頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、散射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，所述散射層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的氧化皓，所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅及酞菁釩中的至少一種。上述頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。本發(fā)明還提供一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術】
[0002]有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0003]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，當發(fā)光層的發(fā)光材料與陰極比較接近的時候，發(fā)光材料會與陰極產(chǎn)生耦合，對激子造成了損失(表面等離子激元波)，導致激子復合幾率降低，從而降低了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件還包括形成于所述基板及所述陽極之間的散射層，所述散射層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的氧化皓，所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅及酞菁釩中的至少一種。
[0006]在其中一個實施例中，所述散射層的厚度為IOnm~lOOnm。
[0007]在其中一個實施例中，所述散射層中所述氧化皓的質(zhì)量百分含量為10%~40%。
[0008]在其中一個實施例中，所述氧化皓的粒徑小于或等于200nm。
[0009]在其中一個實施例中，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β -亞萘基蒽、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
[0010]在其中一個實施例中，所述電子傳輸層的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。
[0011]一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0012]在基板表面蒸鍍形成散射層，所述散射層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的氧化皓，所述主體材料與所述氧化皓分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，蒸鍍在真空壓力為2X 10-3~2Χ KT5Pa下進行,所述主體材料蒸鍍速率為0.lnm/s~lnm/s,所述氧化白告蒸鍍速率范圍為2.5nm/s~10nm/s,所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁鑰；中的至少一種；及
[0013]在所述散射層表面依次形成陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極；蒸鍍條件是在真空壓力為5X10_3~2X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s~lOnm/s下進行。[0014]在其中一個實施例中，所述散射層的厚度為IOnm?lOOnm。
[0015]在其中一個實施例中，所述散射層中所述氧化皓的質(zhì)量百分含量為10%?40%。
[0016]在其中一個實施例中，所述氧化皓的粒徑小于或等于200nm。
[0017]上述頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制備方法，通過制備頂發(fā)射器件，使光不經(jīng)過基板一面出射，而直接從頂部陰極出射，避免了陽極與基板之間的的全反射損失，在基板與陽極之間制備一層摻雜的散射層，利用結晶性材質(zhì)中摻雜氧化皓，可以加強光的散射作用，使原來向底部發(fā)射的光經(jīng)過結晶性顆粒散射回到頂部出射，從而提高頂發(fā)射的出光率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0018]圖1為一實施方式的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的結構意圖；
[0019]圖2為一實施方式的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0020]圖3為實施例1制備的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關系圖。
【具體實施方式】
[0021]下面結合附圖和具體實施例對頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制備方法進一步闡明。
[0022]請參閱圖1，一實施方式的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件100包括依次層疊的基板10、散射層20、陽極30、空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70及陰極80。
[0023]基板10為玻璃基板。優(yōu)選，折射率選擇為1.45?1.55的玻璃基板。
[0024]散射層20形成于基板10表面。散射層20的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的氧化暗，主體材料選自酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)及酞菁鑰;(V2Pc5)中的至少一種，散射層20中氧化皓的制備百分含量為10%?40%，散射層20的厚度為IOnm?lOOnm。氧化皓的粒徑小于或等于200nm。
[0025]陽極30形成于散射層20表面。陽極30為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻氟的氧化錫玻璃(FT0)，摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。
[0026]空穴注入層40形成于陽極30表面?？昭ㄗ⑷雽?0的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為W03。空穴注入層20的厚度為20nm ?80nm,優(yōu)選為 40nm。
[0027]空穴傳輸層50形成于空穴注入層40的表面?？昭▊鬏攲?0的材料選自1，1_ 二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm?60nm，優(yōu)選為40nm。
[0028]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉招(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nm?40nm,優(yōu)選為15nm。
[0029]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TAZ。電子傳輸層70的厚度為40nm?80nm,優(yōu)選為60nm。[0030]陰極80形成于電子傳輸層70表面。陰極80的材料為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au),優(yōu)選為Ag。陰極80的厚度為5nm~40nm,優(yōu)選為15nm。
[0031]上述頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件100通過設置散射層60，在基板10與陽極30之間制備一層摻雜的散射層20，通過制備頂發(fā)射器件，使光不經(jīng)過基板10 —面出射，而直接從頂部陰極80出射，避免了陽極與基板之間的全反射損失，在基板10與陽極30之間制備一層摻雜的散射層20，利用結晶性材質(zhì)中摻雜氧化皓，可以加強光的散射作用，使原來向底部發(fā)射的光經(jīng)過結晶性顆粒散射回到頂部出射，從而提高頂發(fā)射的出光率。
[0032]可以理解，該頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設置其他功能層。
[0033]請同時參閱圖2，一實施例的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0034]步驟S110、在基板10表面形成散射層20。
[0035]基板10為玻璃基板。優(yōu)選，折射率選擇為1.45~1.55的玻璃基板。
[0036]對基板10進行前處理，前處理包括去除基板10表面的有機污染物，裁成所需要的大小，采用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙酮各超聲波清洗15min，以去除基板10表面的有機污染物。
[0037]散射層20形成于基板10表面。散射層20的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的氧化暗，主體材料選自酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)及酞菁鑰;(V2Pc5)中的至少一種，所述主體材料與所述氧化皓分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，蒸鍍在真空壓力為2X10_3~2X 10_5Pa下進行,所述主體材料蒸鍍`速率為0.lnm/s~lnm/s,所述氧化皓蒸鍍速率范圍為
2.5nm/s~10nm/S，散射層20中氧化皓的制備百分含量為10%~40%，散射層20的厚度為IOnm~lOOnm。氧化暗的粒徑小于或等于200nm。
[0038]步驟S120、在散射層20表面依次形成陽極30、空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70及陰極80。
[0039]本實施方式中，在散射層20表面形成陽極30，陽極30通過蒸鍍的方式制備，陽極30為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)，優(yōu)選為Ag。陽極30厚度為80nm~250nm。蒸鍍條件是在真空壓力為5X 10-3~2Χ l(T5Pa,蒸鍍速率為0.lnm/s~10nm/s下進行。
[0040]空穴注入層40形成于陽極30的表面?？昭ㄗ⑷雽?0由蒸鍍制備?？昭ㄗ⑷雽?0的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為W03?？昭ㄗ⑷雽?0的厚度為20nm~80nm，優(yōu)選為40nm。蒸鍍條件是在真空壓力為5 X 10 3~2 X 10 5Pa,蒸鍛速率為0.lnm/s~IOnm/s下進行。
[0041]空穴傳輸層50形成于空穴注入層40的表面?？昭ň彌_層50由蒸鍍制備?？昭▊鬏攲?0的材料選自1，1_ 二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4,4/，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及 N，N’-(1-萘基)-N，N’_ 二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm~60nm，優(yōu)選為40nm。蒸鍍條件是在真空壓力為5X 10_3~2 X 10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s~10nm/s下進行。
[0042]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60由蒸鍍制備。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4,-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯(lián)苯(BCzVBi)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層40的厚度為5nm?40nm，優(yōu)選為15nm。蒸鍍條件是在真空壓力為5 X 10_3?2 X 10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?IOnm/ s下進行。
[0043]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70由蒸鍍制備。電子傳輸層70的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TAZ。電子傳輸層70的厚度為40nm?80nm，優(yōu)選為60nm。蒸鍍條件是在真空壓力為5X 10_3?2 X 10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s下進行。
[0044]陰極80形成于電子傳輸層70的表面。陰極80由蒸鍍制備。陰極80的材料為銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)或金(Au),優(yōu)選為Ag。陰極80的厚度為5nm?40nm,優(yōu)選為15nm。蒸鍍條件是在真空壓力為5X 10_3?2X 10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?lOnm/s下進行。
[0045]上述頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件制備方法，工藝簡單，制備的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。
[0046]以下結合具體實施例對本發(fā)明提供的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法進行詳細說明。
[0047]本發(fā)明實施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜設備(沈陽科學儀器研制中心有限公司，壓強〈IX 10_3Pa)、電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2602)、電致發(fā)光光譜測試儀(美國photo research公司，型號:PR650)以及屏幕亮度計(北京師范大學，型號:ST-86LA)。
[0048]實施例1
[0049]本實施例制備的結構為玻璃/CuPc:Zr02/Ag/Mo03/TCTA/Alq3/TAZ/Ag的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件。
[0050]先將玻璃剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；在玻璃基板上蒸鍍散射層，材料為:CuPc = ZrO2，摻雜比例為20%，厚度為50nm，:Zr02粒徑為:50nm，將CuPc和ZrO2分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，蒸鍍在真空壓力為2X 10_5Pa下進行，所述CuPc蒸鍍速率為0.lnm/s，所述ZrO2蒸鍍速率范圍為5nm/s，蒸鍍陽極，材料為Ag，厚度為120nm，蒸鍍空穴注入層，材料為WO3，厚度為40nm ;蒸鍍空穴傳輸層，材料為NPB，厚度為SOnm ;發(fā)光層:所選材料為Alq3，厚度為15nm ；電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為60nm ;蒸鍍陰極，材料為Ag，厚度為15nm ;最后得到所需要的頂發(fā)射電致發(fā)光器件。其它功能層的蒸鍍真空壓力為5X 10_5Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s。[0051 ] 請參閱圖3，所示為實施例1中制備的結構為玻璃/CuPc: Zr02/Ag/Mo03/TCTA/Alq3/TAZ/Ag的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件(曲線I)與對比例制備的結構為玻璃/Ag/Mo03/TCTA/Alq3/TAZ/Ag的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件(曲線2)的亮度與流明效率的關系。對比例制備的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件中各層厚度與實施例1相同。
[0052]從圖上可以看到，在不同的亮度下，實施例1的流明效率都比對比例的要大，實施例I制備的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的最大的流明效率為60.41m/W，而對比例的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的僅為40.llm/W，而且對比例的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的流明效率隨著亮度的增大而快速下降，這就說明，通過制備頂發(fā)射器件，使光不經(jīng)過基板一面出射，而直接從頂部陰極出射，避免了陽極與基板之間的全反射損失，在基板與陽極之間制備一層摻雜的散射層，利用結晶性材質(zhì)中摻雜氧化皓，可以加強光的散射作用，使原來向底部發(fā)射的光經(jīng)過結晶性顆粒散射回到頂部出射，從而提高頂發(fā)射的出光率。
[0053]以下各個實施例制備的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的流明效率都與實施例1相類似，各有機電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0054]實施例2
[0055]本實施例制備的結構為玻璃/ZnPc:Zr02/Al/W03/NPB/BCzVBi/TPBi/Au的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件。
[0056]先將玻璃剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；在玻璃基板上蒸鍍散射層，材料為:ZnPc = ZrO2，摻雜比例為10%，厚度為10nm，:Zr02粒徑為:200nm，將ZnPc和ZrO2分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，蒸鍍在真空壓力為2X 10_5Pa下進行，所述ZnPc蒸鍍速率為0.5nm/s，所述ZrO2蒸鍍速率范圍為lOnm/s，蒸鍍陽極，材料為Al，厚度為250nm，蒸鍍空穴注入層，材料為WO3,厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層，材料為NPB，厚度為20nm ;發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為40nm ；電子傳輸層，材料為TPBi,厚度為75nm ;蒸鍍陰極,材料為Au,厚度為IOnm ;最后得到所需要的頂發(fā)射電致發(fā)光器件。其它功能層的蒸鍍真空壓力為2X 10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/sο
[0057]實施例3
[0058]本實施例制備的結構為玻璃/V2Pc5:Zr02/Pt/Mo03/TAPC/ADN/Bphen/Pt的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件。
[0059]先將玻璃剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；在玻璃基板上蒸鍍散射層，材料為:V2Pc5:Zr02，摻雜比例為40%，厚度為80nm，=ZrO2粒徑為:20nm，將V2Pc5和ZrO2分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，蒸鍍在真空壓力為2X 10_3Pa下進行，所述V2Pc5蒸鍍速率為0.lnm/s，所述ZrO2蒸鍍速率范圍為2.5nm/s,蒸鍍陽極，材料為Pt，厚度為80nm，蒸鍍空穴注入層，材料為MoO3,厚度為25nm ;蒸鍍空穴傳輸層，材料為TAPC，厚度為45nm ;發(fā)光層:材料為ADN，厚度為15nm ；電子傳輸層，材料為Bphen,厚度為55nm ;蒸鍍陰極,材料為Pt,厚度為5nm;最后得到所需要的頂發(fā)射電致發(fā)光器件。其它功能層的蒸鍍真空壓力為5X10_3Pa，蒸鍍速率為lOnm/s。
[0060]實施例4
[0061]本實施例制備的結構為玻璃/MgPc:Zr02/Au/V205/TAPC/DCJTB/TAZ/Al的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件。
[0062]先將玻璃剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；在玻璃基板上蒸鍍散射層，材料為:MgPc = ZrO2，摻雜比例為25%，厚度為lOOnm，:Zr02粒徑為:lOOnm，將MgPc和ZrO2分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，蒸鍍在真空壓力為3X10_5Pa下進行，所述MgPc蒸鍍速率為lnm/s，所述ZrO2蒸鍍速率范圍為3nm/s，蒸鍍陽極，材料為Au，厚度為150nm，蒸鍍空穴注入層，材料為V2O5，厚度為80nm ;蒸鍍空穴傳輸層，材料為TAPC，厚度為60nm ;發(fā)光層:材料為DCJTB，厚度為7nm ;電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為45nm ;蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為40nm ;最后得到所需要的頂發(fā)射電致發(fā)光器件。其它功能層的蒸鍍真空壓力為3X10_5Pa，蒸鍍速率為3nm/s。
[0063]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【權利要求】
1.一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件,包括依次層疊的基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，其特征在于，所述有機電致發(fā)光器件還包括形成于所述基板及所述陽極之間的散射層，所述散射層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的氧化皓，所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅及酞菁釩中的至少一種。
2.根據(jù)權利要求1所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散射層的厚度為 IOnm ~lOOnm。
3.根據(jù)權利要求1所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散射層中所述氧化暗的質(zhì) 量百分含量為10%~40%。
4.根據(jù)權利要求1所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化皓的粒徑小于或等于200nm。
5.根據(jù)權利要求1所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1' -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
6.根據(jù)權利要求1所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。
7.一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在基板表面蒸鍍形成散射層，所述散射層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的氧化皓，所述主體材料與所述氧化皓分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，蒸鍍在真空壓力為2Χ 10-3~2Χ KT5Pa下進行,所述主體材料蒸鍍速率為0.lnm/s~lnm/s,所述氧化暗蒸鍍速率范圍為2.5nm/s~10nm/s,所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁I凡中的至少一種；及 在所述散射層表面依次蒸鍍陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極；蒸鍍條件是在真空壓力為5X 10_3~2X 10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s~lOnm/s下進行。
8.根據(jù)權利要求7所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述散射層的厚度為IOnm~lOOnm。
9.根據(jù)權利要求7所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述散射層中所述氧化皓的質(zhì)量百分含量為10%~40%。
10.根據(jù)權利要求7所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述氧化皓的粒徑小于或等于200nm。
【文檔編號】H01L51/52GK103682130SQ201210319843
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年8月31日 優(yōu)先權日:2012年8月31日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 張振華 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司