機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，該方法包括：提供無(wú)圖形晶圓；在所述無(wú)圖形晶圓上制備有機(jī)涂層，以形成有機(jī)涂層晶圓；將所述有機(jī)涂層晶圓進(jìn)入所述疑似造成刮傷的反映腔或傳送路徑模擬工藝處理，以形成疑似刮傷晶圓；在所述疑似刮傷晶圓上制備厚度為5nm～50nm的抗氧化層，以形成抗氧化層晶圓；對(duì)所述抗氧化層晶圓進(jìn)行氧化處理；對(duì)氧化處理后的所述抗氧化層晶圓進(jìn)行缺陷檢查。本發(fā)明的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，能夠?qū)⒓?xì)小的刮傷靈敏的檢測(cè)出來(lái)。
【專利說(shuō)明】機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路制造過(guò)程中，晶圓刮傷(Scratch)時(shí)影響產(chǎn)品良率的重要因素。依照刮傷的特性，晶圓刮傷可以細(xì)分為宏觀刮傷(Macro-Scratch)與細(xì)微刮傷(Micro-Scratch)。宏觀刮傷由于刮傷的面積較大,會(huì)造成產(chǎn)品晶圓直接報(bào)廢，細(xì)微刮傷會(huì)造成某些區(qū)域電性能有問(wèn)題，導(dǎo)致良率不佳，所以，在集成電路制造過(guò)程需要對(duì)晶圓的機(jī)械性刮傷進(jìn)行檢測(cè)。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法分為以下兩種:一、使用無(wú)圖形晶圓(BareWafer)，一般無(wú)圖形晶圓為單晶硅晶圓、表面沉積氮化物的單晶硅晶圓或表面沉積氧化物的單晶硅晶圓，在疑似造成刮傷的反應(yīng)腔上跑貨，或在疑似造成刮傷的傳送路徑跑貨，然后檢驗(yàn)無(wú)圖形晶圓的刮傷缺陷，但由于該方法的無(wú)圖形晶圓表面較硬，對(duì)機(jī)械性刮傷檢測(cè)的敏感度不高；二、在無(wú)圖形晶圓上均勻沉積了光刻膠，用沉積了光刻膠的無(wú)圖形晶圓在疑似造成刮傷的反應(yīng)腔上跑貨，或在疑似造成刮傷的傳送路徑跑貨，然后檢驗(yàn)無(wú)圖形晶圓的刮傷缺陷，該方法中的光刻膠較軟，很容易留下痕跡，所以在世界范圍內(nèi)得到廣泛應(yīng)用，但是該方法對(duì)細(xì)小的刮傷痕跡仍然不明顯，所以還是很難被檢測(cè)出來(lái)。如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中機(jī)械性刮傷檢測(cè)時(shí)對(duì)細(xì)小刮傷的掃面照片，可見，在圖中無(wú)法找到細(xì)小的刮傷，所以，現(xiàn)有技術(shù)的機(jī)械性刮傷檢測(cè)方法無(wú)法滿足對(duì)細(xì)小刮傷檢測(cè)的需要。
[0004]因此，如何提供一種機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，能將細(xì)小的刮傷靈敏的檢測(cè)出來(lái)，已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于，提供一種機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，能夠?qū)⒓?xì)小的刮傷靈敏的檢測(cè)出來(lái)。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，用于測(cè)試疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑，所述方法包括:
[0007]提供無(wú)圖形晶圓；
[0008]在所述無(wú)圖形晶圓上制備有機(jī)涂層，以形成有機(jī)涂層晶圓；
[0009]將所述有機(jī)涂層晶圓進(jìn)入所述疑似造成刮傷的反映腔或傳送路徑模擬工藝處理，以形成疑似刮傷晶圓；
[0010]在所述疑似刮傷晶圓上制備厚度為5nm?50nm的抗氧化層，以形成抗氧化層晶圓；
[0011]對(duì)所述抗氧化層晶圓進(jìn)行氧化處理；
[0012]對(duì)氧化處理后的所述抗氧化層晶圓進(jìn)行缺陷檢查，檢查氧化處理后的所述抗氧化層晶圓是否存在刮傷，如存在刮傷，則確定所述疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑是造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑，如不存在刮傷，則確定所述疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑不是造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑。
[0013]進(jìn)一步的，采用灰化反應(yīng)腔對(duì)所述抗氧化層晶圓進(jìn)行氧化處理。
[0014]進(jìn)一步的,在所述氧化處理步驟中，氧氣的流量為2000sccm?lOOOOsccm,溫度為IOO0C- 300°C，壓力為 500mT ?700mT，時(shí)間為 5s ?30s。
[0015]進(jìn)一步的，所述氧化處理的氣體還包括惰性氣體，所述惰性氣體流量為500sccm ?lOOOsccm。
[0016]進(jìn)一步的,所述氧化處理的氣體還包括氫氣體,所述氫氣體的流量為500sccm?1000sccmo
[0017]進(jìn)一步的，采用爐管或化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔對(duì)所述抗氧化層晶圓進(jìn)行氧化處理。
[0018]進(jìn)一步的，所述抗氧化層為碳氧化硅、氮化鈦、碳化硅及氮氧化鈦中的一種或幾種的組合。
[0019]進(jìn)一步的,所述無(wú)圖形晶圓為單晶娃晶圓、表面沉積氣化物的單晶娃晶圓或表面沉積氧化物的單晶硅晶圓。
[0020]進(jìn)一步的，在形成疑似刮傷晶圓的過(guò)程中，將所述有機(jī)涂層晶圓進(jìn)入所述疑似造成刮傷的反映腔或傳送路徑模擬工藝處理I?100次。
[0021 ] 進(jìn)一步的，所述有機(jī)涂層的材料為光刻膠或有機(jī)抗反射涂層材料。
[0022]進(jìn)一步的，所述有機(jī)涂層的厚度為50nm?5000nm。
[0023]進(jìn)一步的，采用光學(xué)缺陷掃描機(jī)或電子缺陷掃描機(jī)對(duì)氧化處理后的所述抗氧化層晶圓進(jìn)行缺陷檢查。
[0024]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0025]1、本發(fā)明提供的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，抗氧化層的厚度僅為5nm?50nm，不能將刮傷位置的有機(jī)涂層覆蓋，在氧化處理時(shí)，刮傷位置附近的有機(jī)涂層被氧化燃燒，使得刮傷位置附近的抗氧化層下方?jīng)]有有機(jī)涂層，刮傷位置附近的抗氧化層由于應(yīng)力發(fā)生變形，使得刮傷缺陷的表現(xiàn)形式改變并且缺陷的信號(hào)得到放大。
[0026]2、本發(fā)明提供的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，所述氧化處理在氮?dú)饧八魵獾囊环N或兩種的組合氣氛下進(jìn)行，使得有機(jī)涂層更容易被氧化。
[0027]3、本發(fā)明提供的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，將所述有機(jī)涂層晶圓進(jìn)入所述疑似造成刮傷的反映腔或傳送路徑模擬工藝處理多次，可以使反應(yīng)腔或傳送路徑一定能在有機(jī)涂層晶圓上留下刮傷痕跡，避免的由于概率性問(wèn)題而無(wú)法留下刮傷痕跡影響。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中機(jī)械性刮傷檢測(cè)時(shí)對(duì)細(xì)小刮傷的掃面照片；
[0029]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法的流程圖；
[0030]圖3a-圖3e為本發(fā)明一實(shí)施例中機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法的示意圖；
[0031]圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中機(jī)械性刮傷檢測(cè)時(shí)對(duì)細(xì)小刮傷的掃面照片。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0033]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0034]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0035]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，該方法在以所述有機(jī)涂層晶圓測(cè)試疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑，形成疑似刮傷晶圓，在所述疑似刮傷晶圓上制備厚度為5nm?50nm的抗氧化層，形成抗氧化層晶圓，所述抗氧化層很薄，無(wú)法將所述有機(jī)涂層的刮傷部分覆蓋，隨后對(duì)所述抗氧化層晶圓進(jìn)行氧化處理，氧化處理使得刮傷位置附近的抗氧化層下方有機(jī)涂層氧化燃燒而消失，刮傷位置附近的抗氧化層由于應(yīng)力發(fā)生變形，對(duì)氧化處理后的所述抗氧化層晶圓進(jìn)行缺陷檢查時(shí)，很容易檢測(cè)到變形的缺陷。
[0036]請(qǐng)參考圖2，圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法的流程圖，結(jié)合圖2及本發(fā)明的核心思想，本發(fā)明提供一種機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，包括以下步驟:
[0037]步驟SOI,提供無(wú)圖形晶圓；
[0038]步驟S02，在所述無(wú)圖形晶圓上制備有機(jī)涂層，以形成有機(jī)涂層晶圓；
[0039]步驟S03，將所述有機(jī)涂層晶圓進(jìn)入所述疑似造成刮傷的反映腔或傳送路徑模擬工藝處理，以形成疑似刮傷晶圓；
[0040]步驟S04,在所述疑似刮傷晶圓上制備厚度為5nm?50nm的抗氧化層，以形成抗氧化層晶圓；
[0041]步驟S05，對(duì)所述抗氧化層晶圓進(jìn)行氧化處理；
[0042]步驟S06，對(duì)氧化處理后的所述抗氧化層晶圓進(jìn)行缺陷檢查。
[0043]以下請(qǐng)參考圖2和圖3a_圖3e詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法的具體過(guò)程，其中，圖3a_圖3e為本發(fā)明一實(shí)施例中機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法的示意圖。
[0044]首先進(jìn)行步驟SOI，提供無(wú)圖形晶圓101，在本實(shí)施例中無(wú)圖形晶圓101為無(wú)圖形的單晶硅晶圓，因?yàn)閱尉Ч杈A不易被氧化，但無(wú)圖形晶圓101并不限于無(wú)圖形的單晶硅晶圓，如表面沉積氮化物的單晶硅晶圓或表面沉積氧化物的單晶硅晶圓亦可作為無(wú)圖形晶圓 101。
[0045]接著進(jìn)行步驟S02，在無(wú)圖形晶圓101上制備有機(jī)涂層102，形成有機(jī)涂層晶圓。在本實(shí)施例中，有機(jī)涂層102的材料為光刻膠，因?yàn)楣饪棠z材質(zhì)較軟，在步驟S03中很容易被刮傷，且在步驟S05中容易發(fā)生氧化燃燒，但其它有機(jī)材料，如有機(jī)抗反射涂層材料(Ant1-Reflective Coating,簡(jiǎn)稱ARC),只要可以被氧化燃燒的材料,亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)?？蛇x的，有機(jī)涂層102的厚度為50nm?5000nm，以達(dá)到較佳的刮傷和燃燒效果，具體的有機(jī)涂層102的厚度并不做限制。較佳的有機(jī)涂層102的厚度為100nm、500nm、1000nm、2000nm 或 4000nm。
[0046]然后進(jìn)行步驟S03，將所述有機(jī)涂層晶圓進(jìn)入所述疑似造成刮傷的反映腔或傳送路徑模擬工藝處理，以形成疑似刮傷晶圓。在進(jìn)行步驟S03時(shí)，需先確定疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑，即發(fā)現(xiàn)有產(chǎn)品晶圓(Product Wafer)的良率存在問(wèn)題或有缺陷(Defect)問(wèn)題時(shí)，先根據(jù)產(chǎn)品晶圓在哪些反應(yīng)腔或傳送路徑經(jīng)過(guò)(Run)，選擇有可能造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑為疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑，以所述有機(jī)涂層晶圓為測(cè)試晶圓(Test Wafer)，在疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑模擬有問(wèn)題的產(chǎn)品晶圓同樣的Run，以測(cè)試疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑，其中疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑為待測(cè)試的反應(yīng)腔或傳送路徑。在步驟S03中，將所述有機(jī)涂層晶圓進(jìn)入所述疑似造成刮傷的反映腔或傳送路徑模擬工藝處理I?100次，可以使反應(yīng)腔或傳送路徑一定能在有機(jī)涂層晶圓上留下刮傷痕跡，避免的由于概率性問(wèn)題而無(wú)法留下刮傷痕跡影響。
[0047]隨后進(jìn)行步驟S04,在所述疑似刮傷晶圓上制備厚度為5nm?50nm的抗氧化層103，形成抗氧化層晶圓。在本實(shí)施例中，抗氧化層103為碳氧化硅，碳氧化硅在隨后的步驟S05中不會(huì)被氧化，且質(zhì)地比較硬，但其它的材料，如氮化鈦、碳化硅及氮氧化鈦，或以上幾種材料的組合，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。在本實(shí)施例中，抗氧化層103要足夠薄，以保證不會(huì)覆蓋有機(jī)涂層102上被刮傷的部分，較佳的，抗氧化層103的厚度為10nm、15nm、20nm、30nm、40nmo
[0048]再接著進(jìn)行步驟S05，對(duì)所述抗氧化層晶圓進(jìn)行氧化處理。在本實(shí)施例中，采用灰化反應(yīng)腔對(duì)所述抗氧化層晶圓進(jìn)行氧化處理，灰化反應(yīng)腔能提供氧氣的氣氛，使有機(jī)涂層102的刮傷部分能得到有效地氧化燃燒，但其它可以提供氧氣環(huán)境的反應(yīng)腔，如爐管或化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。較佳的，所述氧化處理的氧氣的流量為2000sccm?lOOOOsccm,其中 sccm指的是 standard-state cubic centimeter per minute,為標(biāo)況毫升每分，溫度為100°C?300°C，壓力為500mT?700mT，其中mT為毫托，時(shí)間為5s?30s。氧化處理的時(shí)間為5s?30s，以保證有機(jī)涂層102的刮傷部分會(huì)被氧化燃燒，又不至于全部的有機(jī)涂層102都被氧化燃燒，但具體的時(shí)間并不做限制，由氧化過(guò)程中氧氣的流量及溫度配合控制。優(yōu)選的，氧化處理的時(shí)間為8s、10s、15s、20s或25s，氧氣的流量為 3000sccm、5000sccm、6000sccm、7000sccm、8000sccm、9000sccm,溫度為 120°C、150°C、200°C、25(TC。較佳的，氧化處理的氣體還可包括惰性氣體，使氧化反應(yīng)能穩(wěn)定進(jìn)行，加入的惰性氣體如氮?dú)饣騃S氣等，所述惰性氣體流量為500sccm?lOOOsccm,優(yōu)選600sccm、650sccm、800sccm、900sccm。較佳的，所述氧化處理的氣體還可包括氫氣體，使有機(jī)涂層102更容易被氧化，所述氫氣體可以為氫氣、水蒸氣或其它含氫的化合物，其中，氫氣體的流量為500sccm?lOOOsccm,優(yōu)選650sccm、800sccm、900sccm。在氧化處理時(shí)，刮傷位置附近的有機(jī)涂層102被氧化燃燒，使得刮傷位置附近的抗氧化層103下方?jīng)]有有機(jī)涂層102，刮傷位置附近的抗氧化層103由于應(yīng)力發(fā)生變形，使得刮傷缺陷的表現(xiàn)形式改變并且缺陷的信號(hào)得到放大。
[0049]最后進(jìn)行步驟S06，對(duì)氧化處理后的所述抗氧化層晶圓進(jìn)行缺陷檢查，檢查氧化處理后的所述抗氧化層晶圓是否存在刮傷，如存在刮傷，則疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑為造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑，如果沒有刮傷，則疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑就不是造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑，需重新選定疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑進(jìn)行測(cè)試。較佳的，采用光學(xué)缺陷掃描機(jī)或電子缺陷掃描機(jī)對(duì)氧化處理后的所述抗氧化層晶圓進(jìn)行缺陷檢查，當(dāng)缺陷的信號(hào)被放大時(shí)，甚至肉眼可以直接觀測(cè)到。如圖4所示，圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中機(jī)械性刮傷檢測(cè)時(shí)對(duì)細(xì)小刮傷的掃面照片，由圖4可以看出，抗氧化層103由于應(yīng)力發(fā)生變形，很容易即被電子缺陷掃描機(jī)檢測(cè)出來(lái)，與圖1對(duì)比，本發(fā)明的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法具有很明顯的優(yōu)勢(shì)，靈敏度高。
[0050]綜上所述，本發(fā)明提供一種機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，該方法在以所述有機(jī)涂層晶圓測(cè)試疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑，形成疑似刮傷晶圓，在所述疑似刮傷晶圓上制備厚度為5nm?50nm的抗氧化層，形成抗氧化層晶圓，所述抗氧化層很薄，無(wú)法將所述有機(jī)涂層的刮傷部分覆蓋，隨后對(duì)所述抗氧化層晶圓進(jìn)行氧化處理，氧化處理使得刮傷位置附近的抗氧化層下方有機(jī)涂層氧化燃燒而消失，刮傷位置附近的抗氧化層由于應(yīng)力發(fā)生變形，對(duì)氧化處理后的所述抗氧化層晶圓進(jìn)行缺陷檢查時(shí)，很容易檢測(cè)到變形的缺陷。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的含有機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0051]1、本發(fā)明提供的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，抗氧化層的厚度僅為5nm?50nm,不能將刮傷位置的有機(jī)涂層覆蓋，在氧化處理時(shí)，刮傷位置附近的有機(jī)涂層被氧化燃燒，使得刮傷位置附近的抗氧化層下方?jīng)]有有機(jī)涂層，刮傷位置附近的抗氧化層由于應(yīng)力發(fā)生變形，使得刮傷缺陷的表現(xiàn)形式改變并且缺陷的信號(hào)得到放大。
[0052]2、本發(fā)明提供的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，所述氧化處理在氮?dú)饧八魵獾囊环N或兩種的組合氣氛下進(jìn)行，使得有機(jī)涂層更容易被氧化。
[0053]3、本發(fā)明提供的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，將所述有機(jī)涂層晶圓進(jìn)入所述疑似造成刮傷的反映腔或傳送路徑模擬工藝處理多次，可以使反應(yīng)腔或傳送路徑一定能在有機(jī)涂層晶圓上留下刮傷痕跡，避免的由于概率性問(wèn)題而無(wú)法留下刮傷痕跡影響。
[0054]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，用于測(cè)試疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑，所述方法包括: 提供無(wú)圖形晶圓； 在所述無(wú)圖形晶圓上制備有機(jī)涂層，以形成有機(jī)涂層晶圓； 將所述有機(jī)涂層晶圓進(jìn)入所述疑似造成刮傷的反映腔或傳送路徑模擬工藝處理，以形成疑似刮傷晶圓； 在所述疑似刮傷晶圓上制備厚度為5nm?50nm的抗氧化層，以形成抗氧化層晶圓； 對(duì)所述抗氧化層晶圓進(jìn)行氧化處理； 對(duì)氧化處理后的所述抗氧化層晶圓進(jìn)行缺陷檢查，檢查氧化處理后的所述抗氧化層晶圓是否存在刮傷，如存在刮傷，則確定所述疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑是造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑，如不存在刮傷，則確定所述疑似造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑不是造成刮傷的反應(yīng)腔或傳送路徑。
2.如權(quán)利要求1中任意一項(xiàng)所述的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，其特征在于，采用灰化反應(yīng)腔對(duì)所述抗氧化層晶圓進(jìn)行氧化處理。
3.如權(quán)利要求2所述的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，其特征在于，在所述氧化處理步驟中，氧氣的流量為2000sccm?lOOOOsccm，溫度為100°C?300°C，壓力為500mT?700mT，時(shí)間為5s?30s。
4.如權(quán)利要求3所述的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，其特征在于，所述氧化處理的氣體還包括惰性氣體，所述惰性氣體流量為500sccm?lOOOsccm。
5.如權(quán)利要求3所述的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，其特征在于，所述氧化處理的氣體還包括氫氣體，所述氫氣體的流量為500sccm?lOOOsccm。
6.如權(quán)利要求1中任意一項(xiàng)所述的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，其特征在于，采用爐管或化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔對(duì)所述抗氧化層晶圓進(jìn)行氧化處理。
7.如權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，其特征在于，所述抗氧化層為碳氧化硅、氮化鈦、碳化硅及氮氧化鈦中的一種或幾種的組合。
8.如權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，其特征在于，所述無(wú)圖形晶圓為單晶娃晶圓、表面沉積氣化物的單晶娃晶圓或表面沉積氧化物的單晶娃晶圓。
9.如權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，其特征在于，在形成疑似刮傷晶圓的過(guò)程中，將所述有機(jī)涂層晶圓進(jìn)入所述疑似造成刮傷的反映腔或傳送路徑模擬工藝處理I?100次。
10.如權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，其特征在于，所述有機(jī)涂層的材料為光刻膠或有機(jī)抗反射涂層材料。
11.如權(quán)利要求10所述的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，其特征在于，所述有機(jī)涂層的厚度為 50nm ?5000nm。
12.如權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的機(jī)械性刮傷檢測(cè)的方法，其特征在于，采用光學(xué)缺陷掃描機(jī)或電子缺陷掃描機(jī)對(duì)氧化處理后的所述抗氧化層晶圓進(jìn)行缺陷檢查。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK103681392SQ201210328713
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月6日
【發(fā)明者】戴騰, 吳浩 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司