專利名稱：感光性膠粘劑、半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及感光性膠粘劑、半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體安裝領(lǐng)域中，基板與半導(dǎo)體芯片借助多個導(dǎo)電性凸塊被連接的倒裝片安裝方式受到關(guān)注。倒裝片安裝方式中，因基于基板與半導(dǎo)體芯片的熱膨脹系數(shù)差的應(yīng)力，有時產(chǎn)生借助導(dǎo)電性凸塊的基板與半導(dǎo)體芯片的連接異常。因此，已知為了緩和該應(yīng)力而在基板與半導(dǎo)體芯片之間填充樹脂來密封導(dǎo)電性凸塊的方式(例如，專利文獻(xiàn)I)。專利文獻(xiàn)I記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在彼此對置的基板與半導(dǎo)體芯片之間配置多個導(dǎo)電性凸塊與包括具有電絕緣性的樹脂的樹脂片。然后，通過加熱及加壓使樹脂片熔融，在基板與半導(dǎo)體芯片之間利用樹脂密封多個凸塊。專利文獻(xiàn)1:專利第3999840號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，在現(xiàn)有的倒裝片安裝方式中，有時樹脂進(jìn)入基板上的連接端子與導(dǎo)電性凸塊之間或半導(dǎo)體芯片與導(dǎo)電性凸塊之間。因此，借助導(dǎo)電性凸塊的基板與半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)通被抑制，有連接可靠性降低的問題。為此，本發(fā)明的目的在于抑制借助導(dǎo)電性凸塊的連接端子間的連接可靠性降低。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法具備第一工序，其在具有第一連接部的第一粘附體上設(shè)置感光性膠粘劑；第二工序，其通過曝光及顯影使感光性膠粘劑形成圖案，以形成第一連接部露出的開口 ；第三工序，其向開口填充導(dǎo)電材料來形成導(dǎo)電層；第四工序，其將具有第二連接部的第二粘附體直接膠粘于感光性膠粘劑，并且借助導(dǎo)電層將第一連接部與第二連接部進(jìn)行電連接。上述本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，使用形成被圖案化的絕緣樹脂層的具有作為感光性樹脂的功能的感光性膠粘劑，形成第一連接部露出的開口，在該開口填充導(dǎo)電材料。由此，由于在樹脂不進(jìn)入第一粘附體與導(dǎo)電層之間的狀態(tài)下形成包括感光性膠粘劑的絕緣樹脂層，所以能確保第一粘附體與導(dǎo)電層的導(dǎo)通，并抑制第一粘附體與導(dǎo)電層的連接可靠性降低。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，第一粘附體或第二粘附體的一方是包含多個半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片，另一方是基板，可以在第三工序與第四工序之間或第四工序之后還具備將半導(dǎo)體晶片按半導(dǎo)體芯片進(jìn)行切割的工序。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，使用在被圖案化之后對第二粘附體具有膠粘性的感光性膠粘劑。因此，從可以特別容易地對圖案化之后的感光性膠粘劑賦予相對第二粘附體的膠粘性來看，優(yōu)選感光性膠粘劑含有堿可溶性聚合物、輻射聚合性化合物和光聚合引發(fā)劑。從同樣的觀點(diǎn)來看，堿可溶性聚合物較優(yōu)選具有羧基或酚性羥基。堿可溶性聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度優(yōu)選為150°C以下。由此，能在較低的溫度下向第二粘附體貼附感光性膠粘劑。堿可溶性聚合物優(yōu)選為聚酰亞胺。聚酰亞胺優(yōu)選為使四羧酸二酐與二胺反應(yīng)得到的聚酰亞胺，所述二胺至少包括一種下述化學(xué)式(1-a)、(1-b)、(I1-a)、(II_b)及(II_C)分別所示的芳香族二胺。化I
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，具備第一工序，其在具有第一連接部的第一粘附體上設(shè)置感光性膠粘劑；第二工序，其通過曝光及顯影使所述感光性膠粘劑形成圖案，以形成所述第一連接部露出的開口；第三工序，其向所述開口填充導(dǎo)電材料來形成導(dǎo)電層；第四工序，其將具有第二連接部的第二粘附體直接膠粘于所述感光性膠粘劑，并且借助所述導(dǎo)電層將所述第一連接部與所述第二連接部進(jìn)行電連接。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置(1)的制造方法，其具備在具有連接端子的基板(3)上設(shè)置感光性膠粘劑(絕緣樹脂層(7))的第一工序；通過曝光及顯影使感光性膠粘劑形成圖案，以形成連接端子露出的開口(13)的第二工序；向開口(13)填充導(dǎo)電材料來形成導(dǎo)電層(9)的第三工序；將具有連接用電極部的半導(dǎo)體芯片(5)直接膠粘于感光性膠粘劑，并且通過導(dǎo)電層(9)將基板(3)的連接端子與半導(dǎo)體芯片(5)的連接用電極部電連接的第四工序。
文檔編號H01L21/56GK103021881SQ20121036962
公開日2013年4月3日 申請日期2008年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月4日
發(fā)明者增子崇, 川守崇司, 滿倉一行, 加藤木茂樹 申請人:日立化成工業(yè)株式會社