專(zhuān)利名稱(chēng)：引線(xiàn)框架及其制造方法、半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及引線(xiàn)框架、半導(dǎo)體器件、制造引線(xiàn)框架的方法和制造半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
QFN (方形扁平無(wú)引線(xiàn))封裝或SON (小外形無(wú)引線(xiàn))封裝的引線(xiàn)框架是已知的，在 該引線(xiàn)框架中，形成每個(gè)均具有一個(gè)管芯焊盤(pán)的多個(gè)單位引線(xiàn)框架。在使用這種引線(xiàn)框架的封裝工藝中，將半導(dǎo)體元件安裝到單位引線(xiàn)框架中的每一個(gè)上，之后將其樹(shù)脂密封并且切割成單獨(dú)的單位引線(xiàn)框架。在使用這種類(lèi)型的引線(xiàn)框架的技術(shù)中，期望的是，提供一種得知每個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體器件的單位引線(xiàn)框架在切割之后處于切割之前的引線(xiàn)框架中的何處的方法。日本未審查專(zhuān)利公開(kāi)No. 2004-193189公開(kāi)了一種技術(shù)，對(duì)于在承載多個(gè)單位引線(xiàn)框架的引線(xiàn)框架中的每個(gè)半導(dǎo)體芯片，存儲(chǔ)了該半導(dǎo)體芯片的識(shí)別碼、承載半導(dǎo)體芯片的引線(xiàn)框架的識(shí)別信息、關(guān)于半導(dǎo)體芯片在引線(xiàn)框架中的位置以及它們相互關(guān)系的信息，并且將與半導(dǎo)體芯片相關(guān)的引線(xiàn)框架的識(shí)別信息和關(guān)于半導(dǎo)體芯片在引線(xiàn)框架中的位置的信息印刷在半導(dǎo)體芯片封裝的背面上。日本未審查專(zhuān)利公開(kāi)No. 2003-124365描述了提供半導(dǎo)體集成電路芯片管理信息的方法，該方法包括以下步驟對(duì)于形成在半導(dǎo)體晶片中的多個(gè)半導(dǎo)體集成電路芯片中的每一個(gè)，記錄與半導(dǎo)體集成電路芯片的制造工藝相關(guān)的管理信息(芯片生產(chǎn)的日期和時(shí)間、批號(hào)、晶片編號(hào)和芯片在晶片中的位置等)；以及當(dāng)將從半導(dǎo)體晶片分離的半導(dǎo)體集成電路芯片安裝在引線(xiàn)框架上時(shí)，將管理信息印刷在安裝有半導(dǎo)體集成電路芯片的區(qū)域的附近的引線(xiàn)框架上。日本未審查的專(zhuān)利公開(kāi)No. 2001-127236描述了通過(guò)以下步驟生產(chǎn)IC封裝利用透明樹(shù)脂密封接片(tab)、內(nèi)引線(xiàn)和安裝在接片上的IC芯片，其中，內(nèi)引線(xiàn)具有印刷區(qū)，并且將代表制造商的標(biāo)記、代表產(chǎn)品型號(hào)的標(biāo)記和/或代表制造批號(hào)的標(biāo)記印刷在該印刷區(qū)中。日本未審查的專(zhuān)利公開(kāi)No.平5(1993)-36739描述了一種半導(dǎo)體器件制造設(shè)備，該設(shè)備將半導(dǎo)體顆粒(pellet)接合到引線(xiàn)框架并且包括印刷機(jī)模塊，該印刷機(jī)模塊用于將接合管芯的顆粒的記錄印刷在其上安裝有該顆粒的引線(xiàn)框架的背面上。

發(fā)明內(nèi)容
然而，當(dāng)如以上現(xiàn)有技術(shù)中將某些信息印刷在封裝的背部或引線(xiàn)框架的給定區(qū)域中時(shí)，必須增加印刷信息的步驟。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種引線(xiàn)框架，在該引線(xiàn)框架中形成多個(gè)單位引線(xiàn)框架，每個(gè)單位引線(xiàn)框架均包括管芯焊盤(pán)；懸掛引線(xiàn)，其耦合到管芯焊盤(pán)；引線(xiàn)框架保持件，其耦合到懸掛引線(xiàn)；以及引線(xiàn)，其具有耦合到引線(xiàn)框架保持件的一端。這里，在管芯焊盤(pán)、懸掛引線(xiàn)和引線(xiàn)中的至少一種中形成識(shí)別標(biāo)記，該識(shí)別標(biāo)記包括穿透溝槽、凹陷和凸起中的至少一種。單位引線(xiàn)框架中的第一單位引線(xiàn)框架的識(shí)別標(biāo)記和單位引線(xiàn)框架中的第二單位引線(xiàn)框架的識(shí)別標(biāo)記至少就于單位引線(xiàn)框架中的位置或形狀而言是彼此不同的。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種制造引線(xiàn)框架的方法，該方法包括步驟設(shè)置金屬板；并且在于金屬板的表面上設(shè)置具有給定圖案的掩膜之后，進(jìn)行蝕刻，以去除金屬板的一部分。將掩膜的給定圖案設(shè)計(jì)為形成引線(xiàn)框架，在該引線(xiàn)框架中形成多個(gè)單位引線(xiàn)框架，每個(gè)單位引線(xiàn)框架具有管芯焊盤(pán)、耦合到管芯焊盤(pán)的懸掛引線(xiàn)和形成在管芯焊盤(pán)周?chē)囊€(xiàn)。這里，在管芯焊盤(pán)、懸掛引線(xiàn)和引線(xiàn)中的至少一種中形成識(shí)別標(biāo)記，該識(shí)別標(biāo)記包括穿透溝槽、凹陷和凸起中的至少一種。單位引線(xiàn)框架中的第一單位引線(xiàn)框架的識(shí)別標(biāo)記和單位引線(xiàn)框架中的第二單位引線(xiàn)框架的識(shí)別標(biāo)記至少就于單位引線(xiàn)框架中的位置或形 狀而言是彼此不同的。優(yōu)選地，在半導(dǎo)體器件中，將半導(dǎo)體元件安裝在引線(xiàn)框架中的單位引線(xiàn)框架中的每一個(gè)上。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體器件包括單位引線(xiàn)框架，其具有管芯焊盤(pán)、耦合到管芯焊盤(pán)的懸掛引線(xiàn)和形成在管芯焊盤(pán)周?chē)囊€(xiàn)；半導(dǎo)體元件，其安裝在單位引線(xiàn)框架上；以及密封樹(shù)脂，其用于密封單位引線(xiàn)框架和半導(dǎo)體元件。這里，在管芯焊盤(pán)、懸掛引線(xiàn)和引線(xiàn)中的至少一種中形成識(shí)別標(biāo)記，該識(shí)別標(biāo)記包括穿透溝槽、凹陷和凸起中的至少一種。這里，多個(gè)半導(dǎo)體器件中的至少兩個(gè)的識(shí)別標(biāo)記至少就于單位引線(xiàn)框架中的位置或形狀而言是彼此不同的。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，方法包括以下步驟設(shè)置引線(xiàn)框架，在該引線(xiàn)框架中形成多個(gè)單位引線(xiàn)框架，每個(gè)單位引線(xiàn)框架都具有管芯焊盤(pán)、耦合到管芯焊盤(pán)的懸掛引線(xiàn)和形成在管芯焊盤(pán)周?chē)囊€(xiàn)；在管芯焊盤(pán)中的每一個(gè)上安裝半導(dǎo)體元件；在安裝半導(dǎo)體元件之后，利用密封樹(shù)脂密封單位引線(xiàn)框架和半導(dǎo)體元件；并且在密封單位引線(xiàn)框架和半導(dǎo)體元件之后，切割為單位引線(xiàn)框架。在引線(xiàn)框架中，在管芯焊盤(pán)、懸掛引線(xiàn)和引線(xiàn)中的至少一種中形成識(shí)別標(biāo)記，該識(shí)別標(biāo)記包括穿透溝槽、凹陷和凸起的至少一種。單位引線(xiàn)框架中的第一單位引線(xiàn)框架的識(shí)別標(biāo)記和單位引線(xiàn)框架中的第二單位引線(xiàn)框架的識(shí)別標(biāo)記至少就于單位引線(xiàn)框架中的位置或形狀而言是彼此不同的。在本發(fā)明中，通過(guò)蝕刻金屬板形成引線(xiàn)框架，在該引線(xiàn)框架中形成多個(gè)單位引線(xiàn)框架，每個(gè)單位引線(xiàn)框架都具有管芯焊盤(pán)、耦合到管芯焊盤(pán)的懸掛引線(xiàn)和形成在管芯焊盤(pán)周?chē)囊€(xiàn)。另外，在本發(fā)明中，通過(guò)與形成這些相同的蝕刻步驟，在管芯焊盤(pán)、懸掛引線(xiàn)和引線(xiàn)框架保持件中的至少一種中形成作為識(shí)別標(biāo)記的穿透溝槽、凹陷和凸起的至少一種。根據(jù)本發(fā)明，可以在不需要額外制造步驟的情況下，為單位引線(xiàn)框架賦予識(shí)別標(biāo)記。因此，可以得知切割之后每個(gè)單獨(dú)的半導(dǎo)體器件的單位引線(xiàn)框架在切割之前在引線(xiàn)框架中所處的位置。根據(jù)本發(fā)明，可以在不需要額外制造步驟的情況下，得知切割之后每個(gè)單獨(dú)的半導(dǎo)體器件的單位引線(xiàn)框架在切割之前在引線(xiàn)框架中所處的位置。


圖1是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的引線(xiàn)框架的基本部件的平面圖；圖2A至圖2D是示意性示出根據(jù)實(shí)施例的單位引線(xiàn)框架的基本部件的平面圖；圖3A和圖3B示出根據(jù)實(shí)施例的單位引線(xiàn)框架，其中，圖3A是示意性平面圖并且圖3B是截面·
圖4是示出根據(jù)實(shí)施例的制造引線(xiàn)框架的方法的流程圖；圖5是示意性示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖6是示出根據(jù)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖；圖7A至圖7E示出根據(jù)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的工作流程；圖8是示意性示出根據(jù)實(shí)施例的引線(xiàn)框架的基本部件的平面圖；圖9A至圖9D是示意性示出根據(jù)實(shí)施例的單位引線(xiàn)框架的基本部件的平面圖；圖1OA至圖1OC是示意性示出根據(jù)實(shí)施例的單位引線(xiàn)框架的基本部件的平面圖；圖1lA至圖1lC是示意性示出根據(jù)實(shí)施例的單位引線(xiàn)框架的基本部件的平面圖；圖12A和圖12B示出根據(jù)實(shí)施例的單位引線(xiàn)框架，其中，圖12A是平面圖并且圖12B是截面圖；圖13是示意性示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖14A至圖14C是示意性示出根據(jù)實(shí)施例的單位引線(xiàn)框架的基本部件的平面圖；圖15A至圖15C是示意性示出根據(jù)實(shí)施例的單位引線(xiàn)框架的基本部件的平面圖；圖16A和圖16B示出根據(jù)實(shí)施例的單位引線(xiàn)框架，其中，圖16A是平面圖并且圖16B是截面圖；以及圖17是示意性示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。
具體實(shí)施例方式接著，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。以下給出的所有結(jié)構(gòu)圖示意性示出本發(fā)明的實(shí)施例，并且就尺寸而言，各種構(gòu)成元件是按照每個(gè)附圖中使用的尺度比率示出的，并且除非另外指示，否則圖示內(nèi)容沒(méi)有限定本發(fā)明的任何結(jié)構(gòu)尺寸。利用相同的附圖標(biāo)記指示相同的構(gòu)成元件并且不再重復(fù)對(duì)其的描述。引線(xiàn)框架的結(jié)構(gòu)首先，將描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的引線(xiàn)框架的結(jié)構(gòu)。圖1是示意性示出根據(jù)本實(shí)施例的引線(xiàn)框架I的基本部件的平面圖。在引線(xiàn)框架I中，形成每個(gè)均具有管芯焊盤(pán)11、懸掛引線(xiàn)12和引線(xiàn)框架保持件19。引線(xiàn)框架保持件19具有開(kāi)口并且管芯焊盤(pán)11、引線(xiàn)(未示出)和四個(gè)懸掛引線(xiàn)12位于該開(kāi)口內(nèi)。四個(gè)懸掛引線(xiàn)12將管芯焊盤(pán)11耦合到引線(xiàn)框架保持件19，使其一端耦合到管芯焊盤(pán)11并且另一端耦合到引線(xiàn)框架保持件19。懸掛引線(xiàn)12的數(shù)量不限于四個(gè)，而可以如現(xiàn)有技術(shù)中地是兩個(gè)。引線(xiàn)形成在管芯焊盤(pán)周?chē)?，使得其一端耦合到引線(xiàn)框架保持件19并且另一端向著管芯焊盤(pán)延伸。引線(xiàn)框架I具有三個(gè)塊20，該塊20每個(gè)都包含多個(gè)單位引線(xiàn)框架10，其中，每個(gè)塊20包含25個(gè)單位引線(xiàn)框架10。如圖1中所示，單位引線(xiàn)框架10可以在塊20中布置成柵格圖案。塊20的數(shù)量和每個(gè)塊20中的單位引線(xiàn)框架10的數(shù)量是設(shè)計(jì)選擇的問(wèn)題。圖2A至圖2D是分別示出圖1中所示的引線(xiàn)框架I的單位引線(xiàn)框架IOA至IOD的基本部件的放大示意圖。如圖2A至圖2D中所示，每個(gè)管芯焊盤(pán)11具有包括兩個(gè)穿透溝槽23的識(shí)別標(biāo)記。穿透溝槽23是從引線(xiàn)框架I的前表面穿透至其后表面的溝槽。穿透溝槽23的形狀和尺寸不受限并且可以不同于這里示出的形狀和尺寸。在這個(gè)實(shí)施例中，可以通過(guò)作為兩個(gè)穿透溝槽23的識(shí)別標(biāo)記，得知每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在塊20中的位置。具體地，在圖2A至圖2D中所示的管芯焊盤(pán)11的上側(cè)邊上形成的識(shí)別標(biāo)記13A至13D分別指示單位引線(xiàn)框架10在塊20中所處的列。更具體地，當(dāng)M表示附圖所示的管芯焊盤(pán)11的上側(cè)邊的長(zhǎng)度時(shí)，塊20中從左起第一列中的單位引線(xiàn)框架IOA的識(shí)別標(biāo)記13A位于與管芯焊盤(pán)11的上側(cè)邊左端相距大約 M/5。塊20中從左起第二列中的單位引線(xiàn)框架IOB的識(shí)別標(biāo)記13B位于與管芯焊盤(pán)11的上側(cè)邊左端相距大約2M/5。塊20中從左起第三列中的單位引線(xiàn)框架IOC的識(shí)別標(biāo)記13C位于與管芯焊盤(pán)11的上側(cè)邊左端相距大約3M/5。如圖1中所示，塊20中從左起第四列和第五列中的單位引線(xiàn)框架10的識(shí)別標(biāo)記根據(jù)同一規(guī)則定位。塊20中從左起第一列中的單位引線(xiàn)框架IOD的識(shí)別標(biāo)記13D位于與管芯焊盤(pán)11的上側(cè)邊左端相距大約M/5，如單位引線(xiàn)框架IOA的識(shí)別標(biāo)記13A。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，即使從引線(xiàn)框架I分離出單位引線(xiàn)框架10，通過(guò)核對(duì)根據(jù)以上規(guī)則在管芯焊盤(pán)11的上側(cè)邊制成的識(shí)別標(biāo)記的位置，也可以得知每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在塊20中所處的列。在圖2A至圖2D中所示的管芯焊盤(pán)11的下側(cè)邊上形成的識(shí)別標(biāo)記14A至14D分別指示單位引線(xiàn)框架10在塊20中所處的行。更具體地，當(dāng)M表示附圖所示的管芯焊盤(pán)11的下側(cè)邊的長(zhǎng)度時(shí)，塊20中從上起第一行中的單位引線(xiàn)框架IOA的識(shí)別標(biāo)記14A位于與管芯焊盤(pán)11的下側(cè)邊右端相距大約M/5。塊20中從上起第二行中的單位引線(xiàn)框架IOD的識(shí)別標(biāo)記14D位于與管芯焊盤(pán)11的下側(cè)邊右端相距大約2M/5。如圖1中所示，塊20中從上起第三行、第四行和第五行中的單位引線(xiàn)框架10的識(shí)別標(biāo)記根據(jù)同一規(guī)則定位。塊20中從上起第一行中的單位引線(xiàn)框架IOB和IOC的識(shí)別標(biāo)記14B和14C位于與相應(yīng)管芯焊盤(pán)11的下側(cè)邊右端相距大約M/5，如單位引線(xiàn)框架IOA的識(shí)別標(biāo)記14A。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，即使從引線(xiàn)框架I分離出單位引線(xiàn)框架10，通過(guò)核對(duì)根據(jù)以上規(guī)則在管芯焊盤(pán)11的下側(cè)邊制成的識(shí)別標(biāo)記的位置，可以得知每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在塊20中所處的行。每個(gè)單位引線(xiàn)框架10中的識(shí)別標(biāo)記的位置和塊20中的單位引線(xiàn)框架10的位置之間的以上關(guān)系只是實(shí)例，并且可以采用它們之間的另一種關(guān)系。如圖1中所示，在這個(gè)實(shí)施例中，不同的塊20中的單位引線(xiàn)框架10可以具有相同的識(shí)別標(biāo)記。例如，圖1中的左側(cè)塊20的第一行和第一列中的單位引線(xiàn)框架10與圖1中的中間塊20和右側(cè)塊20的第一行和第一列中的單位引線(xiàn)框架10具有相同的識(shí)別標(biāo)記。盡管如此，在這個(gè)實(shí)施例中，也可以得知在切割之后每個(gè)單獨(dú)的半導(dǎo)體器件的單位引線(xiàn)框架10在引線(xiàn)框架I的每個(gè)塊20中所處的位置。例如，通過(guò)得知每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在塊20中的位置，即使在切割步驟之后，也可以在隨后將描述的半導(dǎo)體器件制造方法中的樹(shù)脂密封步驟中得知單位引線(xiàn)框架10在腔體中的位置。因此，可以得知在樹(shù)脂密封期間單位引線(xiàn)框架10是否位于門(mén)(gate)側(cè)。此外，因?yàn)椴煌瑝K20中位于塊的同一行和同一列中的單位引線(xiàn)框架10具有相同的識(shí)別標(biāo)記，所以在隨后將描述的引線(xiàn)框架制造過(guò)程中，對(duì)于不同的塊，可以使用共同的蝕刻圖案或掩膜，或者可以在共同蝕刻條件下制成識(shí)別標(biāo)記。另外，即使如卷對(duì)卷方法的情況而基于比引線(xiàn)框架大的生產(chǎn)單元制造引線(xiàn)框架，即使拾取任何位置處的工件，也可以得到具有相同質(zhì)量的引線(xiàn)框架。圖3A是圖1中所示的單位引線(xiàn)框架IOA的細(xì)節(jié)的示意性平面圖。如圖3A中所示，多個(gè)引線(xiàn)15設(shè)置在管芯焊盤(pán)11周?chē)?。圖3B是沿著圖3A的a_a線(xiàn)截取的示意性截面圖。在圖13B中，由虛線(xiàn)指示將要 安裝的半導(dǎo)體元件17、粘合劑18和用于將半導(dǎo)體元件17耦合到引線(xiàn)15的導(dǎo)線(xiàn)16。如圖3B中所示，管芯焊盤(pán)11具有薄壁部分30，在半導(dǎo)體元件17安裝在單位引線(xiàn)框架IOA上時(shí)，該薄壁部分30在沒(méi)有安裝半導(dǎo)體元件17的一側(cè)形成凹陷。與此相同的薄壁部分30形成在所有的管芯焊盤(pán)11中。識(shí)別標(biāo)記是通過(guò)去除薄壁部分30的一部分而制成的穿透溝槽23。制造引線(xiàn)框架的方法接著，將參照?qǐng)D4的流程圖描述根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的制造引線(xiàn)框架I的方法。如圖4的流程圖中所示，根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的制造引線(xiàn)框架I的方法包括設(shè)置金屬板的步驟SlO和蝕刻的步驟S20。在設(shè)置金屬板的步驟SlO中，制備金屬板。金屬板可以是銅板、銅合金板或如在現(xiàn)有技術(shù)中使用的任何其它類(lèi)型的金屬板。金屬板的厚度和尺寸是設(shè)計(jì)選擇的問(wèn)題。在蝕刻的步驟S20中，在通過(guò)蝕刻來(lái)部分地去除金屬板之前，在設(shè)置金屬板的步驟SlO中制備的金屬板的表面上設(shè)置具有給定圖案的掩膜。在這個(gè)實(shí)施例中，不僅通過(guò)蝕刻步驟形成管芯焊盤(pán)11、懸掛引線(xiàn)12、引線(xiàn)15和引線(xiàn)框架保持件19，而且在同一蝕刻步驟期間形成識(shí)別標(biāo)記。將掩膜的給定圖案設(shè)計(jì)成形成其中形成有多個(gè)單位引線(xiàn)框架10的引線(xiàn)框架1，每個(gè)單位引線(xiàn)框架10具有管芯焊盤(pán)11、與管芯焊盤(pán)11耦合的懸掛引線(xiàn)12、與懸掛引線(xiàn)12耦合的引線(xiàn)框架保持件19以及形成在管芯焊盤(pán)周?chē)⑹蛊湟欢笋詈系揭€(xiàn)框架保持件19的引線(xiàn)15。掩膜的給定圖案還被設(shè)計(jì)成形成作為管芯焊盤(pán)11中的穿透溝槽23的識(shí)別標(biāo)記，如圖2A至圖2D中所示。在蝕刻的步驟S20中，蝕刻金屬板，以形成穿透金屬板的溝槽和未穿透的凹陷，從而產(chǎn)生給定圖案?？梢杂萌绗F(xiàn)有技術(shù)中使用的任何方法來(lái)執(zhí)行這個(gè)蝕刻過(guò)程。雖然可以通過(guò)一個(gè)蝕刻循環(huán)或者兩個(gè)或更多個(gè)蝕刻循環(huán)形成穿透金屬板的溝槽和未穿透的凹陷，但在形成管芯焊盤(pán)11、懸掛引線(xiàn)12、引線(xiàn)15和引線(xiàn)框架保持件19的同一蝕刻過(guò)程期間形成識(shí)別標(biāo)記。通過(guò)這樣做，可以在不需要額外步驟的情況下形成識(shí)別標(biāo)記。替代地，例如，蝕刻過(guò)程是如下的過(guò)程在金屬板的前表面和后表面上設(shè)置具有給定圖案的掩膜之后，通過(guò)將金屬板蝕刻成其厚度的一半的濕蝕刻，形成穿透溝槽和未穿透凹陷。如果是這種情況，則穿透溝槽形成在于前表面上設(shè)置的掩膜和后表面上設(shè)置的掩膜這兩者中的存在開(kāi)口的位置，并且未穿透凹陷形成在前表面上設(shè)置的掩膜或后表面上設(shè)置的掩膜中的存在開(kāi)口的位置。在蝕刻的步驟S20之后，使用如現(xiàn)有技術(shù)中使用的方法，在引線(xiàn)框架I上制成涂層，其中，該涂層可以包括N1、Pd和Au這三層。半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)接著，將描述根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。圖5是根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性截面圖。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件是將半導(dǎo)體元件17安裝在以上根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的單位引線(xiàn)框架10上的半導(dǎo)體器件。換言之，根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括管芯焊盤(pán)11 ;懸掛引線(xiàn)12(圖5中未示出)；引線(xiàn)15，其在管芯焊盤(pán)11周?chē)?；半?dǎo)體元件17，其安裝在管芯焊盤(pán)11上；導(dǎo)線(xiàn)16，其用于將引線(xiàn)15耦合到半導(dǎo)體元件17 ;以及密封樹(shù)脂25，其用于密封以上部分。
從密封樹(shù)脂25暴露出管芯焊盤(pán)11的下表面(與形成半導(dǎo)體元件17的那側(cè)相對(duì)的一側(cè))和每個(gè)引線(xiàn)15的下表面的某些部分。密封樹(shù)脂25的側(cè)面被包括在與包括管芯焊盤(pán)11的平面垂直的平面中。引線(xiàn)15的側(cè)面被包括在包括密封樹(shù)脂25的側(cè)面的平面中，并且暴露制成引線(xiàn)框架的金屬板的材料。在管芯焊盤(pán)11中形成包括穿透溝槽23的識(shí)別標(biāo)記。至于多個(gè)半導(dǎo)體器件之中的至少兩個(gè)半導(dǎo)體器件，就單位引線(xiàn)框架10中的位置而言，它們的識(shí)別標(biāo)記是彼此不同的。半導(dǎo)體器件17、導(dǎo)線(xiàn)16和密封樹(shù)脂25不受限并且可以是現(xiàn)有技術(shù)中使用的任何類(lèi)型。制造半導(dǎo)體器件的方法接著，將參照?qǐng)D6的流程圖和圖7A至圖7E描述根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法。如圖6的流程圖中所示，根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法包括設(shè)置引線(xiàn)框架的步驟S11、安裝半導(dǎo)體元件的步驟S12、密封的步驟S13和切割的步驟S14。在設(shè)置引線(xiàn)框架的步驟Sll中，如圖7A中所示，設(shè)置如上所述的根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的引線(xiàn)框架I。更具體地，所設(shè)置的引線(xiàn)框架如下如圖1中所示，引線(xiàn)框架I具有多個(gè)單元引線(xiàn)框架10，引線(xiàn)框架10中的每一個(gè)都包括管芯焊盤(pán)11、與管芯焊盤(pán)11耦合的懸掛引線(xiàn)12、與懸掛引線(xiàn)12耦合的引線(xiàn)框架保持件19和其一端耦合到引線(xiàn)框架保持件19的引線(xiàn)15，其中，管芯焊盤(pán)11具有包括穿透溝槽23的識(shí)別標(biāo)記，并且第一單位引線(xiàn)框架10的識(shí)別標(biāo)記與第二單位引線(xiàn)框架10的識(shí)別標(biāo)記就于單位引線(xiàn)框架10中的位置而言是不同的。第一單位引線(xiàn)框架10和第二單位引線(xiàn)框架10位于同一塊20中。在安裝半導(dǎo)體元件的步驟S12中，如圖7B中所示，通過(guò)粘合劑18將半導(dǎo)體元件17安裝到多個(gè)管芯焊盤(pán)11中的每一個(gè)的上。然后，如圖7C中所示，形成用于將引線(xiàn)15耦合到半導(dǎo)體元件17的導(dǎo)線(xiàn)16。粘合劑18不受限并且可以是現(xiàn)有技術(shù)中使用的任何類(lèi)型。在密封的步驟S13中，如圖7D中所示，利用密封樹(shù)脂25密封管芯焊盤(pán)11、懸掛引線(xiàn)12 (圖7D中未示出)、引線(xiàn)15、引線(xiàn)框架保持件19、半導(dǎo)體元件17和導(dǎo)線(xiàn)16。在密封的步驟S13中，可以采取以下的密封工序?qū)⒕哂信c引線(xiàn)框架I的塊對(duì)應(yīng)的腔體的模具放置在引線(xiàn)框架I的上表面上，并且通過(guò)在每個(gè)腔體側(cè)面中制成的樹(shù)脂注入孔(門(mén))注入未硬化的樹(shù)脂，然后當(dāng)樹(shù)脂固化時(shí)，將多個(gè)單位引線(xiàn)框架10容納在單個(gè)樹(shù)脂塊中。如果沒(méi)有利用N1-Pd-Au涂層預(yù)先涂布引線(xiàn)框架1，則可以在密封的步驟之后，在管芯焊盤(pán)11的下表面和引線(xiàn)上制成包含Sn的涂層。
在切割的步驟S14中，如圖7E中所示，使用切割裝置2，將引線(xiàn)框架分割成用于半導(dǎo)體器件的單獨(dú)的單位引線(xiàn)框架。此時(shí)，通過(guò)使用切割裝置2去除耦合引線(xiàn)15的引線(xiàn)框架保持件19，可以使引線(xiàn)15彼此電獨(dú)立。有益效果至于使用根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的引線(xiàn)框架的半導(dǎo)體器件，其中，即使在切割之后，通過(guò)例如經(jīng)由X射線(xiàn)裝置核對(duì)半導(dǎo)體器件的識(shí)別標(biāo)記，也可以得知在切割之前每個(gè)單獨(dú)的半導(dǎo)體器件的單位引線(xiàn)框架10在引線(xiàn)框架I中所處的位置。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，可以不需要額外的制造步驟而在每個(gè)單位引線(xiàn)框架中形成識(shí)別標(biāo)記。換言之，可以在每個(gè)單位引線(xiàn)框架中制成識(shí)別標(biāo)記，而沒(méi)有諸如生產(chǎn)效率降低和生產(chǎn)成本提聞的不利效果。此外，至于根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的引線(xiàn)框架，如圖3B中所示，通過(guò)部分去除管芯焊盤(pán) 11所具有的相同薄壁部分30，可以制成用作識(shí)別標(biāo)記的穿透溝槽23。在利用密封樹(shù)脂25進(jìn)行密封之后，識(shí)別標(biāo)記被如圖5中所示的密封樹(shù)脂25覆蓋，并保護(hù)其不受外部環(huán)境影響。因此，有效防止識(shí)別標(biāo)記受損。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，即使半導(dǎo)體器件具有不同的識(shí)別標(biāo)記時(shí)，它們的外觀(guān)看起來(lái)也是一致的。此外，當(dāng)使用管芯焊盤(pán)11和引線(xiàn)15從密封樹(shù)脂25暴露的表面作為外部端子時(shí)，具有不同識(shí)別標(biāo)記的半導(dǎo)體器件的外部端子具有相同的平面形狀，從而便于襯底安裝并確保耦合可靠性。實(shí)施例的變形根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的引線(xiàn)框架I包括可以通過(guò)以上制造引線(xiàn)框架的方法制造的以上引線(xiàn)框架的變形。除非另外描述，否則下述的變形提供了與上述相同的有益效果。雖然在以上情況下可以通過(guò)在單位引線(xiàn)框架10中制成的穿透溝槽23的位置識(shí)別每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在塊20中的位置，但是替代地，多個(gè)單位引線(xiàn)框架10可以具有形狀不同的穿透溝槽23，使得可以通過(guò)每個(gè)單位引線(xiàn)框架10的穿透溝槽23的形狀識(shí)別該單位引線(xiàn)框架10在塊20中的位置。雖然在以上情況下，在每個(gè)單位引線(xiàn)框架10中制成的兩個(gè)穿透溝槽23具有相同的形狀，但是替代地它們可以具有不同的形狀。這樣便于區(qū)分指示每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在塊20中所處的列的穿透溝槽23和指示單位引線(xiàn)框架10在塊20中所處的行的穿透溝槽23。雖然在圖2A至圖2D中的管芯焊盤(pán)11的上側(cè)邊和下側(cè)邊上制成作為識(shí)別標(biāo)記的穿透溝槽23，但是替代地，可以在圖2A至圖2D中的管芯焊盤(pán)11的左側(cè)邊和右側(cè)邊上制成穿透溝槽23。此外，可以在懸掛引線(xiàn)12和/或引線(xiàn)框架保持件19中制成作為識(shí)別標(biāo)記的穿透溝槽23。此外，可以在管芯焊盤(pán)11、懸掛引線(xiàn)12和引線(xiàn)框架保持件19中的至少一種中，制成凹陷和/或凸起。雖然在以上情況下可以通過(guò)單位引線(xiàn)框架10中制成的兩個(gè)識(shí)別標(biāo)記來(lái)識(shí)別每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在塊20中所處的列和行，但是替代地，可以布置為使得可以通過(guò)一個(gè)識(shí)別標(biāo)記來(lái)識(shí)別列和行。換言之，可以通過(guò)一個(gè)識(shí)別標(biāo)記來(lái)識(shí)別同一塊20中的單位引線(xiàn)框架10中的每一個(gè)。此外，除了用于識(shí)別每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在塊20中的位置的信息之外，可以在單位引線(xiàn)框架10中提供指示每個(gè)單位引線(xiàn)框架10處于哪個(gè)塊20中的信息(下文中，稱(chēng)為“塊信息”)。類(lèi)似以上的識(shí)別標(biāo)記，塊信息可以包括在管芯焊盤(pán)11、懸掛引線(xiàn)12和在管芯焊盤(pán)11周?chē)囊€(xiàn)15中的至少一種中制成的穿透溝槽、凹陷和凸起的至少一種。一個(gè)實(shí)例如下在管芯焊盤(pán)11中制成的穿透溝槽用于識(shí)別單位引線(xiàn)框架10在塊20中的位置并且在懸掛引線(xiàn)12中制成的穿透溝槽用于識(shí)別單位引線(xiàn)框架10處于哪個(gè)塊20中。盡管以上情況假設(shè)對(duì)引線(xiàn)框架I應(yīng)用總體密封方法，但是可以對(duì)引線(xiàn)框架I應(yīng)用個(gè)體密封方法來(lái)代替。如果應(yīng)用后一種方法，則識(shí)別標(biāo)記不用于識(shí)別每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在引線(xiàn)框架I的塊20中的位置，而是用于識(shí)別其在整個(gè)引線(xiàn)框架I中的位置。如果單位引線(xiàn)框架10在引線(xiàn)框架I中布置成柵格圖案，則可以以如與識(shí)別每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在塊20中的位置時(shí)相同的方式識(shí)別每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在整個(gè)引線(xiàn)框架I中的位置。
以上已描述根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的引線(xiàn)框架I的多種變形。換言之，引線(xiàn)框架I包括任何類(lèi)型的引線(xiàn)框架1，該引線(xiàn)框架I具有通過(guò)根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的制造引線(xiàn)框架的方法中的蝕刻步驟S20制成的識(shí)別標(biāo)記作為用于識(shí)別每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在引線(xiàn)框架I中的位置的信息。在蝕刻步驟S20中制成的識(shí)別標(biāo)記包括在管芯焊盤(pán)11、懸掛引線(xiàn)12和在管芯焊盤(pán)11周?chē)囊€(xiàn)15的至少一種中制成的穿透溝槽、凹陷和凸起的至少一種。第一單位引線(xiàn)框架10的識(shí)別標(biāo)記和第二單位引線(xiàn)框架10的識(shí)別標(biāo)記至少就其在單位引線(xiàn)框架10中的位置或形狀而言是彼此不同的。接著，將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的引線(xiàn)框架I的變形。第一變形首先，在圖8和圖9A至圖9D中示出第一變形。圖8是示意性示出第一變形引線(xiàn)框架I的基本部件的平面圖。圖9A至圖9D是示出圖8中所示的引線(xiàn)框架I的單位引線(xiàn)框架IOA至IOD的基本部件的放大示意圖。除了用于識(shí)別單位引線(xiàn)框架10所處行的識(shí)別標(biāo)記14A至14D的位置，圖8和圖9A至圖9D中所示的引線(xiàn)框架I與圖1和圖2A至圖2D中所示的引線(xiàn)框架I結(jié)構(gòu)上相同。更具體地，在圖9A至圖9D中所示的變形中，在管芯焊盤(pán)11的左側(cè)邊上制成識(shí)別標(biāo)記14A至14D。在這個(gè)變形中，當(dāng)L表示附圖中所示的管芯焊盤(pán)11的左側(cè)邊的長(zhǎng)度時(shí)，塊20中從上起第一行中的單位引線(xiàn)框架IOA的識(shí)別標(biāo)記14A位于與管芯焊盤(pán)11的左側(cè)邊的上端相距大約L/5。塊20中從上起第二行中的單位引線(xiàn)框架IOD的識(shí)別標(biāo)記14D位于與管芯焊盤(pán)11的左側(cè)邊上端相距大約2L/5。如圖8中所示，塊20中從上起第三行、第四行和第五行中的單位引線(xiàn)框架10的識(shí)別標(biāo)記根據(jù)同一規(guī)則定位。類(lèi)似單位引線(xiàn)框架IOA的識(shí)別標(biāo)記14A，塊20中從上起第一行中的單位引線(xiàn)框架IOB和IOC的識(shí)別標(biāo)記14B和14C位于與管芯焊盤(pán)11的左側(cè)邊的上端相距大約L/5。根據(jù)這個(gè)變形，即使從引線(xiàn)框架I分離出單位引線(xiàn)框架10，通過(guò)核對(duì)根據(jù)以上規(guī)則在管芯焊盤(pán)11的上側(cè)邊上制成的識(shí)別標(biāo)記的位置，也可以得知每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在塊20中所處的行。另外，根據(jù)這個(gè)變形，根據(jù)兩個(gè)穿透溝槽23之間的位置關(guān)系，用戶(hù)可以容易地得知兩個(gè)穿透溝槽23中的哪一個(gè)指示每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在塊20中所處的行或列。如果用戶(hù)在具有穿透溝槽23的上側(cè)邊和左側(cè)邊分別向上和向左時(shí)查看兩個(gè)穿透溝槽23，則用戶(hù)可以直觀(guān)地識(shí)別每個(gè)單位引線(xiàn)框架10在塊20中所處的列和行?？梢园凑找陨细鶕?jù)這個(gè)實(shí)施例的制造引線(xiàn)框架的方法，來(lái)制造這個(gè)變形中的引線(xiàn)框架。這個(gè)變形中的半導(dǎo)體器件是將半導(dǎo)體元件17安裝在以上這個(gè)變形中的單位引線(xiàn)框架10上的半導(dǎo)體器件?？梢园凑找陨细鶕?jù)這個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法，來(lái)制造這個(gè)變形中的半導(dǎo)體器件。第二變形
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圖1OA至圖1OC示出第二變形。圖1OA至圖1OC是示出引線(xiàn)框架I的單位引線(xiàn)框架10中的一些的基本部件的放大示意圖。在這個(gè)變形中，除了不滿(mǎn)足規(guī)則性的點(diǎn)(根據(jù)間隔規(guī)則性規(guī)則應(yīng)當(dāng)存在穿透溝槽23而沒(méi)有存在穿透溝槽23的點(diǎn))之外，使多個(gè)穿透溝槽23沿著管芯焊盤(pán)11的周邊以規(guī)則間隔制成，從而可以識(shí)別單位引線(xiàn)框架10在引線(xiàn)框架I中的位置?？梢园凑找陨细鶕?jù)這個(gè)實(shí)施例的制造引線(xiàn)框架的方法，來(lái)制造這個(gè)變形中的引線(xiàn)框架I。這個(gè)變形中的半導(dǎo)體器件是將半導(dǎo)體元件17安裝在以上這個(gè)變形中的單位引線(xiàn)框架10上的半導(dǎo)體器件?？梢园凑找陨细鶕?jù)這個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法，來(lái)制造這個(gè)變形中的半導(dǎo)體器件。第三變形圖1lA至圖1lC以及圖12A和圖12B示出第三變形。圖1lA至圖1lC是示出引線(xiàn)框架I的單位引線(xiàn)框架10中的一些的基本部件的放大示意圖。圖12A是示出圖1lA中所示的單位引線(xiàn)框架10的細(xì)節(jié)的示意性平面圖。圖12B是沿著圖12A的b-b線(xiàn)截取的示意性截面圖。在圖12B中，由虛線(xiàn)指示將要安裝的半導(dǎo)體元件17、粘合劑18和用于將半導(dǎo)體元件17耦合到引線(xiàn)15的導(dǎo)線(xiàn)16。在這個(gè)變形中，識(shí)別標(biāo)記包括在其上安裝有半導(dǎo)體元件17的管芯焊盤(pán)11的表面中制成的凹陷21。在平面圖中，在半導(dǎo)體元件17安裝在單位引線(xiàn)框架10上時(shí)，凹陷21的至少一部分沒(méi)有與半導(dǎo)體元件17重疊。在這個(gè)變形中，除了外框架中的不滿(mǎn)足規(guī)則性的點(diǎn)(根據(jù)間隔規(guī)則性規(guī)則應(yīng)當(dāng)存在凹陷21而沒(méi)有存在凹陷21的點(diǎn))之外，使多個(gè)凹陷21在管芯焊盤(pán)11以雙框架圖案以規(guī)則間隔制成，從而可以識(shí)別單位引線(xiàn)框架10在引線(xiàn)框架I中的位置。可以按照以上根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的制造引線(xiàn)框架的方法，來(lái)制造這個(gè)變形中的引線(xiàn)框架I。圖13是這個(gè)變形中的半導(dǎo)體器件的示意性截面圖。這個(gè)變形中的半導(dǎo)體器件是將半導(dǎo)體元件17安裝在以上這個(gè)變形中的單位引線(xiàn)框架10上的半導(dǎo)體器件。在這個(gè)變形中，因?yàn)樽R(shí)別標(biāo)記包括在其上安裝有半導(dǎo)體元件的管芯焊盤(pán)11的表面中制成的凹陷，所以在利用密封樹(shù)脂25密封之后，識(shí)別標(biāo)記被如圖13中所示的密封樹(shù)脂25覆蓋，并保護(hù)其不受外部環(huán)境影響。因此，有效防止識(shí)別標(biāo)記受損。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，即使半導(dǎo)體器件具有不同的識(shí)別標(biāo)記時(shí)，它們的外觀(guān)看起來(lái)也是一致的。
在這個(gè)變形中，識(shí)別標(biāo)記包括在其上安裝有半導(dǎo)體元件17的管芯焊盤(pán)11的表面中制成的凹陷21，并且在平面圖中，在半導(dǎo)體元件17安裝在單位引線(xiàn)框架10上時(shí)，凹陷21的至少一部分沒(méi)有與半導(dǎo)體元件17重疊。這個(gè)凹陷21的存在增大了密封樹(shù)脂25和管芯焊盤(pán)11之間的接觸面積，從而使密封樹(shù)脂25的粘附性更好?？梢园凑找陨细鶕?jù)這個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法，來(lái)制造這個(gè)變形中的半導(dǎo)體器件。替代地，可以制成凸起取代凹陷21，并且如果是這種情況，則可以實(shí)現(xiàn)相同的有益效果。另外，這個(gè)變形可以使得在半導(dǎo)體元件17安裝在單位引線(xiàn)框架10上時(shí)，在半導(dǎo)體元件17所處的一側(cè)支承懸掛引線(xiàn)12和/或引線(xiàn)15的表面中制成凹陷21和/或突起。在這種情況下，還可以實(shí)現(xiàn)相同的有益效果。第四變形·圖14A至圖14C和圖15A至圖15C示出第四變形。圖14A至圖14C和圖15A至圖15C是示出引線(xiàn)框架I的單位引線(xiàn)框架10中的一些的基本部件的放大示意圖。在圖14A至圖14C中所示的實(shí)例中，可以通過(guò)在懸掛引線(xiàn)12中制成的穿透溝槽22的位置(與管芯焊盤(pán)11相距一定距離)來(lái)識(shí)別單位引線(xiàn)框架10在引線(xiàn)框架I中的位置。在圖15A至圖15C中所示的實(shí)例中，除了不滿(mǎn)足規(guī)則性(在與管芯焊盤(pán)11的距離方面的規(guī)則性)的點(diǎn)之外，在懸掛引線(xiàn)12中以規(guī)則間隔制成多個(gè)穿透溝槽22，使得可以識(shí)別單位引線(xiàn)框架10在引線(xiàn)框架I中的位置。圖16A是示出在于懸掛引線(xiàn)12中制成作為識(shí)別標(biāo)記的穿透溝槽22的第四變形中的單位引線(xiàn)框架10的細(xì)節(jié)的示意性平面圖。圖16B是沿著圖16A的C-C線(xiàn)截取的示意性截面圖。在圖16B中，由虛線(xiàn)指示將要安裝的半導(dǎo)體元件17、粘合劑18和用于將半導(dǎo)體元件17耦合到引線(xiàn)15的導(dǎo)線(xiàn)16。在圖16B中所示的實(shí)例中，每個(gè)懸掛引線(xiàn)12具有薄壁部分30，在將半導(dǎo)體元件17安裝在單位引線(xiàn)框架IOA上時(shí)，該薄壁部分30是在半導(dǎo)體元件17沒(méi)有位于的一側(cè)的凹陷。所有的懸掛引線(xiàn)12具有與此相同的薄壁部分30。識(shí)別標(biāo)記是通過(guò)去除薄壁部分30的一部分而制成的穿透溝槽22?？梢园凑找陨细鶕?jù)這個(gè)實(shí)施例的制造引線(xiàn)框架的方法，來(lái)制造這個(gè)變形中的引線(xiàn)框架。這個(gè)變形中的半導(dǎo)體器件是將半導(dǎo)體元件17安裝在以上這個(gè)變形中的單位引線(xiàn)框架10上的半導(dǎo)體器件。可以按照以上根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法，來(lái)制造這個(gè)變形中的半導(dǎo)體器件。第五變形圖17示出第五變形。圖17是第五變形中的半導(dǎo)體器件的示意性截面圖。在這個(gè)變形中的引線(xiàn)框架I中，識(shí)別標(biāo)記包括在將半導(dǎo)體元件17安裝在單位引線(xiàn)框架10上時(shí)，在與半導(dǎo)體元件17所處的一側(cè)相反的一側(cè)的管芯焊盤(pán)11、懸掛引線(xiàn)12和引線(xiàn)15中的至少一種中制成的凹陷24。如果將半導(dǎo)體元件17安裝在這個(gè)變形中的單位引線(xiàn)框架10上，則在利用密封樹(shù)脂25密封之后，識(shí)別標(biāo)記暴露于外部環(huán)境。因此，這個(gè)變形可能具有的缺點(diǎn)在于，識(shí)別標(biāo)記容易受外部環(huán)境影響并且半導(dǎo)體器件具有不同的外觀(guān)。
然而，即使在這個(gè)變形中，即使在從引線(xiàn)框架I分離出每個(gè)單位引線(xiàn)框架10之后，可以通過(guò)核對(duì)單位引線(xiàn)框架10的識(shí)別標(biāo)記得知該單位引線(xiàn)框架10在引線(xiàn)框架I中所述的位置。另外，識(shí)別標(biāo)記位于半導(dǎo)體器件的外部，可以在不使用X射線(xiàn)裝置的情況下觀(guān)察到識(shí)別標(biāo)記。在這個(gè)變形中，可以在管芯焊盤(pán)11、懸掛引線(xiàn)12和引線(xiàn)15的至少一種中，制成在密封之后將暴露于外部環(huán)境的穿透溝槽以取代凹陷24。即使在這種情況下，也可以實(shí)現(xiàn)與以上相同的有益效果。另外，根據(jù)本申請(qǐng)，如下描述的本發(fā)明也是可用的。(I) 一種制造引線(xiàn)框架的方法，包括以下步驟設(shè)置金屬板；并且在于金屬板的表面上設(shè)置具有給定圖案的掩膜之后，進(jìn)行蝕刻，以去除金屬板的 一部分，其中，將掩膜的給定圖案設(shè)計(jì)為形成引線(xiàn)框架，在該引線(xiàn)框架中形成多個(gè)單位引線(xiàn)框架，每個(gè)單位引線(xiàn)框架具有管芯焊盤(pán)、與管芯焊盤(pán)耦合的懸掛引線(xiàn)和與懸掛引線(xiàn)耦合的引線(xiàn)框架保持件，其中，在管芯焊盤(pán)、懸掛引線(xiàn)和引線(xiàn)框架保持件的至少一種中形成識(shí)別標(biāo)記，該識(shí)別標(biāo)記包括穿透溝槽、凹陷和凸起的至少一種，并且其中，單位引線(xiàn)框架中的第一單位引線(xiàn)框架的識(shí)別標(biāo)記和單位引線(xiàn)框架中的第二單位引線(xiàn)框架的識(shí)別標(biāo)記至少就于單位引線(xiàn)框架中的位置或形狀而言是彼此不同的。
權(quán)利要求
1.一種引線(xiàn)框架，所述引線(xiàn)框架包括在其中形成的多個(gè)單位引線(xiàn)框架，所述單位引線(xiàn)框架中的每一個(gè)包括管芯焊盤(pán)；懸掛引線(xiàn)，所述懸掛引線(xiàn)耦合到所述管芯焊盤(pán)；以及引線(xiàn)，所述弓丨線(xiàn)形成在所述管芯焊盤(pán)周?chē)?，其中，在所述管芯焊盤(pán)、所述懸掛引線(xiàn)和所述引線(xiàn)中的至少一種中形成識(shí)別標(biāo)記，所述識(shí)別標(biāo)記包括穿透溝槽、凹陷和凸起中的至少一種，并且其中，所述單位引線(xiàn)框架中的第一單位引線(xiàn)框架的所述識(shí)別標(biāo)記和所述單位引線(xiàn)框架中的第二單位引線(xiàn)框架的所述識(shí)別標(biāo)記至少形狀或在所述單位引線(xiàn)框架中的位置彼此不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線(xiàn)框架，其中，所述識(shí)別標(biāo)記包括在所述管芯焊盤(pán)、所述懸掛引線(xiàn)和所述引線(xiàn)中的至少一種的表面中制成的凹陷和凸起中的至少一種，并且其中，在將半導(dǎo)體元件安裝在所述單位引線(xiàn)框架上方時(shí)，所述表面處于設(shè)置有所述半導(dǎo)體元件的一側(cè)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的引線(xiàn)框架，其中，在其上方安裝有所述半導(dǎo)體元件的所述單位引線(xiàn)框架的平面圖中，所述凹陷或所述凸起的至少一部分沒(méi)有與所述半導(dǎo)體元件重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線(xiàn)框架，其中，所述管芯焊盤(pán)、所述懸掛引線(xiàn)和所述引線(xiàn)中的至少一種具有作為凹陷的薄壁部分，其處于在將半導(dǎo)體元件安裝在所述單位引線(xiàn)框架上方時(shí)在沒(méi)有設(shè)置所述半導(dǎo)體元件的一側(cè)上的表面的一部分中，并且其中，所述識(shí)別標(biāo)記包括通過(guò)去除所述薄壁部分的一部分而制成的穿透溝槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的引線(xiàn)框架，其中，所述引線(xiàn)框架包括多個(gè)塊，每個(gè)所述塊具有多個(gè)所述單位引線(xiàn)框架，并且所述第一單位引線(xiàn)框架和所述第二單位引線(xiàn)框架兩者都位于所述塊中的一個(gè)中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的引線(xiàn)框架，其中，所述單位引線(xiàn)框架在所述塊中布置成柵格圖案，并且其中，在所述塊中處于相同位置的所述單位引線(xiàn)框架的所述識(shí)別標(biāo)記的形狀和在所述單位引線(xiàn)框架中的位置相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的引線(xiàn)框架，其中，在所述塊中位于所述第一單位引線(xiàn)框架的右側(cè)的所述單位引線(xiàn)框架的所述識(shí)別標(biāo)記在所述單位引線(xiàn)框架中的位置處于所述第一單位引線(xiàn)框架的所述識(shí)別標(biāo)記在所述單位引線(xiàn)框架中的位置的右側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線(xiàn)框架，其中，在所述塊中位于所述第一單位引線(xiàn)框架的下方的所述單位引線(xiàn)框架的所述識(shí)別標(biāo)記在所述單位引線(xiàn)框架中的位置處于所述第一單位引線(xiàn)框架的所述識(shí)別標(biāo)記在所述單位引線(xiàn)框架中的位置的下方。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線(xiàn)框架，其中，半導(dǎo)體元件被安裝在所述引線(xiàn)框架的所述單位引線(xiàn)框架中的每一個(gè)的上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的引線(xiàn)框架，其中，半導(dǎo)體元件被安裝在所述引線(xiàn)框架的所述單位引線(xiàn)框架中的每一個(gè)的上方。
11.一種半導(dǎo)體器件，包括單位引線(xiàn)框架，所述單位引線(xiàn)框架具有管芯焊盤(pán)、耦合到所述管芯焊盤(pán)的懸掛引線(xiàn)和形成在所述管芯焊盤(pán)周?chē)囊€(xiàn)；半導(dǎo)體元件，所述半導(dǎo)體元件被安裝在所述單位引線(xiàn)框架的所述管芯焊盤(pán)上方；以及密封樹(shù)脂，所述密封樹(shù)脂用于密封所述單位引線(xiàn)框架和所述半導(dǎo)體元件，其中，在所述管芯焊盤(pán)、所述懸掛引線(xiàn)和所述引線(xiàn)中的至少一種中形成識(shí)別標(biāo)記，所述識(shí)別標(biāo)記包括穿透溝槽、凹陷和凸起中的至少一種，并且其中，多個(gè)所述半導(dǎo)體器件中的至少兩個(gè)的所述識(shí)別標(biāo)記至少形狀或在所述單位引線(xiàn)框架中的位置彼此不同。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件中的至少兩個(gè)的所述識(shí)別標(biāo)記的形狀和在所述單位引線(xiàn)框架中的位置相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述識(shí)別標(biāo)記包括在所述管芯焊盤(pán)、所述懸掛引線(xiàn)和所述引線(xiàn)中的至少一種的表面中制成的凹陷和凸起中的至少一種，并且其中，當(dāng)將半導(dǎo)體元件安裝在所述單位引線(xiàn)框架上方時(shí)，所述表面處于設(shè)置有所述半導(dǎo)體元件的一側(cè)上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，在其上方安裝有所述半導(dǎo)體元件的所述單位引線(xiàn)框架的平面圖中，所述凹陷或所述凸起的至少一部分沒(méi)有與所述半導(dǎo)體元件重疊。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述管芯焊盤(pán)、所述懸掛引線(xiàn)和所述引線(xiàn)中的至少一種具有作為凹陷的薄壁部分，其處于在將半導(dǎo)體元件安裝在所述單位引線(xiàn)框架上方時(shí)在沒(méi)有設(shè)置所述半導(dǎo)體元件的一側(cè)上的表面的一部分中，并且其中，所述識(shí)別標(biāo)記包括通過(guò)去除所述薄壁部分的一部分而制成的穿透溝槽。
16.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟設(shè)置引線(xiàn)框架，在所述引線(xiàn)框架中形成有多個(gè)單位引線(xiàn)框架，每個(gè)所述單位引線(xiàn)框架具有管芯焊盤(pán)、耦合到所述管芯焊盤(pán)的懸掛引線(xiàn)和形成在所述管芯焊盤(pán)周?chē)囊€(xiàn)；在多個(gè)所述管芯焊盤(pán)中的每一個(gè)上方，安裝半導(dǎo)體元件；在安裝所述半導(dǎo)體元件之后，利用密封樹(shù)脂密封所述單位引線(xiàn)框架和所述半導(dǎo)體元件；以及在密封所述單位引線(xiàn)框架和所述半導(dǎo)體元件之后，將其切割成片作為所述單位引線(xiàn)框架，其中，在所述引線(xiàn)框架中，在所述管芯焊盤(pán)、所述懸掛引線(xiàn)和所述引線(xiàn)的至少一種中形成識(shí)別標(biāo)記，所述識(shí)別標(biāo)記包括穿透溝槽、凹陷和凸起的至少一種，并且其中，所述單位引線(xiàn)框架中的第一單位引線(xiàn)框架的所述識(shí)別標(biāo)記和所述單位引線(xiàn)框架中的第二單位引線(xiàn)框架的所述識(shí)別標(biāo)記至少形狀或在所述單位引線(xiàn)框架中的位置彼此不同。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述識(shí)別標(biāo)記包括在所述管芯焊盤(pán)、所述懸掛引線(xiàn)和所述引線(xiàn)中的至少一種的表面中制成的凹陷和凸起中的至少一種，并且其中，在將半導(dǎo)體元件安裝在所述單位引線(xiàn)框架上方時(shí)，所述表面處于設(shè)置有所述半導(dǎo)體元件的一側(cè)上。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，在其上方安裝有所述半導(dǎo)體元件的所述單位引線(xiàn)框架的平面圖中，所述凹陷或所述凸起的至少一部分沒(méi)有與所述半導(dǎo)體元件重疊。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述管芯焊盤(pán)、所述懸掛引線(xiàn)和所述引線(xiàn)中的至少一種具有作為凹陷的薄壁部分，其處于在將半導(dǎo)體元件安裝在所述單位引線(xiàn)框架上方時(shí)在沒(méi)有設(shè)置所述半導(dǎo)體元件的一側(cè)上的表面的一部分中，并且其中，所述識(shí)別標(biāo)記包括通過(guò)去除所述薄壁部分的一部分而制成的穿透溝槽。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述引線(xiàn)框架包括多個(gè)塊， 每個(gè)所述塊具有多個(gè)所述單位引線(xiàn)框架，并且所述第一單位引線(xiàn)框架和所述第二單位引線(xiàn)框架二者都位于所述塊中的一個(gè)中。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述單位引線(xiàn)框架在所述塊中布置成柵格圖案，并且其中，在所述塊中處于相同位置的所述單位引線(xiàn)框架的所述識(shí)別標(biāo)記的形狀和在所述單位引線(xiàn)框架中的位置相同。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，在所述塊中位于所述第一單位引線(xiàn)框架的右側(cè)的所述單位引線(xiàn)框架的所述識(shí)別標(biāo)記在所述單位引線(xiàn)框架中的位置處于所述第一單位引線(xiàn)框架的所述識(shí)別標(biāo)記在所述單位引線(xiàn)框架中的位置的右側(cè)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，在所述塊中處于所述第一單位引線(xiàn)框架的下方的所述單位引線(xiàn)框架的所述識(shí)別標(biāo)記在所述單位引線(xiàn)框架中的位置處于所述第一單位引線(xiàn)框架的所述識(shí)別標(biāo)記在所述單位引線(xiàn)框架中的位置的下方。
全文摘要
本發(fā)明提供了引線(xiàn)框架及其制造方法、半導(dǎo)體器件及其制造方法，其中，可以在不需要額外制造步驟的情況下得知切割之后每個(gè)半導(dǎo)體器件的單位引線(xiàn)框架在切割之前在引線(xiàn)框架中所處的位置。引線(xiàn)框架包括多個(gè)單位引線(xiàn)框架，每個(gè)單位引線(xiàn)框架均具有管芯焊盤(pán)、耦合到管芯焊盤(pán)的懸掛引線(xiàn)，以及在管芯焊盤(pán)周?chē)纬傻囊€(xiàn)。在管芯焊盤(pán)、懸掛引線(xiàn)和引線(xiàn)中的至少一種中形成識(shí)別標(biāo)記，該識(shí)別標(biāo)記包括穿透溝槽、凹陷和凸起中的至少一種。第一單位引線(xiàn)框架的識(shí)別標(biāo)記和第二單位引線(xiàn)框架的識(shí)別標(biāo)記至少就于單位引線(xiàn)框架中的位置或形狀而言是彼此不同的。
文檔編號(hào)H01L23/488GK103021993SQ20121035568
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月21日
發(fā)明者森岡宗知 申請(qǐng)人:瑞薩電子株式會(huì)社