專(zhuān)利名稱(chēng)：微波處理裝置和被處理體的處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將微波導(dǎo)入處理容器進(jìn)行規(guī)定的處理的微波處理裝置和使用微波處理裝置的被處理體的處理方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體設(shè)備的制造過(guò)程中，對(duì)于作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片實(shí)施成膜處理、蝕刻處理、氧化擴(kuò)散處理、改性處理、退火處理等各種的熱處理。這樣的熱處理，通常使用具備加熱用的燈或加熱器的基板處理裝置，通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加熱而進(jìn)行處理。但是，近年來(lái)，作為對(duì)半導(dǎo)體晶片實(shí)施熱處理的裝置，公知使用微波代替燈或加熱 器的裝置。例如，在專(zhuān)利文獻(xiàn)I中記載有，使用微波能量，進(jìn)行硬化、退火(anneal)、膜形成的熱處理系統(tǒng)。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載有，對(duì)表面形成有成膜材料層的半導(dǎo)體晶片照射電磁波(微波)，由此加熱成膜材料形成薄膜的熱處理裝置。在這樣的微波處理裝置中，尤其，可以說(shuō)能夠抑制雜質(zhì)的擴(kuò)散并且形成淺的活性層，修復(fù)柵格缺陷。在專(zhuān)利文獻(xiàn)I記載的微波處理裝置中，作為生成微波的微波源，設(shè)置有多個(gè)磁控管。此外，雖不是在專(zhuān)利文獻(xiàn)I和專(zhuān)利文獻(xiàn)2記載的微波處理裝置，在專(zhuān)利文獻(xiàn)3中記載有，具備多個(gè)磁控管高頻振蕩部的微波等離子體放電處理裝置?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特表2009-516375號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)2010-129790號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)2005-259633號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，導(dǎo)入到處理容器的微波在處理容器內(nèi)形成駐波。在用于對(duì)被處理體進(jìn)行處理的狀態(tài)繼續(xù)的期間，當(dāng)該駐波的波腹和波節(jié)的位置被固定時(shí)，產(chǎn)生加熱不均等，可能不能對(duì)被處理體進(jìn)行均勻的處理。本發(fā)明鑒于上述的問(wèn)題而完成，其目的在于提供能夠?qū)Ρ惶幚眢w進(jìn)行均勻的處理的微波處理裝置和使用微波處理裝置的被處理體的處理方法。本發(fā)明的微波處理裝置具備收容被處理體的處理容器；生成用于處理所述被處理體的微波并導(dǎo)入所述處理容器中的微波導(dǎo)入裝置；和控制所述微波導(dǎo)入裝置的控制部。本發(fā)明的被處理體的處理方法是使用微波處理裝置對(duì)被處理體進(jìn)行處理的方法，上述微波處理裝置具備收容被處理體的處理容器；和生成用于處理被處理體的微波并導(dǎo)入處理容器中的微波導(dǎo)入裝置。在本發(fā)明的微波處理裝置和被處理體的處理方法中，微波導(dǎo)入裝置具有生成微波的多個(gè)微波源，能夠?qū)⒍鄠€(gè)微波同時(shí)導(dǎo)入所述處理容器中。本發(fā)明的控制部控制多個(gè)微波源，使得在用于處理所述被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，在將多個(gè)微波源的各個(gè)任意地組合而成的多個(gè)組合的每一個(gè)中，并且，在各個(gè)組合內(nèi)同步地將生成微波的狀態(tài)與不生成微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次。本發(fā)明的被處理體的處理方法，控制多個(gè)微波源，使得在用于處理被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，在將多個(gè)微波源的各個(gè)任意地組合而成的多個(gè)組合的每一個(gè)中，并且，在各個(gè)組合內(nèi)同步地將生成所述微波的狀態(tài)與不生成所述微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次。在本發(fā)明的微波處理裝置中，控制部在用于處理被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，將包含在多個(gè)組合的各個(gè)組合中的微波源的一部分進(jìn)行替換。同樣地，本發(fā)明的被處理體的處理方法，在用于處理被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，將包含在多個(gè)組合的各個(gè)組合中的微波源的一部分進(jìn)行替換。另外，在本發(fā)明的微波處理裝置和被處理體的處理方法中，在將包含在多個(gè)組合的各個(gè)組合中的微波源的一部分替換的情況下，微波導(dǎo)入裝置，作為多個(gè)微波源具有第一微波源至第四微波源。在該情況下，本發(fā)明的控制部，在用于處理被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，使包含第一微波源至第四微波源中的2個(gè)微波源的第一組合中所包含的2個(gè)微波源中的一個(gè)，與包含第一微波源至第四微波源中的其它2個(gè)微波源的第二組合中所包含的2個(gè)微波源中的一個(gè)替換。同樣地，本發(fā)明的被處理體的處理方法，在用于處理被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，使包含第一微波源至第四微波源中的2個(gè)微波源的第一組合中所包含的2個(gè)微波源中的一個(gè)，與包含第一微波源至第四微波源中的其它2個(gè)微波源的第二組合中所包含的2個(gè)微波源中的一個(gè)替換。另外，在本發(fā)明的微波處理裝置和被處理體的處理方法中，多個(gè)微波源包括第一微波源至第四微波源的情況下，第一組合包括第一微波源與第三微波源和第四微波源中的一個(gè)，第二組合包括第二微波源與第三微波源和第四微波源中的另一個(gè)。在該情況下，本發(fā)明的控制部，在用于處理被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，使包含于第一組合中的第三微波源和第四微波源中的一個(gè)、與包含在第二組合中的第三微波源和第四微波源中的另一個(gè)替換。同樣地，本發(fā)明的被處理體的處理方法，在用于處理被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，使包含于第一組合中的第三微波源和第四微波源中的一個(gè)、與包含在第二組合中的第三微波源 和第四微波源中的另一個(gè)替換。另外，在本發(fā)明的微波處理裝置和被處理體的處理方法中，多個(gè)微波源包括第一微波源至第四微波源的情況下，處理容器具有將在第一微波源至第四微波源的各個(gè)微波源中生成的微波導(dǎo)入處理容器的第一微波導(dǎo)入端口至第四微波導(dǎo)入端口，第一微波導(dǎo)入端口至第四微波導(dǎo)入端口設(shè)置在處理容器的上部，并且在處理容器的上部沿周向等間隔地配置，第一組合和第二組合分別是，將生成通過(guò)第一微波導(dǎo)入端口至第四微波導(dǎo)入端口中的在周向相鄰的2個(gè)端口導(dǎo)入的2個(gè)微波的2個(gè)微波源組合而成的組合。另外，在本發(fā)明的微波處理裝置和被處理體的處理方法中，替換在多個(gè)組合的各個(gè)組合中包含的微波源的一部分的周期為，每一次生成微波的狀態(tài)的時(shí)間的150倍至500倍的范圍內(nèi)。另外，在本發(fā)明的微波處理裝置和被處理體的處理方法中，微波是用于照射被處理體對(duì)被處理體進(jìn)行處理的波。
發(fā)明效果本發(fā)明的微波處理裝置和被處理體的處理方法中，如上所述，在用于處理被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，在多個(gè)組合的每一個(gè)中，并且，在各個(gè)組合內(nèi)同步地，將生成微波的狀態(tài)與不生成微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次，由此，能夠使在處理容器內(nèi)生成的駐波的狀態(tài)變化。由此，依據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)Ρ惶幚眢w進(jìn)行均勻的處理。


圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的微波處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的微波導(dǎo)入裝置的高壓電源部的概略結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。圖3是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的微波導(dǎo)入裝置的高壓電源部的電路結(jié)構(gòu)的一例的電路圖。 圖4是表示圖1所示的處理容器的頂棚部的上面的平面圖。圖5是表示圖1所示的控制部的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。圖6是說(shuō)明多個(gè)磁控管的組合的說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式微波處理裝置以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。首先，參照?qǐng)D1說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的微波處理裝置的概略結(jié)構(gòu)。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的微波處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。本實(shí)施方式的微波處理裝置I是，伴隨連續(xù)的多個(gè)動(dòng)作，例如對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備制造用的半導(dǎo)體晶片(以下簡(jiǎn)單記作“晶片”)W照射微波，實(shí)施成膜處理、改性處理、退火處理等的規(guī)定的處理的裝置。微波處理裝置I具備收容作為被處理體的晶片W的處理容器2 ;對(duì)處理容器2內(nèi)導(dǎo)入微波的微波導(dǎo)入裝置3 ;在處理容器2內(nèi)支承晶片W的支承裝置4 ;對(duì)處理容器2內(nèi)供給氣體的氣體供給裝置5 ;將處理容器2內(nèi)減壓排氣的排氣裝置6 ;控制這些微波處理裝置I的各構(gòu)成部的控制部8。此外，作為對(duì)處理容器2內(nèi)供給氣體的單元，可以代替氣體供給裝置5，使用不包括微波處理裝置I的結(jié)構(gòu)中的外部的氣體供給裝置。<處理容器>處理容器2形成為例如大致圓筒形狀。處理容器2利用金屬材料形成。作為形成處理容器2的材料，例如能夠使用鋁、鋁合金、不銹鋼等。此外，處理容器2并不限定于圓筒形形狀，例如也可以形成為方矩形管形狀。微波導(dǎo)入裝置3設(shè)置在處理容器2的上部，作為向處理容器2內(nèi)導(dǎo)入電磁波(微波)的微波導(dǎo)入單元發(fā)揮功能。關(guān)于微波導(dǎo)入裝置3的結(jié)構(gòu)，在后文中詳細(xì)說(shuō)明。處理容器2具有板狀的頂棚部11和底部13 ;連結(jié)頂棚部11和底部13的側(cè)壁部12 ;以上下貫通頂棚部11的方式設(shè)置的多個(gè)微波導(dǎo)入端口 Ila ;設(shè)置在側(cè)壁部12的搬入搬出口 12a ;設(shè)置在底部13的排氣口 13a。搬入搬出口 12a用于在與處理容器2相鄰的未圖示的搬送室之間進(jìn)行晶片W的搬入搬出。在處理容器2與未圖示的搬送室之間設(shè)置有閘閥G0閘閥G具有開(kāi)閉搬入搬出口 12a的功能，在關(guān)閉狀態(tài)將處理容器2氣密地密封，而在打開(kāi)狀態(tài)，能夠在處理容器2與未圖示的搬送室之間進(jìn)行晶片W的運(yùn)送。〈支承裝置〉支承裝置4具有設(shè)置在處理容器2內(nèi)的板狀的且中空的升降板15 ;從升降板15的上表面向上方延伸的管狀的多個(gè)支承銷(xiāo)14 ;從升降板15的下表面貫通底部13延伸到處理容器2的外部的管狀的軸(shaft) 16。軸16被固定于在處理容器2的外部未圖示的致動(dòng)器。多個(gè)支承銷(xiāo)14用于在處理容器2內(nèi)與晶片W抵接來(lái)支承晶片W。多個(gè)支承銷(xiāo)14以其上端部在晶片W的周向上排列的方式配置。另外，多個(gè)支承銷(xiāo)14、升降板15和軸16，以通過(guò)未圖示的致動(dòng)器能夠使晶片W上下變位的方式構(gòu)成。 另外，多個(gè)支承銷(xiāo)14、升降板15和軸16構(gòu)成為能夠通過(guò)排氣裝置6使晶片W吸附于多個(gè)支承銷(xiāo)14。具體而言，多個(gè)支承銷(xiāo)14和軸16分別具有與升降板15的內(nèi)部空間連通的管狀的形狀。另外，在多個(gè)支承銷(xiāo)14的上端部，形成有用于吸引晶片W的背面的吸附孔。多個(gè)支承銷(xiāo)14和升降板15由電介質(zhì)材料形成。作為形成多個(gè)支承銷(xiāo)14和升降板15的材料，例如能夠使用石英、陶瓷等。<排氣機(jī)構(gòu)>微波處理裝置I還具有連接排氣口 13a與排氣裝置6的排氣管17 ;連接軸16與排氣管17的排氣管18 ;設(shè)置在排氣管17的途中的壓力調(diào)整閥19 ;設(shè)置在排氣管18的途中的開(kāi)閉閥20和壓力計(jì)21。排氣管18以與軸16的內(nèi)部空間連通的方式與軸16直接或者間接地連接。壓力調(diào)整閥19設(shè)置在排氣口 13a與排氣管17、18的連接點(diǎn)之間。排氣裝置6具有干泵等的真空泵。通過(guò)使排氣裝置6的真空泵動(dòng)作，能夠?qū)μ幚砣萜?的內(nèi)部空間減壓排氣。這時(shí)，通過(guò)使開(kāi)閉閥20為打開(kāi)狀態(tài)，能夠吸引晶片W的背面，將晶片W吸附固定于多個(gè)支承銷(xiāo)14。<氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)>微波處理裝置I還具備在處理容器2內(nèi)配置于設(shè)置有晶片W的預(yù)定的位置的下方的噴淋頭部22 ;配置在噴淋頭部22與側(cè)壁部12之間的環(huán)狀的整流板23 ;連接噴淋頭22與氣體供給裝置5的配管24 ;和連接于氣體供給裝置5，向處理容器2內(nèi)導(dǎo)入處理氣體的多個(gè)配管25。噴淋頭部22，用于在對(duì)晶片W實(shí)施比較低溫的處理的情況下，通過(guò)冷卻氣體對(duì)晶片W進(jìn)行冷卻。噴淋頭22具有與配管24連通的氣體通路22a ;和與氣體通路22a連通，并向晶片W噴出冷卻氣體的多個(gè)氣體噴出孔22b。在圖1所示的例子中，多個(gè)氣體噴出孔22b形成于噴淋頭部22的上表面?zhèn)?。噴淋頭部22由介電率小的電介質(zhì)材料形成。作為噴淋頭部22的材料，例如能夠使用石英、陶瓷等。此外，噴淋頭部22并不是微波處理裝置I的必須的構(gòu)成要素，也可以不設(shè)置。整流板23具有以上下貫通整流板23的方式設(shè)置的多個(gè)整流孔23a。整流板23用于在對(duì)處理容器2內(nèi)配置有晶片W的預(yù)定的區(qū)域的氣氛進(jìn)行整流的同時(shí)使其向排氣口 13a流動(dòng)。氣體供給裝置5構(gòu)成為，作為處理氣體或者冷卻氣體能夠供給例如N2、Ar、He、Ne、02、H2等的氣體。此外，在微波處理裝置I中進(jìn)行成膜處理的情況下，氣體供給裝置5將成膜原料氣體供給到處理容器2內(nèi)。
雖然未圖示，但微波處理裝置I還具備，在配管24、25的途中設(shè)置的質(zhì)量流量控制器和開(kāi)閉閥。供給到噴淋頭22和處理容器2內(nèi)的氣體的種類(lèi)、這些氣體的流量等由質(zhì)量流量控制器和開(kāi)閉閥控制。<溫度計(jì)測(cè)部>微波處理裝置I還具備，測(cè)定晶片W的表面溫度的多個(gè)放射溫度計(jì)26，和與多個(gè)放射溫度計(jì)26連接的溫度計(jì)測(cè)部27。此外，在圖1中，除測(cè)定晶片W的中央部的表面溫度的放射溫度計(jì)26外，省略了多個(gè)放射溫度計(jì)26的圖示。多個(gè)放射溫度計(jì)26以其上端部靠近晶片W的背面的方式，從底部13向配置晶片W的預(yù)定的位置延伸。<微波攪拌機(jī)構(gòu)> 微波處理裝置I還具備在處理容器2內(nèi)配置有晶片W的預(yù)定的位置的上方配置的、由多個(gè)葉片構(gòu)成的攪拌風(fēng)扇(stirrer fan)91 ;設(shè)置在處理容器2的外部的旋轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)93 ;和貫通頂棚部11將攪拌風(fēng)扇91與旋轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)93連接的旋轉(zhuǎn)軸92。攪拌風(fēng)扇91是用于通過(guò)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)對(duì)導(dǎo)入到處理容器2內(nèi)的微波進(jìn)行反射和攪拌的部件。攪拌風(fēng)扇91的葉片數(shù)例如為4個(gè)。攪拌風(fēng)扇91以不使與攪拌風(fēng)扇91碰撞的微波變換為熱或者被吸收的方式，由介電損耗因子(dielectric dissipation factor) (tan δ )小的介電材料形成。作為形成攪拌風(fēng)扇91的材料，例如能夠使用包含金屬、鋯鈦酸鉛(PZT)等形成的復(fù)合陶瓷、石英、藍(lán)寶石等。此外，攪拌風(fēng)扇91的配置并不限定于圖1所示的例子。例如，攪拌風(fēng)扇91也可以配置于在處理容器2內(nèi)配置有晶片W的預(yù)定的位置的下方。<控制部>微波處理裝置I的各構(gòu)成部分別與控制部8連接，由控制部8控制?？刂撇?典型的是計(jì)算機(jī)。圖5是說(shuō)明圖1所示的控制部8的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。在圖5所示的例子中，控制部8包括具有CPU的處理控制器81 ;與該處理控制器81連接的用戶(hù)接口 82 ;和存儲(chǔ)部83。處理控制器81是在微波處理裝置I中將例如與溫度、壓力、氣體流量、微波輸出等的處理?xiàng)l件相關(guān)的各構(gòu)成部(例如微波導(dǎo)入裝置3、支承裝置4、氣體供給裝置5、排氣裝置6、溫度計(jì)測(cè)部27等)一并進(jìn)行控制的控制單元。用戶(hù)接口 82包括工序管理者為了管理微波處理裝置I進(jìn)行命令的輸入操作等的鍵盤(pán)或觸摸面板；和用于將微波處理裝置I的工作狀況可視化顯示的顯示器等。在存儲(chǔ)部83中保存有用于通過(guò)處理控制器81的控制實(shí)現(xiàn)由微波處理裝置I執(zhí)行的各種處理的控制程序(軟件);記錄有處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)的方案等。處理控制器81根據(jù)來(lái)自用戶(hù)接口 82的指示等的需要，從存儲(chǔ)部83中讀出并執(zhí)行任意的控制程序或方案。由此，在基于處理控制器81的控制下，在微波處理裝置I的處理容器2內(nèi)進(jìn)行所希望的處理。上述的控制程序和方案例如能夠利用保存在⑶-ROM、硬盤(pán)、軟盤(pán)、閃存、DVD、藍(lán)光光盤(pán)等的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中的狀態(tài)的程序或方案。另外，上述的方案也能夠使用從其它的裝置、例如經(jīng)專(zhuān)用線路隨時(shí)傳送的在線使用的方案。<微波導(dǎo)入裝置>接著，參照?qǐng)D1至圖4，詳細(xì)說(shuō)明微波導(dǎo)入裝置3的結(jié)構(gòu)。圖2是表示微波導(dǎo)入裝置3的高壓電源部的概略結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。圖3是表示微波導(dǎo)入裝置3的高壓電源部的電路結(jié)構(gòu)的一例的電路圖。圖4是表示圖1所示的處理容器2的頂棚部11的上表面的平面圖。
如上所述，微波導(dǎo)入裝置3設(shè)置在處理容器2的上部，作為對(duì)處理容器2內(nèi)導(dǎo)入電磁波(微波)的微波導(dǎo)入單元發(fā)揮作用。如圖1所示，微波導(dǎo)入裝置3包括將微波導(dǎo)入處理容器2的多個(gè)微波單元30 ;和與多個(gè)微波單元30連接的高壓電源部40。(微波單元)在本實(shí)施方式中，多個(gè)微波單元30的結(jié)構(gòu)全部相同。各微波單元30包括生成用于處理晶片W的微波的磁控管31 ;將在磁控管31中生成的微波傳送到處理容器2的波導(dǎo)管32 ;和以堵塞微波導(dǎo)入端口 Ila的方式固定在頂棚部11的透過(guò)窗33。磁控管31對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的微波源。
如圖4所示，在本實(shí)施方式中，處理容器2具有在頂棚部11中沿周向等間隔地配置的4個(gè)微波導(dǎo)入端口 11a。另外，在本實(shí)施方式中，微波單元30的數(shù)量為4個(gè)。以下，在將4個(gè)微波單元30的各個(gè)磁控管31相互區(qū)別表示的情況下，記作符號(hào)31A、31B、31C、31D。圖4中的上側(cè)的微波導(dǎo)入端口 Ila例如將由磁控管31A生成的微波導(dǎo)入處理容器2。圖4中的下側(cè)的微波導(dǎo)入端口 Ila例如將由磁控管31B生成的微波導(dǎo)入處理容器2。圖4中的左側(cè)的微波導(dǎo)入端口 Ila例如將由磁控管31C生成的微波導(dǎo)入處理容器2。圖4中的右側(cè)的微波導(dǎo)入端口 Ila例如將由磁控管31D生成的微波導(dǎo)入處理容器2。磁控管31具有通過(guò)高壓電源部40被供給高電壓的陽(yáng)極和陰極。另外，作為磁控管31，能夠使用可以振蕩各種頻率的微波的磁控管。由磁控管31生成的微波按被處理體的每一個(gè)處理選擇最佳的頻率，例如在退火處理中，優(yōu)選2. 45GHz,5. 8GHz等的高頻率的微波，更加優(yōu)選5. 8GHz的微波。波導(dǎo)管32具有截面為矩形且環(huán)狀的方矩形管狀的形狀，從處理容器2的頂棚部11的上表面向上方延伸。磁控管31與波導(dǎo)管32的上端部的附近連接。波導(dǎo)管32的下端部與透過(guò)窗33的上表面連接。在磁控管31中生成的微波經(jīng)由波導(dǎo)管32和透過(guò)窗33被導(dǎo)入處理容器2內(nèi)。透過(guò)窗33由電介質(zhì)材料形成。作為透過(guò)窗33的材料，例如能夠使用石英、陶瓷等。微波單元30還具有設(shè)置在波導(dǎo)管32的途中的循環(huán)器34 ;檢測(cè)器35 ;調(diào)諧器36 ；與循環(huán)器34連接的假負(fù)載(dummy load)37。循環(huán)器34、檢測(cè)器35、調(diào)諧器36從波導(dǎo)管32的上端部側(cè)起依次設(shè)置。循環(huán)器34和假負(fù)載37構(gòu)成將來(lái)自處理容器2的反射波分離的隔離器(isolator)。即，循環(huán)器34將來(lái)自處理容器2的反射波導(dǎo)入到假負(fù)載37，假負(fù)載37將通過(guò)循環(huán)器34導(dǎo)入的反射波變換為熱。檢測(cè)器35用于檢測(cè)波導(dǎo)管32中的來(lái)自處理容器2的反射波。檢測(cè)器35由例如阻抗監(jiān)視器、具體而言是檢測(cè)波導(dǎo)管32中的駐波的電場(chǎng)的駐波檢測(cè)器構(gòu)成。駐波檢測(cè)器例如可以由向波導(dǎo)管32的內(nèi)部空間突出的3個(gè)銷(xiāo)構(gòu)成。通過(guò)駐波檢測(cè)器檢測(cè)出駐波的電場(chǎng)的場(chǎng)所、相位和強(qiáng)度，由此能夠檢測(cè)出來(lái)自處理容器2的反射波。另外，檢測(cè)器35可以由能夠檢測(cè)出行波和反射波的方向性耦合器構(gòu)成。調(diào)諧器36具有對(duì)磁控管31與處理容器2之間的阻抗進(jìn)行匹配的功能。基于調(diào)諧器36的阻抗匹配根據(jù)檢測(cè)器35中的反射波的檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行。調(diào)諧器36例如可以由以能夠放入波導(dǎo)管32的內(nèi)部空間或者從波導(dǎo)管32的內(nèi)部空間取出的方式設(shè)置的導(dǎo)體板構(gòu)成。在該情況下，通過(guò)控制導(dǎo)體板的、向波導(dǎo)管32的內(nèi)部空間的突出量來(lái)調(diào)整反射波的電能，能夠調(diào)整磁控管31與處理容器2之間的阻抗。
(高壓電源部)高壓電源部40對(duì)磁控管31供給用于生成微波的高電壓。如圖2所示，高壓電源部40包括與商用電源連接的AC-DC變換電路41 ;與AC-DC變換電路41連接的開(kāi)關(guān)電路42 ;控制開(kāi)關(guān)電路42的動(dòng)作的開(kāi)關(guān)控制器43 ;與開(kāi)關(guān)電路42連接的升壓變壓器44 ;與升壓變壓器44連接的整流電路45。磁控管31經(jīng)由整流電路45與升壓變壓器44連接。AC-DC變換電路41是對(duì)來(lái)自商用電源的交流(例如，三相200V的交流)進(jìn)行整流，變換為規(guī)定波形的直流的電路。開(kāi)關(guān)電路42是控制通過(guò)AC-DC變換電路41變換的直流的導(dǎo)通、斷開(kāi)的電路。在開(kāi)關(guān)電路42中，通過(guò)開(kāi)關(guān)控制器43進(jìn)行相移型的PWKPulse WidthModulation :脈沖寬度調(diào)制)控制或者PAM (Pulse Amplitude Modulation :脈沖幅度調(diào)制)控制，生成脈沖狀的電壓波形。升壓變壓器44將從開(kāi)關(guān)電路42輸出的電壓波形升壓至規(guī)定的大小。整流電路45是對(duì)由升壓變壓器44升壓的電壓進(jìn)行整流并供給至磁控管31的電路。
以下，參照?qǐng)D3，說(shuō)明微波導(dǎo)入裝置3具備4個(gè)微波單元30 (磁控管31)的情況下的高壓電源部40的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。在該例子中，高壓電源部40具備1個(gè)AC-DC變換電路41 ;2個(gè)開(kāi)關(guān)電路42A、42B ;I個(gè)開(kāi)關(guān)控制器43 ;和2個(gè)升壓變壓器44A、44B ;和2個(gè)整流電路 45A、45B。AC-DC變換電路41具有與商用電源連接的整流電路51 ;與整流電路51連接的平滑電路52 ;與開(kāi)關(guān)電路42連接的平滑電路54 ;和設(shè)置在平滑電路52與平滑電路54之間的用于功率因數(shù)改善的功率(power) FET53。整流電路51具有2個(gè)輸出端。平滑電路52由在與整流電路51的2個(gè)輸出端連接的2個(gè)配線61、62之間設(shè)置的電容器構(gòu)成。功率FET53設(shè)置在配線61的途中。平滑電路54由在配線61的途中設(shè)置的線圈、和在配線61、62之間設(shè)置的電容器構(gòu)成。開(kāi)關(guān)電路42A是控制由AC-DC變換電路41變換的直流的導(dǎo)通、斷開(kāi)，并且生成脈沖狀的電壓波形，對(duì)升壓變壓器44A輸出正方向的電流和負(fù)方向的電流的電路。開(kāi)關(guān)電路42A具有構(gòu)成全橋式電路(也稱(chēng)為H橋)的4個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管55A、56A、57A、58A。開(kāi)關(guān)晶體管55A、56A串聯(lián)連接，設(shè)置在與配線61連接的配線63a和與配線62連接的配線64a之間。開(kāi)關(guān)晶體管57A、58A串聯(lián)連接，設(shè)置在配線63a、64a之間。開(kāi)關(guān)電路42A還具有相對(duì)于開(kāi)關(guān)晶體管55A飛8A分別并列連接的共振電容器。同樣地，開(kāi)關(guān)電路42B是控制由AC-DC變換電路41變換的直流的導(dǎo)通、斷開(kāi)，并且生成脈沖狀的電壓波形，對(duì)升壓變壓器44B輸出正方向的電流和負(fù)方向的電流的電路。開(kāi)關(guān)電路428具有構(gòu)成全橋式電路的4個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管558、568、578、588。開(kāi)關(guān)晶體管55B、56B串聯(lián)連接，設(shè)置在與配線61連接的配線63b和與配線62連接的配線64b之間。開(kāi)關(guān)晶體管57B、58B串聯(lián)連接，設(shè)置在配線63b、64b之間。開(kāi)關(guān)電路42B還具有相對(duì)于開(kāi)關(guān)晶體管55B 58B分別并列連接的共振電容器。作為開(kāi)關(guān)晶體管55A 58A、55B 58B，從效率的觀點(diǎn)出發(fā)能夠使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET )。作為用于開(kāi)關(guān)晶體管55A 58A、55B 58B的FET，優(yōu)選MOSFET，尤其優(yōu)選功率MOSFET。另外，代替M0SFET，能夠使用比MOSFET高耐壓的、且適用于高功率的IGBT (絕緣柵極型雙極晶體管)。升壓變壓器44A具有2個(gè)輸入端和2個(gè)輸出端。升壓變壓器44A的2個(gè)輸入端的一個(gè)連接于開(kāi)關(guān)晶體管55A、56A之間，另一個(gè)輸入端連接于開(kāi)關(guān)晶體管57A、58A之間。同樣地，升壓變壓器44B具有2個(gè)輸入端和2個(gè)輸出端。升壓變壓器44B的2個(gè)輸入端的一個(gè)連接于開(kāi)關(guān)晶體管55B、56B之間，另一個(gè)輸入端連接于開(kāi)關(guān)晶體管57B、58B之間。整流電路45A由與升壓變壓器44A的2個(gè)輸出端的一個(gè)連接的2個(gè)二極管、和與2個(gè)輸出端的另一個(gè)連接的2個(gè)二極管構(gòu)成。磁控管31A經(jīng)由與升壓變壓器44A的2個(gè)輸出端分別連接的2個(gè)二極管與升壓變壓器44A連接。磁控管31B經(jīng)由與升壓變壓器44A的2個(gè)輸出端分別連接的另2個(gè)二極管與升壓變壓器44A連接。整流電路45A的4個(gè)二極管以從升壓變壓器44A向磁控管31A的電流的方向與從升壓變壓器44A向磁控管31A的電流的方向成為逆向的方式構(gòu)成。同樣地，整流電路45B由與升壓變壓器44B的2個(gè)輸出端的一個(gè)連接的2個(gè)二極管、和與2個(gè)輸出端的另一個(gè)連接的2個(gè)二極管構(gòu)成。磁控管31C經(jīng)由與升壓變壓器44B的2個(gè)輸出端分別連接的2個(gè)二極管與升壓變壓器44B連接。磁控管31D經(jīng)由與升壓變壓器44B的2個(gè)輸出端分別連接的另2個(gè)二極管與升壓變壓器44B連接。整流電路45B的4個(gè) 二極管以從升壓變壓器44B向磁控管31C的電流的方向與從升壓變壓器44B向磁控管31D的電流的方向成為逆向的方式構(gòu)成。處理順序接著，以對(duì)晶片W實(shí)施退火處理的情況為例，說(shuō)明微波處理裝置I的處理順序。首先，例如從用戶(hù)接口 82對(duì)處理控制器81輸入指令，使在微波處理裝置I中進(jìn)行退火處理。接著，處理控制器81接受該指令，讀出在存儲(chǔ)部83或者計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中保存的方案。接著，以根據(jù)基于方案的條件執(zhí)行退火處理的方式，從處理控制器81對(duì)微波處理裝置I的各終端設(shè)備(例如，微波導(dǎo)入裝置3、支承裝置4、氣體供給裝置5、排氣裝置6等)發(fā)送控制信號(hào)。接著，使閘閥G為打開(kāi)狀態(tài)，通過(guò)未圖示的搬送裝置，將晶片W通過(guò)閘閥G和搬入搬出口 12a搬入處理容器2中。晶片W被載置于支承銷(xiāo)14上。接著，使閘閥G成為關(guān)閉狀態(tài)，通過(guò)排氣裝置6對(duì)處理容器2內(nèi)減壓排氣。這時(shí)，使開(kāi)閉閥20為打開(kāi)狀態(tài)，晶片W的背面被吸引，晶片W被吸附固定在支承銷(xiāo)14。接著，通過(guò)氣體供給裝置5，導(dǎo)入規(guī)定流量的處理氣體和冷卻氣體。在處理容器2的內(nèi)部空間，通過(guò)調(diào)整排氣量和氣體供給量而調(diào)整為規(guī)定的壓力。接著，從高壓電源部40對(duì)磁控管31施加電壓生成微波。在磁控管31中生成的微波在波導(dǎo)管32中傳播，接著透過(guò)透過(guò)窗33導(dǎo)入處理容器2內(nèi)的晶片W的上方空間。在本實(shí)施方式中，在多個(gè)磁控管31中同時(shí)生成多個(gè)微波,多個(gè)微波同時(shí)導(dǎo)入處理容器2內(nèi)。此外，關(guān)于在多個(gè)磁控管31中同時(shí)生成多個(gè)微波的方法，在后文中詳細(xì)說(shuō)明。導(dǎo)入到處理容器2內(nèi)的多個(gè)微波被照射到晶片W的表面，通過(guò)焦耳加熱、磁性加熱、感應(yīng)加熱等的電磁波加熱，晶片W被迅速地加熱。其結(jié)果是，對(duì)晶片W實(shí)施退火處理。當(dāng)從處理控制器81對(duì)微波處理裝置I的各終端設(shè)備發(fā)送結(jié)束等離子體處理的控制信號(hào)時(shí)，停止微波的生成，并且停止處理氣體和冷卻氣體的供給，結(jié)束對(duì)晶片W的退火處理。接著，使閘閥G成為打開(kāi)狀態(tài)，通過(guò)未圖示的搬送裝置，晶片W被搬出。<微波生成方法>接著，參照?qǐng)D3關(guān)于在多個(gè)磁控管31中同時(shí)生成多個(gè)微波的方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。在開(kāi)關(guān)電路42A、42B中，通過(guò)開(kāi)關(guān)控制器43進(jìn)行相移型的PWM控制或者PAM控制，生成脈沖狀的電壓波形。在相移型的PWM控制的情況下，從開(kāi)關(guān)控制器43對(duì)開(kāi)關(guān)晶體管55A 58A、55B 58B分別輸入相位(phase :相)被控制的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。開(kāi)關(guān)電路42A、42B將這些信號(hào)合成生成脈沖狀的電壓波形。當(dāng)對(duì)開(kāi)關(guān)晶體管55A、58A輸入柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí),生成從升壓變壓器44A看時(shí)正方向(電壓增加方向)的電壓波形，并且電流以依次經(jīng)由開(kāi)關(guān)晶體管55A、升壓變壓器44A、開(kāi)關(guān)晶體管58A的方向(正方向)流動(dòng)。由此，在升壓變壓器44A的二次側(cè)(輸出端側(cè))，在經(jīng)由磁控管31A的方向上產(chǎn)生電流。另外，升壓變壓器44A以升壓變壓器44A的二次側(cè)(輸出端側(cè))的電壓變成規(guī)定的大小的方式進(jìn)行升壓。如此一來(lái)，對(duì)磁控管31A供給用于生成微波的高電壓，在磁控管3IA中生成微波。對(duì)開(kāi)關(guān)晶體管56A、57A輸入柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，生成從升壓變壓器44A看時(shí)為負(fù)方向(電壓減少的方向)的電壓波形，并且電流以依次經(jīng)由開(kāi)關(guān)晶體管57A、升壓變壓器44A、開(kāi)關(guān)晶體管56A的方向(負(fù)方向)流動(dòng)。由此，在升壓變壓器44A的二次側(cè)，在經(jīng)由磁控管31B 的方向上產(chǎn)生電流。另外，升壓變壓器44A以升壓變壓器44A的二次側(cè)的電壓變成規(guī)定的大小的方式進(jìn)行升壓。如此一來(lái)，對(duì)磁控管31B供給用于生成微波的高電壓，在磁控管31B中生成微波。對(duì)開(kāi)關(guān)晶體管55B、58B輸入柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，生成從升壓變壓器44B看時(shí)為正方向的電壓波形，并且電流以依次經(jīng)由開(kāi)關(guān)晶體管55B、升壓變壓器44B、開(kāi)關(guān)晶體管58B的方向(正方向)流動(dòng)。由此，在升壓變壓器44B的二次側(cè)，在經(jīng)由磁控管31C的方向上產(chǎn)生電流。另外，升壓變壓器44B以升壓變壓器44B的二次側(cè)的電壓變成規(guī)定的大小的方式進(jìn)行升壓。如此一來(lái)，對(duì)磁控管31C供給用于生成微波的高電壓，在磁控管31C中生成微波。對(duì)開(kāi)關(guān)晶體管56B、57B輸入柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，生成從升壓變壓器44B看時(shí)為負(fù)方向的電壓波形，并且電流以依次經(jīng)由開(kāi)關(guān)晶體管57B、升壓變壓器44B、開(kāi)關(guān)晶體管56B的方向(負(fù)方向)流動(dòng)。由此，在升壓變壓器44B的二次側(cè)，在經(jīng)由磁控管31D的方向上產(chǎn)生電流。另外，升壓變壓器44B以升壓變壓器44B的二次側(cè)的電壓變成規(guī)定的大小的方式進(jìn)行升壓。如此一來(lái)，對(duì)磁控管31D供給用于生成微波的高電壓，在磁控管31D中生成微波。在本實(shí)施方式中，開(kāi)關(guān)控制器43以在磁控管31A 31D中生成脈沖狀的微波的方式控制開(kāi)關(guān)電路42A、42B。即，開(kāi)關(guān)控制器43控制開(kāi)關(guān)電路42A的開(kāi)關(guān)晶體管55A 58A和開(kāi)關(guān)電路42B的開(kāi)關(guān)晶體管55B 58B，使得在磁控管31A 31D中生成微波的狀態(tài)和不生成微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次。在本實(shí)施方式中，控制磁控管31A 31D，使得每當(dāng)以磁控管31A11D中的2個(gè)相組合，而磁控管31A 31D中的另兩個(gè)相組合時(shí)，且在各組合中同步地使生成微波的狀態(tài)與不生成微波的狀態(tài)相互交替地反復(fù)多次。如此一來(lái)，在磁控管31A 31D中同時(shí)生成2個(gè)微波，2個(gè)微波同時(shí)被導(dǎo)入處理容器2。此外，開(kāi)關(guān)控制器43通過(guò)控制部8的處理控制器81被控制。另外，磁控管31A 31D的組合的選擇、組合的順序可以作為方案例如被預(yù)先保存在控制部8的存儲(chǔ)部83中。然而，導(dǎo)入到處理容器2的微波在處理容器2內(nèi)形成駐波。在用于處理晶片W的狀態(tài)繼續(xù)的期間，當(dāng)該駐波的波腹和波節(jié)的位置被固定時(shí)，有可能產(chǎn)生加熱不均等，不能夠?qū)琖進(jìn)行均勻的處理。對(duì)于此，在本實(shí)施方式中，用于對(duì)晶片W進(jìn)行處理的狀態(tài)繼續(xù)的期間，在上述2個(gè)組合的每一個(gè)，且在各組合內(nèi)同時(shí)地，使生成微波的狀態(tài)與不生成微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次，由此使在處理容器2內(nèi)生成的駐波的狀態(tài)變化。并且，在本實(shí)施方式中，通過(guò)將包含在上述組合中的磁控管31的一部分替換，進(jìn)一步可靠地使在處理容器2內(nèi)的駐波的狀態(tài)變化。以下，參照附圖6對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。圖6是說(shuō)明多個(gè)磁控管31A 31D的組合的說(shuō)明圖。圖6與圖4對(duì)應(yīng)。此外，在圖6中，將生成通過(guò)各微波導(dǎo)入端口 Ila導(dǎo)入的微波的磁控管31A11D的符號(hào)標(biāo)注在各微波導(dǎo)入端口 Ila表示。在圖6中，實(shí)線與虛線表示同時(shí)生成微波的磁控管31A11D的組合。如上所述，開(kāi)關(guān)控制器43，針對(duì)2個(gè)組合的每一個(gè)以在各組合內(nèi)同時(shí)生成微波的方式，控制磁控管31A 31D。由此,對(duì)處理容器2同時(shí)導(dǎo)入2個(gè)微波。在本實(shí)施方式中，首先，以在磁控管31A、31C的組合與在磁控管31B、31D的組合中，使在各組合內(nèi)同步、與此同時(shí)在每一組合中交替地生成微波的方式，控制磁控管31A11D (圖6 (a))。像這樣，將上述組合作為一個(gè)單位，使在每一組合中交替地生成微波，由此在處理容器2內(nèi)生成的駐波的狀態(tài)在每一組合中不同。能夠更加準(zhǔn)確地在上述每一組合生成不同的駐波。 接著，代替磁控管31C與磁控管31D，而在磁控管31A、31D的組合與磁控管31B、31C的組合中，以在各組合內(nèi)同步、與此同時(shí)在每一組合中交替地生成微波的方式，控制磁控管31A 31D(圖6(b))。由此，能夠使在處理容器2內(nèi)產(chǎn)生的駐波的狀態(tài)進(jìn)一步變化。SP，在將磁控管31C、3ID替換之前，在基于磁控管31A、3IC的組合的駐波與基于磁控管3IB、3ID的組合的駐波中，相位不同，并且，在將磁控管31C、31D替換之后，在基于磁控管31A、31D的組合的駐波與基于磁控管31B、31C的組合的駐波中，相位不同。如此一來(lái)，由于波腹與波節(jié)的位置不同的駐波依次發(fā)生，因此能夠減小電場(chǎng)強(qiáng)度的不均，能夠使在晶片W面內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度均勻化。此外，磁控管31C、31D的替換也可以隨機(jī)地進(jìn)行，但是優(yōu)選定期且反復(fù)進(jìn)行。磁控管31C、31D的替換周期例如優(yōu)選為每一次生成微波的狀態(tài)的時(shí)間的150倍到500倍的范圍內(nèi)。例如每一次生成微波的狀態(tài)的時(shí)間為20毫秒。在該情況下，替換磁控管31C、31D的周期在從3秒到10秒的范圍內(nèi)。通過(guò)按照如上所述的方式設(shè)定替換磁控管31C、31D的周期，能夠具有不對(duì)偏向的地方過(guò)度加熱，不發(fā)生處理不均或者晶片翹曲等的優(yōu)點(diǎn)。接著，關(guān)于本實(shí)施方式的微波處理裝置I和使用微波處理裝置I的晶片W的處理方法的效果進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，如上所述，首先，在磁控管31A、31C的組合與在磁控管31B、31D的組合中，以使在每一組合中、并且在各組合內(nèi)同步地，將生成微波的狀態(tài)與不生成微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次的方式，控制磁控管31A 31D。如此一來(lái)，通過(guò)使在每一組合中交替地生成微波，在處理容器2內(nèi)在上述每一個(gè)組合中生成不同的駐波。并且，進(jìn)一步，在本實(shí)施方式中，將同時(shí)生成微波的磁控管31A 31D的2個(gè)組合中包含的磁控管31C與磁控管31D替換。即，在磁控管31A 31D內(nèi)改變組合。由此，依據(jù)本實(shí)施方式，在處理容器2內(nèi)生成不同狀態(tài)的駐波，具體而言，依次生成波腹和波節(jié)的位置不同的駐波。其結(jié)果是，依據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)琖進(jìn)行均勻的處理。上述的說(shuō)明，也適合代替磁控管31C、31D，而將磁控管31A與磁控管31B替換的情況。在替換磁控管31A、31B的情況與替換磁控管31C、31D的情況的任一種情況下，能夠?qū)⒋趴毓? IAllD的各個(gè)按4種圖案組合。但是，在圖3所示的例子中，對(duì)于I個(gè)升壓變壓器44A連接有2個(gè)磁控管31A、31B，并且對(duì)于I個(gè)升壓變壓器44B連接有2個(gè)磁控管31C、31D。在該例子中，磁控管31A、31B的組合與磁控管31C、31D的組合的各個(gè)中存在不能同時(shí)生成微波的限制。但是，雖然省略圖示，但也可以將磁控管31A11D分別與不同的升壓變壓器連接。在該情況下，能夠?qū)⒋趴毓?1A11D的各個(gè)按每2個(gè)6種的圖案進(jìn)行組合，能夠在處理容器2內(nèi)更多地形成不同的狀態(tài)的駐波。并且，在該情況下，基于4個(gè)磁控管31A、31B、31C、31D的組合并不限定于每2個(gè)，例如，也可以是任意的I個(gè)與其它3個(gè)進(jìn)行組合。另外，與其它的組合一起，也可以存在4個(gè)磁控管31A、31B、31C、31D的全部同時(shí)生成微波的組合。另外，上述的說(shuō)明也可以適用于，微波導(dǎo)入裝置3例如具有3個(gè)或者5個(gè)以上的磁控管31，并且利用將3個(gè)或者5個(gè)以上的磁控管31的各個(gè)任意地組合的2個(gè)以上的組合的情況。即，在該情況下，在用于處理晶片W的狀態(tài)繼續(xù)的期間，以在每個(gè)組合中交替地生成微波的方式控制磁控管31，由此在處理容器2中，在每一個(gè)組合生成不同的駐波。并且，通過(guò)替換在各組合中包含的磁控管31的一部分，能夠在處理容器2中依次生成不同的狀態(tài)的駐波。以下，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式的其它的效果進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，微波導(dǎo)入裝置3具有多個(gè)磁控管31和多個(gè)波導(dǎo)管32，能夠?qū)⒍鄠€(gè)微波同時(shí)導(dǎo)入處理容器2中。依據(jù)本實(shí)施方式，即使各磁控管31的輸出相對(duì)于晶片W不足的情況下，通過(guò)將多個(gè)微波同時(shí)導(dǎo)入處理容器2中，能夠?qū)琖進(jìn)行處理。另外，在本實(shí)施方式中，微波是用于對(duì)晶片W進(jìn)行照射處理晶片W的波。由此，依據(jù)本實(shí)施方式，與等離子體處理相比，能夠?qū)琖進(jìn)行低溫的加熱處理。此外，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，能夠有各種變形。例如，本發(fā)明的微波處理裝置并不限定于將半導(dǎo)體晶片作為被處理體，例如，也能夠適用于將太陽(yáng)電池面板的基板或平板面板顯示器用基板作為被處理體的微波處理裝置。另外，微波單元30的數(shù)量(磁控管31的數(shù)量)、對(duì)處理容器2同時(shí)導(dǎo)入的微波的數(shù)量也并不限定于本實(shí)施方式所說(shuō)明的數(shù)量。符號(hào)說(shuō)明I微波處理裝置2處理容器3微波導(dǎo)入裝置 4支承裝置5氣體供給裝置6排氣裝置8控制部30微波單元
31磁控管
32波導(dǎo)管
33透過(guò)窗
34循環(huán)器
35檢測(cè)器
36調(diào)諧器
37假負(fù)載
40高壓電源部
41 AC-DC變換電路
42開(kāi)關(guān)電路
43開(kāi)關(guān)控制器
44升壓變壓器
45整流電路
81處理控制器
82用戶(hù)接口
83存儲(chǔ)部
W半導(dǎo)體晶片
權(quán)利要求
1.一種微波處理裝置，其特征在于，包括收容被處理體的處理容器；生成用于處理所述被處理體的微波并導(dǎo)入所述處理容器的微波導(dǎo)入裝置；和控制所述微波導(dǎo)入裝置的控制部，所述微波導(dǎo)入裝置具有生成所述微波的多個(gè)微波源，能夠?qū)⒍鄠€(gè)所述微波同時(shí)導(dǎo)入所述處理容器，所述控制部控制所述多個(gè)微波源，使得在用于處理所述被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間， 在將所述多個(gè)微波源的各個(gè)任意地組合而成的多個(gè)組合的每一個(gè)中，并且，在各個(gè)組合內(nèi)同步地將生成所述微波的狀態(tài)與不生成所述微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次。
2.如權(quán)利要求1所述的微波處理裝置，其特征在于所述控制部，在用于處理所述被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，將包含在所述多個(gè)組合的各個(gè)組合中的微波源的一部分進(jìn)行替換。
3.如權(quán)利要求2所述的微波處理裝置，其特征在于所述微波導(dǎo)入裝置，具有第一微波源至第四微波源作為所述多個(gè)微波源，所述控制部，在用于處理所述被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，將包含所述第一微波源至第四微波源中的兩個(gè)微波源的第一組合中所包含的兩個(gè)微波源中的一個(gè)，與包含所述第一微波源至第四微波源中的其它兩個(gè)微波源的第二組合中所包含的兩個(gè)微波源中的一個(gè)進(jìn)行替換。
4.如權(quán)利要求3所述的微波處理裝置，其特征在于所述第一組合包括所述第一微波源以及所述第三微波源和所述第四微波源中的一個(gè)， 所述第二組合包括所述第二微波源以及所述第三微波源和所述第四微波源中的另一個(gè)，所述控制部，在用于處理所述被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，將包含于所述第一組合中的所述第三微波源和所述第四微波源中的一個(gè)、與包含于所述第二組合中的所述第三微波源和所述第四微波源中的另一個(gè)進(jìn)行替換。
5.如權(quán)利要求3或4所述的微波處理裝置，其特征在于所述處理容器具有將在所述第一微波源至第四微波源的各個(gè)微波源中生成的所述微波導(dǎo)入所述處理容器的第一微波導(dǎo)入端口至第四微波導(dǎo)入端口，所述第一微波導(dǎo)入端口至所述第四微波導(dǎo)入端口設(shè)置在所述處理容器的上部，所述第一組合和所述第二組合分別為將生成通過(guò)所述第一微波導(dǎo)入端口至所述第四微波導(dǎo)入端口中的在周向相鄰的兩個(gè)端口導(dǎo)入的兩個(gè)微波的兩個(gè)微波源組合而成的組合。
6.如權(quán)利要求2 4中任一項(xiàng)所述的微波處理裝置，其特征在于將包含于所述多個(gè)組合的各個(gè)組合中的微波源的一部分替換的周期為，每一次生成所述微波的狀態(tài)的時(shí)間的150倍至500倍的范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求廣4中任一項(xiàng)所述的微波處理裝置，其特征在于所述微波用于被照射至所述被處理體而對(duì)所述被處理體進(jìn)行處理。
8.—種處理方法，其特征在于使用微波處理裝置對(duì)被處理體進(jìn)行處理，所述微波處理裝置具備收容所述被處理體的處理容器；和生成用于處理所述被處理體的微波并導(dǎo)入所述處理容器中的微波導(dǎo)入裝置，所述微波導(dǎo)入裝置具有生成所述微波的多個(gè)微波源，能夠?qū)⒍鄠€(gè)所述微波同時(shí)導(dǎo)入所述處理容器中，控制所述多個(gè)微波源，使得在用于處理所述被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，在將所述多個(gè)微波源的各個(gè)任意地組合而成的多個(gè)組合的每一個(gè)中，并且在各個(gè)組合內(nèi)同步地將生成所述微波的狀態(tài)與不生成所述微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次。
9.如權(quán)利要求8所述的處理方法，其特征在于在用于處理所述被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，將包含在所述多個(gè)組合的各個(gè)組合中的微波源的一部分進(jìn)行替換。
10.如權(quán)利要求9所述的處理方法，其特征在于所述微波導(dǎo)入裝置，具有第一微波源至第四微波源作為所述多個(gè)微波源，在用于處理所述被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，將包含所述第一微波源至第四微波源中的兩個(gè)微波源的第一組合中所包含的兩個(gè)微波源中的一個(gè)，與包含所述第一微波源至第四微波源中的其它兩個(gè)微波源的第二組合中所包含的兩個(gè)微波源中的一個(gè)進(jìn)行替換。
11.如權(quán)利要求10所述的處理方法，其特征在于所述第一組合包括所述第一微波源以及所述第三微波源和所述第四微波源中的一個(gè)， 所述第二組合包括所述第二微波源以及所述第三微波源和所述第四微波源中的另一個(gè)，在用于處理所述被處理體的狀態(tài)繼續(xù)的期間，將包含于所述第一組合中的所述第三微波源和所述第四微波源中的一個(gè)、與包含在所述第二組合中的所述第三微波源和所述第四微波源中的另一個(gè)進(jìn)行替換。
12.如權(quán)利要求10或11所述的處理方法，其特征在于所述處理容器具有將在所述第一微波源至第四微波源的各個(gè)微波源中生成的所述微波導(dǎo)入所述處理容器的第一微波導(dǎo)入端口至所述第四微波導(dǎo)入端口，所述第一微波導(dǎo)入端口至所述第四微波導(dǎo)入端口設(shè)置在所述處理容器的上部，所述第一和第二組合分別為將生成通過(guò)所述第一微波導(dǎo)入端口至所述第四微波導(dǎo)入端口中的在周向相鄰的兩個(gè)端口導(dǎo)入的兩個(gè)微波的兩個(gè)微波源組合而成的組合。
13.如權(quán)利要求擴(kuò)11中任一項(xiàng)所述的處理方法，其特征在于將包含于所述多個(gè)組合的各個(gè)組合中的微波源替換的周期為，每一次生成所述微波的狀態(tài)的時(shí)間的150倍至500倍的范圍內(nèi)。
14.如權(quán)利要求8 11中任一項(xiàng)所述的處理方法，其特征在于所述微波用于被照射至所述被處理體而對(duì)所述被處理體進(jìn)行處理。
全文摘要
本發(fā)明提供微波處理裝置和被處理體的處理方法。在微波處理裝置中對(duì)被處理體進(jìn)行均勻的處理。微波處理裝置(1)包括收容晶片W的處理容器(2)、微波導(dǎo)入裝置(3)和控制部(8)。微波導(dǎo)入裝置(3)具有生成微波的多個(gè)磁控管(31)，控制部(8)對(duì)多個(gè)磁控管(31)進(jìn)行控制，使得在用于處理被處理體W的狀態(tài)繼續(xù)的期間，在將多個(gè)磁控管(31)的各個(gè)任意地組合而成的多個(gè)組合的每一個(gè)中，并且，在各個(gè)組合內(nèi)同步地，將生成微波的狀態(tài)與不生成微波的狀態(tài)交替地反復(fù)多次。
文檔編號(hào)H01L21/324GK103021845SQ201210358530
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月26日
發(fā)明者蘆田光利 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社