專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置及其制造方法，并且更具體地，涉及其中通過光刻工藝對OLED像素進(jìn)行圖案化的OLED顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來，隨著對于信息顯示器的興趣的增加并且對于便攜式信息媒體的使用的要求也日益增加，已經(jīng)積極地對替代作為現(xiàn)有顯示裝置的陰極射線管(CRT)的重量輕的平板顯示器(FPD)進(jìn)行了研究和商業(yè)化。 在Fro領(lǐng)域中，更輕并且功耗更小的液晶顯示(IXD)裝置已經(jīng)成為關(guān)注的焦點(diǎn)；然而，由于LCD裝置是光接收裝置，而不是發(fā)光裝置，因此，具有亮度、對比度以及視角等等方面的缺點(diǎn)，因此已經(jīng)積極地對可以克服這樣的缺點(diǎn)的新型顯示裝置進(jìn)行了開發(fā)。作為新型顯示裝置之一的LED顯示裝置是自發(fā)光型裝置，其因此在視角和對比度方面表現(xiàn)更優(yōu)異，并且由于不需要背光而更輕、更薄，并且與LCD裝置相比，在功耗方面具有優(yōu)點(diǎn)。另外，OLED顯示裝置能夠由DC在較低的電壓來驅(qū)動，具有更快的響應(yīng)速度，并且在制造成本方面特別具有優(yōu)勢。與IXD裝置或等離子顯示面板(PDP)不同的是，沉積和包封是OLED顯示裝置的制造工藝的全部，因此制造工藝非常簡單。而且，當(dāng)根據(jù)其中每個像素具有薄膜晶體管(TFT)作為開關(guān)元件的主動矩陣方案驅(qū)動OLED顯示裝置時，雖然施加了較低的電流但是能夠獲得相同的亮度，因此，有利的是，OLED顯示裝置的能耗更低，具有高間距(或高清晰度或高分辨率)，并且尺寸能夠更大。下面將參考附圖詳細(xì)描述OLED顯示裝置的基本結(jié)構(gòu)和操作特性。圖1是示出一般的OLED顯示裝置的發(fā)光原理的圖。如圖1中所示，一般的OLED顯示裝置包括0LED。該OLED包括形成在作為像素電極的陽極18與作為公共電極的陰極28之間的有機(jī)化合物層30a、30b、30c、30d和30e。這里，有機(jī)化合物層30a、30b、30c、30d和30e包括空穴注入層30a、空穴傳輸層30b、發(fā)光層30c、電子傳輸層30d和電子注入層30e。當(dāng)驅(qū)動電壓被施加到陽極18和陰極28時，已經(jīng)通過空穴傳輸層30b的空穴和已經(jīng)通過電子傳輸層30e的電子移動到發(fā)光層30c以形成激子，并且結(jié)果，發(fā)光層30c發(fā)射可見光。在OLED顯示裝置中，均具有帶有上述結(jié)構(gòu)的OLED的像素被布置為矩陣形式并且由數(shù)據(jù)電壓和掃描電壓選擇地控制以顯示圖像。OLED顯示裝置被分為使用TFT作為開關(guān)元件的主動矩陣型顯示裝置和被動矩陣型OLED顯示裝置。其中，在主動矩陣型OLED顯示裝置中，作為有源元件的TFT被選擇性地導(dǎo)通以選擇像素并且通過在存儲電容器中保持的電壓保持像素的發(fā)光。圖2是一般的OLED顯示裝置中的像素的等效電路圖。即，圖2示出了主動矩陣型OLED顯示裝置中具有通常的2T1C (包括兩個晶體管和一個電容器)的像素的等效電路圖的示例。參考圖2，主動矩陣型OLED顯示裝置的像素包括0LED、彼此交叉的數(shù)據(jù)線DL和選通線GL、開關(guān)TFT SW、驅(qū)動TFT DR和存儲電容器Cst。這里，響應(yīng)于來自選通線GL的掃描脈沖導(dǎo)通開關(guān)TFT Sff以導(dǎo)通其源電極和漏電極之間的電流路徑。在開關(guān)TFT SW的導(dǎo)通時間段期間，來自數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)電壓被借助于開關(guān)TFT SW的源電極和漏電極施加到驅(qū)動TFT DR的柵電極和存儲電容器Cst。這里，驅(qū)動TFT DR根據(jù)施加到其柵電極的數(shù)據(jù)電壓控制在OLED中流動的電流。存儲電容器Cst存儲數(shù)據(jù)電壓和低電勢電源電壓VSS之間的電壓并且在一個幀時段期間均勻地保持該電壓。為了形成構(gòu)成OLED顯示裝置的若干有機(jī)化合物層，大量地使用真空蒸鍍方法。這里，為了使用真空蒸鍍方法，使用具有對應(yīng)于多個像素區(qū)域的多個開口的掩模 (或遮板)或者精細(xì)金屬掩模(FMM)。然而，該方法的限制在于不容易處理圖案的精細(xì)間距以增加基板的尺寸和實(shí)施高分辨率顯示。S卩，通過在薄金屬板上形成作為用于沉積的圖案的孔并且對其進(jìn)行拉伸來制造FMM。因此，限制在于形成具有小尺寸的圖案，使得難以減小OLED的大小。而且，當(dāng)增加精細(xì)金屬掩模的尺寸以增加面板的尺寸時，由于精細(xì)金屬掩模的特性導(dǎo)致發(fā)生翹曲，使得圖案變形從而降低了產(chǎn)率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED )顯示裝置，其中通過光刻工藝對OLED像素進(jìn)行圖案化，從而可用于大面積圖案化并且獲得高間距(或高清晰度或高分辨率)以及用于制造這樣的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的方法。本發(fā)明的另一方面提供了一種其中在通過光刻的圖案化處理期間保護(hù)發(fā)光層的OLED顯示裝置及其制造方法。本發(fā)明的另一方面提供了一種能夠簡化工藝并且增加效率的OLED顯示裝置及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置，其包括形成在基板上的第一電極；形成在其上形成有第一電極的基板上的空穴注入層和空穴傳輸層；第一發(fā)光層，該第一發(fā)光層由第一有機(jī)膜形成并且形成在其上形成有空穴注入層和空穴傳輸層的基板上；第二發(fā)光層，該第二發(fā)光層由第二有機(jī)膜形成并且形成在其上形成有第一發(fā)光層的基板上；第三發(fā)光層，該第三發(fā)光層通過在其上形成有第一發(fā)光層和第二發(fā)光層的基板的整個表面上沉積第三有機(jī)膜而形成；以及形成在第三發(fā)光層上的電子注入層和第二電極。第三發(fā)光層可以形成在第一發(fā)光層以及第二發(fā)光層的上部分上并且形成在第一發(fā)光層和第二發(fā)光層之間。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置包括形成在基板上的第一電極；層疊在基板上的第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一緩沖層；層疊在基板上的第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二緩沖層；層疊在基板上的第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、第三發(fā)光層、第三電子傳輸層和第三緩沖層；以及形成在第一、第二和第三緩沖層上的第二電極，其中，第一、第二和第三緩沖層由金屬氧化物制成。第一、第二和第三緩沖層可以由1-2族與12-16族金屬氧化物或者3-12族過渡金屬氧化物制成。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法,該制造方法包括在基板上形成第一電極；通過第一光處理在基板上形成由第一有機(jī)膜形成的第一發(fā)光層；通過第二光處理在基板上形成由第二有機(jī)膜形成的第二發(fā)光層；在第一光處理和第二光處理過程中使用之后保留的第一和第二光敏樹脂圖案上沉積第三有機(jī)膜；通過剝離處理將沉積在第一和第二光敏樹脂圖案的上部分上的第三有機(jī)膜與第一和第二光敏樹脂圖案一起移除以形成第三發(fā)光層；以及在第一、第二和第三發(fā)光層上形成第二電極。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法，該制造方法包括Ca)在基板上形成第一電極；(b)將光敏樹脂施加到基板的整個表面以形成第一光敏樹脂層；(C)對第一光敏樹脂層進(jìn)行選擇性的曝光和顯影以在除了將要形成第一發(fā)光層的位置之外的位置處形成由光敏樹脂制成的第一光敏樹脂圖案；(d)在保留第一光敏樹脂圖案的狀態(tài)下在第一光敏樹脂圖案上沉積第一有機(jī)膜；(e)通過剝離處理移除沉積在第一光敏樹脂圖案的上部分上的第一有機(jī)膜與第一光敏樹脂圖案以在基板上形成由第一有機(jī)膜形成的第一發(fā)光層；(f)通過與(b)至(e)相同的處理在基板上形成由第二有機(jī)膜形成的第二發(fā)光層；(g)在其上形成有第一發(fā)光層和第二發(fā)光層的基板的整個表面上沉積第三有機(jī)膜；以及(h)在基板上形成第二電極。第三發(fā)光層可以形成在第一發(fā)光層和第二發(fā)光層之間。第三發(fā)光層可以形成在第一發(fā)光層和第二發(fā)光層的上部分上并且形成在第一發(fā)光層和第二發(fā)光層之間。在空穴注入層和空穴傳輸層形成在其上形成有第一電極的基板上之后，可以在空穴注入層和空穴傳輸層上形成第一發(fā)光層。第一發(fā)光層可以形成為紅、綠和藍(lán)光發(fā)光層中的任一種。第二發(fā)光層可以形成為紅、綠和藍(lán)光發(fā)光層中的另一種。第三發(fā)光層可以形成為紅、綠和藍(lán)光發(fā)光層中的剩余一種。在電子傳輸層和電子注入層形成在其上形成有第一第二和第三發(fā)光層的基板上之后，可以在電子傳輸層和電子注入層上形成第二電極。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法，該制造方法包括在基板上形成第一電極；通過第一光處理在基板上以層疊的方式形成第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層以及第一緩沖層；通過第一光處理在基板上以層疊的方式形成第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二緩沖層；通過第一光處理在基板上以層疊的方式形成第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、第三發(fā)光層、第三電子傳輸層和第三緩沖層；以及在第一、第二和第三緩沖層上形成第二電極，其中第一、第二和第三緩沖層由金屬氧化物制成。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法，該制造方法包括Ca)在基板上形成第一電極；(b)將光敏樹脂施加到基板的整個表面以形成第一光敏樹脂層；(C)對第一光敏樹脂層進(jìn)行選擇性的曝光和顯影以在除了將要形成第一發(fā)光層的位置之外的位置處形成由光敏樹脂制成的第一光敏樹脂圖案；(d)在保留第一光敏樹脂圖案的狀態(tài)下沉積用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜、用于第一電子傳輸層的薄膜以及用于第一緩沖層的薄膜；(e)通過剝離處理將沉積在第一光敏樹脂圖案的上部分上的用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜、用于第一電子傳輸層的薄膜以及用于第一緩沖層的薄膜和第一光敏樹脂圖案一起移除以在基板上形成分別由用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜、用于第一電子傳輸層的薄膜以及用于第一緩沖層的薄膜形成的第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一緩沖層；(f)通過與(b)至(e)相同的處理形成第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二緩沖層；(g)通過與(b)至(e)相同的處理形成第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、第三發(fā)光層、第三電子傳輸層和第三緩沖層；以及(h)在第一、第二和第三緩沖層上形成第二電極，其中，第一、第二和第三緩沖層由金屬氧化物制成。形成第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層以及第一緩沖層的步驟可以包括在基板上沉積用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的 薄膜、第一有機(jī)膜、用于第一電子傳輸層的薄膜以及用于第一緩沖層的薄膜；將光敏樹脂施加到其上沉積有用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜、用于第一電子傳輸層的薄膜以及用于第一緩沖層的薄膜的基板的整個表面上以形成第一光敏樹脂層；對第一光敏樹脂層進(jìn)行曝光和顯影以在將要形成第一發(fā)光層的位置處形成由光敏樹脂制成的第一光敏樹脂圖案；以及通過使用第一光敏樹脂圖案作為掩模選擇性地蝕刻用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜、用于第一電子傳輸層的薄膜以及用于第一緩沖層的薄膜以在基板上形成分別由用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜、用于第一電子傳輸層的薄膜以及用于第一緩沖層的薄膜形成的第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層以及第一緩沖層。形成第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二緩沖層的步驟可以包括在基板上沉積用于第二空穴注入層的薄膜、用于第二空穴傳輸層的薄膜、第二有機(jī)膜、用于第二電子傳輸層的薄膜以及用于第二緩沖層的薄膜；將光敏樹脂施加到其上沉積有用于第二空穴注入層的薄膜、用于第二空穴傳輸層的薄膜、第二有機(jī)膜、用于第二電子傳輸層的薄膜以及用于第二緩沖層的薄膜的基板的整個表面以形成第二光敏樹脂層；對該第二光敏樹脂層進(jìn)行曝光和顯影以在將要形成第二發(fā)光層的位置處形成由光敏樹脂制成的第二光敏樹脂圖案；通過使用第二光敏樹脂圖案作為掩模選擇性地蝕刻用于第二空穴注入層的薄膜、用于第二空穴傳輸層的薄膜、第二有機(jī)膜、用于第二電子傳輸層的薄膜以及用于第二緩沖層的薄膜以在基板上形成分別由用于第二空穴注入層的薄膜、用于第二空穴傳輸層的薄膜、第二有機(jī)膜、用于第二電子傳輸層的薄膜以及用于第二緩沖層的薄膜形成的第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二緩沖層。形成第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、第三發(fā)光層、第三電子傳輸層和第三緩沖層的步驟可以包括在基板上沉積用于第三空穴注入層的薄膜、用于第三空穴傳輸層的薄膜、第三有機(jī)膜、用于第三電子傳輸層的薄膜以及用于第三緩沖層的薄膜；將光敏樹脂施加到其上沉積有用于第三空穴注入層的薄膜、用于第三空穴傳輸層的薄膜、第三有機(jī)膜、用于第三電子傳輸層的薄膜以及用于第三緩沖層的薄膜的基板的整個表面以形成第三光敏樹脂層；對該第三光敏樹脂層進(jìn)行曝光和顯影以在將要形成第三發(fā)光層的位置處形成由光敏樹脂制成的第三光敏樹脂圖案；通過使用第三光敏樹脂圖案作為掩模選擇性地蝕刻用于第三空穴注入層的薄膜、用于第三空穴傳輸層的薄膜、第三有機(jī)膜、用于第三電子傳輸層的薄膜以及用于第三緩沖層的薄膜以在基板上形成分別由用于第三空穴注入層的薄膜、用于第三空穴傳輸層的薄膜、第三有機(jī)膜、用于第三電子傳輸層的薄膜以及用于第三緩沖層的薄膜形成的第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、第三發(fā)光層、第三電子傳輸層和第三緩沖層。第一第二和第三緩沖層可以由1-2族與12-16族金屬氧化物或者3-12族過渡金屬氧化物制成。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法，該制造方法包括Ca)在基板上形成第四電極；(b)在其上形成有第四電極的基板上形成第一有機(jī)膜和第一導(dǎo)電膜；(C)將光敏樹脂施加到其上形成有第一導(dǎo)電膜的基板的整個 表面以形成第一光敏樹脂層；(d)對第一光敏樹脂層進(jìn)行選擇性的曝光和顯影以在將要形成第一發(fā)光層的位置處形成由光敏樹脂制成的第一光敏樹脂圖案；(e)通過使用第一光敏樹脂圖案作為掩模選擇性地移除第一導(dǎo)電膜以形成第一電極；(f )移除第一光敏樹脂圖案并且通過使用第一電極作為掩模選擇性地移除下面暴露的第一有機(jī)膜以形成由第一有機(jī)膜形成的第一發(fā)光層；(g)通過與(b)至(f)相同的處理在基板上形成第二發(fā)光層和第二電極；以及(h)通過與(b)至(f)相同的處理在基板上形成第三發(fā)光層和第三電極。在用于第一空穴注入層的薄膜和用于第一空穴傳輸層的薄膜形成在其上形成有第四電極的基板上之后，可以形成第一有機(jī)膜，并且在形成用于第一電子傳輸層的薄膜之后，可以形成第一導(dǎo)電膜。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的OLED顯示裝置及其制造方法的情況下，由于通過光刻處理對OLED像素進(jìn)行圖案化，因此能夠執(zhí)行大面積圖案化并且能夠獲得精細(xì)的間距，并且能夠通過在有機(jī)化合物層的上部分上形成金屬氧化物的緩沖層或者通過使用陰極作為掩模來對有機(jī)化合物進(jìn)行圖案化來保護(hù)有機(jī)化合物層，從而改進(jìn)了器件效率。這里，能夠通過溶液處理來執(zhí)行通過光刻處理的圖案化，并且由于發(fā)光層在圖案化處理期間得到了保護(hù)，因此能夠減少裝置的驅(qū)動電壓和功耗并且能夠增強(qiáng)效率。而且，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的OLED顯示裝置及其制造方法的情況下，在紅、綠和藍(lán)光像素中，通過剝離處理來對兩種像素進(jìn)行圖案化并且剩余的一種被沉積以在沒有圖案化的情況下形成，因此，能夠簡化處理并且能夠增加效率。當(dāng)結(jié)合附圖時，根據(jù)本發(fā)明的下面的詳細(xì)描述，本發(fā)明的前述和其它目的、特征、方面和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯。


圖1是示出一般的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的發(fā)光原理的圖。圖2是一般的OLED顯示裝置中的像素的等效電路圖。圖3A至圖3L是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的OLED顯示裝置的制造方法的順序截面圖。圖4A至圖4H是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的OLED顯示裝置的制造方法的順序截面圖。圖5A至圖5G是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的OLED顯示裝置的制造方法的順序截面圖。圖6是示出在執(zhí)行了光刻處理之后縮短了裝置的壽命的狀態(tài)的圖。圖7A至圖7K是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的OLED顯示裝置的制造方法的順序截面圖。圖8是示出根據(jù)圖7A至圖7K中所示的本發(fā)明的第四實(shí)施方式制造的OLED顯示 裝置的另一示例的截面圖。圖9是示出根據(jù)圖7A至圖7K中所示的本發(fā)明的第四實(shí)施方式制造的OLED顯示裝置的另一示例的截面圖。圖1OA至IOH是示出根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的OLED顯示裝置的制造方法的順序截面圖。圖1lA至圖1lH是示出根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方式的OLED顯示裝置的制造方法的順序截面圖。
具體實(shí)施例方式下面，將參考附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置及其制造方法，從而它們能夠由本發(fā)明所屬于的技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員容易地實(shí)施。本發(fā)明可以以各種形式來實(shí)施并且不限于這里描述的實(shí)施方式。對于OLED顯示裝置的有機(jī)化合物層的大面積的圖案化由于基板和掩模的下垂導(dǎo)致不能夠由現(xiàn)有技術(shù)使用精細(xì)金屬掩模來實(shí)現(xiàn)，從而已經(jīng)該研究了各種大面積圖案化方法。在這些方法中，本發(fā)明提出了通過光刻處理(下面稱為“光處理”)的圖案化方法，并且這里，光處理的有利之處在于其可用于大面積的圖案化并且獲得精細(xì)的間距，并且可用于溶液處理的施加。圖3A至圖3L是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的OLED顯示裝置的制造方法的順序截面圖，在該實(shí)施方式中，采用用于一些像素的OLED 二極管的制造方法作為示例。下面，用于包括2T1C (兩個晶體管和一個電容器)的像素的OLED的制造方法作為用于描述目的的示例，但是本發(fā)明不限于此。首先，雖然未示出，但是在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，包括第一柵電極的選通線和包括第二柵電極的存儲電極可以形成在由諸如透明玻璃、塑料等等的絕緣材料制成的基板110上。由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiO2)等等制成的柵極絕緣層可以形成在包括第一柵電極的選通線和包括第二柵電極的存儲電極上。由半導(dǎo)體制成的第一有源層和第二有源層可以形成在柵極絕緣層上。第一有源層和第二有源層可以分別位于第一柵電極和第二柵電極上。數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電壓線、第一源/漏電極和第二源/漏電極可以形成在第一有源層和第二有源層的上部分上。預(yù)定的鈍化層可以形成在其上已經(jīng)形成有數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電壓線、第一源/漏電極和第二源/漏電極的基板110上。如圖3A中所示，像素電極120和連接電極(未示出)可以形成在其上形成有鈍化膜的基板110上。像素電極120和連接電極可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料或者諸如鋁、銀或其合金的反射導(dǎo)電材料制成。作為陽極的像素電極120可以通過第二接觸孔電連接到第二漏電極，并且連接電極可以通過第一接觸孔和第三接觸孔電連接到第一漏電極和第二柵電極?？梢栽谄渖闲纬捎邢袼仉姌O120的基板110上形成分隔物(未示出)。這里，該分隔物可以像岸那樣包圍像素電極120的邊緣，以限定開口，并且可以由有機(jī)絕緣材料或者無機(jī)絕緣材料制成。
有機(jī)化合物層可以形成在基板110上。這里，有機(jī)化合物層可以具有多層結(jié)構(gòu)，除了發(fā)光層以外，該多層結(jié)構(gòu)還包括用于增強(qiáng)發(fā)射光的發(fā)光層的發(fā)光效率的輔助層。輔助層可以包括用于平衡電子和空穴的電子傳輸層和空穴傳輸層以及用于增強(qiáng)電子和空穴的注入的電子注入層和空穴注入層。有機(jī)化合物層可以通過光處理和剝離處理來形成，并且為此，如圖3B中所示，第一有機(jī)膜151沉積在基板110上。這里，第一有機(jī)膜151可以在空穴注入層和空穴傳輸層形成在基板110上之后進(jìn)行沉積，并且這里，第一有機(jī)膜151可以沉積為形成紅、綠或藍(lán)光發(fā)光層?？昭ㄗ⑷雽涌梢杂欣趶南袼仉姌O120進(jìn)行的空穴注入，并且空穴傳輸層用于允許空穴傳輸?shù)桨l(fā)光層。之后，如圖3C中所示，光敏樹脂(或光致抗蝕劑)被涂覆在其上沉積有第一有機(jī)膜151的基板110的整個表面上，以形成第一光敏樹脂層191。通過特定掩模(未示出)將紫外射線選擇性地照射(曝光)到第一光敏樹脂層191。之后，當(dāng)通過掩模曝光的第一光敏樹脂層191被顯影時，如圖3D中所示，由光敏樹脂制成的第一光敏樹脂圖案190a僅保留在將形成第一發(fā)光層的位置處。光敏樹脂顯影溶液用于進(jìn)行顯影操作，并且這里，可以使用任何顯影溶液，只要其溶解發(fā)光層的材料。例如，可以使用通常使用的有機(jī)堿基顯影溶液，或者可以使用無機(jī)堿基顯影溶液或者能夠?qū)刮g劑進(jìn)行顯影的水溶液之后，如圖3E中所示，通過使用第一光敏樹脂圖案190a作為掩模選擇性地蝕刻在第一光敏樹脂圖案190a下面形成的第一有機(jī)膜的部分區(qū)域，以在基板110上形成由第一有機(jī)膜形成的第一發(fā)光層150a (第一光處理)。這里，例如，第一發(fā)光層150a可以是紅光發(fā)光層，并且蝕刻可以包括濕法蝕刻以及干法蝕刻。然而，本發(fā)明不限于此，并且第一發(fā)光層150a可以是綠光或藍(lán)光發(fā)光層。之后，如圖3F中所示，在保留第一光敏樹脂圖案190a的情況下，在其上沉積第二有機(jī)膜152。 接下來的處理與用于形成第一發(fā)光層150a的第一光處理基本上相同。即，如圖3G中所示，將光敏樹脂涂覆在其上形成有第二有機(jī)膜152的基板110的整個表面上，以形成第二光敏樹脂層192。之后，通過特定掩模(未示出)將UV射線選擇性地照射到第二光敏樹脂層192。之后，當(dāng)通過掩模曝光的第二光敏樹脂層192被顯影時，如圖3H中所示，由光敏樹脂制成的第二光敏樹脂圖案190b僅保留在將要形成第二發(fā)光層的位置處。之后，如圖31中所示，通過使用第二光敏樹脂圖案190b作為掩模選擇性地蝕刻在第二光敏樹脂圖案190b下面形成的第一有機(jī)膜的部分區(qū)域，以在基板110上形成由第二有機(jī)膜形成的第二發(fā)光層150b (第二光處理)。這里，例如，第二發(fā)光層150b可以是綠光發(fā)光層，并且蝕刻可以包括濕法蝕刻以及干法蝕刻。然而，本發(fā)明不限于此并且當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層150a是紅光發(fā)光層時，第二發(fā)光層150b可以是藍(lán)光發(fā)光層而不是綠光發(fā)光層。之后，如圖3J中所不，在保留弟一光敏樹脂圖案190a和弟_■光敏樹脂圖案190b的情況下，在其上沉積第三有機(jī)膜153。作為接下來的處理，使用剝離處理，而不是諸如上述第一和第二光處理的光處理。·即，如圖3K中所示，通過剝離處理移除第一光敏樹脂圖案和第二光敏樹脂圖案，并且這里，將保留在第一發(fā)光層150a和第二發(fā)光層150b上的第三有機(jī)膜與第一光敏樹脂圖案和第二光敏樹脂圖案一起移除。結(jié)果,在第一發(fā)光層150a和第二發(fā)光層150b之間形成由第三有機(jī)膜形成的第三發(fā)光層150c。這里,例如，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層150a是紅光發(fā)光層并且第二發(fā)光層150b是綠光發(fā)光層時，第三發(fā)光層150c可以是藍(lán)光發(fā)光層。而且，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層150a是紅光發(fā)光層并且第二發(fā)光層150b是藍(lán)光發(fā)光層時,第三發(fā)光層150c可以是綠光發(fā)光層。然而,本發(fā)明不限于此，并且第一發(fā)光層150a、第二發(fā)光層150b和第三發(fā)光層150c可以被構(gòu)造為任意順序的紅光、綠光和藍(lán)光發(fā)光層。之后，如圖3L中所示，作為陰極的公共電極180可以形成在第一發(fā)光層150a、第二發(fā)光層150b和第三發(fā)光層150c上。這里，接收公共電壓的公共電極可以由包括鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等等的反射導(dǎo)電材料或者諸如ITO、IZO等等的透明導(dǎo)電材料制成。 這里，前述公共電極180可以在電子傳輸層和電子注入層形成在基板110上之后形成。電子注入層有利于從公共電極180進(jìn)行的電子的注入，并且電子傳輸層用于允許電子移動到發(fā)光層150a、150b和150c。以該方式，在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的情況下，由于可以省略單個光處理，即單獨(dú)的光敏樹脂涂覆、曝光、顯影以及蝕刻處理(總共四個處理)，因此能夠簡化工藝。而且，由于通過光處理對OLED像素進(jìn)行圖案化，因此能夠執(zhí)行大的圖案化并且能夠獲得高間距，并且另外，能夠執(zhí)行溶液處理。在如上所述構(gòu)造的OLED顯示裝置中，連接到選通線的第一柵電極以及連接到數(shù)據(jù)線的第一源電極和第一漏電極可以與第一有源層一起構(gòu)成第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)。而且，連接到第一漏電極的第二柵電極、連接到驅(qū)動電壓線的第二源電極以及連接到像素電極120的第二漏電極可以與第二有源層一起構(gòu)成驅(qū)動TFT。而且，像素電極120、發(fā)光層150a、150b和150c以及公共電極180可以構(gòu)成OLED，
并且相互交疊的存儲電極和驅(qū)動電壓線可以構(gòu)成存儲電容器。然而，如上所述，當(dāng)通過光處理對有機(jī)化合物層進(jìn)行圖案化時，有機(jī)化合物層很可能由于光敏樹脂、顯影溶液和剝離溶液而損壞，這會導(dǎo)致效率和壽命的劣化。因此，在本發(fā)明的第二和第三實(shí)施方式的情況中，在有機(jī)化合物層的上部分上形成由金屬氧化物制成的緩沖層以針對光處理保護(hù)有機(jī)化合物層。將參考附圖對此進(jìn)行詳細(xì)的描述。圖4A至4H是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的OLED顯示裝置的制造方法的順序截面圖，在該實(shí)施方式中，采用用于一些像素的OLED 二極管的制造方法作為示例。
雖然未示出，但是如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，可以在由諸如透明玻璃、塑料等等的絕緣材料制成的基板210上形成包括第一柵電極的選通線以及包括第二柵電極的存儲電極。由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiO2)等等制成的柵極絕緣層可以形成在包括第一柵電極的選通線和包括第二柵電極的存儲電極上。由半導(dǎo)體制成的第一有源層和第二有源層可以形成在柵極絕緣層上。第一有源層和第二有源層可以分別位于第一柵電極和第二柵電極上。數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電壓線、第一源/漏電極和第二源/漏電極可以形成在第一有源層和第二有源層的上部分上。預(yù)定的鈍化層可以形成在其上已經(jīng)形成有數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電壓線、第一源/漏電極和第二源/漏電極的基板210上。如圖4A中所示，像素電極220和連接電極(未示出)可以形成在其上形成有鈍化膜的基板210上。像素電極220和連接電極可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料或者諸如鋁、銀或其合金的反射導(dǎo)電材料制成。作為陽極的像素電極220可以通過第二接觸孔電連接到第二漏電極，并且連接電極可以通過第一接觸孔和第三接觸孔電連接到第一漏電極和第二柵電極?？梢栽谄渖闲纬捎邢袼仉姌O220的基板210上形成分隔物(未示出)。這里，該分隔物可以像岸那樣包圍像素電極220的邊緣，以限定開口，并且可以由有機(jī)絕緣材料或者無機(jī)絕緣材料制成。有機(jī)化合物層可以形成在基板210上。這里，有機(jī)化合物層可以具有多層結(jié)構(gòu)，除了發(fā)光層以外，該多層結(jié)構(gòu)還包括用于增強(qiáng)發(fā)射光的發(fā)光層的發(fā)光效率的輔助層。輔助層可以包括用于平衡電子和空穴的電子傳輸層和空穴傳輸層以及用于增強(qiáng)電子和空穴的注入的電子注入層和空穴注入層。S卩，如圖4A中所示，在其上形成有像素電極220的基板210上順序地沉積用于第一空穴注入層的薄膜231、用于第一空穴傳輸層的薄膜241、第一有機(jī)膜251、用于第一電子傳輸層的薄膜261以及用于第一緩沖層的薄膜271。這里，用于第一電子傳輸層的薄膜261可以包括用于第一電子注入層的薄膜，并且用于第一緩沖層的薄膜271可以由1-2族和12-16族金屬氧化物或者3-12族過渡金屬氧化物制成。之后，如圖4B中所示，光敏樹脂被涂覆在其上沉積有用于第一空穴注入層的薄膜231、用于第一空穴傳輸層的薄膜241、第一有機(jī)膜251、用于第一電子傳輸層的薄膜261以及用于第一緩沖層的薄膜271的基板210的整個表面上，以便于形成第一光敏樹脂層291。通過特定掩模(未示出)將UV光選擇性地照射到第一光敏樹脂層291。
之后，當(dāng)通過掩模曝光的第一光敏樹脂層291被顯影時，如圖4C中所示，由光敏樹脂制成的第一光敏樹脂圖案290a僅保留在將要形成第一發(fā)光層的位置處。之后,如圖4D中所不,通過使用第一光敏樹脂圖案290a作為掩模選擇性地蝕刻在第一光敏樹脂圖案290a下面形成的用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜、用于第一電子傳輸層的薄膜以及用于第一緩沖層的薄膜的部分區(qū)域，以便于在基板210上形成分別由用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜、用于第一電子傳輸層的薄膜以及用于第一緩沖層的薄膜形成的第一空穴注入層230a、第一空穴傳輸層240a、第一發(fā)光層250a、第一電子傳輸層260a和第一緩沖層270a(第一光處理)。以該方式，由于第一緩沖層270a位于有機(jī)化合物層的上部分上，即，位于第一電子傳輸層260a上，因此，防止了有機(jī)化合物層(特別是第一電子傳輸層260a)的劣化，從而防止了裝置的劣化。 而且，由于施加了金屬氧化物的第一緩沖層270a,因此能夠降低第一電子傳輸層260a和公共電極之間的能量勢壘，增強(qiáng)了效率和壽命。這里，例如，第一發(fā)光層250a可以是紅光發(fā)光層，并且蝕刻可以包括濕法蝕刻以及干法蝕刻。然而，本發(fā)明不限于此，并且第一發(fā)光層250a可以是綠光或藍(lán)光發(fā)光層。之后，如圖4E中所示，移除第一光敏樹脂圖案。之后，如圖4F中所示，通過與上述第一光處理基本上相同的第二光處理，在基板210上形成分別由用于第二空穴注入層的薄膜、用于第二空穴傳輸層的薄膜、第二有機(jī)膜、用于第二電子傳輸層的薄膜以及用于第二緩沖層的薄膜形成的第二空穴注入層230b、第二空穴傳輸層240b、第二發(fā)光層250b、第二電子傳輸層260b和第二緩沖層270b。這里，例如，第二發(fā)光層250b可以是綠光發(fā)光層。然而，本發(fā)明不限于此，并且當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層250a是紅光發(fā)光層時,第二發(fā)光層250b可以是藍(lán)光發(fā)光層而不是綠光發(fā)光層。之后，如圖4G中所示，通過與上述第一和第二光處理基本上相同的第三光處理，在基板210上形成分別由用于第三空穴注入層的薄膜、用于第三空穴傳輸層的薄膜、第三有機(jī)膜、用于第三電子傳輸層的薄膜以及用于第三緩沖層的薄膜形成的第三空穴注入層230c、第三空穴傳輸層240c、第三發(fā)光層250c、第三電子傳輸層260c和第三緩沖層270c。這里，例如，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層250a是紅光發(fā)光層并且第二發(fā)光層250b是綠光發(fā)光層時，第三發(fā)光層250c可以是藍(lán)光發(fā)光層。而且，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層250a是紅光發(fā)光層并且第二發(fā)光層250b是藍(lán)光發(fā)光層時,第三發(fā)光層250c可以是綠光發(fā)光層。然而,本發(fā)明不限于此，并且第一發(fā)光層250a、第二發(fā)光層250b和第三發(fā)光層250c可以被構(gòu)造為任意順序的紅光、綠光和藍(lán)光發(fā)光層。之后，如圖4H中所示，作為陰極的公共電極280a、280b和280c可以形成在第一緩沖層270a、第二緩沖層270b和第三緩沖層270c上。這里，接收公共電壓的公共電極280a、280b和280c可以由包括鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等等的反射導(dǎo)電材料或者諸如ITO、IZO等等的透明導(dǎo)電材料制成。在如上所述構(gòu)造的OLED顯示裝置中，連接到選通線的第一柵電極以及連接到數(shù)據(jù)線的第一源電極和第一漏電極可以與第一有源層一起構(gòu)成第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)。而且，連接到第一漏電極的第二柵電極、連接到驅(qū)動電壓線的第二源電極以及連接到像素電極220的第二漏電極可以與第二有源層一起構(gòu)成驅(qū)動TFT。而且，像素電極220、發(fā)光層250a、250b和250c以及公共電極280a、280b和280c可以構(gòu)成0LED，并且相互交疊的存儲電極和驅(qū)動電壓線可以構(gòu)成存儲電容器。圖5A至圖5G是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的OLED顯示裝置的制造方法的順序截面圖，在該實(shí)施方式中，采用用于一些像素的OLED 二極管的制造方法作為示例。雖然未示出，但是如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，可以在由諸如透明玻璃、塑料等等的絕緣材料制成的基板310上形成包括第一柵電極的選通線以及包括第二柵電極的存儲電極。由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiO2)等等制成的柵極絕緣層可以形成在包括第一柵電極的選通線和包括第二柵電極的存儲電極上。由半導(dǎo)體制成的第一有源層和第二有源層可以形成在柵極絕緣層上。第一有源層 和第二有源層可以分別位于第一柵電極和第二柵電極上。數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電壓線、第一源/漏電極和第二源/漏電極可以形成在第一有源層和第二有源層的上部分上。預(yù)定的鈍化層可以形成在其上已經(jīng)形成有數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電壓線、第一源/漏電極和第二源/漏電極的基板310上。如圖5A中所示，像素電極320和連接電極(未示出)可以形成在其上形成有鈍化膜的基板310上。像素電極320和連接電極可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料或者諸如鋁、銀或其合金的反射導(dǎo)電材料制成。作為陽極的像素電極320可以通過第二接觸孔電連接到第二漏電極，并且連接電極可以通過第一接觸孔和第三接觸孔電連接到第一漏電極和第二柵電極?？梢栽谄渖闲纬捎邢袼仉姌O320的基板310上形成分隔物(未示出)。這里，該分隔物可以像岸那樣包圍像素電極320的邊緣，以限定開口，并且可以由有機(jī)絕緣材料或者無機(jī)絕緣材料制成。有機(jī)化合物層可以形成在基板310上。這里，在本發(fā)明的第三實(shí)施方式的情況下，與如上所述的本發(fā)明的第二實(shí)施方式不同的是，通過剝離處理形成有機(jī)化合物層。S卩，如圖5A中所示，在其上形成有像素電極320的基板310的整個表面上涂覆光敏樹脂，以形成第一光敏樹脂層391。通過特定掩模(未示出)將UV光選擇性地照射到第一光敏樹脂層391。之后，當(dāng)通過掩模曝光的第一光敏樹脂層391被顯影時，如圖5B中所示，由光敏樹脂制成的第一光敏樹脂圖案390a僅保留在將要形成第一發(fā)光層的位置處。之后，如圖5C中所示，在保留第一光敏樹脂圖案390a的情況下，在第一光敏樹脂圖案390a上沉積用于第一空穴注入層的薄膜331、用于第一空穴傳輸層的薄膜341、第一有機(jī)膜351、用于第一電子傳輸層的薄膜361以及用于第一緩沖層的薄膜371。這里，用于第一電子傳輸層的薄膜361可以包括用于第一電子注入層的薄膜，并且用于第一緩沖層的薄膜371可以由1-2族和12-16族金屬氧化物或者3-12族過渡金屬氧化物制成。之后，如圖中所示，通過第一剝離處理移除第一光敏樹脂圖案390a。這里，保留在第一光敏樹脂圖案390a的上部分上的用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜、用于第一電子傳輸層的薄膜以及用于第一緩沖層的薄膜也與第一光敏樹脂圖案390a —起被移除。結(jié)果，在基板310上形成分別由用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜、用于第一電子傳輸層的薄膜以及用于第一緩沖層的薄膜形成的第一空穴注入層330a、第一空穴傳輸層340a、第一發(fā)光層350a、第一電子傳輸層360a和第一緩沖層370a。這里，例如，第一發(fā)光層350a可以是紅光發(fā)光層。然而，本發(fā)明不限于此，并且第一發(fā)光層350a可以是綠光或藍(lán)光發(fā)光層。之后，如圖5E中所示，通過與上述第一剝離處理基本上相同的第二剝離處理，在基板310上形成分別由用于第二空穴注入層的薄膜、用于第二空穴傳輸層的薄膜、第二有機(jī)膜、用于第二電子傳輸層的薄膜以及用于第二緩沖層的薄膜形成的第二空穴注入層330b、第二空穴傳輸層340b、第二發(fā)光層350b、第二電子傳輸層360b和第二緩沖層370b。
這里，例如，第二發(fā)光層350b可以是綠光發(fā)光層。然而，本發(fā)明不限于此，并且當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層350a是紅光發(fā)光層時,第二發(fā)光層350b可以是藍(lán)光發(fā)光層而不是綠光發(fā)光層。之后，如圖5F中所示，通過與上述第一和第二剝離處理基本上相同的第三剝離處理，在基板310上形成分別由用于第三空穴注入層的薄膜、用于第三空穴傳輸層的薄膜、第三有機(jī)膜、用于第三電子傳輸層的薄膜以及用于第三緩沖層的薄膜形成的第三空穴注入層330c、第三空穴傳輸層340c、第三發(fā)光層350c、第三電子傳輸層360c和第三緩沖層370c。這里,例如，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層350a是紅光發(fā)光層并且第二發(fā)光層350b是綠光發(fā)光層時，第三發(fā)光層350c可以是藍(lán)光發(fā)光層。而且，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層350a是紅光發(fā)光層并且第二發(fā)光層350b是藍(lán)光發(fā)光層時,第三發(fā)光層350c可以是綠光發(fā)光層。然而,本發(fā)明不限于此，并且第一發(fā)光層350a、第二發(fā)光層350b和第三發(fā)光層350c可以被構(gòu)造為任意順序的紅光、綠光和藍(lán)光發(fā)光層。之后，如圖5G中所示，作為陰極的公共電極380a、380b和380c可以形成在第一發(fā)光層350a、第二發(fā)光層350b和第三發(fā)光層350c上。這里，接收公共電壓的公共電極380a、380b和380c可以由包括鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等等的反射導(dǎo)電材料或者諸如ITO、IZO等等的透明導(dǎo)電材料制成。在如上所述構(gòu)造的OLED顯示裝置中，連接到選通線的第一柵電極以及連接到數(shù)據(jù)線的第一源電極和第一漏電極可以與第一有源層一起構(gòu)成第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)。而且，連接到第一漏電極的第二柵電極、連接到驅(qū)動電壓線的第二源電極以及連接到像素電極320的第二漏電極可以與第二有源層一起構(gòu)成驅(qū)動TFT。而且，像素電極320、發(fā)光層350a、350b和350c以及公共電極380a、380b和380c可以構(gòu)成0LED，并且相互交疊的存儲電極和驅(qū)動電壓線可以構(gòu)成存儲電容器。同時，其效率和壽命在進(jìn)行了光處理之后被快速減小的有機(jī)物質(zhì)被包括在有機(jī)化合物層中。例如，在藍(lán)光發(fā)光層的情況下，在基于IOOOnit (尼特)的光處理之后，裝置效率將從大約5. 3cd/A減小到2. Ocd/A。例如，參考圖6，示出了其壽命在光處理之后快速減小的有機(jī)物質(zhì)，這導(dǎo)致LED顯示裝置的效率和壽命的降低。因此，在本發(fā)明的第四實(shí)施方式中，通過剝離處理對紅、綠和藍(lán)光像素中的兩種像素進(jìn)行圖案化，而其余的一種像素被沉積以在沒有圖案化的情況下形成，因此簡化的工藝并且增加了效率。將參考附圖詳細(xì)對此進(jìn)行詳細(xì)描述。圖7A至圖7K是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的OLED顯示裝置的制造方法的順序截面圖，在該實(shí)施方式中，采用用于一些像素的OLED 二極管的制造方法作為示例。雖然未示出，但是如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，可以在由諸如透明玻璃、塑料等等的絕緣材料制成的基板410上形成包括第一柵電極的選通線以及包括第二柵電極的存儲電極。由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiO2)等等制成的柵極絕緣層可以形成在包括第一柵電極的選通線和包括第二柵電極的存儲電極上。由半導(dǎo)體制成的第一有源層和第二有源層可以形成在柵極絕緣層上。第一有源層和第二有源層可以分別位于第一柵電極和第二柵電極上。
數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電壓線、第一源/漏電極和第二源/漏電極可以形成在第一有源層和第二有源層的上部分上。預(yù)定的鈍化層可以形成在其上已經(jīng)形成有數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電壓線、第一源/漏電極和第二源/漏電極的基板410上。如圖7A中所示，像素電極420和連接電極(未示出)可以形成在其上形成有鈍化膜的基板410上。像素電極420和連接電極可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料或者諸如鋁、銀或其合金的反射導(dǎo)電材料制成。 作為陽極的像素電極420可以通過第二接觸孔電連接到第二漏電極，并且連接電極可以通過第一接觸孔和第三接觸孔電連接到第一漏電極和第二柵電極?？梢栽谄渖闲纬捎邢袼仉姌O420的基板410上形成分隔物(未示出)。這里，該分隔物可以像岸那樣包圍像素電極420的邊緣，以限定開口，并且可以由有機(jī)絕緣材料或者無機(jī)絕緣材料制成。有機(jī)化合物層可以形成在基板410上。這里，在本發(fā)明的第四實(shí)施方式的情況下，通過剝離處理對紅、綠和藍(lán)像素中的兩種像素進(jìn)行圖案化，而其余的一種像素被沉積以在沒有圖案化的情況下形成，從而形成有機(jī)化合物層。S卩，如圖7A中所示，在其上形成有像素電極420的基板410上形成空穴注入層430和空穴傳輸層440。如上所述，空穴注入層430可以有利于從像素電極420進(jìn)行的空穴注入，并且空穴傳輸層440用于允許空穴傳輸?shù)桨l(fā)光層。之后，如圖7B中所示，光敏樹脂被涂覆在其上形成有空穴注入層430和空穴傳輸層440的基板410的整個表面上，以形成第一光敏樹脂層491。通過特定掩模(未示出)將UV光選擇性地照射到第一光敏樹脂層491。之后，當(dāng)通過掩模曝光的第一光敏樹脂層491被顯影時，如圖7C中所示，由光敏樹脂制成的第一光敏樹脂圖案490a僅保留在除了將要形成第一發(fā)光層的位置之外的位置處。之后，如圖7D中所示，在保留第一光敏樹脂圖案490a的情況下，在其上沉積第一有機(jī)膜451。之后，如圖7E中所示，通過第一剝離處理移除第一光敏樹脂圖案490a。這里，保留在第一光敏樹脂圖案490a的上部分上的第一有機(jī)膜451也與第一光敏樹脂圖案490a —起被移除。結(jié)果，在基板410上形成由第一有機(jī)膜形成的第一發(fā)光層450a。這里，例如，第一發(fā)光層450a可以是紅光發(fā)光層。然而，本發(fā)明不限于此，并且第一發(fā)光層450a可以是綠光或藍(lán)光發(fā)光層。如圖7F中所示，通過以基本相同的方式將光敏樹脂施加到其上形成有第一發(fā)光層450a的基板410的整個表面來形成第二光敏樹脂層492。并且，然后，通過特定掩模(未示出)將UV光選擇性地照射到第二光敏樹脂層492。之后，當(dāng)通過掩模曝光的第二光敏樹脂層492被顯影時，如圖7G中所示，由光敏樹脂制成的第二光敏樹脂圖案490b僅保留在除了將要形成第二發(fā)光層的位置之外的位置處。 之后，如圖7H中所示，在保留第二光敏樹脂圖案490b的情況下，在其上沉積第二有機(jī)膜452。之后，如圖71中所示，通過第二剝離處理移除第二光敏樹脂圖案490b。這里，保留在第二光敏樹脂圖案490b的上部分上的第二有機(jī)膜452也與第二光敏樹脂圖案490b —起被移除。結(jié)果，在基板410上形成了由第二有機(jī)膜形成的第二發(fā)光層450b。這里，例如，第二發(fā)光層450b可以是綠光發(fā)光層。然而，本發(fā)明不限于此，并且當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層450a是紅光發(fā)光層時,第二發(fā)光層450b可以是藍(lán)光發(fā)光層而不是綠光發(fā)光層。如圖7J中所不,在其上形成有第一發(fā)光層450a和第二發(fā)光層450b的基板410的整個表面上沉積第三有機(jī)膜，以形成第三發(fā)光層450c。這里，第三發(fā)光層450c可以以特定厚度形成在第一發(fā)光層450a和第二發(fā)光層450b的上部分上以及形成在第一發(fā)光層450a和第二發(fā)光層450b之間。這里，例如，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層450a是紅光發(fā)光層并且第二發(fā)光層450b是綠光發(fā)光層時，第三發(fā)光層450c可以是藍(lán)光發(fā)光層。而且，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層450a是紅光發(fā)光層并且第二發(fā)光層450b是藍(lán)光發(fā)光層時,第三發(fā)光層450c可以是綠光發(fā)光層。然而,本發(fā)明不限于此，并且第一發(fā)光層450a、第二發(fā)光層450b和第三發(fā)光層450c可以被構(gòu)造為任意順序的紅光、綠光和藍(lán)光發(fā)光層。之后，如圖7K中所示，電子傳輸層460和作為陰極的公共電極480形成在其上形成有第一發(fā)光層450a、第二發(fā)光層450b和第三發(fā)光層450c的基板410上。這里，電子傳輸層460可以包括電子注入層。接收公共電壓的公共電極480可以由包括鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等等的反射導(dǎo)電材料或者諸如IT0、IZ0等等的透明導(dǎo)電材料制成。在如上所述構(gòu)造的OLED顯示裝置中，連接到選通線的第一柵電極以及連接到數(shù)據(jù)線的第一源電極和第一漏電極可以與第一有源層一起構(gòu)成第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)。而且，連接到第一漏電極的第二柵電極、連接到驅(qū)動電壓線的第二源電極以及連接到像素電極420的第二漏電極可以與第二有源層一起構(gòu)成驅(qū)動TFT。而且，像素電極420、發(fā)光層450a、450b和450c以及公共電極480可以構(gòu)成0LED，并且相互交疊的存儲電極和驅(qū)動電壓線可以構(gòu)成存儲電容器。
以該方式，例如，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層450a、第二發(fā)光層450b和第三發(fā)光層450c分別是紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層和藍(lán)光發(fā)光層時，通過剝離處理對紅光發(fā)光層和綠光發(fā)光層進(jìn)行圖案化并且藍(lán)光發(fā)光層可以公共地形成在整個表面上。然而，本發(fā)明不限于此，S卩，可以通過剝離處理對綠光發(fā)光層和藍(lán)光發(fā)光層進(jìn)行圖案化而紅光發(fā)光層可以公共地形成在整個表面上，或者可以通過剝離處理對紅光發(fā)光層和藍(lán)光發(fā)光層進(jìn)行圖案化而綠光發(fā)光層可以公共地形成在整個表面上。圖8是示出根據(jù)圖7A至圖7K中所示的本發(fā)明的第四實(shí)施方式制造的OLED顯示裝置的另一示例的截面圖，其中，第一有機(jī)膜沉積在其上形成有第二發(fā)光層450b和第三發(fā)光層450c的基板410的整個表面上，以形成第一發(fā)光層450a。這里，第一發(fā)光層450a以特定厚度均勻地形成在第二發(fā)光層450b和第三發(fā)光層450c的上部分上以及形成在第二發(fā)光層450b和第三發(fā)光層450c之間。
圖9是示出根據(jù)圖7A至圖7K中所示的本發(fā)明的第四實(shí)施方式制造的OLED顯示裝置的另一示例的截面圖，其中，第二有機(jī)膜沉積在其上形成有第一發(fā)光層450a和第三發(fā)光層450c的基板410的整個表面上，以形成第二發(fā)光層450b。這里,第二發(fā)光層450b以特定厚度均勻地形成在第一發(fā)光層450a和第三發(fā)光層450c的上部分上以及形成在第一發(fā)光層450a和第三發(fā)光層450c之間。同時，根據(jù)除了本發(fā)明的第二和第三實(shí)施方式的方法之外的方法，可以防止由于光處理導(dǎo)致的有機(jī)化合物層的損壞。即，可以通過使用陰極作為掩模對有機(jī)化合物層進(jìn)行圖案化而針對光處理保護(hù)有機(jī)化合物層。將根據(jù)本發(fā)明的第五和第六實(shí)施方式對此進(jìn)行詳細(xì)描述。圖1OA至圖1OH是示出根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的OLED顯示裝置的制造方法的順序截面圖。雖然未示出，但是在根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，可以在由諸如透明玻璃、塑料等等的絕緣材料制成的基板510上形成包括第一柵電極的選通線以及包括第二柵電極的存儲電極。由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiO2)等等制成的柵極絕緣層可以形成在包括第一柵電極的選通線和包括第二柵電極的存儲電極上。由半導(dǎo)體制成的第一有源層和第二有源層可以形成在柵極絕緣層上。第一有源層和第二有源層可以分別位于第一柵電極和第二柵電極上。數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電壓線、第一源/漏電極和第二源/漏電極可以形成在第一有源層和第二有源層的上部分上。預(yù)定的鈍化層可以形成在其上已經(jīng)形成有數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電壓線、第一源/漏電極和第二源/漏電極的基板510上。如圖1OA中所示，像素電極520和連接電極(未示出)可以形成在其上形成有鈍化膜的基板510上。像素電極520和連接電極可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料或者諸如鋁、銀或其合金的反射導(dǎo)電材料制成。 作為陽極的像素電極520可以通過第二接觸孔電連接到第二漏電極，并且連接電極可以通過第一接觸孔和第三接觸孔電連接到第一漏電極和第二柵電極。可以在其上形成有像素電極520的基板510上形成分隔物(未示出)。這里，該分隔物可以像岸那樣包圍像素電極520的邊緣，以限定開口，并且可以由有機(jī)絕緣材料或者無機(jī)絕緣材料制成。有機(jī)化合物層可以形成在基板510上。這里，有機(jī)化合物層可以具有多層結(jié)構(gòu)，除了發(fā)光層以外，該多層結(jié)構(gòu)還包括用于增強(qiáng)發(fā)射光的發(fā)光層的發(fā)光效率的輔助層。輔助層可以包括用于平衡電子和空穴的電子傳輸層和空穴傳輸層以及用于增強(qiáng)電子和空穴的注入的電子注入層和空穴注入層。S卩，如圖1OB中所示，在其上形成有像素電極520的基板510上順序地沉積用于第一空穴注入層的薄膜531、用于第一空穴傳輸層的薄膜541、第一有機(jī)膜551、用于第一電子傳輸層的薄膜561以及第一導(dǎo)電膜581。這里，用于第一電子傳輸層的薄膜561可以包括用于第一電子注入層的薄膜，并·且第一導(dǎo)電膜581可以由包括鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等等的反射導(dǎo)電材料或者諸如ITO、IZO等等的透明導(dǎo)電材料制成。之后，如圖1OC中所示，在其上已經(jīng)沉積有用于第一空穴注入層的薄膜531、用于第一空穴傳輸層的薄膜541、第一有機(jī)膜551、用于第一電子傳輸層的薄膜561以及第一導(dǎo)電膜581的基板510的整個表面上涂覆光敏樹脂，以形成第一光敏樹脂層591。之后，通過特定掩模M將UV射線選擇性地照射到第一光敏樹脂層591。之后，當(dāng)通過掩模M曝光的第一光敏樹脂層591被顯影時，如圖1OD中所示，由光敏樹脂制成的第一光敏樹脂圖案590a僅保留在將要形成第一發(fā)光層的位置處。這里，考慮掩模M的對準(zhǔn)誤差和其它處理誤差，第一光敏樹脂圖案590a可以被圖案化以具有至少與下面的像素電極520的寬度相同的寬度。之后，如圖1OE中所示，當(dāng)通過使用第一光敏樹脂圖案590a作為掩模選擇性地蝕刻在第一光敏樹脂圖案590a下面形成的第一導(dǎo)電膜的部分區(qū)域時，由第一導(dǎo)電膜形成的第一公共電極580a形成在將要形成第一發(fā)光層的位置處。這里，蝕刻可以包括濕法蝕刻和干法蝕刻。之后，如圖1OF中所示，通過灰化、剝離等等移除第一光敏樹脂圖案的剩余部分，并且這里，在通過使用第一公共電極580a作為掩模選擇性地移除在其下面暴露的用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜以及用于第一電子傳輸層的薄膜的部分區(qū)域時，形成了分別由用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜以及用于第一電子傳輸層的薄膜形成的第一空穴注入層530a、第一空穴傳輸層540a、第一發(fā)光層550a以及第一電子傳輸層560a (第一光處理)。以該方式，由于第一公共電極580a作為阻擋層位于有機(jī)化合物層的上部分上(即，位于第一電子傳輸層560a上)，因此，能夠在光處理期間防止有機(jī)化合物層(具體地，第一電子傳輸層560a)的劣化,從而防止了裝置的劣化。這里，第一發(fā)光層550a可以是紅光發(fā)光層,但是本發(fā)明不限于此，并且第一發(fā)光層550a可以是綠光或藍(lán)光發(fā)光層。接下來，如圖1OG中所示，通過與上述第一光處理基本上相同的第二光處理，在基板510上形成分別由用于第二空穴注入層的薄膜、用于第二空穴傳輸層的薄膜、第二有機(jī)膜、用于第二電子傳輸層的薄膜以及第二導(dǎo)電膜形成的第二空穴注入層530b、第二空穴傳輸層540b、第二發(fā)光層550b、第二電子傳輸層560b和第二公共電極580b。
這里，第二導(dǎo)電膜可以由包括鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等等的反射導(dǎo)電材料或者諸如ITO、IZO等等的透明導(dǎo)電材料制成。這里，例如，第二發(fā)光層550b可以是綠光發(fā)光層。然而，本發(fā)明不限于此，并且當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層550a是紅光發(fā)光層時,第二發(fā)光層550b可以是藍(lán)光發(fā)光層而不是綠光發(fā)光層。之后，如圖1OH中所示，通過與上述第一和第二光處理基本上相同的第三光處理，在基板510上形成分別由用于第三空穴注入層的薄膜、用于第三空穴傳輸層的薄膜、第三有機(jī)膜、用于第三電子傳輸層的薄膜以及第三導(dǎo)電膜形成的第三空穴注入層530c、第三空穴傳輸層540c、第三發(fā)光層550c、第三電子傳輸層560c和第三公共電極580c。這里，第三導(dǎo)電膜可以由包括鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等等的反射導(dǎo)電材料或者諸如ITO、IZO等等的透明導(dǎo)電材料制成。這里,例如，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層550a是紅光發(fā)光層并且第二發(fā)光層550b是綠光發(fā)光層 時，第三發(fā)光層550c可以是藍(lán)光發(fā)光層。而且，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層550a是紅光發(fā)光層并且第二發(fā)光層550b是藍(lán)光發(fā)光層時,第三發(fā)光層550c可以是綠光發(fā)光層。然而,本發(fā)明不限于此，并且第一發(fā)光層550a、第二發(fā)光層550b和第三發(fā)光層550c可以被構(gòu)造為任意順序的紅光、綠光和藍(lán)光發(fā)光層。在如上所述構(gòu)造的OLED顯示裝置中，連接到選通線的第一柵電極以及連接到數(shù)據(jù)線的第一源電極和第一漏電極可以與第一有源層一起構(gòu)成第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)。而且，連接到第一漏電極的第二柵電極、連接到驅(qū)動電壓線的第二源電極以及連接到像素電極520的第二漏電極可以與第二有源層一起構(gòu)成驅(qū)動TFT。而且，像素電極520、發(fā)光層550a、550b和550c以及公共電極580a、580b和580c可以構(gòu)成0LED，并且相互交疊的存儲電極和驅(qū)動電壓線可以構(gòu)成存儲電容器。這里，在根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，有機(jī)化合物層和公共電極被在相鄰的像素之間以特定間隔進(jìn)行圖案化，但是本發(fā)明不限于此。圖1lA至圖1lH是示出根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方式的OLED顯示裝置的制造方法的順序截面圖，在該實(shí)施方式中，采用用于一些像素的OLED 二極管的制造方法作為示例。在該情況下，除了有機(jī)化合物層和公共電極被圖案化為在相鄰的像素之間彼此接觸之外，根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方式的OLED顯示裝置具有與本發(fā)明的第五實(shí)施方式相同的構(gòu)造。雖然未示出，但是在根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，可以在由諸如透明玻璃、塑料等等的絕緣材料制成的基板610上形成包括第一柵電極的選通線以及包括第二柵電極的存儲電極。由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiO2)等等制成的柵極絕緣層可以形成在包括第一柵電極的選通線和包括第二柵電極的存儲電極上。由半導(dǎo)體制成的第一有源層和第二有源層可以形成在柵極絕緣層上。第一有源層和第二有源層可以分別位于第一柵電極和第二柵電極上。數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電壓線、第一源/漏電極和第二源/漏電極可以形成在第一有源層和第二有源層的上部分上。預(yù)定的鈍化層可以形成在其上已經(jīng)形成有數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電壓線、第一源/漏電極和第二源/漏電極的基板610上。
如圖1lA中所示，像素電極620和連接電極(未示出)可以形成在其上形成有鈍化膜的基板610上。像素電極620和連接電極可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料或者諸如鋁、銀或其合金的反射導(dǎo)電材料制成。作為陽極的像素電極620可以通過第二接觸孔電連接到第二漏電極，并且連接電極可以通過第一接觸孔和第三接觸孔電連接到第一漏電極和第二柵電極?？梢栽谄渖闲纬捎邢袼仉姌O620的基板610上形成分隔物(未示出)。這里，該分隔物可以像岸那樣包圍像素電極620的邊緣，以限定開口，并且可以由有機(jī)絕緣材料或者無機(jī)絕緣材料制成。有機(jī)化合物層可以形成在基板610上。這里，有機(jī)化合物層可以具有多層結(jié)構(gòu)，除了發(fā)光層以外，該多層結(jié)構(gòu)還包括用于 增強(qiáng)發(fā)射光的發(fā)光層的發(fā)光效率的輔助層。輔助層可以包括用于平衡電子和空穴的電子傳輸層和空穴傳輸層以及用于增強(qiáng)電子和空穴的注入的電子注入層和空穴注入層。S卩，如圖1lB中所示，在其上形成有像素電極620的基板610上順序地沉積用于第一空穴注入層的薄膜631、用于第一空穴傳輸層的薄膜641、第一有機(jī)膜651、用于第一電子傳輸層的薄膜661以及第一導(dǎo)電膜681。這里，用于第一電子傳輸層的薄膜661可以包括用于第一電子注入層的薄膜，并且第一導(dǎo)電膜681可以由包括鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等等的反射導(dǎo)電材料或者諸如ITO、IZO等等的透明導(dǎo)電材料制成。之后，如圖1lC中所示，在其上已經(jīng)沉積有用于第一空穴注入層的薄膜631、用于第一空穴傳輸層的薄膜641、第一有機(jī)膜651、用于第一電子傳輸層的薄膜661以及第一導(dǎo)電膜681的基板610的整個表面上涂覆光敏樹脂，以形成第一光敏樹脂層691。之后，通過特定掩模M將UV射線選擇性地照射到第一光敏樹脂層691。之后，當(dāng)通過掩模M曝光的第一光敏樹脂層691被顯影時，如圖1lD中所示，由光敏樹脂制成的第一光敏樹脂圖案690a僅保留在將要形成第一發(fā)光層的位置處。這里，第一光敏樹脂圖案690可以被圖案化使得有機(jī)化合物層和公共電極被圖案化為在相鄰的像素之間彼此接觸。之后，如圖1lE中所示，當(dāng)通過使用第一光敏樹脂圖案690a作為掩模選擇性地蝕刻在第一光敏樹脂圖案690a下面形成的第一導(dǎo)電膜的部分區(qū)域時，由第一導(dǎo)電膜形成的第一公共電極680a形成在將要形成第一發(fā)光層的位置處。這里，蝕刻可以包括濕法蝕刻和干法蝕刻。之后，如圖1lF中所示，通過灰化、剝離等等移除第一光敏樹脂圖案的剩余部分，并且這里，在通過使用第一公共電極680a作為掩模選擇性地移除在其下面暴露的用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜以及用于第一電子傳輸層的薄膜的部分區(qū)域時，形成了分別由用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜以及用于第一電子傳輸層的薄膜形成的第一空穴注入層630a、第一空穴傳輸層640a、第一發(fā)光層650a以及第一電子傳輸層660a (第一光處理)。以該方式，由于第一公共電極680a作為阻擋層位于有機(jī)化合物層的上部分上(即，位于第一電子傳輸層660a上)，因此，能夠在光處理期間防止有機(jī)化合物層(特別地，第一電子傳輸層660a)的劣化,從而防止了裝置的劣化。
這里，第一發(fā)光層650a可以是紅光發(fā)光層,但是本發(fā)明不限于此，并且第一發(fā)光層650a可以是綠光或藍(lán)光發(fā)光層。接下來，如圖1lG中所示，通過與上述第一光處理基本上相同的第二光處理，在基板610上形成分別由用于第二空穴注入層的薄膜、用于第二空穴傳輸層的薄膜、第二有機(jī)膜、用于第二電子傳輸層的薄膜以及第二導(dǎo)電膜形成的第二空穴注入層630b、第二空穴傳輸層640b、第二發(fā)光層650b、第二電子傳輸層660b和第二公共電極680b。這里，第二導(dǎo)電膜可以由包括鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等等的反射導(dǎo)電材料或者諸如ITO、IZO等 等的透明導(dǎo)電材料制成。這里，例如，第二發(fā)光層650b可以是綠光發(fā)光層。然而，本發(fā)明不限于此，并且當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層650a是紅光發(fā)光層時,第二發(fā)光層650b可以是藍(lán)光發(fā)光層而不是綠光發(fā)光層。
之后，如圖1IH中所示，通過與上述第一和第二光處理基本上相同的第三光處理，在基板610上形成分別由用于第三空穴注入層的薄膜、用于第三空穴傳輸層的薄膜、第三有機(jī)膜、用于第三電子傳輸層的薄膜以及第三導(dǎo)電膜形成的第三空穴注入層630c、第三空穴傳輸層640c、第三發(fā)光層650c、第三電子傳輸層660c和第三公共電極680c。這里，第三導(dǎo)電膜可以由包括鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等等的反射導(dǎo)電材料或者諸如ITO、IZO等等的透明導(dǎo)電材料制成。這里,例如，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層650a是紅光發(fā)光層并且第二發(fā)光層650b是綠光發(fā)光層時，第三發(fā)光層650c可以是藍(lán)光發(fā)光層。而且，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層650a是紅光發(fā)光層并且第二發(fā)光層650b是藍(lán)光發(fā)光層時,第三發(fā)光層650c可以是綠光發(fā)光層。然而,本發(fā)明不限于此，并且第一發(fā)光層650a、第二發(fā)光層650b和第三發(fā)光層650c可以被構(gòu)造為任意順序的紅光、綠光和藍(lán)光發(fā)光層。在如上所述構(gòu)造的OLED顯示裝置中，連接到選通線的第一柵電極以及連接到數(shù)據(jù)線的第一源電極和第一漏電極可以與第一有源層一起構(gòu)成第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)。而且，連接到第一漏電極的第二柵電極、連接到驅(qū)動電壓線的第二源電極以及連接到像素電極620的第二漏電極可以與第二有源層一起構(gòu)成驅(qū)動TFT。而且，像素電極620、發(fā)光層650a、650b和650c以及公共電極680a、680b和680c可以構(gòu)成0LED，并且相互交疊的存儲電極和驅(qū)動電壓線可以構(gòu)成存儲電容器。由于在不偏離其特性的情況下可以以若干形式實(shí)施本發(fā)明，因此還將理解的是，上述實(shí)施方式不受到前述描述的任何細(xì)節(jié)的限制，而是應(yīng)該在如所附權(quán)利要求中定義的范圍內(nèi)廣泛地理解，并且因此，落入權(quán)利要求或其等價物內(nèi)的所有改變和修改都意在包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法，所述制造方法包括在基板上形成第一電極；通過第一光處理在所述基板上形成由第一有機(jī)膜形成的第一發(fā)光層；通過第二光處理在所述基板上形成由第二有機(jī)膜形成的第二發(fā)光層；在所述第一光處理和所述第二光處理過程中使用之后剩余的第一光敏樹脂圖案和第二光敏樹脂圖案上沉積第三有機(jī)膜；通過剝離處理將沉積在所述第一光敏樹脂圖案和所述第二光敏樹脂圖案的上部分上的所述第三有機(jī)膜連同所述第一光敏樹脂圖案和所述第二光敏樹脂圖案一起移除，以形成第三發(fā)光層；以及在所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā)光層上形成第二電極。
2.一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法，所述制造方法包括(a)在基板上形成第一電極；(b)將光敏樹脂施加到所述基板的整個表面以形成第一光敏樹脂層；(C)對所述第一光敏樹脂層進(jìn)行選擇性的曝光和顯影以在除了將要形成第一發(fā)光層的位置之外的其它位置處形成由所述光敏樹脂制成的第一光敏樹脂圖案；(d)在保留所述第一光敏樹脂圖案的狀態(tài)下在所述第一光敏樹脂圖案上沉積第一有機(jī)膜；(e)通過剝離處理將沉積在所述第一光敏樹脂圖案的上部分上的所述第一有機(jī)膜連同所述第一光敏樹脂圖案一起移除以在所述基板上形成由所述第一有機(jī)膜形成的第一發(fā)光層；(f)通過與(b)至(e )相同的處理在所述基板上形成由第二有機(jī)膜形成的第二發(fā)光層；(g)在其上形成有所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層的所述基板的整個表面上沉積第三有機(jī)膜；以及(h)在所述基板上形成第二電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第三發(fā)光層形成在所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第三發(fā)光層形成在所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層的上部分上并且形成在所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1和權(quán)利要求2中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，在空穴注入層和空穴傳輸層形成在其上形成有所述第一電極的所述基板上之后，在所述空穴注入層和所述空穴傳輸層上形成所述第一發(fā)光層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第一發(fā)光層形成為紅、綠和藍(lán)光發(fā)光層中的任一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第二發(fā)光層形成為所述紅、綠和藍(lán)光發(fā)光層中的另一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第三發(fā)光層形成為所述紅、綠和藍(lán)光發(fā)光層中的剩余一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，在電子傳輸層和電子注入層形成在其上形成有所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā)光層的所述基板上之后，在所述電子傳輸層和所述電子注入層上形成所述第二電極。
10.一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法，所述制造方法包括在基板上形成第一電極；通過第一光處理在所述基板上以層疊的方式形成第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、 第一發(fā)光層、第一電子傳輸層以及第一緩沖層；通過第一光處理在所述基板上以層疊的方式形成第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、 第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二緩沖層；通過第一光處理在所述基板上以層疊的方式形成第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、 第三發(fā)光層、第三電子傳輸層和第三緩沖層；以及在所述第一緩沖層、所述第二緩沖層和所述第三緩沖層上形成第二電極，其中，所述第一緩沖層、所述第二緩沖層和所述第三緩沖層由金屬氧化物制成。
11.一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法，所述制造方法包括(a)在基板上形成第一電極；(b)將光敏樹脂施加到所述基板的整個表面以形成第一光敏樹脂層；(C)對所述第一光敏樹脂層進(jìn)行選擇性的曝光和顯影以在除了將要形成第一發(fā)光層的位置之外的其它位置處形成由所述光敏樹脂制成的第一光敏樹脂圖案；(d)在保留所述第一光敏樹脂圖案的狀態(tài)下沉積用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜、用于第一電子傳輸層的薄膜以及用于第一緩沖層的薄膜；(e)通過剝離處理將沉積在所述第一光敏樹脂圖案的上部分上的所述用于第一空穴注入層的薄膜、所述用于第一空穴傳輸層的薄膜、所述第一有機(jī)膜、所述用于第一電子傳輸層的薄膜以及所述用于第一緩沖層的薄膜連同所述第一光敏樹脂圖案一起移除，以在所述基板上形成分別由所述用于第一空穴注入層的薄膜、所述用于第一空穴傳輸層的薄膜、所述第一有機(jī)膜、所述用于第一電子傳輸層的薄膜以及所述用于第一緩沖層的薄膜形成的第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一緩沖層；(f)通過與(b)至(e)相同的處理形成第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、 第二電子傳輸層和第二緩沖層；(g)通過與(b)至(e)相同的處理形成第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、第三發(fā)光層、 第三電子傳輸層和第三緩沖層；以及(h)在所述第一緩沖層、所述第二緩沖層和所述第三緩沖層上形成第二電極，其中，所述第一緩沖層、所述第二緩沖層和所述第三緩沖層由金屬氧化物制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述第一空穴注入層、所述第一空穴傳輸層、所述第一發(fā)光層、所述第一電子傳輸層以及所述第一緩沖層的步驟包括在所述基板上沉積用于第一空穴注入層的薄膜、用于第一空穴傳輸層的薄膜、第一有機(jī)膜、用于第一電子傳輸層的薄膜以及用于第一緩沖層的薄膜；將光敏樹脂施加到其上沉積有所述用于第一空穴注入層的薄膜、所述用于第一空穴傳輸層的薄膜、所述第一有機(jī)膜、所述用于第一電子傳輸層的薄膜以及所述用于第一緩沖層的薄膜的所述基板的整個表面，以形成第一光敏樹脂層；對所述第一光敏樹脂層進(jìn)行曝光和顯影以在將要形成第一發(fā)光層的位置處形成由所述光敏樹脂制成的第一光敏樹脂圖案；以及通過使用所述第一光敏樹脂圖案作為掩模選擇性地蝕刻所述用于第一空穴注入層的薄膜、所述用于第一空穴傳輸層的薄膜、所述第一有機(jī)膜、所述用于第一電子傳輸層的薄膜以及所述用于第一緩沖層的薄膜，以在所述基板上形成分別由所述用于第一空穴注入層的薄膜、所述用于第一空穴傳輸層的薄膜、所述第一有機(jī)膜、所述用于第一電子傳輸層的薄膜以及所述用于第一緩沖層的薄膜形成的所述第一空穴注入層、所述第一空穴傳輸層、所述第一發(fā)光層、所述第一電子傳輸層以及所述第一緩沖層。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述第二空穴注入層、所述第二空穴傳輸層、所述第二發(fā)光層、所述第二電子傳輸層和所述第二緩沖層的步驟包括在所述基板上沉積用于第二空穴注入層的薄膜、用于第二空穴傳輸層的薄膜、第二有機(jī)膜、用于第二電子傳輸層的薄膜以及用于第二緩沖層的薄膜；將光敏樹脂施加到其上沉積有所述用于第二空穴注入層的薄膜、所述用于第二空穴傳輸層的薄膜、所述第二有機(jī)膜、所述用于第二電子傳輸層的薄膜以及所述用于第二緩沖層的薄膜的所述基板的整個表面，以形成第二光敏樹脂層；對所述第二光敏樹脂層進(jìn)行曝光和顯影以在將要形成第二發(fā)光層的位置處形成由所述光敏樹脂制成的第二光敏樹脂圖案；通過使用所述第二光敏樹脂圖案作為掩模選擇性地蝕刻所述用于第二空穴注入層的薄膜、所述用于第二空穴傳輸層的薄膜、所述第二有機(jī)膜、所述用于第二電子傳輸層的薄膜以及所述用于第二緩沖層的薄膜，以在所述基板上形成分別由所述用于第二空穴注入層的薄膜、所述用于第二空穴傳輸層的薄膜、所述第二有機(jī)膜、所述用于第二電子傳輸層的薄膜以及所述用于第二緩沖層的薄膜形成的所述第二空穴注入層、所述第二空穴傳輸層、所述第二發(fā)光層、所述第二電子傳輸層和所述第二緩沖層。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述第三空穴注入層、所述第三空穴傳輸層、所述第三發(fā)光層、所述第三電子傳輸層和所述第三緩沖層的步驟包括在所述基板上沉積用于第三空穴注入層的薄膜、用于第三空穴傳輸層的薄膜、第三有機(jī)膜、用于第三電子傳輸層的薄膜以及用于第三緩沖層的薄膜；將光敏樹脂施加到其上沉積有所述用于第三空穴注入層的薄膜、所述用于第三空穴傳輸層的薄膜、所述第三有機(jī)膜、所述用于第三電子傳輸層的薄膜以及所述用于第三緩沖層的薄膜的所述基板的整個表面，以形成第三光敏樹脂層；對所述第三光敏樹脂層進(jìn)行曝光和顯影以在將要形成第三發(fā)光層的位置處形成由所述光敏樹脂制成的第三光敏樹脂圖案；通過使用所述第三光敏樹脂圖案作為掩模選擇性地蝕刻所述用于第三空穴注入層的薄膜、所述用于第三空穴傳輸層的薄膜、所述第三有機(jī)膜、所述用于第三電子傳輸層的薄膜以及所述用于第三緩沖層的薄膜，以在所述基板上形成分別由所述用于第三空穴注入層的薄膜、所述用于第三空穴傳輸層的薄膜、所述第三有機(jī)膜、所述用于第三電子傳輸層的薄膜以及所述用于第三緩沖層的薄膜形成的所述第三空穴注入層、所述第三空穴傳輸層、所述第三發(fā)光層、所述第三電子傳輸層和所述第三緩沖層。
15.根據(jù)權(quán)利要求10和權(quán)利要求11中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述第一緩沖層、所述第二緩沖層和所述第三緩沖層由1-2族與12-16族金屬氧化物或者3-12族過渡金屬氧化物制成。
16.一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的制造方法，所述制造方法包括(a)在基板上形成第四電極；(b)在其上形成有所述第四電極的所述基板上形成第一有機(jī)膜和第一導(dǎo)電膜；(c)將光敏樹脂施加到其上形成有所述第一導(dǎo)電膜的所述基板的整個表面以形成第一光敏樹脂層；(d)對所述第一光敏樹脂層進(jìn)行選擇性的曝光和顯影以在將要形成第一發(fā)光層的位置處形成由所述光敏樹脂制成的第一光敏樹脂圖案；(e)通過使用所述第一光敏樹脂圖案作為掩模選擇性地移除所述第一導(dǎo)電膜以形成第一電極;(f)移除所述第一光敏樹脂圖案并且同時通過使用所述第一電極作為掩模選擇性地移除下面暴露的所述第一有機(jī)膜以形成由所述第一有機(jī)膜形成的第一發(fā)光層；(g)通過與(b)至(f)相同的處理在所述基板上形成第二發(fā)光層和第二電極；以及(h)通過與(b)至(f)相同的處理在所述基板上形成第三發(fā)光層和第三電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在用于第一空穴注入層的薄膜和用于第一空穴傳輸層的薄膜形成在其上形成有所述第四電極的所述基板上之后，形成所述第一有機(jī)膜，并且在形成用于第一電子傳輸層的薄膜之后，形成所述第一導(dǎo)電膜。
18.一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置，所述OLED顯示裝置包括形成在基板上的第一電極；形成在其上形成有所述第一電極的所述基板上的空穴注入層和空穴傳輸層；第一發(fā)光層，所述第一發(fā)光層由第一有機(jī)膜形成并且形成在其上形成有所述空穴注入層和所述空穴傳輸層的所述基板上；第二發(fā)光層，所述第二發(fā)光層由第二有機(jī)膜形成并且形成在其上形成有所述第一發(fā)光層的所述基板上；第三發(fā)光層，所述第三發(fā)光層是通過在其上形成有所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層的所述基板的整個表面上沉積第三有機(jī)膜而形成的；以及電子注入層和第二電極，所述電子注入層和所述第二電極形成在所述第三發(fā)光層上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的OLED顯示裝置，其中，所述第三發(fā)光層形成在所述第一發(fā)光層以及所述第二發(fā)光層的上部分上并且形成在所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層之間。
20.一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置，所述OLED顯示裝置包括形成在基板上的第一電極；層疊在所述基板上的第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一緩沖層；層疊在所述基板上的第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二緩沖層；層疊在所述基板上的第三空穴注入層、第三空穴傳輸層、第三發(fā)光層、第三電子傳輸層和第三緩沖層；以及形成在所述第一緩沖層、所述第二緩沖層和所述第三緩沖層上的第二電極，其中，所述第一緩沖層、所述第二緩沖層和所述第三緩沖層由金屬氧化物制成。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的OLED顯示裝置，其中，所述第一緩沖層、所述第二緩沖層和所述第三緩沖層由1-2族與12-16族金屬氧化物或者3-12族過渡金屬氧化物制成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法。在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置及其制造方法中，通過光刻處理對OLED像素進(jìn)行圖案化，因此能夠執(zhí)行大面積圖案化并且能夠獲得精細(xì)間距，并且能夠通過在有機(jī)化合物層的上部分上形成金屬氧化物的緩沖層或者通過使用陰極作為掩模來對有機(jī)化合物層進(jìn)行圖案化來保護(hù)有機(jī)化合物層，從而改進(jìn)了裝置效率。另外，在紅、綠和藍(lán)像素中，通過剝離處理對兩種像素進(jìn)行圖案化，并且剩余的一種像素被沉積以在沒有圖案化的情況下形成，從而能夠簡化工藝并且能夠增加效率。
文檔編號H01L51/56GK103022381SQ20121035712
公開日2013年4月3日 申請日期2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月22日
發(fā)明者金英美, 尹鐘根, 許峻瑛, 樸漢善, 都義斗, 李妍景, 金大炫, 沈鐘植 申請人:樂金顯示有限公司