專利名稱：微波處理裝置及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將微波導(dǎo)入處理容器進行規(guī)定的處理的微波處理裝置及其控制方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體設(shè)備的制造過程中，對作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片實施成膜處理、蝕刻處理、氧化擴散處理、改性處理、退火處理等各種的熱處理。這樣的熱處理，通常使用具備加熱用的燈或加熱器的基板處理裝置，將半導(dǎo)體晶片進行加熱。但是，近年來，作為對半導(dǎo)體晶片實施熱處理的裝置，公知有代替燈或者加熱器而使用微波的裝置。例如，在專利文獻I中，記載有使用微波能量，進行硬化、回火(anneal)(退火)、膜形成的熱處理系統(tǒng)。另外，在專利文獻2中記載有，對在表面形成有成膜材料層 的半導(dǎo)體晶片照射電磁波(微波)，由此對成膜材料加熱形成薄膜的熱處理裝置。在這樣的微波處理裝置中，尤其，可以說能夠抑制雜質(zhì)的擴散并且形成淺的活性層，能夠修復(fù)柵格缺損。雖并不是專利文獻I和2中記載的那樣的微波處理裝置，專利文獻3所記載的是具備多個磁控管高頻振動部的微波等離子體放電處理裝置。另外，在專利文獻3中記載有，在該微波等離子體放電處理裝置中，通過存在于磁控管高頻振動部與設(shè)置有處理試樣的低密度等離子體區(qū)域之間存在的高密度等離子區(qū)域來調(diào)整匹配阻抗的技術(shù)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1:特表2009-516375號公報專利文獻2 :特開2010-129790號公報專利文獻3 :特開2005-259633號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題在微波處理裝置中，作為生成微波的微波源，通常使用磁控管。在此，在每一個磁控管的輸出對于300mm直徑等的大型的半導(dǎo)體晶片來說不足的情況下，設(shè)置多個磁控管，多個微波同時導(dǎo)入處理容器。但是，在微波處理裝置中，當(dāng)對半導(dǎo)體晶片進行處理時，例如，由于半導(dǎo)體晶片的表面狀態(tài)發(fā)生變化，或者半導(dǎo)體晶片的溫度發(fā)生變化，而使處理容器側(cè)的阻抗發(fā)生變化。因此，在對半導(dǎo)體晶片進行處理期間，優(yōu)選進行微波源與處理容器之間的阻抗匹配。這樣的阻抗匹配例如在從處理容器側(cè)向微波源的反射波的電能超過規(guī)定的閾值的情況下進行。在此，如上所述在將多個微波同時導(dǎo)入處理容器的情況下，在微波源與處理容器之間，因為由其它的微波源生成的微波進入，難以正確地檢測出反射波。因此，在該情況下，阻抗匹配的精度有可能降低。在專利文獻I和2中，并未記載對阻抗進行匹配的具體的方法。在對比文件3中，如上所述，雖然記載有在等離子體處理裝置中對阻抗進行匹配的技術(shù)，但是并未記載在等離子體處理裝置以外的微波處理裝置中對阻抗進行匹配的方法。本發(fā)明鑒于上述課題而完成，其目的在于，提供一種微波處理裝置及其控制方法，其為由多個微波源生成的多個微波同時被導(dǎo)入處理容器的微波處理裝置，能夠使多個微波源與處理容器之間的阻抗匹配的精度提高。本發(fā)明的微波處理裝置包括收容被處理體的處理容器；生成用于處理被處理體的微波并導(dǎo)入處理容器的微波導(dǎo)入裝置；和控制微波導(dǎo)入裝置的控制部。
微波導(dǎo)入裝置具有生成微波的多個微波源；和將在多個微波源中生成的微波傳送到處理容器的多個傳送通路，能夠?qū)⒍鄠€微波同時導(dǎo)入處理容器?？刂撇吭趯⒍鄠€微波同時導(dǎo)入處理容器的第一狀態(tài)繼續(xù)的期間，有選擇地且暫時地切換為在多個微波源中的一個微波源中生成微波，僅將該微波導(dǎo)入處理容器的第二狀態(tài)。本發(fā)明是微波處理裝置的控制方法，上述微波處理裝置包括收容被處理體的處理容器；和生成用于處理被處理體的微波并導(dǎo)入處理容器的微波導(dǎo)入裝置。微波導(dǎo)入裝置具有生成微波的多個微波源；和將在多個微波源中生成的微波傳送到處理容器的多個傳送通路，能夠?qū)⒍鄠€微波同時導(dǎo)入處理容器。依據(jù)本發(fā)明的控制方法，在將多個微波同時導(dǎo)入處理容器的第一狀態(tài)繼續(xù)的期間，有選擇地且暫時地切換為在多個微波源中的一個微波源中生成微波，僅將該微波導(dǎo)入處理容器的第二狀態(tài)。在本發(fā)明的微波處理裝置及其控制方法中，微波導(dǎo)入裝置還可具有用于檢測多個傳送通路的來自處理容器的反射波的多個檢測器。另外，第一狀態(tài)可為用于處理被處理體的主要的狀態(tài)，第二狀態(tài)可為用于檢測傳送通路的反射波的狀態(tài)。在該情況下，本發(fā)明的控制部根據(jù)在第二狀態(tài)中檢測出的反射波的功匹配阻抗率量，進行第二狀態(tài)中生成微波的微波源與處理容器之間的阻抗匹配。另外，本發(fā)明的控制部根據(jù)在第一狀態(tài)中檢測的反射波的電能，決定在第二狀態(tài)中生成微波的微波源。同樣地，本發(fā)明的控制方法根據(jù)在第二狀態(tài)中檢測出的反射波的電能，進行第二狀態(tài)中生成微波的微波源與處理容器之間的阻抗匹配。另外，本發(fā)明的控制方法根據(jù)在第一狀態(tài)中檢測的反射波的電能，決定在第二狀態(tài)中生成微波的微波源。另外，在本發(fā)明的微波處理裝置及其控制方法中，多個微波源可以包括多個第一種類的微波源，其將在第一狀態(tài)中生成微波的狀態(tài)與不生成微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次；和多個第二種類的微波源，其以在與多個第一種類的微波源同時不生成微波的方式，將在第一狀態(tài)中生成微波的狀態(tài)和不生成微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次。在該情況下，從第一狀態(tài)向第二狀態(tài)的切換，可以在第二狀態(tài)中生成微波的微波源從在第一狀態(tài)中不生成微波的狀態(tài)切換為生成微波的狀態(tài)的時刻進行。另外，第二狀態(tài)繼續(xù)的時間為，在第二狀態(tài)中生成微波的微波源，在第一狀態(tài)中每一次生成微波的狀態(tài)的時間以下，在從第二狀態(tài)切換為第一狀態(tài)的前后，使在第二狀態(tài)中生成微波的微波源生成微波的狀態(tài)繼續(xù)的時間與上述每一次的時間相等。另外，本發(fā)明的微波處理裝置及其控制方法中，微波也可為用于對被處理體進行照射來處理被處理體的微波。發(fā)明效果本發(fā)明的微波處理裝置及其控制方法中，在第二狀態(tài)，能夠僅在成為阻抗匹配的對象的微波源中使微波生成。由此，依據(jù)本發(fā)明，能夠正確地檢測出成為阻抗匹配對象的微波源與處理容器之間的傳送通路的反射波。其結(jié)果是，依據(jù)本發(fā)明，能夠提高多個微波源與處理容器之間的阻抗匹配的精度。


圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的微波處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是表示本發(fā)明的一個實施方式的微波導(dǎo)入裝置的高壓電源部的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。圖3是表示本發(fā)明的一個實施方式的微波導(dǎo)入裝置的高壓電源部的電路結(jié)構(gòu)的一個例子的電路圖。圖4是表示圖1所示的處理容器的頂棚部的上表面的平面圖。圖5是表示圖1所示的控制部的結(jié)構(gòu)的說明圖。圖6是用于說明生成微波的狀態(tài)與不生成微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次的狀況的說明圖。圖7是表示磁控管與處理容器之間的阻抗匹配的程序的一個例子的流程圖。符號說明I微波處理裝置2處理容器3微波導(dǎo)入裝置4支承裝置5氣體供給裝置6排氣裝置8控制部30微波單元31磁控管32波導(dǎo)管33透過窗34循環(huán)器35檢測器36調(diào)諧器37假負(fù)載40高壓電源部4IAC-DC 變換電路42開關(guān)電路
43開關(guān)控制器44升壓變壓器45整流電路81處理控制器82用戶接口83存儲部
W半導(dǎo)體晶片
具體實施例方式以下，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式。微波處理裝置首先，參照圖1對關(guān)于本發(fā)明的一個實施方式的微波處理裝置的概略結(jié)構(gòu)進行說明。圖1是表示本實施方式的微波處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。本實施方式的微波處理裝置I為伴隨連續(xù)的多個動作，例如對半導(dǎo)體設(shè)備制造用的半導(dǎo)體晶片(以下簡記作“晶片”)W照射微波，實施成膜處理、改性處理、退火處理等規(guī)定的處理的裝置。微波處理裝置I具備收容作為被處理體的晶片W的處理容器2 ;對處理容器2內(nèi)導(dǎo)入微波的微波導(dǎo)入裝置3 ;在處理容器2內(nèi)支承晶片W的支承裝置4 ;對處理容器2內(nèi)供給氣體的氣體供給裝置5 ;對處理容器2內(nèi)進行減壓排氣的排氣裝置6 ;和控制這些微波處理裝置I的各構(gòu)成部的控制部8。此外，作為對處理容器2內(nèi)供給氣體的單元，也可以使用未包括在微波處理裝置I的構(gòu)成中的外部的氣體供給裝置，代替氣體供給裝置5。<處理容器>處理容器2形成為例如大致圓筒形狀。處理容器2由金屬材料形成。作為形成處理容器2的材料，例如能夠使用鋁、鋁合金、不銹鋼等。此外，處理容器2并不限定于圓筒形狀，例如也可以形成方矩形管形狀。微波導(dǎo)入裝置3設(shè)置在處理容器2的上部，作為對處理容器2內(nèi)導(dǎo)入電磁波(微波)的微波導(dǎo)入單元發(fā)揮功能。關(guān)于微波導(dǎo)入裝置3的結(jié)構(gòu)，在后文詳細(xì)說明。處理容器2具有板狀的頂棚部11和底部13 ;連結(jié)頂棚部11與底部13的側(cè)壁部12 ;將頂棚部11以上下貫通的方式設(shè)置的多個微波導(dǎo)入端口 Ila ;設(shè)置在側(cè)壁部12的搬入搬出口 12a;和設(shè)置在底部13的排氣口 13a。搬入搬出口 12a用于在與處理容器2相鄰的未圖示的搬送室之間進行晶片W的搬入搬出。在處理容器2與未圖示的搬送室之間設(shè)置有閘閥G。閘閥G具有開閉搬入搬出口 12a的功能，在關(guān)閉狀態(tài)氣密地密封處理容器2，在打開狀態(tài)在處理容器2與未圖示的搬送室之間能夠進行晶片W的運送。<支承裝置>支承裝置4具備配置在處理容器2內(nèi)的板狀且中空的升降板15 ;從升降板15的上表面向上方延伸的管狀的多個支承銷14 ;和從升降板15的下表面貫通底部13延伸至處理容器2的外部的管狀的軸16。軸16被固定于在處理容器2的外部未圖示的致動器。多個支承銷14用于在處理容器2內(nèi)與晶片W抵接來支承晶片W。多個支承銷14，以其上端部在晶片W的周向上排列的方式配置。另外，多個支承銷14、升降板15和軸16以通過未圖示的致動器能夠使晶片W上下變位的方式構(gòu)成。
另外，多個支承銷14、升降板15和軸16以通過排氣裝置6能夠使晶片W吸附在多個支承銷14的方式構(gòu)成。具體而言，多個支承銷14和軸16分別具有與升降板15的內(nèi)部空間連通的管狀的形狀。另外，在多個支承銷14的上端部，形成有用于吸附晶片W的背面的吸附孔。多個支承銷14和升降板15由電介質(zhì)材料形成。作為形成多個支承銷14和升降板15的材料，例如能夠使用石英、陶瓷等。<排氣機構(gòu)>微波處理裝置I還具備連接排氣口 13a與排氣裝置6的排氣管17 ;連接軸16和排氣管17的排氣管18 ;設(shè)置在排氣管17的途中的壓力調(diào)整閥19 ;設(shè)置在排氣管18的途中的開閉閥20和壓力計21。排氣管18以與軸16的內(nèi)部空間連通的方式直接或者間接地與軸16連接。壓力調(diào)整閥19設(shè)置在排氣口 13a與排氣管17、18的連接點之間。排氣裝置6具有干泵等的真空泵。通過使排氣裝置6的真空泵動作，處理容器2·的內(nèi)部空間被減壓排氣。這時，通過使開閉閥20為打開狀態(tài)，能夠吸引晶片W的背面，將晶片W吸附固定在多個支承銷14?！礆怏w導(dǎo)入機構(gòu)〉微波處理裝置I還具備在處理容器2內(nèi)在配置有晶片W的預(yù)定的位置的下方配置的噴淋頭部22 ;在噴淋頭部22與側(cè)壁部12之間配置的環(huán)狀的整流板23 ;連接噴淋頭部22與氣體供給裝置5的配管24 ;和與氣體供給裝置5連接的、對處理容器2內(nèi)導(dǎo)入處理氣體的多個配管25。噴淋頭部22，用于在對晶片W實施比較低溫的處理的情況下，通過冷卻氣體對晶片W進行冷卻。噴淋頭部22具有與配管24連通的氣體通路22a，和與氣體通路22a連通，朝向晶片W噴出冷卻氣體的多個氣體噴射孔22b。在圖1所示的例子中，多個氣體噴射孔22b形成于噴淋頭部22的上表面?zhèn)?。噴淋頭部22由介電率小的電介質(zhì)材料形成。作為噴淋頭部22的材料，例如能夠使用石英、陶瓷等。此外，噴淋頭部22并不是微波處理裝置I的必須的構(gòu)成要素，也可以不設(shè)置。整流板23具有以上下貫通整流板23的方式設(shè)置的多個整流孔23a。整流板23用于對在處理容器2內(nèi)配置有晶片W的預(yù)定的區(qū)域的氣氛進行整流的同時使其向排氣口 13a流動。氣體供給裝置5以供給作為處理氣體或者冷卻氣體、例如N2、Ar、He、Ne、O2、H2等的氣體的方式構(gòu)成。此外，在微波處理裝置I中進行成膜處理的情況下，氣體供給裝置5將成膜原料氣體供給到處理容器2中。雖然未圖示，但在微波處理裝置I中還具備在配管24、25的途中設(shè)置的質(zhì)量流量控制器和開閉閥。供給到噴淋頭部22和處理容器2內(nèi)的氣體種類、這些氣體的流量等由質(zhì)量流量控制器和開閉閥控制。<溫度計測部>微波處理裝置I還具備測定晶片W的表面溫度的多個放射溫度計26，和與多個放射溫度計26連接的溫度計測部27。此外，在圖1中，除了測定晶片W的中央部的表面溫度的放射溫度計26以外，省略了多個放射溫度計26的圖示。多個放射溫度計26以其上端部與晶片W的背面接近的方式，從底部13向配置有晶片W的預(yù)定的位置延伸。
<微波攪拌機構(gòu)>微波處理裝置I還具備在處理容器2內(nèi)配置有晶片W的預(yù)定位置的上方配置的、由多個葉片構(gòu)成的星狀物91 ;在處理容器2的外部設(shè)置的旋轉(zhuǎn)電動機93 ;和貫通頂棚部11將星狀物91與旋轉(zhuǎn)電動機93連接的旋轉(zhuǎn)軸92。星狀物91用于通過旋轉(zhuǎn)對導(dǎo)入處理容器2內(nèi)的微波進行反射和攪拌。星狀物91的葉片的數(shù)量例如為4個。星狀物91由介電正接(tan δ )小的介電材料形成，使得與星狀物91沖撞的微波不被變換為熱或者不被吸收。作為形成星狀物91的材料，能夠使用例如金屬、鋯鈦酸鉛(PZT)等形成的復(fù)合陶瓷、石英、藍寶石等。此外，星狀物91的配置并不限定于圖1所示的例子。例如，星狀物91也可以配置于在處理容器2中配置有晶片W的預(yù)定的位置的下方。〈控制部〉微波處理裝置I的各構(gòu)成部分別與控制部8連接，由控制部8控制?？刂撇?典型的是計算機。圖5是表示圖1所示的控制部8的結(jié)構(gòu)的說明圖。在圖5所示的例子中， 控制部8包括具有CPU的處理控制器81 ;與處理控制器81連接的用戶接口 82和存儲部83。處理控制器81是在微波處理裝置I中將例如與溫度、壓力、氣體流量、微波輸出等的處理條件相關(guān)的各構(gòu)成部(例如，微波導(dǎo)入裝置3、支承裝置4、氣體供給裝置5、排氣裝置6、溫度計測部27等)一并控制的控制單元。用戶接口 82包括用于工序管理員對微波處理裝置I進行管理而執(zhí)行命令的輸入操作等的鍵盤或觸摸板；和用于將微波處理裝置I的工作狀況可視化顯示的設(shè)備等。在存儲部83中保存有用于通過處理控制器81的控制實現(xiàn)在微波處理裝置I中執(zhí)行的各種處理的控制程序(軟件);記錄有處理條件數(shù)據(jù)的方案等。處理控制器81依據(jù)來自用戶接口 82的指示等的需要，從存儲部83調(diào)出并執(zhí)行任意的控制程序或方案。由此，在基于程序控制器81的控制下，在微波處理裝置I的處理容器2中進行所希望的處理。作為上述的控制程序和方案，例如可以使用保存在⑶-ROM、硬盤、軟盤、閃存、DVD、藍光光盤等的計算機可讀存儲介質(zhì)中的狀態(tài)的程序和方案。另外，上述的方案也能夠使用從其他的裝置、例如通過專用線路隨時傳送來的在線的方案。<微波導(dǎo)入裝置>接著，參照圖1和圖4，詳細(xì)說明微波導(dǎo)入裝置3的結(jié)構(gòu)。圖2是表示微波導(dǎo)入裝置3的高壓電源部的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。圖3是表示微波導(dǎo)入裝置3的高壓電源部的電路結(jié)構(gòu)的一個例子的電路圖。圖4是表示圖1所示的處理容器2的頂棚部11的上表面的平面圖。如上所述，微波導(dǎo)入裝置3設(shè)置在處理容器2的上部，作為向處理容器2內(nèi)導(dǎo)入電磁波(微波)的微波導(dǎo)入單元發(fā)揮功能。如圖1所示，微波導(dǎo)入裝置3具備將微波導(dǎo)入到處理容器2中的多個微波單元30 ;和與多個微波單元30連接的高壓電源部40。(微波單元)在本實施方式中，多個微波單元30的結(jié)構(gòu)完全相同。各微波單元30具有生成用于處理晶片W的微波的磁控管31 ;將在磁控管31中生成的微波傳送到處理容器2的導(dǎo)波管32 ;和以堵塞微波導(dǎo)入端口 Ila的方式固定在頂棚部11的透過窗33。磁控管31與本發(fā)明的微波源對應(yīng)，導(dǎo)波管32與本發(fā)明的傳送通路對應(yīng)。
如圖4所示，在本實施方式中，處理容器2具有在頂棚部11中沿著周向等間隔配置的4個微波導(dǎo)入端口 11a。另外，在本實施方式中，微波單元30的個數(shù)為4個。以下在將4個微波單元30的各自的磁控管31相互區(qū)別表示的情況下，分別標(biāo)注符號31A、31B、31C、31D加以表示。圖4中的上側(cè)的微波導(dǎo)入端口 11a，例如將由磁控管31A生成的微波導(dǎo)入到處理容器2中。圖4中的下側(cè)的微波導(dǎo)入端口 11a，例如將由磁控管31B生成的微波導(dǎo)入到處理容器2中。圖4中的左側(cè)的微波導(dǎo)入端口 11a，例如將由磁控管31C生成的微波導(dǎo)入到處理容器2中。圖4中的右側(cè)的微波導(dǎo)入端口 Ila，例如將由磁控管31D生成的微波導(dǎo)入到處理容器2中。作為磁控管31，可以使用能夠振蕩各種頻率的微波的磁控管。通過磁控管31生成的微波，針對作為被處理體的晶片W的每一個處理選擇最佳的頻率，例如在退火處理中優(yōu)選2. 45GHz,5. 8GHz等的高頻率的微波，更為優(yōu)選5. 8GHz的微波。波導(dǎo)管32具有截面為矩形且環(huán)狀的角筒狀的形狀，從處理容器2的頂棚部11的上表面向上方延伸。磁控管31與波導(dǎo)管32的上端部的附近連接。波導(dǎo)管32的下端部與透過窗33的上表面接觸。在磁控管31中生成的微波通過波導(dǎo)管32和透過窗33被導(dǎo)入到 處理容器2內(nèi)。透過窗33由電介質(zhì)材料形成。作為透過窗33的材料，例如能夠使用石英、陶瓷等。微波單元30還具有在波導(dǎo)管32的途中設(shè)置的循環(huán)器34、檢測器35、調(diào)諧器36和與循環(huán)器34連接的假負(fù)載(dummy load) 37。循環(huán)器34、檢測器35和調(diào)諧器36從波導(dǎo)管32的上端部側(cè)依次設(shè)置。循環(huán)器34和假負(fù)載37構(gòu)成將來自處理容器2的反射波分離的隔離器(isolator)。即，循環(huán)器34將來自處理容器2的反射波導(dǎo)入假負(fù)載37，假負(fù)載37將通過循環(huán)器34導(dǎo)入的反射波變換為熱。檢測器35用于檢測波導(dǎo)管32中的來自處理容器2的反射波。檢測器35例如為阻抗監(jiān)視器，具體而言，由檢測波導(dǎo)管32中的駐波的電場的駐波監(jiān)視器構(gòu)成。駐波監(jiān)視器例如能夠由向波導(dǎo)管32的內(nèi)部空間突出的3個銷構(gòu)成。通過駐波監(jiān)視器檢測駐波的電場的位置、相位和強度，由此，能夠檢測來自處理容器2的反射波。另外，檢測器35可以由能夠檢測行波和反射波的方向性耦合器構(gòu)成。調(diào)諧器36具有將磁控管31和處理容器2之間的阻抗進行匹配的功能。調(diào)諧器36例如能夠由以可放入波導(dǎo)管32的內(nèi)部空間和從波導(dǎo)管32的內(nèi)部空間取出的方式設(shè)置的導(dǎo)體板構(gòu)成。在該情況下，通過控制導(dǎo)體板的、向波導(dǎo)管32的內(nèi)部空間的突出量，調(diào)整反射波的電能，能夠調(diào)整磁控管31與處理容器2之間的阻抗。此外，關(guān)于使用磁控管36對磁控管31與處理容器2之間的阻抗進行匹配的程序，在后文中進行詳細(xì)的說明。(高壓電源部)高壓電源部40對磁控管31供給用于生成微波的高電壓。如圖2所示，高壓電源部40具有與商用電源連接的AC-DC變換電路41 ;與AC-DC變換電路41連接的開關(guān)電路42 ;控制開關(guān)電路42的動作的開關(guān)控制器43 ;與開關(guān)電路42連接的升壓變壓器44 ;和與升壓變壓器44連接的整流電路45。磁控管31經(jīng)由整流電路45與升壓變壓器44連接。AC-DC變換電路41是對來自商用電源的交流(例如三相200V的交流)進行整流變換為規(guī)定的波形的直流的電路。開關(guān)電路42是通過AC-DC變換電路41控制被變換的直流的導(dǎo)通、斷開的電路。在開關(guān)電路42中，通過開關(guān)控制器43進行相移型的PWM (PulseWidth Modulation :脈沖寬度調(diào)制)控制或者 PAM (Pulse Amplitude Modulationji^fHS度調(diào)制)控制，生成脈沖狀的電壓波形。升壓變壓器44將從開關(guān)電路42輸出的電壓波形升壓至規(guī)定的大小。整流電路45是對由升壓變壓器44升壓的電壓進行整流并供給至磁控管31的電路。以下，參照圖3，說明微波導(dǎo)入裝置3具備4個微波單元30 (磁控管31)的情況下的高壓電源部40的結(jié)構(gòu)的一個例子。在該例子中，高壓電源部40具備一個AC-DC變換電路41 ;2個開關(guān)電路42A、42B ;I個開關(guān)控制器43 ;和2個升壓變壓器44A、44B ;和2個整流電路 45A、45B。AC-DC變換電路41具有與商用電源連接的整流電路51 ;與整流電路51連接的平·滑電路52 ;與開關(guān)電路42連接的平滑電路54 ;和設(shè)置在平滑電路52與平滑電路54之間的用于功率因數(shù)改善的功率(power) FET53。整流電路51具有2個輸出端。平滑電路52由在與整流電路51的2個輸出端連接的2個配線61、62之間設(shè)置的電容器構(gòu)成。功率FET53設(shè)置在配線61的途中。平滑電路54由在配線61的途中設(shè)置的線圈、和在配線61、62之間設(shè)置的電容器構(gòu)成。開關(guān)電路42A是控制由AC-DC變換電路41變換的直流的導(dǎo)通、斷開，并且生成脈沖狀的電壓波形，對升壓變壓器44A輸出正方向的電流和負(fù)方向的電流的電路。開關(guān)電路42A具有構(gòu)成全橋式電路(也稱為H橋)的4個開關(guān)晶體管55A、56A、57A、58A。開關(guān)晶體管55A、56A串聯(lián)連接，設(shè)置在與配線61連接的配線63a和與配線62連接的配線64a之間。開關(guān)晶體管57A、58A串聯(lián)連接，設(shè)置在配線63a與配線64a之間。開關(guān)電路42A還具有相對于開關(guān)晶體管55A飛8A分別并列連接的共振電容器。同樣地，開關(guān)電路42B是控制由AC-DC變換電路41變換的直流的導(dǎo)通、斷開，并且生成脈沖狀的電壓波形，對升壓變壓器44B輸出正方向的電流和負(fù)方向的電流的電路。開關(guān)電路428具有構(gòu)成全橋式電路的4個開關(guān)晶體管558、568、578、588。開關(guān)晶體管55B、56B串聯(lián)連接，設(shè)置在與配線61連接的配線63b和與配線62連接的配線64b之間。開關(guān)晶體管57B、58B串聯(lián)連接，設(shè)置在配線63b與配線64b之間。開關(guān)電路42B還具有相對于開關(guān)晶體管55B 58B分別并列連接的共振電容器。作為開關(guān)晶體管55A 58A、55B 58B，從效率的觀點出發(fā)能夠使用場效應(yīng)晶體管(FET )。作為用于開關(guān)晶體管55A 58A、55B 58B的FET，優(yōu)選MOSFET，尤其優(yōu)選功率MOSFET。另外，代替M0SFET，能夠使用比MOSFET高耐壓的、且適用于高功率的IGBT (絕緣柵極型雙極晶體管)。升壓變壓器44A具有2個輸入端和2個輸出端。升壓變壓器44A的2個輸入端的一個連接于開關(guān)晶體管55A、56A之間，另一個輸入端連接于開關(guān)晶體管57A、58A之間。同樣地，升壓變壓器44B具有2個輸入端和2個輸出端。升壓變壓器44B的2個輸入端的一個連接于開關(guān)晶體管55B、56B之間，另一個輸入端連接于開關(guān)晶體管57B、58B之間。整流電路45A由與升壓變壓器44A的2個輸出端的一個連接的2個二極管、和與2個輸出端的另一個連接的2個二極管構(gòu)成。磁控管31A經(jīng)由與升壓變壓器44A的2個輸出端分別連接的2個二極管與升壓變壓器44A連接。磁控管31B通過與升壓變壓器44A的2個輸出端分別連接的另2個二極管與升壓變壓器44A連接。整流電路45A的4個二極管以從升壓變壓器44A向磁控管31A的電流的方向與從升壓變壓器44A向磁控管31B的電流的方向成為逆向的方式構(gòu)成。同樣地，整流電路45B由與升壓變壓器44B的2個輸出端的一個連接的2個二極管、和與2個輸出端的另一個連接的2個二極管構(gòu)成。磁控管31C經(jīng)由與升壓變壓器44B的2個輸出端分別連接的2個二極管與升壓變壓器44B連接。磁控管31D經(jīng)由與升壓變壓器44B的2個輸出端分別連接的另2個二極 管與升壓變壓器44B連接。整流電路45B的4個二極管以從升壓變壓器44B向磁控管31C的電流的方向與從升壓變壓器44B向磁控管31D的電流的方向成為逆向的方式構(gòu)成。處理順序接著，以對晶片W實施退火處理的情況為例，說明微波處理裝置I的處理順序。首先，例如從用戶接口 82對處理控制器81輸入指令，使在微波處理裝置I中進行退火處理。接著，處理控制器81接受該指令，讀出在存儲部83或者計算機可讀存儲介質(zhì)中保存的方案。接著，以根據(jù)基于方案的條件執(zhí)行退火處理的方式，從處理控制器81對微波處理裝置I的各終端設(shè)備(例如，微波導(dǎo)入裝置3、支承裝置4、氣體供給裝置5、排氣裝置6等)發(fā)送控制信號。接著，使閘閥G為打開狀態(tài)，通過未圖示的搬送裝置，將晶片W通過閘閥G和搬入搬出口 12a搬入處理容器2中。晶片W被載置于支承銷14上。接著，使閘閥G成為關(guān)閉狀態(tài)，通過排氣裝置6對處理容器2內(nèi)減壓排氣。這時，使開閉閥20為打開狀態(tài)，晶片W的背面被吸引，晶片W被吸附固定在支承銷14。接著，通過氣體供給裝置5，導(dǎo)入規(guī)定流量的處理氣體和冷卻氣體。在處理容器2的內(nèi)部空間，通過調(diào)整排氣量和氣體供給量而調(diào)整為規(guī)定的壓力。接著，從高壓電源部40對磁控管31施加電壓生成微波。在磁控管31中生成的微波在波導(dǎo)管32中傳播，接著透過透過窗33導(dǎo)入處理容器2內(nèi)的晶片W的上方空間。在本實施方式中，在多個磁控管31中同時生成多個微波,多個微波同時導(dǎo)入處理容器2內(nèi)。此夕卜，關(guān)于在多個磁控管31中同時生成多個微波的方法，在后文中詳細(xì)說明。導(dǎo)入到處理容器2內(nèi)的多個微波被照射到晶片W的表面，通過焦耳加熱、磁性加熱、感應(yīng)加熱等的電磁波加熱，晶片W被迅速地加熱。其結(jié)果是，對晶片W實施退火處理。當(dāng)從處理控制器81對微波處理裝置I的各終端設(shè)備發(fā)送結(jié)束等離子體處理的控制信號時，停止微波的生成，并且停止處理氣體和冷卻氣體的供給，結(jié)束對晶片W的退火處理。接著，使閘閥G成為打開狀態(tài)，通過未圖示的搬送裝置，晶片W被搬出。〈微波生成方法〉接著，參照圖3關(guān)于在多個磁控管31中同時生成多個微波的方法進行詳細(xì)說明。在開關(guān)電路42A、42B中，通過開關(guān)控制器43進行相移型的PWM控制或者PAM控制，生成脈沖狀的電壓波形。在相移型的PWM控制的情況下，從開關(guān)控制器43對開關(guān)晶體管55A 58A、55B 58B分別輸入相位(phase :相)被控制的柵極驅(qū)動信號。開關(guān)電路42A、42B將這些信號合成生成脈沖狀的電壓波形。當(dāng)對開關(guān)晶體管55A、58A輸入柵極驅(qū)動信號時，生成從升壓變壓器44A看時正方向(電壓增加方向)的電壓波形，并且電流以依次經(jīng)由開關(guān)晶體管55A、升壓變壓器44A、開關(guān)晶體管58A的方向(正方向)流動。由此，在升壓變壓器44A的二次側(cè)(輸出端側(cè))，在經(jīng)由磁控管31A的方向上產(chǎn)生電流。另外，升壓變壓器44A以升壓變壓器44A的二次側(cè)(輸出端偵D的電壓變成規(guī)定的大小的方式進行升壓。如此一來，對磁控管31A供給用于生成微波的高電壓，在磁控管3IA中生成微波。對開關(guān)晶體管56A、57A輸入柵極驅(qū)動信號時，生成從升壓變壓器44A看時為負(fù)方向(電壓減少的方向)的電壓波形，并且電流以依次經(jīng)由開關(guān)晶體管57A、升壓變壓器44A、開關(guān)晶體管56A的方向(負(fù)方向)流動。由此，在升壓變壓器44A的二次側(cè)，在經(jīng)由磁控管31B的方向上產(chǎn)生電流。另外，升壓變壓器44A以升壓變壓器44A的二次側(cè)的電壓變成規(guī)定的大小的方式進行升壓。如此一來，對磁控管31B供給用于生成微波的高電壓，在磁控管31B中生成微波。對開關(guān)晶體管55B、58B輸入柵極驅(qū)動信號時，生成從升壓變壓器44B看時為正方向的電壓波形，并且電流以依次經(jīng)由開關(guān)晶體管55B、升壓變壓器44B、開關(guān)晶體管58B的方向(正方向)流動。由此，在升壓變壓器44B的二次側(cè)，在經(jīng)由磁控管31C的方向上產(chǎn)生電流。另外，升壓變壓器44B以升壓變壓器44B的二次側(cè)的電壓變成規(guī)定的大小的方式進行升壓。如此一來，對磁控管31C供給用于生成微波的高電壓，在磁控管31C中生成微波。對開關(guān)晶體管56B、57B輸入柵極驅(qū)動信號時，生成從升壓變壓器44B看時為負(fù)方向的電壓波形，并且電流以依次經(jīng)由開關(guān)晶體管57B、升壓變壓器44B、開關(guān)晶體管56B的方向(負(fù)方向)流動。由此，在升壓變壓器44B的二次側(cè)，在經(jīng)由磁控管31D的方向上產(chǎn)生電流。另外，升壓變壓器44B以升壓變壓器44B的二次側(cè)的電壓變成規(guī)定的大小的方式進行升壓。如此一來，對磁控管31D供給用于生成微波的高電壓，在磁控管31D中生成微波。在本實施方式中，開關(guān)控制器43以在磁控管31A 31D中生成脈沖狀的微波的方式控制開關(guān)電路42A、42B。即，開關(guān)控制器43控制開關(guān)電路42A、42B (開關(guān)晶體管55A、58A、55B、58B)，使得在磁控管31A、31C中生成微波的狀態(tài)和不生成微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次。另外，開關(guān)控制器43控制開關(guān)電路42A、42B (開關(guān)晶體管56A、57A、56B、57B)，以不與磁控管31A、31C同時生成微波的方式，使得在磁控管31B、31D中生成微波的狀態(tài)和不生成微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次。如此一來，在磁控管31A 31D中同時生成2個微波，2個微波同時被導(dǎo)入處理容器2。此外，開關(guān)控制器43通過作為上級的控制器的控制部8的處理控制器81被控制。另外，在上述的例子中，磁控管31A、31C與本發(fā)明的第一種類的微波源對應(yīng)，磁控管31B、31D與本發(fā)明的第二種類的微波源對應(yīng)。 〈阻抗匹配的程序〉接著，參照圖6和圖7，說明使用調(diào)諧器36對磁控管31和處理容器2之間的阻抗進行匹配的程序。在以下的說明中，包含本發(fā)明的微波處理裝置的控制方法的說明。圖6是用于說明在磁控管31A 31D中生成微波的狀態(tài)和不生成微波的狀態(tài)交替反復(fù)多次的說明圖。此外，在圖6中，“0N”表示磁控管31生成微波的狀態(tài)，“OFF”表示磁控管31不生成微波的狀態(tài)。以下，將在磁控管31中生成微波的狀態(tài)稱為開啟，將在磁控管31中不生成微波的狀態(tài)稱為關(guān)斷。此外，在圖6中，“第一狀態(tài)”表示2個微波同時導(dǎo)入處理容器2的狀態(tài)，“第二狀態(tài)”表示第一狀態(tài)繼續(xù)的期間，選擇性地且暫時地、在4個磁控管31A 31D的I個中(圖6中為磁控管31A)生成微波，僅該微波導(dǎo)入處理容器2的狀態(tài)。圖7是表示在磁控管31與處理容器2之間的阻抗匹配的順序的一例的流程圖。如圖7所示，阻抗匹配的順序包括第一步驟S1、第二步驟S2、第三步驟S3、第四步驟S4、第五步驟S5和第六步驟S6。第一步驟S1、第二步驟S2、第三步驟S3和第六步驟S6是執(zhí)行圖6中所示的“第一狀態(tài)”的步驟。在第一步驟SI中，通過檢測器35檢測出波導(dǎo)管32中的來自處理容器2的反射波。反射波的檢測在4個磁控管31A11D所連接的4個波導(dǎo)管32的各個波導(dǎo)管中進行。在第一步驟SI中，基于與該波導(dǎo)管32連接的磁控管31中生成的微波的反射波、和基于在其他的磁控管31中生成的微波的侵入波的合成波，作為來自處理容器2的反射波。在第二步驟S2中，判斷由檢測器35檢測出的反射波的電能是否比規(guī)定的閾值大。該閾值是用于判斷從各磁控管31看時的處理容器2側(cè)的阻抗的值變化到允許范圍外的情況的值。該閾值是預(yù)先設(shè)定的值，能夠例如作為方案的一部分預(yù)先保存在控制部8的存儲部83中。另外，第二步驟S2是用于決定作為阻抗匹配的對象的磁控管31、即在第二狀態(tài)中生成微波的磁控管31 (以下，簡稱為成為阻抗匹配的對象的磁控管31)的步驟。反射波的電能在規(guī)定的閾值以下的情況下(No :否)，返回第一步驟SI。反射波的電能比規(guī)定的閾值大的情況下(Yes :是)，移動至第三步驟S3。在圖6中表示，判斷為磁控管31A在步驟S2中反射波的電能比規(guī)定的閾值大(是)。此外，如上所述，在第一步驟SI中，反射波與侵入波的 合成波作為來自處理容器2的反射波被檢測。但是，合成波中的反射波的比例比侵入波大，因此對于第二步驟的判斷不造成障礙。在第三步驟S3中，將對處理容器2中導(dǎo)入微波的狀態(tài)，從同時對處理容器2導(dǎo)入2個微波的第一狀態(tài)切換為在成為阻抗匹配的對象的磁控管31 (圖6中為磁控管31A)中生成微波，并僅將該微波導(dǎo)入處理容器2的第二狀態(tài)。此外，從第一狀態(tài)向第二狀態(tài)的切換，在成為阻抗匹配的對象的磁控管31在第一狀態(tài)中從關(guān)斷狀態(tài)切換為開啟狀態(tài)的時刻進行。在圖6所示的例子中，從第一狀態(tài)向第二狀態(tài)的切換在磁控管31A在第一狀態(tài)中從關(guān)斷狀態(tài)切換為開啟狀態(tài)的時刻進行。當(dāng)切換為第二狀態(tài)時，磁控管31A以外的磁控管31B11D中不生成微波。此外，在上述的時刻，磁控管31B、31D從開啟狀態(tài)切換為關(guān)斷狀態(tài)。另外，在上述時刻，磁控管31C本來若是繼續(xù)第一狀態(tài)，則從關(guān)斷狀態(tài)切換為開啟狀態(tài)，但由于被切換為第二狀態(tài)，因而維持關(guān)斷狀態(tài)。在第四步驟S4中，通過檢測器35檢測成為阻抗匹配的對象的磁控管31所連接的波導(dǎo)管32中的來自處理容器2的反射波。在成為阻抗匹配對象的磁控管31以外的磁控管31中，由于不產(chǎn)生微波，因此不受侵入波的影響，能夠正確地檢測出成為阻抗匹配對象的磁控管31與處理容器2之間的波導(dǎo)管32中的反射波。此外，將微波導(dǎo)入處理容器2的狀態(tài)是第一狀態(tài)還是第二狀態(tài)，即是第一步驟SI還是在第四步驟S4，例如能夠通過各波導(dǎo)管32的侵入波的電能判斷。在第五步驟S5中，基于步驟S4中的反射波的檢測結(jié)果，將向處理容器2導(dǎo)入微波的狀態(tài)從第二狀態(tài)切換為第一狀態(tài)。此外，第二狀態(tài)繼續(xù)的時間，優(yōu)選為成為阻抗匹配的對象的磁控管31每一次在第一狀態(tài)中生成微波的狀態(tài)的時間以下。另外，優(yōu)選在從第二狀態(tài)切換為第一狀態(tài)前后，成為阻抗匹配的對象的磁控管31繼續(xù)生成微波的狀態(tài)的時間與上述每一次的時間相等。在圖6所示的例子中，例如成為阻抗匹配的對象的磁控管31A每一次在第一狀態(tài)中生成微波的狀態(tài)的時間為20毫秒，第二狀態(tài)繼續(xù)的時間為10毫秒。在該情況下，緊接從第二狀態(tài)切換為第一狀態(tài)之后，磁控管31C立即繼續(xù)生成微波的狀態(tài)的時間為10毫秒。在第六步驟S6中，使用調(diào)諧器36，在成為阻抗匹配的對象的磁控管31與處理容器2之間進行阻抗匹配。調(diào)諧器36由上述的導(dǎo)體板構(gòu)成的情況下，通過控制導(dǎo)體板的向波導(dǎo)管32的內(nèi)部空間的突出量進行阻抗匹配。第一步驟S1、第四步驟S4和第六步驟S6例如通過以進行阻抗匹配的方式作成的控制程序執(zhí)行。另外，第二步驟S2、第三步驟S3和第五步驟S5例如通過以控制磁控管31的動作的方式作成的控制程序執(zhí)行。并且，從第一至第六步驟Sf S6的一系列的順序，通過由控制部8的處理控制器81使這2個控制程序協(xié)作而執(zhí)行。此外，第一狀態(tài)是用于處理晶片W的主要的狀態(tài)，從第一狀態(tài)切換為第二狀態(tài)的頻率如果變多，則對晶片W的處理的效率可能降低。因此，優(yōu)選例如通過上述的控制程序，將第二步驟S2的執(zhí)行限制為規(guī)定的時間，使得切換為第二狀態(tài)的間隔在一定程度上變大，防止對晶片W的處理效率的降低。接著，說明本實施方式的微波處理裝置I及其控制方法的效果。在本實施方式中， 在多個微波同時導(dǎo)入處理容器2的第一狀態(tài)繼續(xù)的期間中，選擇性且暫時地切換為在多個磁控管31中的I個磁控管中生成微波，并僅將該微波導(dǎo)入處理容器2的第二狀態(tài)。在本實施方式中，在第二狀態(tài)，僅在成為阻抗匹配對象的磁控管31中能夠產(chǎn)生微波。由此，依據(jù)本實施方式，能夠不受侵入波的影響，正確地檢測出在成為阻抗匹配對象的磁控管31與處理容器2之間的波導(dǎo)管32中的反射波。尤其是，在本實施方式中，基于在第二狀態(tài)中檢測出的反射波的電能，對在第二狀態(tài)中產(chǎn)生微波的磁控管31與處理容器2之間的阻抗進行匹配。由此，依據(jù)本實施方式，能夠提高多個磁控管31與處理容器2之間的阻抗匹配的精度。另外，在本實施方式中，第一狀態(tài)是用于處理晶片W的主要的狀態(tài)，第二狀態(tài)是，用于檢測多個波導(dǎo)管32中、傳送在第二狀態(tài)中生成的微波的波導(dǎo)管32中的反射波的狀態(tài)。如上所述，在第一狀態(tài)繼續(xù)的期間選擇性地且暫時地切換為第二狀態(tài)。因此，依據(jù)本實施方式，在對晶片W進行處理的期間，能夠正確地檢測出傳送微波的波導(dǎo)管32的反射波，并且能夠個別地調(diào)整多個磁控管31與處理容器2之間的阻抗。另外，在本實施方式中，基于在第一狀態(tài)檢測出的反射波的電能，決定在第二狀態(tài)中生成微波的磁控管31。具體而言，根據(jù)在第一狀態(tài)中檢測出的反射波的電能是否比規(guī)定的閾值大，決定在第二狀態(tài)中生成微波的磁控管31。由此，依據(jù)本實施方式，在對晶片W進行處理期間，能夠決定與處理容器2之間進行阻抗匹配的磁控管31。此外，上述的閾值并不限定于1，也可以是多個。在該情況下，根據(jù)反射波的電能的大小能夠進行不同種類的阻抗匹配，例如在本實施方式中進行優(yōu)先對晶片W的處理的阻抗匹配、和相比晶片W的處理使阻抗的匹配優(yōu)先的阻抗匹配。另外，在本實施方式中，從第一狀態(tài)向第二狀態(tài)的切換是在第二狀態(tài)中生成微波的磁控管31在第一狀態(tài)中從關(guān)斷狀態(tài)切換為開啟狀態(tài)的時刻進行。另外，第二狀態(tài)進行的時間為在第二狀態(tài)中生成微波的磁控管31每一次為第一狀態(tài)的開啟狀態(tài)的時間以下。另夕卜，在從第二狀態(tài)切換為第一狀態(tài)的前后，在第二狀態(tài)中生成微波的磁控管31使開啟狀態(tài)繼續(xù)的時間與上述每一次的時間相等。根據(jù)這些特征，依據(jù)本實施方式，使將用于檢測反射波的狀態(tài)的第二狀態(tài)繼續(xù)的時間為最小限，能夠防止對晶片W的處理效率降低。以下，關(guān)于本實施方式的其它的效果進行說明。在本實施方式中，微波導(dǎo)入裝置3具有多個磁控管31和多個波導(dǎo)管32，能夠?qū)崿F(xiàn)將多個微波同時導(dǎo)入處理容器2。依據(jù)本實施方式，即使各磁控管31的輸出對于晶片W不足的情況下，通過將多個微波同時輸入處理容器2，能夠?qū)琖進行處理。另外，在本實施方式中，微波用于照射晶片W對晶片W進行處理。由此，依據(jù)本實施方式，與等離子體處理相比，能夠?qū)琖進行低溫的加熱處理。此外，本發(fā)明并不限定于上述的實施方式，能夠進行各種變更。例如，本發(fā)明的微波處理裝置并不限定于將半導(dǎo)體晶片作為被處理體的情況，例如，也可以適用于將太陽電池面板的基板或平板顯示器用基板作為被處理體的微波處理裝置。另外，在上述實施方式中，對磁控管31A、31B與升壓變壓器44A連接，磁控管31C、31D與升壓變壓器44B連接的例子進行了說明，但也可以是磁控管31A11D分別連接于不同的升壓變壓器。在該情況下，可以對同時生成微波的磁控管31A11D的組合進行任意變更。另外，微波單元30的數(shù)量(磁控管31的數(shù)量)、向處理容器2同時導(dǎo)入的微波的數(shù)量并不限定于實施方式中說明的數(shù)量?！?br> 權(quán)利要求
1.一種微波處理裝置，其特征在于，包括 收容被處理體的處理容器； 生成用于處理所述被處理體的微波并導(dǎo)入所述處理容器的微波導(dǎo)入裝置；和 控制所述微波導(dǎo)入裝置的控制部， 所述微波導(dǎo)入裝置具有生成所述微波的多個微波源；和將在所述多個微波源中生成的所述微波傳送到所述處理容器的多個傳送通路，能夠?qū)⒍鄠€所述微波同時導(dǎo)入所述處理容器， 所述控制部，在將多個所述微波同時導(dǎo)入所述處理容器的第一狀態(tài)繼續(xù)的期間，有選擇地且暫時地切換為在所述多個微波源中的一個微波源中生成所述微波，僅將該微波導(dǎo)入所述處理容器的第二狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的微波處理裝置，其特征在于 所述微波導(dǎo)入裝置還具有用于檢測所述多個傳送通路的來自所述處理容器的反射波的多個檢測器， 所述第一狀態(tài)為用于處理所述被處理體的主要的狀態(tài)， 所述第二狀態(tài)為用于檢測所述傳送通路的反射波的狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的微波處理裝置，其特征在于 所述控制部根據(jù)在所述第二狀態(tài)中檢測出的反射波的電能，進行所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源與所述處理容器之間的阻抗匹配。
4.如權(quán)利要求2或3所述的微波處理裝置，其特征在于 所述控制部根據(jù)在所述第一狀態(tài)中檢測的反射波的電能，決定在所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源。
5.如權(quán)利要求2或3所述的微波處理裝置，其特征在于 所述多個微波源包括 多個第一種類的微波源，其將在所述第一狀態(tài)中生成所述微波的狀態(tài)與不生成所述微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次；和 多個第二種類的微波源，其以不與所述多個第一種類的微波源同時生成所述微波的方式，將在所述第一狀態(tài)中生成所述微波的狀態(tài)與不生成所述微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次。
6.如權(quán)利要求5所述的微波處理裝置，其特征在于 從所述第一狀態(tài)向所述第二狀態(tài)的切換，在所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源從在所述第一狀態(tài)中不生成所述微波的狀態(tài)切換為生成所述微波的狀態(tài)的時刻進行。
7.如權(quán)利要求6所述的微波處理裝置，其特征在于 所述第二狀態(tài)繼續(xù)的時間為，在所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源，在所述第一狀態(tài)中每一次生成所述微波的狀態(tài)的時間以下， 在從所述第二狀態(tài)切換為所述第一狀態(tài)的前后，使在所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源生成所述微波的狀態(tài)繼續(xù)的時間與所述每一次的時間相等。
8.如權(quán)利要求2或3所述的微波處理裝置，其特征在于 所述微波用于對所述被處理體進行照射來處理所述被處理體。
9.一種微波處理裝置的控制方法，所述微波處理裝置包括 收容被處理體的處理容器；和生成用于處理所述被處理體的微波并導(dǎo)入所述處理容器的微波導(dǎo)入裝置， 所述微波導(dǎo)入裝置具有生成所述微波的多個微波源；和將在所述多個微波源中生成的所述微波傳送到所述處理容器的多個傳送通路，能夠?qū)⒍鄠€所述微波同時導(dǎo)入所述處理容器， 在將多個所述微波同時導(dǎo)入所述處理容器的第一狀態(tài)繼續(xù)的期間，有選擇地且暫時地切換為在所述多個微波源中的一個微波源中生成所述微波，僅將該微波導(dǎo)入所述處理容器的第二狀態(tài)。
10.如權(quán)利要求9所述的微波處理裝置的控制方法，其特征在于 所述微波導(dǎo)入裝置還具有用于檢測所述多個傳送通路的來自所述處理容器的反射波的多個檢測器， 所述第一狀態(tài)為用于處理所述被處理體的主要的狀態(tài)， 所述第二狀態(tài)為用于檢測所述多個傳送通路中的、傳送在所述第二狀態(tài)中生成的所述微波的傳送通路的反射波的狀態(tài)。
11.如權(quán)利要求10所述的微波處理裝置的控制方法，其特征在于 根據(jù)在所述第二狀態(tài)中檢測出的反射波的電能，進行所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源與所述處理容器之間的阻抗匹配。
12.如權(quán)利要求10或11所述的微波處理裝置的控制方法，其特征在于 根據(jù)在所述第一狀態(tài)中檢測的反射波的電能，決定在所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源。
13.如權(quán)利要求10或11所述的微波處理裝置的控制方法，其特征在于 所述多個微波源包括 多個第一種類的微波源，其將在所述第一狀態(tài)中生成所述微波的狀態(tài)與不生成所述微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次；和 多個第二種類的微波源，其以不與所述多個第一種類的微波源同時生成所述微波的方式，將在所述第一狀態(tài)中生成所述微波的狀態(tài)與不生成所述微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次。
14.如權(quán)利要求13所述的微波處理裝置的控制方法，其特征在于 從所述第一狀態(tài)向所述第二狀態(tài)的切換，在所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源從在所述第一狀態(tài)中不生成所述微波的狀態(tài)切換為生成所述微波的狀態(tài)的時刻進行。
15.如權(quán)利要求14所述的微波處理裝置的控制方法，其特征在于 所述第二狀態(tài)繼續(xù)的時間為，在所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源，在所述第一狀態(tài)中每一次生成所述微波的狀態(tài)的時間以下， 在從所述第二狀態(tài)切換為所述第一狀態(tài)的前后，使在所述第二狀態(tài)中生成所述微波的微波源生成所述微波的狀態(tài)繼續(xù)的時間與所述每一次的時間相等。
16.如權(quán)利要求10或11所述的微波處理裝置的控制方法，其特征在于 所述微波用于對所述被處理體進行照射來處理所述被處理體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種微波處理裝置及其控制方法，能夠使多個微波源與處理容器之間的阻抗匹配的精度提高。微波處理裝置(1)具備收容晶片(W)的處理容器(2)；生成用于處理晶片(W)的微波并導(dǎo)入到處理容器(2)的微波導(dǎo)入裝置(3)；和控制微波導(dǎo)入裝置(3)的控制部(8)。微波導(dǎo)入裝置(3)具有生成微波的多個磁控管(31)；和將在多個磁控管(31)中生成的微波傳送到處理容器(2)的多個波導(dǎo)管(32)，多個微波能夠同時被導(dǎo)入處理容器(2)。控制部(8)在將多個微波同時導(dǎo)入處理容器(2)的第一狀態(tài)繼續(xù)的期間，有選擇地且暫時地切換為在多個磁控管(31)中的1個中生成微波，僅將該微波導(dǎo)入處理容器(2)的第二狀態(tài)。
文檔編號H01L21/268GK103000554SQ20121033029
公開日2013年3月27日 申請日期2012年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月9日
發(fā)明者蘆田光利 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社