED設(shè)備制造方法，基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點引起的一個或者更多個問題。
實施方式涉及適用于通過最小化掩模的數(shù)量來簡化薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的制造方法和具有該薄膜晶體管的OLED設(shè)備。
另外，實施方式涉及適用于通過最小化掩模的數(shù)量來減少制造時間和成本并且增強生產(chǎn)率的薄膜晶體 管制造方法和OLED設(shè)備制造方法。
將在以下的說明書中進行闡述本實施方式的其它特征及優(yōu)點，并且一部分根據(jù)本說明書將是清楚的，或者可以從本實施方式的實踐獲知。本實施方式的這些優(yōu)點可以通過在本書面描述及其權(quán)利要求書及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。
根據(jù)本發(fā)明的實施方式的第一個總體方面，一種薄膜晶體管制造方法，所述方法包括在基板上形成半導體圖案；在包括所述半導體圖案的所述基板上形成第一絕緣膜、 傳導膜和金屬膜；在所述金屬膜上形成第一光刻膠圖案，所述第一光刻膠圖案具有比所述半導體圖案的寬度更窄的寬度；通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述金屬膜和所述傳導膜來形成第一金屬圖案和傳導圖案；通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模進行第一離子注入工序在所述半導體圖案中形成源區(qū)域和漏區(qū)域；通過灰化工序形成第二光刻膠圖案，所述第二光刻膠圖案具有比所述第一光刻膠圖案的寬度更窄的寬度；通過使用所述第二光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述第一金屬圖案形成第二金屬圖案，其中所述第二金屬圖案具有比所述第二光刻膠圖案的寬度更窄的寬度，并且所述第二金屬圖案和所述傳導圖案形成柵極；通過使用第二光刻膠圖案作為掩模的第二離子注入工序在所述半導體圖案中形成LDD (輕摻雜漏)區(qū)域；去除所述第二光刻膠圖案；通過使用第二金屬圖案作為掩模的第三離子注入工序在半導體圖案中形成GOLDD (柵交疊LDD)區(qū)域；在包括所述柵極的所述基板上形成第二絕緣膜；以及在所述第二絕緣膜上形成分別電連接到所述源區(qū)域和漏區(qū)域的源極和漏極。
根據(jù)本發(fā)明的實施方式的第二總體方面，一種OLED設(shè)備制造方法，所述方法包括在基板上形成半導體圖案；在包括所述半導體圖案的所述基板上形成第一絕緣膜、傳導膜和金屬膜；在所述金屬膜上形成第一光刻膠圖案，所述第一光刻膠圖案具有比所述半導體圖案的寬度更窄的寬度；通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述金屬膜和所述傳導膜來形成第一金屬圖案和傳導圖案；通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模進行第一離子注入工序在所述半導體圖案中形成源區(qū)域和漏區(qū)域；通過灰化工序從所述第一光刻膠圖案形成第二光刻膠圖案，所述第二光刻膠圖案具有比所述第一光刻膠圖案的寬度更窄的寬度；通過使用所述第二光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述第一金屬圖案形成第二金屬圖案，其中所述第二金屬圖案具有比所述第二光刻膠圖案的寬度更窄的寬度，并且所述第二金屬圖案和所述傳導圖案形成柵極；進行包括去除第二光刻膠圖案、在所述半導體圖案中形成LDD (輕摻雜漏)區(qū)域以及在所述半導體圖案中形成GOLDD (柵交疊LDD)區(qū)域的處理； 在所述基板的整個表面上形成第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜上形成分別電連接到所述源區(qū)域和漏區(qū)域的源極和漏極；形成電連接到漏極的第一電極；形成具有露出第一電極的開口的堤層；以及在所述第一電極上形成有機發(fā)光層和第二電極。
根據(jù)本發(fā)明的實施方式的第三個總體方面，一種OLED設(shè)備制造方法，所述方法包括在具有第一區(qū)域到第三區(qū)域的基板上形成第一半導體圖案和第二半導體圖案；在包括所述第一半導體圖案和所述第二半導體圖案的基板上形成第一絕緣膜、傳導膜和金屬膜； 在所述金屬膜上對應于所述第一區(qū)域到所述第三區(qū)域形成第一光刻膠圖案到第三光刻膠圖案，并且所述第一光刻膠圖案具有比所述第一半導體圖案更窄的寬度，所述第二光刻膠圖案對應于所述第二半導體圖案；通過使用所述第一光刻膠圖案到所述第三光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述金屬膜和所述傳導膜形成第一金屬圖案到第三金屬圖案和第一傳導圖案到第三傳導圖案；通過進行使用所述第一光刻膠圖案作為掩模的第一離子注入工序在所述半導體圖案中形成源區(qū)域和漏區(qū)域；從所述第一光刻膠圖案形成具有比所述第一光刻膠圖案的寬度更窄的寬度的第四光刻膠圖案并且通過進行灰化工序去除所述第二光刻膠圖案和所述第三光刻膠圖案；形成 第四金屬圖案、第二電容器電極和第一電極，其中所述第四金屬圖案通過使用所述第四光刻膠圖案作為掩模蝕刻第一金屬圖案從所述第一金屬圖案形成并且具有比所述第四光刻膠圖案的寬度更窄的寬度，所述第二電容器電極和所述第一電極通過去除第二金屬圖案和第三金屬圖案從所述第二傳導圖案和第三傳導圖案形成，其中所述第四金屬圖案和所述第一傳導圖案形成柵極；去除所述第四光刻膠圖案；進行包括去除第二光刻膠圖案、在所述半導體圖案中形成LDD (輕摻雜漏)區(qū)域以及在所述半導體圖案中形成GOLDD (柵交疊LDD)區(qū)域的處理；在所述基板的整個表面上形成第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜中形成露出第一電極的第一開口 ；在所述第二絕緣膜上形成電連接到所述源區(qū)域的源極和電連接到所述漏區(qū)域和所述第一電極的漏極；在所述第二絕緣膜上形成具有露出所述第一電極的第二開口的堤層；以及在所述第一電極上形成與所述第一電極一起形成有機發(fā)光兀件的有機發(fā)光層和第二電極。
根據(jù)本發(fā)明的實施方式的第四個總體方面，一種OLED設(shè)備制造方法，所述方法包括在具有第一區(qū)域到第三區(qū)域的基板上形成第一半導體圖案和第二半導體圖案；在包括所述第一半導體圖案和所述第二半導體圖案的基板上形成第一絕緣膜、傳導膜和第一金屬膜；在所述金屬膜上對應于所述第一區(qū)域到所述第三區(qū)域形成第一光刻膠圖案到第三光刻膠圖案，并且所述第一光刻膠圖案具有比所述第一半導體圖案更窄的寬度，所述第二光刻膠圖案對應于所述第二半導體圖案；通過使用所述第一光刻膠圖案到所述第三光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述第一金屬膜和所述傳導膜形成第一金屬圖案到第三金屬圖案和第一傳導圖案到第三傳導圖案；通過進行使用所述第一光刻膠圖案作為掩模的第一離子注入工序在所述半導體圖案中形成源區(qū)域和漏區(qū)域；通過進行灰化工序形成第四光刻膠圖案和第五光刻膠圖案并且第四光刻膠圖案具有比所述第一光刻膠圖案的寬度更窄的寬度；形成第四金屬圖案和第二電容器電極，其中所述第四金屬圖案通過使用所述第四光刻膠圖案作為掩模蝕刻第一金屬圖案從所述第一金屬圖案形成并且具有比所述第四光刻膠圖案的寬度更窄的寬度，以及所述第二電容器電極從所述第二傳導圖案形成；去除所述第四光刻膠圖案和所述第五光刻膠圖案；進行包括去除第二光刻膠圖案、在所述半導體圖案中形成LDD (輕摻雜漏)區(qū)域以及在所述半導體圖案中形成GOLDD (柵交疊LDD)區(qū)域的處理；在所述基板的整個表面上形成第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜中形成露出所述第三金屬圖案的第一開口 ；通過在所述第二絕緣膜上沉積第二金屬膜并且對第二金屬膜和第三金屬圖案構(gòu)圖形成源極、漏極、連接電極以及第一電極；在所述第二絕緣膜上形成具有露出所述第一電極的第二開口的堤層；以及在所述第一電極上形成與所述第一電極一起形成有機發(fā)光元件的有機發(fā)光層和第二電極。
在研讀以下附圖和具體描述之后其它系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點將對于本領(lǐng)域技術(shù)人員變得明顯。本說明書中包括的全部這些附加系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點在本發(fā)明的范圍內(nèi)，并且被以下的權(quán)利要求保護。此部分的內(nèi)容均不作為對權(quán)利要求的限制。其它方面和優(yōu)點在下面接合實施方式一起討論。應該理解，對本發(fā)明的以上概述和以下詳述都是示例性和解釋性的，并旨在對所要求保護的本公開提供進一步的解釋。


附圖被包括在本申請中以提供對實施方式的進一步理解，并結(jié)合到本申請中且構(gòu)成本申請的一部分，附圖 示出了本發(fā)明的多個實施方式，且與說明書一起用于解釋本公開的原理。在附圖中
圖1A到圖1N是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的制造頂部發(fā)射型OLED設(shè)備的方法的截面圖2A到圖2M是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的制造頂部發(fā)射型OLED設(shè)備的方法的截面圖3A到圖3M是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的制造底部發(fā)射型OLED設(shè)備的方法的截面圖4A到圖41是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的制造底部發(fā)射型OLED設(shè)備的方法的截面圖5A到圖51是示出根據(jù)本發(fā)明的第五實施方式的制造底部發(fā)射型OLED設(shè)備的方法的截面圖；以及
圖6A和圖6B是比較根據(jù)本發(fā)明的實施方式和現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管的電流-電壓特性的數(shù)據(jù)表。
具體實施方式
在本發(fā)明的實施方式中，將理解的是，當將諸如基板、層、區(qū)域、膜或者電極這樣的元件稱為“位于”另一元件“上”或者“下”時，它可以直接位于所述另一元件上或者下，或者也可以(間接地)存在中間元件。措辭元件的“上”或者“下”將基于附圖確定。
下面將詳細描述本發(fā)明的實施方式，在附圖中例示出了其示例。在附圖中，為了清楚和方便說明，可以夸大、省略或者簡化元件的大小和厚度，但是這些圖示不是指元件的實際大小。
第一實施方式和第二實施方式公開頂部發(fā)射型OLED設(shè)備,其在基板的向上方向上發(fā)射光。
頂部發(fā)射型OLED設(shè)備一般可以應用于大小相對小的屏幕。這種小尺寸的OLED設(shè)備可以使在基板上排布的薄膜晶體管和有機發(fā)光元件彼此交疊。在這個例子中，從有機發(fā)光元件發(fā)射的光不能夠向基板的向下方向前進。因此，頂部發(fā)射型OLED設(shè)備必須具有向基板的向上方向發(fā)射光的結(jié)構(gòu)。然而，根據(jù)第一實施方式和第二實施方式的頂部發(fā)射型OLED 設(shè)備可以應用于例如大小相對大的屏幕。
第三實施方式到第五實施方式公開底部發(fā)射型OLED設(shè)備，其在基板的向下方向上發(fā)射光。
底部發(fā)射型OLED設(shè)備一般可以應用于大小相對大的屏幕。這種大尺寸的OLED設(shè)備可以迫使在基板上排布的薄膜晶體管和有機發(fā)光元件不彼此交疊。然而，根據(jù)第三實施方式到第五實施方式的底部發(fā)射型OLED設(shè)備可以應用于例如大小相對小的屏幕。
頂部發(fā)射型OLED設(shè)備和底部發(fā)射型OLED設(shè)備之間的最大的結(jié)構(gòu)差異是是否存在用于補償由晶體管造 成的臺階覆蓋的經(jīng)表面平坦化的絕緣膜。更具體地，頂部發(fā)射型OLED 設(shè)備包括經(jīng)表面平坦化的絕緣膜，但是底部發(fā)射型OLED設(shè)備不包括經(jīng)表面平坦化的絕緣膜。
另外，在頂部發(fā)射型OLED設(shè)備和底部發(fā)射型OLED設(shè)備兩者中，可以按照需要選擇性地增加或者減少其它部件。
圖1A到圖1N是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的制造頂部發(fā)射型OLED設(shè)備的方法的截面圖。
如圖1A所示，可以在基板I上形成緩沖層3。另外，可以在緩沖層3上形成具有非晶體結(jié)構(gòu)的半導體膜5?？梢酝ㄟ^熱處理將半導體膜5晶體化。
基板I可以包括從包括玻璃、塑料材料、金屬材料、半導體材料和陶瓷材料的材料組選擇的一種材料。然而，基板I不限于上述材料組。
緩沖層3可以允許容易地在基板I上形成半導體膜5。另外，可以形成緩沖層3以保護半導體膜5。這種緩沖層3可以包括由氧化硅膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜中的一種構(gòu)建的單層或者由這些材料構(gòu)造的多層。
半導體膜5可以包括例如非晶硅材料?？梢酝ㄟ^濺射處理、低壓化學氣相沉積 (LPCVD)處理或者等離子體化學氣相沉積(CVD)處理形成硅膜5，但是不限于這些處理?？梢岳?，通過熱處理(即，通過在上面照射激光束)將硅膜5晶體化。晶體化的半導體膜可以具有例如多晶硅的特性。與非晶硅相比，多晶硅可以具有增強的電子遷移率。據(jù)此，包括這種帶有多晶硅的特性的半導體膜5的薄膜晶體管可以在高速度切換。
可以通過在晶體化的半導體膜5上涂覆光刻膠膜并且使光刻膠膜暴露于光來形成光刻膠圖案7。光刻膠膜可以包括允許暴露于光的區(qū)域被去除的正光刻膠材料或者允許不暴漏于光的區(qū)域被去除的負光刻膠材料。
如圖1B所示，可以使用光刻膠圖案作為掩模，針對半導體膜5進行蝕刻處理，因而形成第一半導體圖案5a和第二半導體圖案5b。第一半導體圖案5a可以被用作針對薄膜晶體管的半導體圖案。第二半導體圖案5b可以被用作第一電容器電極。
如圖1C所示，可以在上述基板I的整個表面上形成第一絕緣膜11。第一絕緣膜 11可以包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅的單層，或者這些材料的多層，但是不限于此。
可以在第一絕緣膜11上順序地形成傳導膜13和金屬膜15。另外，在第二光刻膠膜17上方布置半色調(diào)掩模100之前，可以在金屬膜15上形成第二光刻膠膜17。
傳導膜17可以由透明傳導材料形成。作為透明的傳導膜13的示例，由從包括ITO (氧化銦錫)、ΙΖ0 (氧化銦鋅)、ΙΖΤ0 (氧化銦鋅錫)，IAZO (氧化銦鋁鋅)，IGZO (氧化銦鎵鋅)， IGTO (氧化銦鎵錫)、ΑΖ0 (氧化鋁鋅)、ΑΤ0 (氧化銻錫)、GZ0 (氧化鎵鋅)、IrOx、RuOx和RuOx/ ITO的材料組選擇的至少一種材料形成的單層或者由這些材料中的一些材料構(gòu)成的多層可以被采用。然而，傳導膜不限于該透明材料組。光和摻雜劑可以穿透傳導膜13。
金屬膜15可以由不透明傳導材料或者金屬材料制成。作為金屬膜15的示例，從包括Au、Al、Ag、T1、Cu、N1、Pt、Mo、W、Ta和Cr的不透明傳導材料組選擇的至少一種材料形成的單層或者多層可以被使用。然而，金屬膜15不限于該不透明傳導材料組。例如，金屬膜15可以具有Mo/Al/Mo的三層結(jié)構(gòu)，但是不限于此。
另外，光和摻雜劑不會穿透金屬膜15。因此，金屬膜15可以用作當進行注入離子的摻雜處理時防止摻雜劑穿透的掩模。
如以上說明的，第二光刻膠膜17可以包括正和負光刻膠材料中的任意一種。
半色調(diào)掩模100可以包括透射區(qū)域110、半透射區(qū)域120和阻擋區(qū)域130。透射區(qū)域110使光透射通過它們。半透射區(qū)域120使光部分地透射過它。因此，與透過透射區(qū)域 110的光的量相比，透過半透射區(qū)域120的光的量較少。阻擋區(qū)域130阻擋光。
可以針對半色調(diào)掩模100進行照射光的曝光處理。在這個例子中，透過半色調(diào)掩模100的透射區(qū)域110和半透射區(qū)域120的光可以照射到第二光刻膠膜17。另外，向半色調(diào)掩模100的阻擋區(qū)域130前進的光不能夠照射到第二光刻膠膜17，因為這些光被阻擋區(qū)域130屏蔽。
另外，透過透射區(qū)域110的光量不同于透過半透射區(qū)域120的光量。換句話說，透過透射區(qū)域Iio的光量大于透過半透射區(qū)域120的光量。因此，第二光刻膠膜17的暴露于透過透射區(qū)域110的光的第一部分和第二光刻膠膜17的暴露于透過半透射區(qū)域120的光的第二部分在硬化程度上彼此不同。更具體地，第二光刻膠膜17的暴露于透過透射區(qū)域 110的光的第一部分在整個厚度上硬化。另外，第二光刻膠膜17的暴露于透過半透射區(qū)域 120的光的第二部分不在整個厚度上硬化。換句話說，第二光刻膠膜17的第二部分可以被硬化到從第二光刻膠膜17的表面起的固定深度。例如，第二光刻膠膜17的第二部分可以被硬化整個厚度的一半。
如果第二光刻膠膜17是正光刻膠膜，則盡管針對第二光刻膠膜17進行顯影處理， 第二光刻膠膜17的面對阻擋區(qū)域130的第三部分仍保留而不被去除。據(jù)此，可以形成如圖1D所不的第一光刻膠圖案17a。
當進行顯影處理時，第二光刻膠膜17的面對透射區(qū)域110的第一部分被整個去除，但是第二光刻膠膜17的面對半透射區(qū)域120的第二部分在厚度上被部分地去除。例如， 第二光刻膠膜17的第二部分可以被去除了整個厚度的一半，而另一半可以保留。因此，通過顯影處理，可以通過部分地去除第二光刻膠膜17的第二部分形成第二光刻膠圖案17b。
如圖1E所示，可以使用第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b作為掩模進行蝕刻處理。通過蝕刻處理，金屬膜15可以被選擇性地去除，接著位于金屬膜15下方的傳導膜13可以被選擇性地去除。另外，金屬膜15和傳導膜13可以被過度蝕刻以獲得比第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b的寬度更窄的寬度。
據(jù)此，可以在第一絕緣膜11上形成與第一半導體圖案5a相對的第一傳導圖案13a 和第一金屬圖案15a。另外，可以在第一絕緣膜11上形成與第二半導體圖案5b相對的第二傳導圖案13b和第二金屬圖案15b。第一傳導圖案13a和第一金屬圖案15a可以具有比第一光刻膠圖案17a的寬度更窄的寬度。
由于大致使用相同的光刻膠圖案即第一光刻膠圖案17a作為掩模來蝕刻傳導膜 13和金屬膜15兩者,第一傳導圖案13a和第一金屬圖案15a可以大致具有相同大小或者寬度。類似地，第二傳導圖案13b和第二金屬圖案15b可以大致具有相同大小或者寬度，因為大致使用相同的光刻膠圖案即第二光刻膠圖案17b作為掩模來蝕刻傳導膜13和金屬膜15 兩者。然而，第一傳導圖案13a和第二傳導圖案13b以及第一金屬圖案15a和第二金屬圖案15b不限于上述情形。
與第一半導體圖案5a相比，第一光刻膠圖案17a可以具有更小的大小或者窄的寬度。因此，僅僅在第 一半導體圖案5a的中央部分上形成第一光刻膠圖案17a而不在第一半導體圖案5a的邊緣上存在。另外，第二光刻膠圖案17b可以具有與第二半導體圖案5b的大小或者寬度大致相同的大小或者寬度，或者比第二半導體圖案5b的大小或者寬度更大的大小或者更寬的寬度。
因此，盡管針對上述基板I進行摻雜處理，但是因為離子摻雜劑被第二光刻膠圖案17b屏蔽，離子摻雜劑不能被注入進面對第二光刻膠圖案17b的第二半導體圖案5b中。 另外，由于第一光刻膠圖案17a具有比第一半導體圖案5a的大小或者寬度更小的大小或者更窄的寬度，所以離子摻雜劑僅僅被注入進第一半導體圖案5a的不被第一光刻膠圖案17a 覆蓋的邊緣，將第一半導體圖案5a的被第一光刻膠圖案17a覆蓋的中央部分排除在外。
如圖1F所不,可以使用第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b作為掩模首先進行離子注入處理。
此時，因為與第一半導體圖案5a相比，第一光刻膠圖案17a具有更小的大小或者更窄的寬度，離子摻雜劑被注入進第一半導體圖案5a的不被第一光刻膠圖案17a覆蓋的邊緣，g卩，第一半導體圖案5a的被第一光刻膠圖案17a露出的周邊部分或者多個側(cè)邊部分。據(jù)此，可以形成均包括該離子摻雜劑的源區(qū)域21a和漏區(qū)域21b。
另一方面，離子摻雜劑被第二光刻膠圖案17b屏蔽并且不被注入進面對第二光刻膠圖案17b的第二半導體圖案5b。這是因為第二光刻膠圖案17b有效地覆蓋第二半導體圖案5b這個事實。
如圖1G所示，可以針對第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b進行灰化處理。這種灰化處理可以減小第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b的厚度或者寬度。 灰化處理可以繼續(xù)直至第二光刻膠圖案17b被完全去除為止。當?shù)诙饪棠z圖案17b被完全去除時，第一光刻膠圖案17a可以被重形成(或者改變)為具有更薄的厚度和更窄的寬度的第三光刻膠圖案17c。這是因為第一光刻膠圖案17a的厚度大于第二光刻膠圖案17b的厚度這個事實。
必須獲得與第一光刻膠圖案17a相比具有更窄的寬度的第三光刻膠圖案17c。鑒于這一點，能夠?qū)㈦x子摻雜劑注入進與可以第一光刻膠圖案17a的被第三光刻膠圖案17c 露出的周邊部分或者多個側(cè)邊部分相對應的第一半導體圖案5a中。
另外，第三光刻膠圖案17c可以具有與第一傳導圖案13a的大小或者寬度大致相同的大小或者寬度。因此，能夠?qū)㈦x子注入進與第一光刻膠圖案17a的可以被第一傳導圖案13a露出的兩個側(cè)邊部分相對應的第一半導體圖案5a中。
可以使用第三光刻膠圖案17c作為掩模進行另一個蝕刻處理。此時，可以進行用于去除第一金屬圖案15a的邊緣部分的過度蝕刻。據(jù)此，第一金屬圖案15a可以具有比第一傳導圖案13a的大小或者寬度更小的大小或者更窄的寬度。換句話說，在傳導圖案13a 的邊緣部分上不存在第一金屬圖案15a。
經(jīng)過度蝕刻的第一金屬圖案15a和傳導圖案13a可以被用作柵極33。
通過另一個蝕刻處理，第二傳導圖案13b上的第二金屬圖案15b被完全去除，從而僅僅保留第二傳導圖案13b。第二傳導圖案13b可以變?yōu)榈诙娙萜麟姌O23。
可以使用第三光刻膠圖案17c作為掩模進行第二離子注入處理。在第二離子注入處理期間，離子摻雜劑可以被注入進分別在第三光刻膠圖案17c與源區(qū)域21a之間以及第三光刻膠圖案17c與漏區(qū)域21b之間的第一半導體圖案5a中。據(jù)此，與第一光刻膠圖案 17a的可以被第一傳導圖案13a露出的周邊部分或者多個側(cè)邊部分相對的第一半導體圖案 5a可以變?yōu)長DD (輕摻雜漏)區(qū)域27a和27b。
LDD區(qū)域27a和27b可以增強薄膜晶體管的電特性。例如，LDD區(qū)域27a和27b可以增強薄膜晶體管的關(guān)電流特性，但是不限于此。
離子摻雜劑還可以被注入進源區(qū)域21a和漏區(qū)域21b。
此外，離子摻雜劑可以通過透過第二電容器電極23而被注入進第二電容器電極 23下方的第二半導體圖案5b。因此，包括離子摻雜劑的第二半導體圖案5b可以變?yōu)榈谝浑娙萜麟姌O25。因此，第一電容器電極25和第二電容器電極23以及之間的第一絕緣膜11 可以一起形成電容器。
第一實施方式可以同時形成LDD區(qū)域27a和27b以及第一電容器電極25。因此， 與獨立地形成LDD區(qū)域27a和27b以及第一電容器電極25的方法相比，第一實施方式可以減少掩模的數(shù)量。
可以通過如圖1I所示的剝離處理去除第三光刻膠圖案17c。
隨后，可以使用第一金屬圖案15a作為掩模進行第三離子注入處理。此時，離子摻雜劑可以被注入進源區(qū)域21a、漏區(qū)域21b、LDD區(qū)域27a和27b以及第一電容器電極25。
另外,離子摻雜劑可以被注入在與第一傳導圖案13a的可以被第一金屬圖案15a 露出的周邊部分或者多個側(cè)邊部分相對應的第一半導體圖案5a中，因而形成GOLDD (柵交疊LDD)區(qū)域29a和29b。為此，在透過第一傳導圖案13a之后，離子摻雜劑可以被注入進第一半導體圖案5a中。
GOLDD區(qū)域29a和29b可以進一步增強薄膜晶體管的電特性。例如，GOLDD區(qū)域 29a和29b可以增強薄膜晶體管的關(guān)電流特性，但是不限于此。
按此方式，形成LDD區(qū)域27a和27b以及GOLDD區(qū)域29a和29b。因此，第一實施方式可以增強薄膜晶體管的電特性。
另外，離子摻雜劑被第一金屬圖案15a屏蔽。因此，離子摻雜劑不能夠被注入進第一半導體圖案5a的與第一金屬圖案15a相對的中央部分。第一半導體圖案5a的不包括離子摻雜劑的中央部分能夠變?yōu)橛性磪^(qū)域31。
據(jù)此，可以形成包括有源區(qū)域31、G0LDD區(qū)域29a和29b、LDD區(qū)域27a和27b以及源區(qū)域21a和21b的半導體圖案。
可以在有源區(qū)域31和源區(qū)域21a之間形成GOLDD區(qū)域29a和LDD區(qū)域27a。另夕卜，可以在有源區(qū)域31和漏區(qū)域21b之間形成GOLDD區(qū)域29b和LDD區(qū)域27b。換句話說， 可以在有源區(qū)域31的兩個側(cè)邊順序地形成GOLDD區(qū)域29a和29b、LDD區(qū)域27a和27b、以及源區(qū)域21a或者漏區(qū)域21b。
可以沿著GOLDD區(qū)域29a或者29b、LDD區(qū)域27a或者27b和源區(qū)域21a或者漏區(qū)域21b的順序逐漸增加摻雜密度。
有源區(qū)域31可以被定位在第一半導體圖案5a的中央部分。源區(qū)域21a和漏區(qū)域 21b定位在第一半導體圖案5a的兩個邊緣部分。GOLDD區(qū)域29a和29b以及LDD區(qū)域27a 和27b可以被定位在第一半導體圖案5a的中央部分與多個邊緣部分之間。
根據(jù)第一實施方式，通過進行第一離子注入處理到第三離子注入處理，可以形成包括有源 區(qū)域31、G0LDD區(qū)域29a和29b、LDD區(qū)域27a和27b以及源區(qū)域21a和漏區(qū)域21b 的半導體圖案。
如圖1J所示，可以在柵極33、第二電容器電極23和第一絕緣膜11上形成第二絕緣膜35。接著，可以在第二絕緣膜35形成第一接觸孔37和第二接觸孔39 (或者第一通孔和第二通孔)。
第一接觸孔37露出源區(qū)域21a的一部分。第二接觸孔39露出漏區(qū)域21b的一部分。
第二絕緣膜35可以包括無機絕緣材料和有機絕緣材料中的一種。作為包括無機絕緣材料的第二絕緣膜35的示例，可以采用諸如氧化硅膜、氮化硅膜或者氮氧化硅膜這樣的單層或者用其組合構(gòu)建的多個層。另一方面，作為有機絕緣材料的示例，可以使用基于聚合物的材料或者基于感光亞克力的材料，但是不限于此。
如圖1K所示，可以在第一接觸孔37中和在包圍第一接觸孔37的第二絕緣膜35 的一部分上形成源極41。另外，可以在第二接觸孔39中和在包圍第二接觸孔39的第二絕緣膜35的另一部分上形成漏極43。源極41可以通過第一接觸孔37電連接到第一半導體圖案5a的源區(qū)域21a。漏極43可以通過第二接觸孔39電連接到第一半導體圖案5a的漏區(qū)域21b。
源極41和漏極43可以由金屬材料制成。金屬材料可以包括從包括Au、Al、Ag、 T1、Cu、N1、Pt、Mo、W、Ta和Cr的金屬組中選擇的至少一種。源極41和漏極43可以由從該金屬組中選擇的至少一種材料制成的單層或者多層形成，但是不限于此。
可以通過上述半導體圖案、柵極33、源極41和漏極43形成薄膜晶體管。這種薄膜晶體管可以用在OLED設(shè)備中作為開關(guān)、驅(qū)動和感測晶體管。感測晶體管可以用于補償驅(qū)動晶體管的閾值電壓。
OLED設(shè)備可以被限定為多個像素區(qū)域。可以在每一個像素區(qū)域中形成多個薄膜晶體管、有機發(fā)光兀件和電容器。
如圖1L所示，可以在源極41和漏極43以及第二絕緣膜35上形成第三絕緣膜45。 另外，可以在第三絕緣膜45中形成第三接觸孔47 (或者第三通孔)。
第三接觸孔47可以露出漏極43的一部分。
與第二絕緣膜35大致相同或者類似，第三絕緣膜45可以包括無機絕緣材料和有機絕緣材料中的一種。作為包括無機絕緣材料的第三絕緣膜45的示例，可以采用諸如氧化硅膜、氮化硅膜或者氮氧化硅膜這樣的單層并且用其組合構(gòu)建的多個層。另一方面，作為有機絕緣材料的示例，可以使用基于聚合物的材料或者基于感光亞克力的材料，但是不限于此。
另外，為了提供平坦化的上表面，必須以相對大的厚度形成第三絕緣膜45。與無機絕緣材料相比，有機絕緣材料更容易形成大厚度的膜。因此，第三絕緣膜45可以由有機絕緣材料形成，但是不限于此。
薄膜晶體管與以后形成的有機發(fā)光元件交疊。因此，薄膜晶體管的臺階覆蓋影響有機發(fā)光元件。為了解決這個問題，第一實施方式能夠使在薄膜晶體管上形成具有平坦化的表面的第三絕緣膜45。據(jù)此，形成在第三絕緣膜45上的有機發(fā)光元件對薄膜晶體管的臺階覆蓋不具有影響。結(jié)果，可以防止像素缺陷。
如圖1M所示，可以在第三接觸孔47中和在包圍第三接觸孔47的第三絕緣膜45 上形成第一電極49。
第一實施方式涉及頂部發(fā)射型OLED設(shè)備。因此，可以由反射和傳導材料或者反射金屬材料形成第一電極49,以 在向上方向上反射從隨后在第一電極上形成的有機發(fā)光層發(fā)射的光。作為包括反射和傳導材料的第一電極的不例，可以米用由從包括Al、N1、Ag、Rh、 Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf的材料組中選擇的至少一種形成的單層或者多層,但是不限于此。
另選地，第一電極49可以由透明傳導材料形成，并且可以在第一電極49上或者下形成包括反射和傳導材料的反射層。然而，第一實施方式不限于此。
如圖1N所示，可以在第三絕緣膜45上形成第四絕緣膜50。另外，可以同時形成開口 58、堤層51和間隔體53。為此，可以針對第四絕緣膜50使用半色調(diào)掩模進行曝光處理。
可以在第一電極49上制備開口 58。換句話說，可以通過去除第四絕緣膜50的一部分以露出第一電極49來形成開口 58?？梢杂砷_口 58限定像素區(qū)域。
這種開口 58在圖1N中示出為具有相對小的大小。然而，開口 58可以具有大致等于或者類似于像素區(qū)域的大小。
間隔體53可以具有比堤層51的厚度更大的厚度?？梢园凑招枰獊硇纬苫蛘呷コ@種間隔體53。如果使用密封件將基板I與密封基板組合，則必須維持基板I和密封基板之間的間隔。為此，可以使用間隔體53。因此，可以用間隔體53維持基板I和密封基板之間的間隔。按照不同的方式，可以在基板I上形成密封膜。在這個例子中，不必須使用間隔體53。
可以在開口 58內(nèi)的第一電極49上形成有機發(fā)光層55。另外,可以在有機發(fā)光層 55上形成第二電極57。
第一電極49、有機發(fā)光層55和第二電極57可以構(gòu)建有機發(fā)光兀件59。
可以由高聚合的有機材料或者低聚合的有機材料形成有機發(fā)光層55。另外，可以用多個層構(gòu)建有機發(fā)光層55。例如,有機發(fā)光層可以包括順序地形成在第一電極49上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。具有這種構(gòu)造的有機發(fā)光兀件 59可以被施加到第一電極49上的正電壓和施加到第二電極57上的負或者地電壓驅(qū)動。
另選地，負電壓可以被施加到第一電極49，正電壓可以被施加到第二電極57。在這個例子中，可以按照與上述順序相反結(jié)構(gòu)形成有機發(fā)光層55。
第二電極57可以由透明傳導材料形成，以使從有機發(fā)光層55發(fā)射的光在向上方向上行進。作為透明傳導材料的第二電極的示例，由從包括ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、ΙΖΤ0 (氧化銦鋅錫)，IAZO (氧化銦鋁鋅)，IGZO (氧化銦鎵鋅)，IGTO (氧化銦鎵錫)、ΑΖ0 (氧化鋁鋅)、ATO (氧化銻錫)、GZO (氧化鎵鋅)、IrOx, RuOx和RuOx/ITO的材料組選擇的至少一種形成的單層或者多層可以被采用。然而，第二電極57不限于此。
圖2A到圖2M是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的制造頂部發(fā)射型OLED設(shè)備的方法的截面圖。
根據(jù)第二實施方式的制造方法類似于第一實施方式的制造方法。更具體地，例示根據(jù)第二實施方式的制造方法的圖2A到圖2G以及圖21到圖2M分別與例示第一實施方式的的制造方法的圖1A到圖1G以及圖1J到圖1N相同。換句話說，僅僅第二實施方式的制 造方法中包括的圖2H在第一實施方式中未公開。鑒于這一點，將主要參照圖2H描述第二實施方式的制造方法。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是關(guān)于圖2A到圖2G以及圖21到圖2M的說明可以依賴于上述針對例示第一實施方式的制造方法的圖1A到圖1G以及圖1J 到圖1N的描述。
如圖2G所示，可以通過灰化處理形成第三光刻膠圖案17c。第三光刻膠圖案17c 的寬度可以比第一光刻膠圖案17a的寬度更窄并且與第一傳導圖案13a的寬度相同。
可以使用第三光刻膠圖案17c作為掩模進行過度蝕刻處理，從而第一金屬圖案 15a具有比第三光刻膠圖案17c的寬度更窄的寬度。因此，可以通過經(jīng)過過度蝕刻的第一金屬圖案15a和傳導圖案13a形成柵極33。
可以通過如圖2H所示的剝離處理去除第三光刻膠圖案17c。隨后，可以使用第一金屬圖案15a作為掩模進行第二離子注入處理。
此時，離子摻雜劑可以被注入進與第一傳導圖案13a的被第一金屬圖案15a露出的周邊部分或者多個側(cè)邊部分相對的第一半導體圖案5a中，因而形成GOLDD區(qū)域29a和 29bο同時，離子摻雜劑可以被注入進與第一光刻膠圖案17a的可以被第一傳導圖案13a露出的多個側(cè)邊部分相對應的第一半導體圖案5a中，因而形成LDD區(qū)域27a和27b。
按此方式,可以通過相同離子注入處理同時形成LDD區(qū)域27a和27b以及GOLDD區(qū)域29a和29b?？梢杂脗鲗D案13a調(diào)整LDD區(qū)域27a和27b與GOLDD區(qū)域29a和29b 之間的密度差。這是因為離子摻雜劑在被注入進入第一半導體圖案5a之前透過傳導圖案 13a這個事實。因此，相對容易地將離子摻雜劑注入進不被傳導圖案13a干擾的LDD區(qū)域 27a和27b。然而，相對難以將離子摻雜劑注入進被傳導圖案13a干擾的GOLDD區(qū)域29a和 29b0換句話說，盡管進行了相同的離子注入處理，仍可以根據(jù)傳導圖案13a是否存在來產(chǎn)生LDD區(qū)域27a和27b以及GODD區(qū)域29a和29b之間的摻雜劑密度差。另外，可以通過控制傳導圖案13a的厚度來調(diào)整摻雜劑密度差。
此外，離子摻雜劑可以在透過第二電容器電極23之后被注入進第二半導體圖案 5b,因而形成第一電容器電極25。因此,第一電容器電極25和第二電容器電極23以及二者之間的第一絕緣膜11可以一起形成電容器。
第二實施方式可以同時形成LDD區(qū)域27a和27b、G0LDD區(qū)域29a和29b以及第一電容器電極25。因此，與獨立地形成LDD區(qū)域27a和27b、G0LDD區(qū)域29a和29b以及第一電容器電極25的方法相比,第二實施方式可以減少掩模的數(shù)量。
依賴于以上對例示第一實施方式的制造方法的圖1J到圖1N的描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解涉及圖21到圖2M的以下處理的說明。
圖3A到圖3M是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的制造底部發(fā)射型OLED設(shè)備的方法的截面圖。
例示根據(jù)第三實施方式的制造方法的圖3A到圖3K分別與例示第一實施方式的制造方法的圖1A到圖1K相同。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是關(guān)于圖3A到圖3K的說明可以依賴于上述針對例示第一實施方式的制造方法的圖1A到圖1K的描述。因此，關(guān)于圖3A到圖3K的描述將被省略。
如圖3K所示，可以在第一接觸孔37中和在包圍第一接觸孔37的第二絕緣膜35 的一部分上形成源極41。另外，可以在第二接觸孔39中和在包圍第二接觸孔39的第二絕緣膜35的另一部分上形成漏極43。源極41可以通過第一接觸孔37電連接到第一半導體圖案5a的源區(qū)域21a。漏極43可以通過第二接觸孔39電連接到第一半導體圖案5a的漏區(qū)域21b。
如圖3L所示，可以通過在第二絕緣膜35上沉積傳導膜并且對該傳導膜構(gòu)圖來形成第一電極61。第一電極61可以直接并且電連接到漏極43。換句話說，第一電極61可以被形成為與漏極43的邊緣部分的上表面和側(cè)表面接觸。另外，第一電極61可以被形成在像素區(qū)域內(nèi)并且可以與第二絕緣膜35的上表面接觸。
第三實施方式涉及底部發(fā)射型OLED設(shè)備。因此，可以由透明傳導材料形成第一電極61,以使從隨后在第一電極61上形成的有機發(fā)光層發(fā)射的光在向下方向上行進。作為透明傳導材料的第一電極61的示例，由從包括ITO (氧化銦錫)、ΙΖ0 (氧化銦鋅)、ΙΖΤ0 (氧化銦鋅錫)，IAZO (氧化銦鋁鋅)，IGZO (氧化銦鎵鋅)，IGTO (氧化銦鎵錫)、ΑΖ0 (氧化鋁鋅)、 ATO (氧化銻錫)、GZ0 (氧化鎵鋅)、IrOx、RuOx和RuOx/ITO的材料組選擇的至少一種形成的單層或者多層可以被采用。然而，第一電極61不限于此。
如圖3M所示，可以在上述基板I的整個表面上形成絕緣膜50。另外，可以同時形成開口 68、堤層63和間隔體65。為此，可以針對絕緣膜50使用半色調(diào)掩模進行曝光處理。
可以在第一電極61上制備開口 68。換句話說，可以通過去除絕緣膜50的一部分以露出第一電極61來形成開口 68?？梢杂砷_口 68限定像素區(qū)域。
間隔體65可以具有比堤層63的厚度更大的厚度?？梢园凑招枰獊硇纬苫蛘呷コ@種間隔體65。
可以在開口 68內(nèi)的第一電極61上形成有機發(fā)光層67。另外,可以在有機發(fā)光層 67上形成第二電極69。
第一電極61、有機發(fā)光層67和第二電極69可以形成有機發(fā)光元件70。
可以由反射和傳導材料或者反射金屬材料形成第二電極69，以在向下方向上反射從有機發(fā)光層67發(fā)射的光。作為包括反射和傳導材料的第二電極69的不例,可以米用由從包括Al、N1、Ag、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf的材料組中選擇的至少一種形成的單層或者多層，但是第二電極69不限于此。
不同于第一實施方式和第二實施方式的制造方法，第三實施方式的制造方法不僅僅允許去除具有平坦化的表面的第三絕緣膜而且第一電極61直接并且電連接到漏極43。 因此，與第一實施方式和第二實施方式的制造方法相比，第三實施方式的制造方法以更多地減少掩模的數(shù)量。
圖4A到圖41是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的制造底部發(fā)射型OLED設(shè)備的方法的截面圖。
例示根據(jù)第四實施方式的制造方法的圖4A與例示第一實施方式的制造方法的圖1A和圖1B相同。因此,關(guān)于圖4A的描述將被省略。
如圖4B所示，可以在上述基板I的整個表面上形成第一絕緣膜11。另外，可以在第一絕緣膜11上順序地形成傳導膜13和金屬膜15。此外，在光刻膠膜17上方布置半色調(diào)掩模200之前，可以在金屬膜15上形成光刻膠膜17。
第四實施方式中使用的半色調(diào)掩模200不同于圖3C所示的半色調(diào)掩模100。更具體地，半色調(diào)掩模200可以包括與基板I的要形成第一電容器電極和第一電極的區(qū)域相對的半透射區(qū)域220。另外，半色調(diào)掩模200可以具有與基板I的要形成薄膜晶體管的半導體圖案(即，有源區(qū)域)的另一個區(qū)域相對的阻擋區(qū)域230。
在針對光刻膠膜進行顯影處理之前，可以針對半色調(diào)掩模200進行曝光處理。據(jù)此，如圖4C所示，可以從光刻膠膜17導出第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b。
可以與半色調(diào)區(qū)域200的阻擋區(qū)域230相對地形成第一光刻膠圖案17a。可以與半色調(diào)區(qū)域200的半透射區(qū)域220相背地形成第二光刻膠圖案17b。
第一光刻膠圖案17a的寬度比第一半導體圖案5a的寬度更窄。因此，在被第一光刻膠圖案17a露出的第一半導體圖案5a的兩個側(cè)邊邊緣上不存在任何光刻膠圖案。
如圖4D所示，可以使用第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b作為掩模進行蝕刻處理。
通過該蝕刻處理，首先可以選擇性地去除金屬膜15。據(jù)此，可以在第一光刻膠圖案17a下方形成第一金屬圖案15a,可以分別在第二光刻膠圖案17b下方形成第二金屬圖案 15b和第三金屬圖案15c。
隨后，可以選擇性地去除傳導膜13，因而形成第一傳導圖案13a、第二傳導圖案 13b和第三傳導圖案13c?？梢栽诘谝唤饘賵D案15a下方形成第一傳導圖案13a?？梢苑謩e在第二金屬圖案15b和第三金屬圖案15c下方形成第二傳導圖案13b和第三傳導圖案13c。
金屬膜15和傳導膜13可以被過度蝕刻，從而第一金屬圖案15a、第二金屬圖案 15b和第三金屬圖案15c以及第一傳導圖案13a、第二金屬圖案13b和第三金屬圖案13c具有比第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b更窄的寬度。因此，能夠?qū)㈦x子注入進與第一光刻膠圖案17a的之后被第一傳導圖案13a露出的兩個側(cè)邊邊緣相對的第一半導體圖案5a中。以下對此進行詳細描述。
另外，可以使用第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b作為掩模首先進行離子注入處理。
此時，離子摻雜劑被注入進第一半導體圖案5a的不被第一光刻膠圖案17a覆蓋的兩個側(cè)邊邊緣，即第一半導體圖案5a的被第一光刻膠圖案17a露出的兩個側(cè)邊部分。據(jù)此， 可以形成源區(qū)域21a和漏區(qū)域21b。
如圖4E所示，可以針對第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b進行灰化處理。這種灰化處理可以減小第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b的厚度或者寬度。 灰化處理可以繼續(xù)直至第二光刻膠圖案17b被完全去除為止。盡管第二光刻膠圖案17b被完全去除，但是第一光刻膠圖案17a不被去除。這是因為第一光刻膠圖案17a的厚度大于第二光刻膠圖案17b的厚度這個事實。因此，當?shù)诙饪棠z圖案17b被去除時，可以按照具有減少了第二光刻膠圖案17b的厚度的厚度和寬度的第三光刻膠圖案17c重形成第一光刻膠圖案17a。
第三光刻膠圖案17c可以具有與第一傳導圖案13a的大小或者寬度大致相同的大小或者寬度。因此，能夠?qū)㈦x子注入進與第一光刻膠圖案17a的可以被第一傳導圖案13a 露出的周邊部分或者側(cè)邊部分相對應的第一半導體圖案5a中。
可以使用第三光刻膠圖案17c作為掩模進行蝕刻處理。此時，可以進行用于去除第一金屬圖案15a的邊緣部分的過度蝕刻。據(jù)此，第一金屬圖案15a可以具有比第一傳導圖案13a的大小或者寬度更小的大小或者窄的寬度。因此，能夠?qū)㈦x子注入進與第三光刻膠圖 案17c的可以被第一金屬圖案15a露出的兩個側(cè)邊部分相對應的第一半導體圖案5a 中。
經(jīng)過度蝕刻的第一金屬圖案15a和傳導圖案13a可以被用作柵極33。
通過上述蝕刻處理，第二金屬圖案15b被去除，從而僅僅保留第二傳導圖案13b。 第二傳導圖案13b可以變?yōu)榈诙娙萜麟姌O23。
另外，通過上述蝕刻處理去除了第三傳導圖案13c上的第三金屬圖案15c，從而可以露出第三傳導圖案13c。所露出的第三傳導圖案13c可以變?yōu)榈谝浑姌O71。
可以通過如圖4F所示的剝離處理去除第三光刻膠圖案17c。隨后，可以使用第一金屬圖案15a作為掩模進行第二離子注入處理。
此時，離子摻雜劑可以被注入進與第一傳導圖案13a的被第一金屬圖案15a露出的兩個側(cè)邊部分相對的第一半導體圖案5a中，因而形成GOLDD區(qū)域29a和29b。同時，離子摻雜劑可以被注入進與第一光刻膠圖案17a的可以被第一傳導圖案13a露出的兩個側(cè)邊部分相對應的第一半導體圖案5a中，因而形成LDD區(qū)域27a和27b。
此外，離子摻雜劑可以在透過第二電容器電極23之后被注入進第二半導體圖案 5b,因而形成第一電容器電極25。因此,第一電容器電極25和第二電容器電極23以及二者之間的第一絕緣膜11可以一起形成電容器。
第四實施方式可以同時形成LDD區(qū)域27a和27b、G0LDD區(qū)域29a和29b以及第一電容器電極25。因此，與獨立地形成LDD區(qū)域27a和27b、G0LDD區(qū)域29a和29b以及第一電容器電極25的方法相比，第四實施方式可以減少掩模的數(shù)量。
如圖4G所示，可以在柵極33、第二電容器電極23和第一絕緣膜11上形成第二絕緣膜35。接著，可以在第二絕緣膜35形成第一接觸孔37和第二接觸孔39 (或者第一通孔和第二通孔)和第一開口 60。
第一接觸孔37露出源區(qū)域21a的一部分。第二接觸孔39露出漏區(qū)域21b的一部分。第一開口 60可以露出第一電極71。
如圖4H所示，可以在第一接觸孔37中和在包圍第一接觸孔37的第二絕緣膜35的一部分上形成源極73。另外，可以在第二接觸孔39中和在包圍第二接觸孔39的第二絕緣膜35的另一部分上形成漏極75。源極73可以通過第一接觸孔37電連接到第一半導體圖案5a的源區(qū)域21a。漏極75可以通過第二接觸孔39電連接到第一半導體圖案5a的漏區(qū)域21b。另外，漏極75可以通過第一開口電連接到第一電極71。換句話說，漏極75可以從漏區(qū)域21b經(jīng)過第二絕緣膜35的上表面和第一開口 60的內(nèi)側(cè)表面電連接到第一電極71。
可以用上述半導體圖案、柵極33、源極73和漏極75形成薄膜晶體管。
如圖41所示，可以在第二絕緣膜35上形成絕緣膜。另外，通過使用半色調(diào)掩模針對該絕緣膜進行曝光處理，可以同時形成第二開口 62、堤層77和間隔體79。
可以在第一電極71上制備第二開口 62?？梢杂尚纬稍诘谝婚_口 60內(nèi)的絕緣膜限定第二開口 62。因為形成在第一開口 60內(nèi)的絕緣膜，第二開口 62的大小和寬度可以小于第一開口 60的大小和寬度。可以通過去除絕緣膜直至第一電極71露出為止來形成這種第二開口 60?？梢杂傻诙_口 62限定像素區(qū)域。
間隔體79可以具有比堤層77的厚度更大的厚度?？梢园凑招枰獊硇纬苫蛘呷コ@種間隔體79。
可以在第二開口 62內(nèi)的第一電極71上形成有機發(fā)光層81。另外，可以在有機發(fā)光層81上形成第二電極83。
第一電極71、有機發(fā)光層81和第二電極83可以形成有機發(fā)光元件85。
可以由反射和傳導材料或者反射金屬材料形成第二電極83，以在向下方向上反射從有機發(fā)光層81發(fā)射的光。作為包括反射和傳導材料的第二電極83的示例，可以采用由從包括Al、N1、Ag、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf的材料組中選擇的至少一種形成的單層或者多層，但是第二電極83不限于此。
圖5A到圖51是示出根據(jù)本發(fā)明的第五實施方式的制造底部發(fā)射型OLED設(shè)備的方法的截面圖。
第五實施方式的制造方法類似于第四實施方式的制造方法。第五實施方式與第四實施方式的唯一差異是在從傳導圖案得到第一電極之前在開口或者像素區(qū)域中形成金屬圖案和傳導圖案的雙層，并且通過在漏極的形成部分地去除金屬圖案，在連接電極中重形成該金屬圖案的一部分。
如圖5A所示，可以在基板I上形成緩沖層3。另外，可以在緩沖層3上形成第一半導體圖案5a和第二半導體圖案5b。可以通過在緩沖層3上形成半導體材料膜，通過晶體化處理使該半導體材料晶體化以及對晶體化的半導體材料膜構(gòu)圖，來制備第一半導體圖案5a和第二半導體圖案5b。
如圖5B所示，可以在上述基板I的整個表面上形成第一絕緣膜11。另外，可以在第一絕緣膜11上順序地形成第一傳導膜13、第一金屬膜15和光刻膠膜17。此外，在光刻膠膜17布置半色調(diào)掩模300。
不同于例示第四實施方式的圖4B所示的半色調(diào)掩模200，半色調(diào)掩模300可以包括半透射區(qū)域320和兩個阻擋區(qū)域330。更具體地，圖4B的半色調(diào)掩模200包括與基板I 的之后要形成第一電極的區(qū)域相對的半透射區(qū)域220。然而，圖5B的半色調(diào)掩模300可以包括與基板I的之后要形成第一電極的區(qū)域相對的阻擋區(qū)域330。
在針對光刻膠膜進行顯影處理之前，可以針對半色調(diào)掩模300進行曝光處理。據(jù)此，如圖5C所示，可以從光刻膠膜17得到第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b。
可以與半色調(diào)掩模300的阻擋區(qū)域330相對地形成第一光刻膠圖案17a?？梢耘c半色調(diào)區(qū)域300的半透射區(qū)域320相對地形成第二光刻膠圖案17b。
可以在基板I的之后要形成薄膜晶體管的第一區(qū)域以及基板I的之后要形成第一電極的第二區(qū)域上形成第一光刻膠圖案17a。可以在基板I的要形成第一電容器電極的第三區(qū)域上形成第二光刻圖案17a。
基板I的第一區(qū)域上的第一光刻膠圖案17a的寬度比第一半導體圖案5a的寬度更窄。因此，在被第一光刻膠圖案17a露出的第一半導體圖案5a的兩個側(cè)邊邊緣上不存在任何光刻膠圖案。
可以使用第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b作為掩模進行蝕刻處理。
通過該蝕刻處理，首先，可以選擇性地去除金屬膜15。據(jù)此，如圖所示，可以在第一光刻膠圖案17a下方形成第一金屬圖案15a和第三金屬圖案15c,并且可以在第二光刻膠圖案17b下方形成第二金屬圖案15b。
隨后，可以選擇性地去除傳導膜13，因而形成第一傳導圖案13a到第三傳導圖案 13c?？梢苑謩e在第一金屬圖案15a和第三金屬圖案15c下方形成第一傳導圖案13a和第三傳導圖案13c?？梢栽诘诙饘賵D案15b下方形成第二傳導圖案13b。
第一金屬圖案15a、第二金屬圖案15b和第三金屬圖案15c以及第一傳導圖案 13a、第二金屬圖案13b和第三金屬圖案13c具有比第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案 17b更窄的寬度。為此，金屬膜15和傳導膜13可以被過度蝕刻。
另外，可以使用第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b作為掩模首先進行離子注入處理。
此時，離子摻雜劑被注入進第一半導體圖案5a的不被第一光刻膠圖案17a覆蓋的兩個側(cè)邊邊緣，即第一半導體圖案5a的被第一光刻膠圖案17a露出的兩個側(cè)邊部分。據(jù)此， 可以形成源區(qū)域21a和漏區(qū)域21b。
可以如圖5E所示針對第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b進行灰化處理。 這種灰化處理可以減小第一光刻膠圖案17a和第二光刻膠圖案17b的厚度或者寬度?；一幚砜梢岳^續(xù)直至第二光刻膠圖案17b被完全去除為止。盡管第二光刻膠圖案17b被完全去除，但是第一光刻膠圖案17a不被去除。這是因為第一光刻膠圖案17a的厚度大于第二光刻膠圖案17b的厚度這個事實。因此，當?shù)诙饪棠z圖案17b被去除時，可以按照具有減少了第二光刻膠圖案17b的厚度的厚度和寬度的第三光刻膠圖案17c重形成第一光刻膠圖案 17a。
可以在基板I的第一區(qū)域和第三區(qū)域上形成第三光刻膠圖案17c。
基板I的第一區(qū)域上的第三光刻膠圖案17c可以具有與第一傳導圖案13的大小或者寬度大致相同的大小或者寬度。因此，能夠?qū)㈦x子注入進與第一光刻膠圖案17a的可以被第一傳導圖案13a露出的兩個側(cè)邊部分相對應的第一半導體圖案5a中。
可以使用第三光刻膠圖案17c作為掩模進行蝕刻處理。此時，可以進行用于去除第一金屬圖案15a的邊緣部分的過度蝕刻。換句話說，第一金屬圖案15a可以具有比第一傳導圖案13a的大小或者寬度更小的大小或者窄的寬度。因此，能夠?qū)㈦x子注入進與第三光刻膠圖案17c的可以被第一金屬圖案15a露出的兩個側(cè)邊部分相對應的第一半導體圖案 5a中。
經(jīng)過度蝕刻的第一金屬圖案15a和傳導圖案13a可以被用作柵極33。
通過上述蝕刻處理，第二金屬圖案15b被去除，從而僅僅保留第二傳導圖案13b。 第二傳導圖案13b可以變?yōu)榈诙娙萜麟姌O23。
可以通過如圖5F所示的剝離處理去除第三光刻膠圖案17c。
據(jù)此，可以在基板I的第一區(qū)域中形成包括第一傳導圖案13a和第一金屬圖案15a 的柵極33。另外，可以在基板I的第二區(qū)域上由第二傳導圖案形成第二電容器電極23。此夕卜，可以在基板I的第三區(qū)域上形成第三傳導圖案13c和第三金屬圖案15c的雙層結(jié)構(gòu)。
隨后，可以使用第一金屬圖案15a作為掩模進行第二離子注入處理。
此時，離子摻雜劑可以被注入進與第一傳導圖案13a的被第一金屬圖案15a露出的兩個側(cè)邊部分相對的第一半導體圖案5a中，因而形成GOLDD區(qū)域29a和29b。此時，離子摻雜劑還可以被注入進與第一光刻膠圖案17a的可以被第一傳導圖案13a露出的兩個側(cè)邊部分相對 應的第一半導體圖案5a中，因而形成LDD區(qū)域27a和27b。
此外，離子摻雜劑可以在透過第二電容器電極23之后被注入進第二半導體圖案 5b,因而形成第一電容器電極25。因此,第一電容器電極25和第二電容器電極23以及二者之間的第一絕緣膜11可以一起形成電容器。
第五實施方式可以同時形成GOLDD區(qū)域29a和29b、LDD區(qū)域27a和27b以及第一電容器電極25。因此，與獨立地形成LDD區(qū)域27a和27b、G0LDD區(qū)域29a和29b以及第一電容器電極25的方法相比,第五實施方式可以減少掩模的數(shù)量。
如圖5G所示，可以在柵極33、第二電容器電極23和第一絕緣膜11上形成第二絕緣膜35。接著，可以在第二絕緣膜35形成第一接觸孔37和第二接觸孔39 (或者第一通孔和第二通孔)和第一開口 60。
形成在第一開口 60內(nèi)的第二絕緣膜35可以與第三金屬圖案15c的邊緣部分的至少上表面交疊。第一接觸孔37露出源區(qū)域21a的一部分。第二接觸孔39露出漏區(qū)域21b 的一部分。第一開口 60可以露出第三金屬圖案15c。
如圖5H所示，可以在第一接觸孔37中和在包圍第一接觸孔37的第二絕緣膜35 的一部分上形成源極73。另外，可以在第二接觸孔39中和在包圍第二接觸孔39的第二絕緣膜35的另一部分上形成漏極75。
當源極73和漏極75被形成時，第三金屬圖案15c可以被選擇性地去除并且在連接電極89中重形成。換句話說，第三金屬圖案15c的不被去除的殘留物可以變?yōu)檫B接電極89。第三傳導圖案13c可以變?yōu)榈谝浑姌O87。連接電極89可以與形成在第一開口 60內(nèi)的至少第二絕緣膜35和漏極75交疊。
源極73可以通過第一接觸孔37電連接到第一半導體圖案5a的源區(qū)域21a。漏極 75可以通過第二接觸孔39電連接到第一半導體圖案5a的漏區(qū)域21b。另外，漏極75可以電連接到通過第一開口連接到連接電極89。換句話說，漏極75可以從漏區(qū)域21b經(jīng)過第二絕緣膜35的上表面和第一開口 60的內(nèi)側(cè)表面電連接到連接電極89。連接電極89可以電連接到第一電極87。
可以用上述半導體圖案、柵極33、源極73和漏極75構(gòu)造薄膜晶體管。
如圖51所示，可以在第二絕緣膜35上形成絕緣膜50。另外，通過使用半色調(diào)掩模針對絕緣膜50進行曝光處理，可以同時形成第二開口 62、堤層77和間隔體79。
可以在第一電極87上制備第二開口 62?？梢杂尚纬稍诘谝婚_口 60內(nèi)的絕緣膜限定第二開口 62。因為形成在第一開口 60內(nèi)的絕緣膜，第二開口 62的大小和寬度可以小于第一開口 60的大小和寬度?？梢园凑招枰獊硇纬苫蛘呷コ@種間隔體79。
可以在第二開口 62內(nèi)的第一電極87上形成有機發(fā)光層91。另外，可以在有機發(fā)光層91上形成第二電極93。第一電極87、有機發(fā)光層91和第二電極93可以構(gòu)建有機發(fā)光元件95。
可以由反射和傳導材料形成第二電極93，以在向下方向上反射從有機發(fā)光層91 發(fā)射的光。
從第二到第五實施方式節(jié)略或者省略的一些內(nèi)容可以被第一實施方式的描述支持，并且當讀到關(guān)于第一實施方式的說明和附圖時可以被本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解。
圖6A和圖6B是比較根據(jù)本發(fā)明的實施方式和現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管的電流-電壓特性的數(shù)據(jù)表。
圖6A例示沒有LDD區(qū)域和GOLDD區(qū)域的現(xiàn)有技術(shù)的OLED設(shè)備的薄膜晶體管的電流-電壓特性。圖6B例示具有LDD區(qū)域和GOLDD區(qū)域根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED設(shè)備的薄膜晶體管的電流-電壓特性。
如圖6A所示，現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管使在0-10V的電壓范圍中截止電流急劇增力口。另外，如圖6B所示，在0-10V的電壓范圍中，本發(fā)明的實施方式的薄膜晶體管的截止電流緩慢增加。
例如，根據(jù)從實驗獲得的數(shù)據(jù)，現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管的截止電流是2. 2pA，但是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的薄膜晶體管僅僅具有O. 7pA的截止電流。另外，現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管的閾值電壓Vth是-3. 00V，但是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的薄膜晶體管具有-2. 69V的閾值電壓Vth。因此，明顯地，與現(xiàn)有技術(shù)相比，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的薄膜晶體管具有更優(yōu)異的截止電流特性。
按此方式，與現(xiàn)有技術(shù)相比，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的制造方法可以增強電特性并且減少掩模的數(shù)量。因此，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的制造方法可以不僅僅減少制造時間按和制造成本，而且增強生產(chǎn)效率。
根據(jù)本發(fā)明的第六實施方式，通過組合根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的制造薄膜晶體管的工序和根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的制造有機發(fā)光元件59的工序制造底部發(fā)光型 OLED設(shè)備，
根據(jù)本發(fā)明的第七實施方式，通過組合根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的制造薄膜晶體管的工序和根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的制造有機發(fā)光元件59的工序制造底部發(fā)光型 OLED設(shè)備，
根據(jù)本發(fā)明的第八實施方式，通過組合根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的制造薄膜晶體管的工序和根據(jù)本發(fā)明的第五實施方式的制造有機發(fā)光元件59的工序制造底部發(fā)光型 OLED設(shè)備，
在本說明書中對“一個實施方式”、“實施方式”、“示例實施方式”等的引用旨在意味結(jié)合該實施方式描述的具體特征、結(jié)構(gòu)或者特性包括在本發(fā)明的至少一個實施方式中。 在說明書中多個位置出現(xiàn)這些詞語并不一定全部指代相同實施方式。此外，當結(jié)合任何實施方式描述具體特征、結(jié)構(gòu)或者特性時，承認結(jié)合其它實施方式實現(xiàn)這些特征、結(jié)構(gòu)或者特性是在本領(lǐng)域技術(shù)人員的認知范圍之內(nèi)。
盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的多個示例性實施方式對本發(fā)明的實施方式進行了描述，應當理解的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以想出落入本公開的精神和原理范圍內(nèi)的多個其他修改例和實施方式。更具體地說，可以在本公開、附圖及所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)對本主題組合裝置的組成部件和/裝置進行各種變換和修改。除對組成部件和/或裝置的變換和修改外， 替代性使用對本領(lǐng)域的技術(shù)人員也是明顯的。
權(quán)利要求
1.一種制造薄膜晶體管的方法，所述方法包括在基板上形成半導體圖案；在包括所述半導體圖案的所述基板上形成第一絕緣膜、傳導膜和金屬膜；在所述金屬膜上形成第一光刻膠圖案，所述第一光刻膠圖案具有比所述半導體圖案的寬度更窄的寬度；通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述金屬膜和所述傳導膜來形成第一金屬圖案和傳導圖案；通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模進行第一離子注入工序在所述半導體圖案中形成源區(qū)域和漏區(qū)域；通過灰化工序從所述第一光刻膠圖案形成第二光刻膠圖案，所述第二光刻膠圖案具有比所述第一光刻膠圖案的寬度更窄的寬度；通過使用所述第二光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述第一金屬圖案來形成第二金屬圖案， 其中所述第二金屬圖案具有比所述第二光刻膠圖案的寬度更窄的寬度，并且所述第二金屬圖案和所述傳導圖案形成柵極；進行包括去除所述第二光刻膠圖案、在所述半導體圖案中形成輕摻雜漏LDD區(qū)域以及在所述半導體圖案中形成柵交疊輕摻雜漏GOLDD區(qū)域的處理；在包括所述柵極的所述基板上形成第二絕緣膜；以及在所述第二絕緣膜上形成分別電連接到所述源區(qū)域和漏區(qū)域的源極和漏極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，進行的處理首先通過使用所述第二光刻膠圖案作為掩模的第二離子注入工序在所述半導體圖案中形成所述LDD區(qū)域，接著去除所述第二光刻膠圖案，接著通過使用所述第二金屬圖案作為掩模的第三離子注入工序在所述半導體圖案中形成所述GOLDD區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一金屬圖案和所述傳導圖案被過度蝕刻從而具有比所述第一光刻膠圖案的寬度更窄的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述源區(qū)域和所述漏區(qū)域在所述半導體圖案的被所述第一光刻膠圖案露出的相對側(cè)部分形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述LDD區(qū)域分別形成在所述半導體圖案的所述第二光刻膠圖案與所述源區(qū)域之間以及所述第二光刻膠圖案與所述漏區(qū)域之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述GOLDD區(qū)域分別形成在所述半導體圖案中、 位于所述第二金屬圖案與所述LDD區(qū)域之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，進行的處理首先去除所述第二光刻膠圖案，接著通過使用所述第二金屬圖案作為掩模的第二離子注入工序在所述半導體圖案中形成所述 LDD區(qū)域和所述GOLDD區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述GOLDD區(qū)域分別形成在所述半導體圖案中、 位于所述第二金屬圖案與所述源區(qū)域和漏區(qū)域之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，用所述傳導圖案調(diào)整所述LDD區(qū)域和所述GOLDD 區(qū)域之間的離子密度差。
10.一種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括在基板上形成半導體圖案；在包括所述半導體圖案的所述基板上形成第一絕緣膜、傳導膜和金屬膜；在所述金屬膜上形成第一光刻膠圖案，所述第一光刻膠圖案具有比所述半導體圖案的寬度更窄的寬度；通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述金屬膜和所述傳導膜來形成第一金屬圖案和傳導圖案；通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模進行第一離子注入工序在所述半導體圖案中形成源區(qū)域和漏區(qū)域；通過灰化工序從所述第一光刻膠圖案形成第二光刻膠圖案，所述第二光刻膠圖案具有比所述第一光刻膠圖案的寬度更窄的寬度；通過使用所述第二光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述第一金屬圖案來形成第二金屬圖案， 其中所述第二金屬圖案具有比所述第二光刻膠圖案的寬度更窄的寬度，并且所述第二金屬圖案和所述傳導圖案形成柵極；進行包括去除所述第二光刻膠圖案、在所述半導體圖案中形成輕摻雜漏LDD區(qū)域以及在所述半導體圖案中形成柵交疊輕摻雜漏GOLDD區(qū)域的處理；在所述基板的整個表面上形成第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜上形成分別電連接到所述源區(qū)域和漏區(qū)域的源極和漏極；形成電連接到所述漏極的第一電極；形成具有露出所述第一電極的開口的堤層；以及在所述第一電極上形成有機發(fā)光層和第二電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，進行的處理首先通過使用第二光刻膠圖案作為掩模的第二離子注入工序在所述半導體圖案中形成所述LDD區(qū)域，接著去除所述第二光刻膠圖案，并接著通過使用所述第二金屬圖案作為掩模的第三離子注入工序在所述半導體圖案中形成所述GOLDD區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，進行的處理首先去除所述第二光刻膠圖案，接著通過使用所述第二金屬圖案作為掩模的第二離子注入工序在所述半導體圖案中形成所述LDD區(qū)域和所述GOLDD區(qū)域。
13.—種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括在具有第一區(qū)域到第三區(qū)域的基板上形成第一半導體圖案和第二半導體圖案；在包括所述第一半導體圖案和所述第二半導體圖案的基板上形成第一絕緣膜、傳導膜和金屬膜；在所述金屬膜上對應于所述第一區(qū)域到所述第三區(qū)域形成第一光刻膠圖案到第三光刻膠圖案，并且所述第一光刻膠圖案具有比所述第一半導體圖案更窄的寬度，所述第二光刻膠圖案對應于所述第二半導體圖案；通過使用所述第一光刻膠圖案到所述第三光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述金屬膜和所述傳導膜形成第一金屬圖案到第三金屬圖案和第一傳導圖案到第三傳導圖案；通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模進行第一離子注入工序在所述第一半導體圖案中形成源區(qū)域和漏區(qū)域；從所述第一光刻膠圖案形成具有比所述第一光刻膠圖案的寬度更窄的寬度的第四光刻膠圖案，同時通過進行灰化工序去除所述第二光刻膠圖案和所述第三光刻膠圖案；形成第四金屬圖案、第二電容器電極和第一電極，其中所述第四金屬圖案通過使用所述第四光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述第一金屬圖案從所述第一金屬圖案形成并且具有比所述第四光刻膠圖案的寬度更窄的寬度，所述第二電容器電極和所述第一電極通過去除第二金屬圖案和第三金屬圖案從所述第二傳導圖案和第三傳導圖案形成，其中所述第四金屬圖案和所述第一傳導圖案形成柵極；去除所述第四光刻膠圖案；進行包括去除所述第二光刻膠圖案、在所述半導體圖案中形成輕摻雜漏LDD區(qū)域以及在所述半導體圖案中形成柵交疊輕摻雜漏GOLDD區(qū)域的處理；在所述基板的整個表面上形成第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜中形成露出所述第一電極的第一開口；在所述第二絕緣膜上形成電連接到所述源區(qū)域的源極和電連接到所述漏區(qū)域和所述第一電極的漏極；在所述第二絕緣膜上形成具有露出所述第一電極的第二開口的堤層；以及在所述第一電極上形成與所述第一電極一起形成有機發(fā)光兀件的有機發(fā)光層和第二電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，進行的處理首先通過使用所述第二光刻膠圖案作為掩模的第二離子注入工序在所述半導體圖案中形成所述LDD區(qū)域，接著去除所述第二光刻膠圖案，并接著通過使用所述第二金屬圖案作為掩模的第三離子注入工序在所述半導體圖案中形成所述GOLDD區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，進行的處理首先去除所述第二光刻膠圖案，接著通過使用所述第二金屬圖案作為掩模的第二離子注入工序在所述半導體圖案中形成所述LDD區(qū)域和所述GOLDD區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述漏極設(shè)置在彼此隔開的所述漏區(qū)域和所述第一電極之間的第二絕緣膜上。
17.—種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括在具有第一區(qū)域到第三區(qū)域的基板上形成第一半導體圖案和第二半導體圖案；在包括所述第一半導體圖案和所述第二半導體圖案的基板上形成第一絕緣膜、傳導膜和第一金屬膜；在所述金屬膜上對應于所述第一區(qū)域到所述第三區(qū)域形成第一光刻膠圖案到第三光刻膠圖案，并且所述第一光刻膠圖案具有比所述第一半導體圖案更窄的寬度，所述第二光刻膠圖案對應于所述第二半導體圖案；通過使用所述第一光刻膠圖案到所述第三光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述第一金屬膜和所述傳導膜形成第一金屬圖案到第三金屬圖案和第一傳導圖案到第三傳導圖案；通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模進行第一離子注入工序在所述第一半導體圖案中形成源區(qū)域和漏區(qū)域；通過進行灰化工序形成第四光刻膠圖案和第五光刻膠圖案，并且所述第四光刻膠圖案具有比所述第一光刻膠圖案的寬度更窄的寬度；形成第四金屬圖案和第二電容器電極，其中所述第四金屬圖案通過使用所述第四光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述第一金屬圖案從所述第一金屬圖案形成并且具有比所述第四光刻膠圖案的寬度更窄的寬度，以及所述第二電容器電極從所述第二傳導圖案形成；去除所述第四光刻膠圖案和所述第五光刻膠圖案；進行包括去除所述第二光刻膠圖案、在所述半導體圖案中形成輕摻雜漏LDD區(qū)域以及在所述半導體圖案中形成柵交疊輕摻雜漏GOLDD區(qū)域的處理；在所述基板的整個表面上形成第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜中形成露出所述第三金屬圖案的第一開口；通過在所述第二絕緣膜上沉積第二金屬膜并且對第二金屬膜和所述第三金屬圖案構(gòu)圖來形成源極、漏極、連接電極以及第一電極；在所述第二絕緣膜上形成具有露出所述第一電極的第二開口的堤層；以及在所述第一電極上形成與所述第一電極一起形成有機發(fā)光兀件的有機發(fā)光層和第二電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，通過選擇性地蝕刻所述第三金屬圖案，所述連接電極被形成以包括所述第三金屬圖案的邊緣部分并且所述第一電極被形成以包括所述第三傳導圖案。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，進行的處理首先通過使用第二光刻膠圖案作為掩模的第二離子注入工序在所述半導體圖案中形成所述LDD區(qū)域，接著去除第二光刻膠圖案，并接著通過使用第二金屬圖案作為掩模的第三離子注入工序在所述半導體圖案中形成所述GOLDD區(qū)域。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，進行的處理首先去除所述第二光刻膠圖案，接著通過使用第二金屬圖案作為掩模的第二離子注入工序在所述半導體圖案中形成所述LDD 區(qū)域和GOLDD區(qū)域。
全文摘要
制造薄膜晶體管的方法和制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法。薄膜晶體管制造方法允許在與半導體圖案相對的絕緣、傳導層、金屬膜的三層上形成第一光刻膠圖案。在通過第一離子注入工序形成源區(qū)域和漏區(qū)域之前，通過蝕刻工序形成第一金屬圖案和傳導圖案。從第一光刻膠圖案得到具有比第一光刻膠圖案的寬度更窄的寬度的第二光刻膠圖案。第一金屬圖案被重形成為具有比第二光刻膠圖案的寬度更窄的第二金屬圖案。進行包括去除第二光刻膠圖案、在所述半導體圖案中形成輕摻雜漏LDD區(qū)域以及在所述半導體圖案中形成柵交疊輕摻雜漏GOLDD區(qū)域的處理；在第二絕緣膜上形成源極和漏極之前形成第二絕緣膜。
文檔編號H01L51/56GK103021820SQ20121031687
公開日2013年4月3日 申請日期2012年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月20日
發(fā)明者崔熙東 申請人:樂金顯示有限公司