有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的二氧化鈦層、金屬氧化物層、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，所述陽(yáng)極為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃，所述金屬氧化物層的材料為三氧化鉬、三氧化鎢、氧化鈣或五氧化二釩。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說(shuō)明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0003]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會(huì)以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達(dá)玻璃，就會(huì)發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的二氧化鈦層、金屬氧化物層、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，所述陽(yáng)極為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃，所述金屬氧化物層的材料為三氧化鑰、三氧化鎢、氧化鈣或五氧化二釩。
[0006]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述二氧化鈦層的厚度為5μm~30μmι。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬氧化物層的厚度為1Onm~40nm。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述二氧化鈦層由粒徑為20nm~200nm的二氧化鈦顆粒組成。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β -亞萘基蒽、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1' -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
[0010]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0011]在陽(yáng)極的背面蒸鍍制備金屬氧化物層，所述陽(yáng)極為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃，所述金屬氧化物層的材料為三氧化鑰、三氧化鎢、氧化鈣或五氧化
二釩；
[0012]在所述金屬氧化物層的表面旋涂制備二氧化鈦層；及
[0013]在所述陽(yáng)極的正面依次蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述二氧化鈦層的厚度為5μm~30μm。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬氧化物層的厚度為1Onm~40nm。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述二氧化鈦層通過(guò)在所述金屬氧化物層的表面旋涂二氧化鈦懸浮液后干燥形成，所述懸浮液中還含有乙酰丙酮和曲拉通，所述懸浮液中所述二氧化鈦的質(zhì)量百分含量為20-60%，所述乙酰丙酮的質(zhì)量百分含量為1_10%，所述曲拉通的質(zhì)量百分含量為1_5%。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述二氧化鈦在配制成二氧化鈦懸浮液之前先進(jìn)行預(yù)處理，所述預(yù)處理的步驟為:將二氧化鈦在400°C?600°C下煅燒20分鐘?60分鐘，然后制成粒徑為20nm?200nm的粉末。
[0018]上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，通過(guò)制備金屬氧化物層和二氧化鈦層，金屬氧化物層的材料為高射率材料，折射率為1.7?2.2，使光線容易從低折射率的玻璃里面透射出來(lái)，二氧化鈦層可以對(duì)達(dá)到金屬氧化物層的光線進(jìn)行強(qiáng)烈的散射，使得有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0021]圖3為實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與流明效率關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0023]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的二氧化鈦層10、金屬氧化物層20、陽(yáng)極30、空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70及陰極80。
[0024]陽(yáng)極30為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。陽(yáng)極30的一面形成有導(dǎo)電層，形成有導(dǎo)電層的一面為正面，沒(méi)有形成導(dǎo)電層的一面為背面。二氧化鈦層10及金屬氧化物層20形成于陽(yáng)極30的背面，空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70及陰極80形成于陽(yáng)極30的正面。
[0025]二氧化鈦層10的厚度為5 μ m?30 μ m。二氧化鈦層10由粒徑為20nm?200nm的二氧化鈦顆粒組成。
[0026]金屬氧化物層20的材料為三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、氧化鈣(CaO)或五氧化二釩(V205)。金屬氧化物層20的厚度為IOnm?40nm。金屬氧化物層20的材料的折射率在1.7?2.2之間，在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的透過(guò)率約為80%。
[0027]空穴注入層40的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為v205?？昭ㄗ⑷雽?0的厚度為IOnm?40nm。
[0028]空穴傳輸層50的材料選自I, 1-二 [4_[N,N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4,，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及 N，N’_ (1-萘基)-N，N’_ 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm?60nm,優(yōu)選為 40nm。
[0029]發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯(BCzVBi)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為ADN。發(fā)光層60的厚度為5nm?40nm,優(yōu)選為10nm。
[0030]電子傳輸層70的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4_三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TAZ。電子傳輸層70的厚度為40nm?80nm,優(yōu)選為60nm。
[0031]陰極80的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Ag。陰極80的厚度為80nm?250nm,優(yōu)選為lOOnm。
[0032]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100，通過(guò)制備金屬氧化物層20和二氧化鈦層10，金屬氧化物層20的材料為高射率材料，折射率為1.7?2.2，使光線容易從低折射率的玻璃里面透射出來(lái)，二氧化鈦層10可以對(duì)達(dá)到金屬氧化物層20的光線進(jìn)行強(qiáng)烈的散射，使得有機(jī)電致發(fā)光器件100的出光效率較高。
[0033]可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0034]請(qǐng)同時(shí)參閱圖2，一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0035]步驟S110、在陽(yáng)極30的背面蒸鍍制備金屬氧化物層20。
[0036]陽(yáng)極30為銦錫氧化物玻璃(IT0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(IZ0)，優(yōu)選為IT0。陽(yáng)極30的一面形成有導(dǎo)電層，形成有導(dǎo)電層的一面為正面，沒(méi)有形成導(dǎo)電層的一面為背面。
[0037]本實(shí)施方式中，在陽(yáng)極30的背面蒸鍍金屬氧化物層20之前先對(duì)陽(yáng)極30進(jìn)行預(yù)處理。對(duì)陽(yáng)極30預(yù)處理為:將陽(yáng)極30先進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的大小后，依次采用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙酮各超聲波清洗15min，以去除陽(yáng)極30表面的有機(jī)污染物。
[0038]金屬氧化物層20的材料為三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、氧化鈣(CaO)或五氧化二釩(V205)。金屬氧化物層20的厚度為IOnm?40nm。金屬氧化物層20的材料的折射率在1.7?2.2之間，在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的透過(guò)率大約為80%。金屬氧化物層20由蒸鍍制備。蒸鍍時(shí)，壓強(qiáng)為2 X KT3Pa?2X 10_4Pa，蒸鍍速率為lnm/s?5nm/s。
[0039]步驟S120、在金屬氧化物層20表面旋涂制備二氧化鈦層10。
[0040]二氧化鈦層10的厚度為5 μ m?30 μ m。二氧化鈦層10通過(guò)在金屬氧化物層20的表面旋涂含有二氧化鈦的懸浮液后干燥形成。旋涂轉(zhuǎn)速為4000-6000rpm，時(shí)間為10_60s。
[0041]懸浮液中還含有乙酰丙酮和曲拉通(聚氧乙烯-8-辛基苯基醚)。懸浮液中二氧化鈦的質(zhì)量百分含量為20-60%。乙酰丙酮的質(zhì)量百分含量為1_10%。曲拉通的質(zhì)量百分含量為1_5%。懸浮液配制時(shí)，首先將二氧化鈦溶于溶劑中，再加入乙酰丙酮和曲拉通充分?jǐn)嚢琛Ｈ軇┻x自水、異丙醇、乙醇及正丁醇中的至少一種。
[0042]優(yōu)選的，二氧化鈦在配制成懸浮液之前先進(jìn)行預(yù)處理，預(yù)處理的步驟為:將二氧化鈦在400°C?600°C下煅燒20分鐘?60分鐘，然后研磨成粒徑為20nm?200nm的粉末。
[0043]步驟S130、在陽(yáng)極30的正面依次蒸鍍形成空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70及陰極80。
[0044]空穴注入層40由蒸鍍制備。空穴注入層40的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為V205。空穴注入層40的厚度為IOnm?40nm。蒸鍛時(shí)，壓強(qiáng)為2 X 10 3Pa?2 X 10 4Pa,蒸鍍速率為lnm/s?5nm/s。
[0045]空穴傳輸層50由蒸鍍制備?？昭▊鬏攲?0的材料選自I, 1-二 [4_[N, N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)4，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm~60nm，優(yōu)選為40nm。蒸鍍時(shí)，壓強(qiáng)為2 X KT3Pa~2X 10_4Pa，蒸鍛速率為0.05nm/s~0.5nm/s。
[0046]發(fā)光層 60由蒸鍍制備。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)_2_ 丁基-6- (I, 1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4,-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1'-聯(lián)苯(BCzVBi)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為ADN。發(fā)光層60的厚度為5nm~40nm,優(yōu)選的10nm。蒸鍍時(shí)，壓強(qiáng)為 2 X 10 3Pa ~2 X 10 4Pa,蒸鍛速率為 0.05nm/s ~0.5nm/s。
[0047]電子傳輸層70由蒸鍍制備。電子傳輸層70的材料選自4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TAZ。電子傳輸層70的厚度為40nm~80nm，優(yōu)選為60nm。蒸鍍時(shí)，壓強(qiáng)為2 X KT3Pa~2 X 10 4Pa,蒸鍛速率為 0.05nm/s ~0.5nm/s。
[0048]陰極80由蒸鍍制備。陰極80的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Ag。陰極80的厚度為80nm~250nm,優(yōu)選為lOOnm。蒸鍍時(shí),壓強(qiáng)為2 X 10 3Pa ~2 X 10 4Pa,蒸鍍速率為 lnm/s ~5nm/s。
[0049]上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，通過(guò)制備金屬氧化物層20和二氧化鈦層10，金屬氧化物層20的材料為高射率材料，折射率為1.7~2.2，使光線容易從低折射率的玻璃里面透射出來(lái)，二氧化鈦層10可以對(duì)達(dá)到金屬氧化物層20的光線進(jìn)行強(qiáng)烈的散射，使得有機(jī)電致發(fā)光器件100的出光效率較高；在陽(yáng)極30的背面先蒸鍍形成金屬氧化物層20，可以增加陽(yáng)極30的背面的表面平整度，提高二氧化鈦層10與金屬氧化物層20之間的表面結(jié)合力，有利于光散射的加強(qiáng)，進(jìn)一步提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。
[0050]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0051]本發(fā)明實(shí)施例及對(duì)比例所用到的制備與測(cè)試儀器為:高真空鍍膜設(shè)備(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司，壓強(qiáng)〈IX 10_3Pa)、電流-電壓測(cè)試儀(美國(guó)Keithly公司，型號(hào):2602)、電致發(fā)光光譜測(cè)試儀(美國(guó)photo research公司，型號(hào):PR650)以及屏幕亮度計(jì)(北京師范大學(xué)，型號(hào):ST-86LA)。
[0052]實(shí)施例1
[0053]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為Ti02/Mo03/IT0玻璃/V205/NPB/ADN/TAZ/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0054]先將ITO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后在導(dǎo)電陽(yáng)極基板背面(與空氣接觸一面)制備散射層，先蒸鍍制備金屬氧化物層，材料為MoO3，厚度為25nm，然后旋涂制備二氧化鈦層，TiO2首先在450度下進(jìn)行煅燒，時(shí)間為30min,然后在研磨成粉末,配置成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為35%的溶液,溶劑為水。加入5ml的乙酰丙酮，2ml的曲拉通，充分?jǐn)嚢?，然后旋涂在MoO3之上，烘干，厚度為15 μ m。蒸鍍空穴注入層:材料為V2O5，厚度為30nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為40nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為ADN，厚度為IOnm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為60nm ;蒸鍍陰極，材料為Ag，厚度為IOOnm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍時(shí)，壓強(qiáng)為5X10_4Pa，蒸鍍有機(jī)層的速率為0.2nm/s,蒸鍍無(wú)機(jī)層的速率為2nm/s ;旋涂轉(zhuǎn)速為5000rpm,時(shí)間為15s。[0055]請(qǐng)參閱圖3，所示為實(shí)施例1中制備的結(jié)構(gòu)為Ti02/Mo03/IT0玻璃/V205/NPB/ADN/TAZ/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線I)與對(duì)比例制備的結(jié)構(gòu)為IT0/V205/NPB/ADN/TAZ/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線2)的電流密度與流明效率的關(guān)系。對(duì)比例制備有機(jī)電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實(shí)施例1均相同。
[0056]從圖上可以看到，實(shí)施例1的流明效率都比對(duì)比例的要大，最大的流明效率為
19.21m/W,而對(duì)比例的僅為15.1lm/W,這就說(shuō)明，通過(guò)制備金屬氧化物和二氧化鈦的混合散射層，可先將光從低折射率的玻璃中提取出來(lái)，然后再通過(guò)制備二氧化鈦層，使到達(dá)金屬氧化物的光進(jìn)行散射，提高出光效率。
[0057]以下各個(gè)實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率都與實(shí)施例1相類似，各有機(jī)電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0058]實(shí)施例2
[0059]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為Ti02/Ca0/AZ0玻璃/W03/TCTA/Alq3/TPBi/Au的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0060]先將AZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后在導(dǎo)電陽(yáng)極基板背面制備散射層，先蒸鍍制備金屬氧化物層，材料為CaO，厚度為10nm，然后旋涂制備二氧化鈦層，TiO2首先在400度下進(jìn)行煅燒，時(shí)間為60min，然后在研磨成粉末，配置成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為50%的溶液，溶劑為正丁醇。加入IOml的乙酰丙酮，Iml的曲拉通，充分?jǐn)嚢?，然后旋涂在CaO之上，然后烘干，厚度為30 μ m。蒸鍍空穴注入層:材料為WO3，厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCTA，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為Alq3，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為75nm ;蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為SOnm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍時(shí)，壓強(qiáng)為2X 10_3Pa，蒸鍍有機(jī)層的速率為
0.5nm/s,蒸鍍無(wú)機(jī)層的速率為lnm/s ;旋涂轉(zhuǎn)速為4000rpm,時(shí)間為60s。
[0061]實(shí)施例3
[0062]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為Ti02/V205/IT0玻璃/W03/NPB/DCJTB/Bphen/Pt的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0063]先將ITO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后在導(dǎo)電陽(yáng)極基板背面制備散射層，先蒸鍍制備金屬氧化物層，材料為V2O5,厚度為40nm，然后旋涂制備二氧化鈦層，TiO2首先在600度下進(jìn)行煅燒，時(shí)間為20min，然后在研磨成粉末，配置成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%的溶液，溶劑為異丙醇。加入2ml的乙酰丙酮，5ml的曲拉通，充分?jǐn)嚢?，然后旋涂在V2O5之上，烘干，厚度為5 μ m。蒸鍍空穴注入層:材料為WO3，厚度為35nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為55nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為5nm ;蒸鍍電子傳輸層,材料為Bphen,厚度為60nm ;蒸鍍陰極,材料為Pt,厚度為IOOnm ；最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍時(shí)，壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，蒸鍍有機(jī)層的速率為0.05nm/s,蒸鍍無(wú)機(jī)層的速率為5nm/s ;旋涂轉(zhuǎn)速為6000rpm,時(shí)間為10s。
[0064]實(shí)施例4
[0065]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為Ti02/W03/IZ0玻璃/W03/NPB/BCzVBi/Bphen/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0066]先將IZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后在導(dǎo)電陽(yáng)極基板背面制備散射層，先蒸鍍制備金屬氧化物層，材料為WO3，厚度為30nm，然后旋涂制備二氧化鈦層，TiO2首先在500度下進(jìn)行煅燒，時(shí)間為25min，然后在研磨成粉末，配置成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%的溶液，溶劑為乙醇。加入6ml的乙酰丙酮，2.5ml的曲拉通，充分?jǐn)嚢?，然后旋涂在WO3之上，烘干，厚度為18 μ m。蒸鍍空穴注入層:材料為WO3,厚度為80nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層,材料為Bphen,厚度為35nm ;然后蒸鍍陰極,材料為Al,厚度為250nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍時(shí)，壓強(qiáng)為6X 10_4Pa，蒸鍍有機(jī)層的速率為
0.lnm/s,蒸鍍無(wú)機(jī)層的速率為3nm/s ;旋涂轉(zhuǎn)速為5500rpm,時(shí)間為20s。
[0067]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的二氧化鈦層、金屬氧化物層、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，所述陽(yáng)極為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃，所述金屬氧化物層的材料為三氧化鑰、三氧化鎢、氧化鈣或五氧化二釩。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述二氧化鈦層的厚度為5 μ m ~30 μ m0
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬氧化物層的厚度為 IOnm ~40nmo
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述二氧化鈦層由粒徑為20nm~200nm的二氧化鈦顆粒組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1` -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在陽(yáng)極的背面蒸鍍制備金屬氧化物層，所述陽(yáng)極為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃，所述金屬氧化物層的材料為三氧化鑰、三氧化鎢、氧化鈣或五氧化二?凡; 在所述金屬氧化物層的表面旋涂制備二氧化鈦層；及 在所述陽(yáng)極的正面依次蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述二氧化鈦層的厚度為5 μ m~30 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述金屬氧化物層的厚度為IOnm~40nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述二氧化鈦層通過(guò)在所述金屬氧化物層的表面旋涂二氧化鈦懸浮液后干燥形成，所述懸浮液中還含有乙酰丙酮和曲拉通，所述懸浮液中所述二氧化鈦的質(zhì)量百分含量為20-60%，所述乙酰丙酮的質(zhì)量百分含量為1_10%,所述曲拉通的質(zhì)量百分含量為1_5%。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述二氧化鈦在配制成二氧化鈦懸浮液之前先進(jìn)行預(yù)處理，所述預(yù)處理的步驟為:將二氧化鈦在400°C~600°C下煅燒20分鐘~60分鐘，然后制成粒徑為20nm~200nm的粉末。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK103682126SQ201210319827
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月31日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 陳吉星 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司