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      一種倒裝型發(fā)光二極管的制作方法

      文檔序號:7108229閱讀:296來源:國知局
      專利名稱:一種倒裝型發(fā)光二極管的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于光電器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種倒裝型發(fā)光二極管。
      背景技術(shù)
      發(fā)光二極管LED是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為光能的半導體,它改變了白熾燈鎢絲發(fā)光與節(jié)能燈三基色粉發(fā)光的原理,而采用電場發(fā)光。據(jù)分析,LED的特點非常明顯,壽命長、光效高、低輻射與低功耗。目前,倒裝LED技術(shù)是一發(fā)展主流,但是目前的倒裝LED技術(shù)還存在缺陷,例如采用合金焊料,使合金焊料中產(chǎn)生空隙,影響器件倒裝后的散熱效果。
      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于提供一種倒裝型發(fā)光二極管,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中目前的倒裝LED技術(shù)還存在缺陷,例如采用合金焊料,使合金焊料中產(chǎn)生空隙,影響器件倒裝后的散熱效果的問題。本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的,一種倒裝型發(fā)光二極管,所述倒裝型發(fā)光二極管具體包括
      藍寶石襯底;
      設(shè)置在所述藍寶石襯底下表面的η型GaN半導體;
      設(shè)置在所述η型GaN半導體下表面的器件有源層;
      設(shè)置在所述器件有源層下表面的P型GaN半導體;
      所述GaN半導體上設(shè)有η電極;
      所述藍寶石襯底相對位置設(shè)有電極基板;
      所述電極基板設(shè)有電極引線,所述電極引線通過金線與所述η電極連接;
      所述η電極和電極引線設(shè)置在絕緣層內(nèi);
      所述絕緣層下表面設(shè)有散熱板。本發(fā)明以相對較低的制造成本和簡化的制作方式,提高了 LED的散熱性能。


      圖I是本發(fā)明提供的倒裝型發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實施例方式 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。圖I示出了本發(fā)明提供的倒裝型LED的結(jié)構(gòu)示意圖,為了便于說明,圖中僅給出了與本發(fā)明相關(guān)的部分。本發(fā)明提供的倒裝型發(fā)光二極管具體包括
      藍寶石襯底I;
      設(shè)置在所述藍寶石襯底I下表面的η型GaN半導體2 ;
      設(shè)置在所述η型GaN半導體2下表面的器件有源層3 ;設(shè)置在所述器件有源層3下表面的P型GaN半導體4 ;
      所述GaN半導體2上設(shè)有η電極5 ;
      所述藍寶石襯底I相對位置設(shè)有電極基板6 ;
      所述電極基板6設(shè)有電極引線7,所述電極引線7通過金線8與所述η電極5連接; 所述η電極5和電極引線7設(shè)置在絕緣層9內(nèi);
      所述絕緣層8下表面設(shè)有散熱板10。本發(fā)明以相對較低的制造成本和簡化的制作方式,提高了 LED的散熱性能。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精 神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
      權(quán)利要求
      1.一種倒裝型發(fā)光二極管,其特征在于,所述倒裝型發(fā)光二極管具體包括藍寶石襯底;設(shè)置在所述藍寶石襯底下表面的η型GaN半導體;設(shè)置在所述η型GaN半導體下表面的器件有源層;設(shè)置在所述器件有源層下表面的P型GaN半導體;所述GaN半導體上設(shè)有η電極;所述藍寶石襯底相對位置設(shè)有電極基板;所述電極基板設(shè)有電極引線,所述電極引線通過金線與所述η電極連接;所述η電極和電極引線設(shè)置在絕緣層內(nèi);所述絕緣層下表面設(shè)有散熱板。
      全文摘要
      本發(fā)明適用于光電器件技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種倒裝型發(fā)光二極管,所述倒裝型發(fā)光二極管具體包括藍寶石襯底;設(shè)置在所述藍寶石襯底下表面的n型GaN半導體;設(shè)置在所述n型GaN半導體下表面的器件有源層;設(shè)置在所述器件有源層下表面的p型GaN半導體;所述GaN半導體上設(shè)有n電極;所述藍寶石襯底相對位置設(shè)有電極基板;所述電極基板設(shè)有電極引線,所述電極引線通過金線與所述n電極連接;所述n電極和電極引線設(shè)置在絕緣層內(nèi);所述絕緣層下表面設(shè)有散熱板。本發(fā)明以相對較低的制造成本和簡化的制作方式,提高了LED的散熱性能。
      文檔編號H01L33/62GK102891237SQ201210345470
      公開日2013年1月23日 申請日期2012年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月18日
      發(fā)明者徐廣忠 申請人:泰州普吉光電股份有限公司
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