專(zhuān)利名稱(chēng)：一種大功率led的封裝工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝工藝，特別是一種大功率LED的封裝工藝。
背景技術(shù)：
大功率LED生產(chǎn)過(guò)程中，在大功率LED的半導(dǎo)體芯片做好后，為了使半導(dǎo)體芯片免受機(jī)械應(yīng)力、熱應(yīng)力、有害氣體以及放射線等外部環(huán)境的影響，需要對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行封裝和保護(hù)處理。封裝后一方面可以保證半導(dǎo)體器件最大限度的發(fā)揮它的電學(xué)特性而正常工作，提高其使用壽命，另一方面通過(guò)封裝也將會(huì)使應(yīng)用更加方便。隨著大功率LED的進(jìn)一步推廣運(yùn)用，用戶(hù)對(duì)大功率LED的可靠性要求越來(lái)越高，不適當(dāng)?shù)姆庋b方法會(huì)降低LED生產(chǎn)的成品率，縮短大功率LED的使用壽命，提高企業(yè)的生產(chǎn)成 本，因此，研發(fā)更為完善先進(jìn)的LED封裝技術(shù)具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種工藝更為合理、可操作性強(qiáng)的一種大功率LED的封裝工藝。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是通過(guò)以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。本發(fā)明是一種大功率LED的封裝工藝，其特點(diǎn)是，其步驟如下選用表面列機(jī)械損傷、尺寸和電極大小符合工藝要求的大功率LED的芯片，采用擴(kuò)片機(jī)對(duì)粘結(jié)芯片的膜進(jìn)行擴(kuò)張，將芯片之間的間距拉伸到0. 5-0. 7mm ;然后在LED支架的對(duì)應(yīng)位置上點(diǎn)上銀膠層或者絕緣膠層來(lái)固定芯片；將芯片置于刺片裝置的夾具上，將LED支架置于夾具的下方，在顯微鏡下用針將LED芯片一個(gè)一個(gè)刺到LED支架相應(yīng)的位置上；燒結(jié)，使銀膠固化；采用金絲球焊將電極壓焊到LED芯片上，連接LED的內(nèi)外引線；然后將壓焊好的LED支架放入模具中，將模具合模并抽真空，環(huán)氧樹(shù)脂加熱后進(jìn)入各個(gè)LED成型槽中并固化成型，即得。本發(fā)明所述的大功率LED的封裝工藝技術(shù)方案中所述的LED的芯片的最佳基板材料為硅片，且硅片的厚度優(yōu)選190-210 iim。芯片面積優(yōu)選為I. 2 XL 5mm2。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明方法工藝設(shè)計(jì)合理，體現(xiàn)了制作成本和材料性能的最佳統(tǒng)一，有利于熱量的傳導(dǎo)，散熱效果好，同時(shí)有效的提高了大功率LED的發(fā)光效率。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1，一種大功率LED的封裝工藝，其步驟如下選用表面列機(jī)械損傷、尺寸和電極大小符合工藝要求的大功率LED的芯片，采用擴(kuò)片機(jī)對(duì)粘結(jié)芯片的膜進(jìn)行擴(kuò)張，將芯片之間的間距拉伸到0. 5-0. 7mm ;然后在LED支架的對(duì)應(yīng)位置上點(diǎn)上銀膠層或者絕緣膠層來(lái)固定芯片；將芯片置于刺片裝置的夾具上，將LED支架置于夾具的下方，在顯微鏡下用針將LED芯片一個(gè)一個(gè)刺到LED支架相應(yīng)的位置上；燒結(jié)，使銀膠固化；采用金絲球焊將電極壓焊到LED芯片上，連接LED的內(nèi)外引線；然后將壓焊好的LED支架放入模具中，將模具合模并抽真空，環(huán)氧樹(shù)脂加熱后進(jìn)入各個(gè)LED成型槽中并固化成型，即得。
實(shí)施例2，實(shí)施例I所述的大功率LED的封裝工藝中所述的LED的芯片的基板材料為硅片，且硅片的厚度190-210 iim。
實(shí)施例3，實(shí)施例I或2所述的大功率LED的封裝工藝中芯片面積為I. 2X1.5mm2 n
權(quán)利要求
1.一種大功率LED的封裝工藝，其特征在于，其步驟如下選用表面列機(jī)械損傷、尺寸和電極大小符合工藝要求的大功率LED的芯片，采用擴(kuò)片機(jī)對(duì)粘結(jié)芯片的膜進(jìn)行擴(kuò)張，將芯片之間的間距拉伸到0. 5-0. 7mm ;然后在LED支架的對(duì)應(yīng)位置上點(diǎn)上銀膠層或者絕緣膠層來(lái)固定芯片；將芯片置于刺片裝置的夾具上，將LED支架置于夾具的下方，在顯微鏡下用針將LED芯片一個(gè)一個(gè)刺到LED支架相應(yīng)的位置上；燒結(jié)，使銀膠固化；采用金絲球焊將電極壓焊到LED芯片上，連接LED的內(nèi)外引線；然后將壓焊好的LED支架放入模具中，將模具合模并抽真空，環(huán)氧樹(shù)脂加熱后進(jìn)入各個(gè)LED成型槽中并固化成型，即得。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的大功率LED的封裝工藝，其特征在于所述的LED的芯片的基板材料為硅片，且硅片的厚度190-210 iim。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的大功率LED的封裝工藝，其特征在于芯片面積為I.2XL 5mm2。
全文摘要
一種大功率LED的封裝工藝，選用表面列機(jī)械損傷、尺寸和電極大小符合工藝要求的大功率LED的芯片，采用擴(kuò)片機(jī)對(duì)粘結(jié)芯片的膜進(jìn)行擴(kuò)張，將芯片之間的間距拉伸到0.5-0.7mm；然后在LED支架的對(duì)應(yīng)位置上點(diǎn)上銀膠層或者絕緣膠層來(lái)固定芯片；將芯片置于刺片裝置的夾具上，將LED支架置于夾具的下方，將LED芯片一個(gè)一個(gè)刺到LED支架相應(yīng)的位置上；燒結(jié)，使銀膠固化；采用金絲球焊將電極壓焊到LED芯片上，連接LED的內(nèi)外引線；然后將壓焊好的LED支架放入模具中固化成型。本發(fā)明方法工藝設(shè)計(jì)合理，體現(xiàn)了制作成本和材料性能的最佳統(tǒng)一，有利于熱量的傳導(dǎo)，散熱效果好，同時(shí)有效的提高了大功率LED的發(fā)光效率。
文檔編號(hào)H01L33/64GK102832323SQ20121032297
公開(kāi)日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月4日
發(fā)明者劉淑娟, 何雷, 張佃環(huán) 申請(qǐng)人:江蘇尚明光電有限公司