一種陣列基板及其制造方法、顯示器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板，所述陣列基板包括基板，在基板的每個像素區(qū)域內(nèi)形成有至少一條公共電極線，公共電極線為縱向設(shè)置且平行于數(shù)據(jù)線。本發(fā)明還公開了一種陣列基板的制造方法及顯示器件，將公共電極線設(shè)置為縱向布局且平行于數(shù)據(jù)線。采用本發(fā)明，能減少交疊面積，節(jié)約了面積從而能實現(xiàn)寬屏顯示。
【專利說明】一種陣列基板及其制造方法、顯示器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示器件。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)具有體積小、功耗低、無輻射、制造成本相對較低等特點，在當(dāng)前的平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。
[0003]針對現(xiàn)有陣列基板的像素結(jié)構(gòu)而言，像素由數(shù)據(jù)信號線和柵極信號線交錯形成，像素中包含像素電極(pixel)和作為開關(guān)的薄膜晶體管(TFT)，其中，TFT的柵極連接?xùn)艠O信號線，源極連接數(shù)據(jù)信號線，漏極與像素電極連接。公共電極(Vcom)與像素電極之間形成存儲電容Cst。
[0004]如圖1所示，圖1所示為現(xiàn)有陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，Vcom6 一般設(shè)置在柵極層，并采用與TFT的柵極53相同的金屬材料制得。如圖2所示，圖2為現(xiàn)有陣列基板的雙柵結(jié)構(gòu)像素陣列示意圖，陣列基板包括基板，在基板上形成有矩陣方式排列的像素區(qū)域，每個像素區(qū)域內(nèi)形成有位于奇數(shù)列的第一像素電極和第一薄膜晶體管，位于偶數(shù)列的第二像素電極和第二薄膜晶體管，第一薄膜晶體管的漏極與第一像素電極連接，第二薄膜晶體管的漏極與第二像素電極連接，每個像素區(qū)域內(nèi)形成有第一柵線和第二柵線，第一柵線與第一薄膜晶體管的柵極連接，第二柵線與第二薄膜晶體管的柵極連接，每個像素區(qū)域內(nèi)形成有一條數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線分別與偶數(shù)列的第二薄膜晶體管的源極、同一行下一像素區(qū)域內(nèi)奇數(shù)列的第一薄膜晶體管的源極連接或數(shù)據(jù)線分別與奇數(shù)列的第一薄膜晶體管的源極、同一行上一像素區(qū)域內(nèi)偶數(shù)列的第二薄膜晶體管的源極連接。
[0005]綜上所述，目前的陣列基板雖然采用雙柵結(jié)構(gòu)，但是公共電極與像素電極的交疊面積過大，且公共電極線為橫向設(shè)置，不利于寬屏顯示。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種陣列基板及其制造方法和顯示器件，能減少公共電極與像素電極的交疊面積，節(jié)約了面積從而能實現(xiàn)寬屏顯示。
[0007]為達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0008]一種陣列基板，在基板的每個像素區(qū)域內(nèi)形成有位于奇數(shù)列的第一像素電極和位于偶數(shù)列的第二像素電極，其中，所述像素區(qū)域內(nèi)形成有至少一條公共電極線，所述公共電極線為縱向設(shè)置且平行于數(shù)據(jù)線。
[0009]其中，所述公共電極線和所述數(shù)據(jù)線與源漏極形成于同一層。
[0010]其中，所述公共電極線位于每兩條數(shù)據(jù)線之間，所述位于奇數(shù)列的第一像素電極與所述位于偶數(shù)列的第二像素電極共用一根公共電極線。
[0011]其中，所述公共電極線的布線方式為外部布線方式。
[0012]其中，所述公共電極線的布線方式為內(nèi)部布線方式。
[0013]一種陣列基板的制造方法，在基板的每個像素區(qū)域內(nèi)形成有位于奇數(shù)列的第一像素電極和位于偶數(shù)列的第二像素電極，該方法包括:
[0014]將至少一條公共電極線形成在每個像素區(qū)域內(nèi)，將公共電極線設(shè)置為縱向布局且平行于數(shù)據(jù)線。
[0015]其中，該方法還包括:將所述公共電極線和所述數(shù)據(jù)線與源漏極設(shè)置于同一層。
[0016]其中，該方法還包括:設(shè)置所述公共電極線位于每兩條數(shù)據(jù)線之間，所述位于奇數(shù)列的第一像素電極與所述位于偶數(shù)列的第二像素電極共用一根公共電極線。
[0017]其中，所述公共電極線的布線方式為外部布線方式或內(nèi)部布線方式。
[0018]一種顯示器件，該顯示器件包括權(quán)利要求1至5任一項所述的陣列基板。
[0019]本發(fā)明的陣列基板，采用雙柵結(jié)構(gòu)，且在基板的每個像素區(qū)域內(nèi)形成有公共電極線，該公共電極線為縱向設(shè)置且平行于數(shù)據(jù)線，該公共電極線位于每兩條數(shù)據(jù)線之間。
[0020]采用本發(fā)明，由于公共電極線為縱向設(shè)置且平行于數(shù)據(jù)線，因此，能減少公共電極與像素電極的交疊面積，節(jié)約了面積從而能實現(xiàn)寬屏顯示。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021]圖1為現(xiàn)有陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0022]圖2為現(xiàn)有陣列基板的雙柵結(jié)構(gòu)像素陣列示意圖；
[0023]圖3為本發(fā)明陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4為本發(fā)明陣列基板像素陣列的一結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖5為本發(fā)明陣列基板像素陣列的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]附圖標(biāo)記說明
[0027]1，像素電極；51，源極；52、漏極；53、柵極；54、有源層；55、柵絕緣層；6、公共電極；7、液晶；8、彩膜基板；9、透明電極；10、陣列基板。
【具體實施方式】
[0028]目前，雙柵結(jié)構(gòu)越來越被普通應(yīng)用于陣列基板中。本發(fā)明的陣列基板也基于雙柵結(jié)構(gòu)，包括基板，在基板上形成有矩陣方式排列的像素區(qū)域，每個像素區(qū)域內(nèi)形成有位于奇數(shù)列的第一像素電極和第一薄膜晶體管，位于偶數(shù)列的第二像素電極和第二薄膜晶體管，第一薄膜晶體管的漏極與第一像素電極連接，第二薄膜晶體管的漏極與第二像素電極連接，每個像素區(qū)域內(nèi)形成有第一柵線和第二柵線，第一柵線與第二薄膜晶體管的柵極連接，第二柵線與第一薄膜晶體管的柵極連接，每個像素區(qū)域內(nèi)形成有一條數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線與偶數(shù)列的第二薄膜晶體管的源極連接、數(shù)據(jù)線與同一行下一像素區(qū)域內(nèi)奇數(shù)列的第一薄膜晶體管的源極連接；或者，數(shù)據(jù)線與奇數(shù)列的第一薄膜晶體管的源極連接、數(shù)據(jù)線與同一行上一像素區(qū)域內(nèi)偶數(shù)列的第二薄膜晶體管的源極連接，每個像素區(qū)域內(nèi)形成有至少一條公共電極線，公共電極線為縱向設(shè)置且平行于數(shù)據(jù)線。
[0029]上述方案對應(yīng)的有益效果為:采用雙柵結(jié)構(gòu)的陣列基板中，每行像素連接在兩條不同的柵極信號線上，每條數(shù)據(jù)信號線可以連接兩列像素，這樣，每四列像素只需要兩條數(shù)據(jù)信號線即可。例如，對于陣列基板的像素陣列為六列兩行像素的情況，需要設(shè)置四條柵極信號線Gl?G4，而只需要設(shè)置三條數(shù)據(jù)信號線Dl、D2、D3即可。采用本發(fā)明，由于將公共電極線設(shè)置為縱向布局，區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的公共電極線橫向布局，從而使交疊面積變小，由于節(jié)約了面積，從而能實現(xiàn)寬屏顯示。
[0030]這里，公共電極線和數(shù)據(jù)線與源漏極形成于同一層，減小了公共電極信號線與像素電極之間的間距。
[0031]本發(fā)明的陣列基板結(jié)構(gòu)如圖3所示，所述陣列基板可以包括像素電極1、TFT、公共電極6、液晶7、彩膜基板8、透明電極9、陣列基板10 ;其中，TFT包括柵極53、有源層54、柵絕緣層55、源極51和漏極52 (源漏極一般簡稱為S/D)，其中，像素電極I和透明電極9之間充有液晶7，透明電極9形成在彩膜基板8的下表面上，TFT、像素電極1、以及公共電極6均形成在陣列基板10上。具體地，公共電極6及公共電極信號線(圖3未示出)與源漏極形成于同一層，即公共電極6及公共電極信號線形成于S/D層。其中，公共電極6及公共電極信號線還采用與S/D層相同的金屬材料制得。一般情況下，S/D層可以采用包含有Mo、AlNd, Al、T1、Cu等導(dǎo)電金屬材料，同樣，公共電極6及公共電極信號線也采用包含有Mo、AINd、Al、T1、Cu等的導(dǎo)電金屬材料。
[0032]上述方案對應(yīng)的有益效果為:公共電極(Vcom)與像素電極之間形成存儲電容Cst, Cst的計算公式為:Cst = S/D ;其中，S表示像素電極與Vcom之間的交疊面積；D表示像素電極與Vcom6之間的間距。對比圖1和圖3可知，由于本發(fā)明是將公共電極線和數(shù)據(jù)線與源漏極形成于同一層，區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)是將公共電極線與柵極形成于同一層，則采用本發(fā)明使像素電極與Vcom之間的間距變小了，從而避免了現(xiàn)有技術(shù)在像素電極與Vcom之間的間距較大的情況下，為了確保Cst不變必須增大像素電極與Vcom之間的交疊面積所帶來的一系列不利影響，如面積變大，導(dǎo)致像素電極的開口率減小，公共電極線的電阻增加；像素電極開口率的減小會加大液晶面板功率消耗，公共電極線的電阻增加會加大Vcom電壓的偏移，Vcom偏移導(dǎo)致液晶面板有偏色,產(chǎn)生greenish不良。
[0033]這里，公共電極線位于每兩條數(shù)據(jù)線之間，位于奇數(shù)列的第一像素電極與所述位于偶數(shù)列的第二像素電極共用一根公共電極線。
[0034]需要說明的是，本發(fā)明中的公共電極線只要縱向設(shè)置即可，并不限制每個像區(qū)域內(nèi)都必須有公共電極線，可以幾組像素區(qū)域共用一條縱向公共電極線，此時其他沒有設(shè)置縱向公共電極線的像素區(qū)域內(nèi)的公共電極通過橫向布線相互電連接，設(shè)置的縱向公共電極線采用外部布線方式。
[0035]這里，公共電極線的布線方式為外部布線方式或內(nèi)部布線方式。圖4所采用的像素陣列的公共電極線為外部布線方式，圖5所采用的像素陣列的公共電極線為內(nèi)部布線方式。所述外部布線方式是指將公共電極線在顯示區(qū)域外的區(qū)域(一般稱為fanout區(qū)域)通過公共電極線將各公共電極電性連接，內(nèi)部布線方式具體如圖5所示，在每行像素之間通過設(shè)置公共電極信號線將各公共電極電性連接。
[0036]需要說明的是，雙柵結(jié)構(gòu)不僅僅限于上述描述的結(jié)構(gòu)，還可以為COA(colorfilter on array,彩膜集成在陣列基板的技術(shù))結(jié)構(gòu)，當(dāng)然可以理解的是,本發(fā)明保護的是雙柵結(jié)構(gòu)中縱向公共電極線的布線方式，并不限制其載體。另，本發(fā)明也可適用于雙數(shù)據(jù)線的結(jié)構(gòu)中，在雙數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)中設(shè)置縱向公共電極線，可進一步實現(xiàn)寬屏顯示。
[0037]一種陣列基板的制造方法，在基板的每個像素區(qū)域內(nèi)形成有位于奇數(shù)列的第一像素電極和位于偶數(shù)列的第二像素電極，該方法包括:將至少一條公共電極線形成在每個像素區(qū)域內(nèi)，將公共電極線設(shè)置為縱向布局且平行于數(shù)據(jù)線。[0038]這里，該方法還包括:將公共電極線和數(shù)據(jù)線與源漏極設(shè)置于同一層。
[0039]這里，該方法還包括:設(shè)置公共電極線位于每兩條數(shù)據(jù)線之間，設(shè)置位于奇數(shù)列的第一像素電極與位于偶數(shù)列的第二像素電極共用一根公共電極線。
[0040]這里，公共電極線的布線方式為外部布線方式或內(nèi)部布線方式。
[0041]上述描述的實現(xiàn)方式可以為現(xiàn)有技術(shù)中的構(gòu)圖工藝，舉例說明，將公共電極線和數(shù)據(jù)線與源漏極設(shè)置于同一層，步驟可以為先將材料沉積在需要形成源漏極的基板上，之后再利用曝光、顯影、剝離等工藝同時形成源漏極和公共電極線，在此不一一描述。
[0042]一種顯示器件，該顯示器件包括上述提到的陣列基板。
[0043]本發(fā)明的顯示器件，包括有設(shè)置縱向電極線的陣列基板，可以實現(xiàn)寬屏顯示，且公共電極線和源漏極同層設(shè)置，可以進一步減少像素電極和公共電極的重疊面積。
[0044]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，在基板的每個像素區(qū)域內(nèi)形成有位于奇數(shù)列的第一像素電極和位于偶數(shù)列的第二像素電極，其特征在于，所述像素區(qū)域內(nèi)形成有至少一條公共電極線，所述公共電極線為縱向設(shè)置且平行于數(shù)據(jù)線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線和所述數(shù)據(jù)線與源漏極形成于同一層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線位于每兩條數(shù)據(jù)線之間，所述位于奇數(shù)列的第一像素電極與所述位于偶數(shù)列的第二像素電極共用一根公共電極線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線的布線方式為外部布線方式。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線的布線方式為內(nèi)部布線方式。
6.—種陣列基板的制造方法，在基板的每個像素區(qū)域內(nèi)形成有位于奇數(shù)列的第一像素電極和位于偶數(shù)列的第二像素電極，其特征在于，該方法包括: 將至少一條公共電極線形成在每個像素區(qū)域內(nèi)，將公共電極線設(shè)置為縱向布局且平行于數(shù)據(jù)線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，該方法還包括:將所述公共電極線和所述數(shù)據(jù)線與源漏極設(shè)置于同一層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，該方法還包括:設(shè)置所述公共電極線位于每兩條數(shù)據(jù)線之間，所述位于奇數(shù)列的第一像素電極與所述位于偶數(shù)列的第二像素電極共用一根公共電極線。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述公共電極線的布線方式為外部布線方式或內(nèi)部布線方式。
10.一種顯示器件，其特征在于，該顯示器件包括權(quán)利要求1至5任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/77GK103676369SQ201210340180
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月13日
【發(fā)明者】黎蔚 申請人:北京京東方光電科技有限公司