專利名稱：襯底表面處理系統(tǒng)以及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種襯底表面處理系統(tǒng)以及方法。
背景技術(shù)：
多個驅(qū)動裝置，包含多個薄膜晶體管(thin-film transistor ;TFT)，安置在襯底上以形成有機發(fā)光顯示設(shè)備或液晶顯示(liquid crystal display ;LCD)設(shè)備。為此，在襯底上形成硅膜，例如多晶硅膜。通過對非晶硅膜執(zhí)行結(jié)晶工藝，例如準分子激光退火(excimer-laser annealing ;ELA),來獲得多晶娃。多晶娃經(jīng)圖案化以用作每個薄膜晶體管的作用層(active layer)。然而，在自然狀態(tài)下，非晶硅膜和/或多晶硅膜在其表面上具有氧化硅膜。氧化硅膜可能會對結(jié)晶工藝有不良影響。此外，氧化硅膜可能會使薄膜晶體管的性質(zhì)降級，并且在許多工藝中可能會是污染源，例如微粒。因此，在執(zhí)行結(jié)晶工藝之前和/或之后，都應(yīng)當移除氧化硅膜。由于使用結(jié)晶工藝獲得的多晶硅膜具有粗糙的表面，因此需要通過蝕刻多晶硅膜的表面來改善多晶硅膜的表面均勻性。因此，應(yīng)當對襯底上形成了硅膜的表面執(zhí)行表面處理，以蝕刻硅膜。第2004-006618號日本專利申請公開案揭露了常規(guī)的襯底蝕刻設(shè)備，其中蝕刻液是在襯底旋轉(zhuǎn)的同時噴射到襯底上。然而，此種方法可以用于小型襯底，例如730mm X 460mm的4代(4G)襯底，但是難以用于大型襯底，例如1，300mmX I, 500mm的5.5代襯底。這是因為大型襯底難以旋轉(zhuǎn)。即使這些大型襯底可以旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)速度也較低，例如600RPM或更低，并且在噴射蝕刻液時可能會因此產(chǎn)生污點。而且，在襯底的中央部分與邊緣部分之間可能會發(fā)生蝕刻偏差，并且蝕刻液可能會濺到腔室的內(nèi)壁上然后再濺回到襯底上，從而在襯底上造成污點。為了解決這個問題，可以按照直列形式(inline form)來安置表面處理系統(tǒng)。然而，在這種情況下，這個系統(tǒng)可能會形成得過長而不能執(zhí)行操作。換句話說，這個系統(tǒng)可能占據(jù)了較大的安裝空間。第2007-0048036號韓國專利申請公開案揭示了一種襯底蝕刻系統(tǒng)，所述襯底蝕刻系統(tǒng)具有分成上部以及下部的雙重結(jié)構(gòu)，其中給上部以及下部平均分配了類似的操作以便增加處理量。然而， 這個系統(tǒng)可以被視為按照直線布置的直列式系統(tǒng)。因此，這個系統(tǒng)過長而不能布置在有限的空間里
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的提供了一種在安裝空間方面不受限制的緊湊的襯底表面處理系統(tǒng)以及一種襯底表面處理方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種襯底表面處理系統(tǒng)，包含:第一處理室，所述第一處理室在平行于底面的方向上延伸，并且包含在其兩端處的第一端以及第二端；第二處理室，所述第二處理室在所述平行于底面的方向上延伸，與所述第一處理室平行安置，并且包含在其兩端處的第三端以及第四端；第三處理室，所述第三處理室包含在其兩端處的彼此相向的第五端以及第六端，其中所述第五端與所述第二端以及所述第四端組合，并且所述第三處理室與所述第一處理室以及所述第二處理室連通；第一水平移動單元，所述第一水平移動單元安裝在所述第一處理室中以在從所述第一端到所述第二端的第一方向上移動襯底，所述第一方向平行于所述底面；第二水平移動單元，所述第二水平移動單元安裝在所述第二處理室中以在第二方向上移動所述襯底，所述第二方向平行于所述底面并且與所述第一方向相反；方向切換單元，所述方向切換單元安裝在所述第三處理室中以將所述襯底的移動方向從所述第一方向切換到所述第二方向或從所述第二方向切換到所述第一方向；以及第一濕式處理模塊，所述第一濕式處理模塊安裝在所述第一處理室到所述第三處理室中的至少一個處理室的一個區(qū)域中，以將至少一種類型的處理液噴射到所述襯底上。所述第一端與所述第三端可以彼此平行地延伸，所述第二端與所述第四端可以彼此平行地延伸，并且第一門以及第二門分別安裝在所述第一端以及所述第三端處。所述第一濕式處理模塊可以安置在所述第一處理室到所述第三處理室中的一個處理室中，并且干式處理模塊安置在未安置有所述第一濕式處理模塊的其他處理室中，以對表面干了的所述襯底執(zhí)行干式處理。所述第一濕式處理模塊可以安置在所述第一處理室到所述第三處理室中的一個處理室中，并且第二濕式處理模塊安置在未安置有所述第一濕式處理模塊的其他處理室中的至少一個處理室中，以對所述襯底執(zhí)行濕式處理。所述第一濕式處理模塊可以鄰近于所述第三處理室的所述第五端的一部分而安置，所述部分與所述第二端組合。所述第一濕式處理模塊可以鄰近于所述第三處理室的所述第五端的一部分而安置，所述部分與所述第四端組合。所述第一濕式處理模塊可以安置在所述第三處理室中鄰近于所述第二端的一部分中。所述第一濕式處理模塊可以安置在所述第三處理室中鄰近于所述第四端的一部分中。所述第一濕式處理模塊可以結(jié)合所述方向切換單元而安裝。所述第二處理室可以安置在所述第一處理室的下部區(qū)域中。所述第一處理室可以安置在所述第二處理室的下部區(qū)域中。所述系統(tǒng)可以還包含傾斜驅(qū)動單元，所述傾斜驅(qū)動單元安置在所述第一處理室到所述第三處理室中的至少一個處理室中以傾斜所述襯底使之相對于底面傾斜。所述第一濕式處理模塊可以包含集成為一個單元的液體噴射模塊以及空氣噴射模塊，其中所述液體噴射模塊 經(jīng)安裝以朝向所述襯底的表面噴射處理液，并且所述空氣噴射模塊經(jīng)安裝以朝向所述襯底的表面噴射空氣。所述第一濕式處理模塊可以包含液體噴射模塊，所述液體噴射模塊包含多個噴射噴嘴。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種襯底表面處理方法，包含:第一水平移動操作，用于在第一方向上水平地移動襯底；方向切換操作，用于切換所述襯底的移動方向使得所述襯底從所述第一方向水平地移動到與所述第一方向相反的第二方向；第二水平移動操作，用于在所述第二方向上水平地移動所述襯底；以及第一濕式處理操作，用于在所述第一水平移動操作、所述方向切換操作以及所述第二水平移動操作中的至少一個操作過程中將至少一種類型的處理液噴射到所述襯底上。所述第一濕式處理操作可以在所述第一水平移動操作、所述方向切換操作以及所述第二水平移動操作中的一個操作中執(zhí)行，并且干式處理操作是在不執(zhí)行所述第一濕式處理操作的其他操作中執(zhí)行，所述干式處理操作是對表面干了的襯底執(zhí)行。所述第一濕式處理操作可以在所述第一水平移動操作、所述方向切換操作以及所述第二水平移動操作中的一個操作中執(zhí)行，并且第二濕式處理操作是在不執(zhí)行所述第一濕式處理操作的其他操作中執(zhí)行。所述方向切換操作可以包含垂直升高所述襯底。所述方向切換操作可以包含垂直降低所述襯底。所述第一水平移動操作、所述方向切換操作以及所述第二水平移動操作中的至少一個操作可以包含傾斜所述襯底使之相對于底面傾斜。所述襯底的所述傾斜可以包含傾斜所述襯底以使得所述襯底的表面在垂直于所述第一方向或所述第二方向的方向上傾斜。所述第一濕式處理操作可以包含將所述處理液以及空氣中的至少一者提供到所述襯底的表面上。在將所述處理液以及空氣中的至少一者提供到所述襯底的表面上的過程中，可以同時提供所述處理液以及空氣。


本發(fā)明以上的以及其他的特征和優(yōu)點將通過參看附圖對本發(fā)明示范性實施例進行詳細描述而變得更顯而易見，其中:圖1是圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的襯底表面處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2是圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的襯底表面處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖3是圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的襯底表面處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖4是圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的襯底表面處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5是圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的襯底表面處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6是圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的襯底表面處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7是圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的襯底表面處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖8是圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的襯底表面處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖9是圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的襯底表面處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖10是圖示了根據(jù)本 發(fā)明的另一個實施例的襯底表面處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖11是圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的襯底表面處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖12圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的第一濕式處理模塊的結(jié)構(gòu)。圖13是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的噴射模塊的橫截面圖。圖14圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的第一濕式處理模塊的結(jié)構(gòu)。圖15是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的噴射噴嘴的部分透視圖。圖16圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的第一濕式處理模塊的結(jié)構(gòu)。圖17圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的第一濕式處理模塊的結(jié)構(gòu)。圖18是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的傾斜驅(qū)動單元的部分透視圖。圖19示意性地圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的當襯底通過圖18的傾斜驅(qū)動單元傾斜時的情況。
具體實施例方式下文中，將參看附圖來詳細描述本發(fā)明的示范性實施例。本文所使用的術(shù)語“和/或”包含所列相關(guān)條目中的一個或多個條目的任何以及所有組合。例如“至少一個”等表達在置于一元件列表之前時是修飾整個元件列表而不是只修飾列表的個別元件。圖1是圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的襯底表面處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖。參看圖1，所述襯底表面處理系統(tǒng)包含第一處理室1、第二處理室2以及第三處理室3。第一處理室I是成形為腔室形式，所述腔室相對于底面水平地延伸。第一處理室I包含在其兩端處的第一端11以及第二端12。在第一端11處安裝了第一門14，并且通過使用額外的搬運機器人(未圖示)經(jīng)由第一門14將襯底10載入到第一處理室I中。在第二端12中形成了第一連接路徑15以將第一處理室I與第三處理室3連接。在第一處理室I中，安裝了第一水平移動單元4，以在平行于底面的第一方向Xl上移動襯底10。第一方向Xl是第一端11面向第二端12的方向。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，第一水平移動單元4可以包含多個第一驅(qū)動滾筒(driving ix)ller)41，但不限于此。第一水平移動單元4可以是能夠在第一方向Xl上直線移動襯底10的各種類型的直線移動構(gòu)件中的任一種。第二處理室2也成形為腔室形式，所述腔室相對于底面水平地延伸。第二處理室2包含在其兩端處的第三端21以及第四端22。在第三端21處安裝了第二門24。襯底10經(jīng)由第二門24放出第二處理室2之外。在第四端22中形成了第二連接路徑25以將第二處理室2與第三處理室3連接。在第二處理室2中安裝了第二水平移動單元5，以在平行于底面的第二方向X2上移動襯底10。第二方向X2與第一方向Xl相反。參看圖1，第二方向X2是第四端22面向第三端21的方向。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，第二水平移動單元5可以包含多個第二驅(qū)動滾筒51，但不限于此。 第二水平移動單元5可以是能夠在第二方向X2上移動襯底10的各種類型的直線移動構(gòu)件中的任一種。
第三處理室3也成形為腔室形式。第三處理室3包含在其兩端處的第五端31以及第六端32。第五端31與第一處理室I的第二端12以及第二處理室2的第四端22組合。第三處理室3分別經(jīng)由第一連接路徑15以及第二連接路徑25與第一處理室I以及第二處理室2連通。在第三處理室3中安裝了方向切換單元6。方向切換單元6將襯底10的移動方向從第一方向Xl切換到第二方向X2。方向切換單元6包含多個第三驅(qū)動滾筒61，并且在第一方向Xl和/或第二方向X2上水平地移動襯底10。方向切換單元6還包含垂直移動單元62以垂直地移動第三驅(qū)動滾筒61。參看圖1，第三處理室3在垂直于底面的方向上延伸，并且第五端31以及第六端32形成了第三處理室3的兩個垂直延伸的側(cè)面。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，第一處理室I的第一端11以及第二處理室2的第三端21可以彼此平行地延伸。第一處理室I的第二端12以及第二處理室2的第四端22也可以彼此平行地延伸。如圖1所示，第一處理室I可以安置在第二處理室2上以便與第三處理室3的第五端31的上部連接，并且第二處理室2可以連接到第三處理室3的第五端31的下部。然而，本發(fā)明不限于此，并且第二處理室2可以安置在第一處理室I上以便與第三處理室3的上部連接，并且第一處理室I可以連接到第三處理室3的第五端31的下部，如圖2所示。如圖3到圖11所示，第一濕式處理模塊7可以安裝在第一處理室I到第三處理室3中的至少一個處理室的一個區(qū)域中，以便將至少一種類型的處理液噴射到襯底10的表面上。在圖3所不的本發(fā)明的另一個實施例中，第一濕式處理模塊7位于第一處理室I中。在這種情況下，第一濕式處理模塊7可以鄰近第一處理室I的第二端12來定位。因此，在襯底10經(jīng)由第一連接路徑15從第一處理室I驅(qū)出之前，可以通過將處理液噴射到襯底10的表面上來對襯底10執(zhí)行濕式處理。然而，本發(fā)明不限于此，并且第一濕式處理模塊7可以安置在第一處理室I的中央。在圖4所示的本發(fā)明的另一個實施例中，第一濕式處理模塊7安置在第二處理室2中。在這種情況下，第一濕式處理模塊7可以鄰近第二處理室2的第四端22來安置。因此，在襯底10已經(jīng)由第二連接路徑25載入到第二處理室2中或正經(jīng)由第二連接路徑25載入到第二處理室2中時，可以通過將處理液噴射到襯底10的表面上來對襯底10執(zhí)行濕式處理。然而，本發(fā)明不限于此，并且第一濕式處理模塊7可以安置在第二處理室2的中央。在圖5所示的本發(fā)明的另一個實施例中，第一濕式處理模塊7安置在第三處理室3的左上部區(qū)域中。因此，第一濕式處理模塊7鄰近于第五端31的與第二端12組合的部分而安置。因此，第一濕式處理模塊7可以鄰近于第一連接路徑15而安置，并且在襯底10正經(jīng)由第一連接路徑15載入到第三處理室3中時，可以通過將處理液噴射到襯底10的表面上來對襯底10執(zhí)行濕式處理。在圖6所示的本發(fā)明的另一個實施例中，第一濕式處理模塊7安置在第三處理室3的中上部區(qū)域中， 并且因此鄰近于第一處理室I的第二端12而安置。因此，在襯底10已經(jīng)由第一連接路徑15載入到第三處理室3中時，第一濕式處理模塊7可以通過將處理液噴射到襯底10的表面上來對襯底10執(zhí)行濕式處理。在圖7所示的本發(fā)明的另一個實施例中，第一濕式處理模塊7位于第三處理室3的中下部區(qū)域中，并且因此鄰近于第二處理室2的第四端22而安置。因此，在襯底10被向下推到了第三處理室3的下部時，S卩，在襯底10的移動方向切換到另一個方向之后，第一濕式處理模塊7可以通過將處理液噴射到襯底10的表面上來對襯底10執(zhí)行濕式處理。在圖8所示的本發(fā)明的一個實施例中，第一濕式處理模塊7位于第三處理室3的左下部區(qū)域中，并且因此鄰近于第五端31的與第四端22組合的部分而安置。因此，第一濕式處理模塊7可以鄰近于第二連接路徑25而安置，并且在襯底10正經(jīng)由第二連接路徑25從第三處理室3驅(qū)出時，可以通過將處理液噴射到襯底10的表面上來對襯底10執(zhí)行濕式處理。在圖9所示的本發(fā)明的一個實施例中，第一濕式處理模塊7是安裝成根據(jù)方向切換單元6的驅(qū)動而移動。因此，在方向切換單元6的垂直移動單元62在操作時，S卩，在襯底10在第三處理室3內(nèi)向下移動時，可以通過將處理液噴射到襯底10上來執(zhí)行濕式處理。在圖10所示的本發(fā)明的一個實施例中，第一濕式處理模塊7如圖3所示是安裝在第一處理室I中，并且第二濕式處理模塊7'安裝在第二處理室2中。第二濕式處理模塊7'向襯底10提供的處理液可以是第一濕式處理模塊7所提供的處理液或不同于第一濕式處理模塊7所提供的處理液。而且，第二濕式處理模塊7'可以是對襯底10的表面執(zhí)行濕式處理的模塊，例如沖洗單元或初步潤濕單元。雖然圖10圖示了第一濕式處理模塊7如圖3所示是安置在第一處理室I中，但是本發(fā)明不限于此。例如，在圖4到圖9的先前實施例中，第二濕式處理模塊7'也可以安置在第一處理室I到第三處理室3中的至少一個處理室中，但安裝了第一濕式處理模塊7的處理室除外，以便對襯底10的表面執(zhí)行濕式處理。在圖11所示的本發(fā)明的另一個實施例中，第一濕式處理模塊7如圖7所示是安裝在第三處理室3中，并且干式處理模塊8安裝在第一處理室I中。干式處理模塊8可以是對襯底10的表面執(zhí)行干式處理的模塊，例如等離子體供應(yīng)單元。雖然圖11圖示了第一濕式處理模塊7如圖7所示是安裝在第三處理室3中，但是本發(fā)明不限于此。例如，在圖3到圖6、圖8以及圖9的先前實施例中，干式處理模塊8也可以安置在第一處理室I到第三處理室3中的至少一個處理室中，但安裝了第一濕式處理模塊7的處理室除外，以便對襯底10的表面執(zhí)行干式處理。而且，當如圖10所示，第二濕式處理模塊7'安置在第一處理室I到第三處理室3中的至少一個處理室中但安裝了第一濕式處理模塊7的處理室除外時，干式處理模塊8可以安裝在剩余的處理室中，但安裝了第一濕式處理模塊7以及第二濕式處理模塊7'的處理室除外。圖12圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的第一濕式處理模塊7的結(jié)構(gòu)。第一濕式處理模塊7包含噴射模塊72、控制器70、第一儲罐711、第二儲罐712、第三儲罐713以及儲氣罐714。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，就要進行處理的襯底10可以是可用在顯示裝置中的各種類型的襯底中的任一種， 例如基底襯底101、硅膜102以及氧化硅膜103。
基底襯底101可以是玻璃、塑料或金屬襯底。盡管未圖示，但是基底襯底101可以還包含由有機材料和/或無機材料形成的絕緣膜。娃I旲102可以通過在基底襯底101上形成非晶娃I旲而獲得。在隨后的結(jié)晶工藝期間，硅膜102可以變成多晶硅膜。結(jié)晶工藝可以是激光結(jié)晶工藝，例如準分子激光退火(ELA)，但不限于此并且可以是其他各種結(jié)晶工藝中的任一種。通過使硅膜102結(jié)晶而獲得的多晶硅膜可以用作顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)的作用層。非晶硅膜在經(jīng)圖案化以及摻雜之后也可以用作此種薄膜晶體管(TFT)的作用層。在硅膜102的表面上形成氧化硅膜103。氧化硅膜103是在硅膜102的表面與空氣中的氧或氮化學結(jié)合時自然形成的氧化膜。大體上，氧化硅膜103形成到約5 A到1，000A
的厚度。然而，襯底10不限于在基底襯底101上形成了硅膜102的襯底，并且可以是各自包含娃膜的各種類型的襯底中的任一種，例如包含娃膜的娃晶片。噴射模塊72包含液體噴射模塊72a以及空氣噴射模塊72b，液體噴射模塊72a將第一到第三液體選擇性地提供到襯底10的表面上，空氣噴射模塊72b將空氣提供到襯底10的表面上。第一液體儲存第一儲罐711中，并且包含用于蝕刻形成在硅膜102上的氧化硅膜103的溶液。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，第一液體可以包含臭氧溶液。第一液體對于氧化硅膜103的蝕刻速率可以低于第二液體對于氧化硅膜103的蝕刻速率，并且第一液體因此可以用以清除殘留在襯底10上的有機材料。因此，第一液體可以用中性或堿性的洗滌劑來替代。第二液體儲存在第二儲罐712中，并且可以是可用以蝕刻形成在硅膜102上的氧化硅膜103的溶液，由與第一液體的物質(zhì)不同的物質(zhì)形成，并且對于氧化硅膜103的蝕刻速率比第一液體的高。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，第二液體可以是包含氫氟酸或氟化銨溶液的溶液。第三液體儲存在第三儲罐713中，并且可以用以稀釋襯底10的表面上的第一液體以及第二液體中的至少一種液體。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，第三液體可以包含水。水可以是去離子(DI)的純水。第三液體可以用作緩沖水，以防止第一液體以及第二液體這些蝕刻劑作用于襯底10。液體噴射模塊72a提供第一液體到第三液體，使之在襯底10上順暢地散開。為此，液體噴射模塊72a以某方式安裝成與襯底10的表面相隔了預(yù)定距離，使得液體噴射模塊72a可以在襯底10的縱向方向上做直線的往復運動，以將第一液體到第三液體提供到襯底10上。第一濕式處理模塊7可以是設(shè)計成將第一液體到第三液體選擇性地提供到液體噴射模塊72a。為此，第一濕式處理模塊7可以還包含額外的泵構(gòu)件(未圖示)以將第一液體到第三液體選擇性地排放到液體噴射模塊72a。第一打開/閉合閥715、第二打開/閉合閥716以及第三打開/閉合閥717可以連接在第一儲罐711到第三儲罐713與液體噴射模塊72a之間。第一打開/閉合閥715到第三打開/閉合閥717可以是電子閥， 所述電子閥連接到控制器70以便在控制器70的控制下打開或閉合。
雖然圖12圖示了第一儲罐711到第三儲罐713，但是本發(fā)明不限于此，并且可以只安裝第一儲罐711以及第二儲罐712以在不同時間分別將第一液體以及第二液體提供到襯底10上，從而移除氧化硅膜103并且使襯底10平坦化，如下文將詳細描述的。第一液體、第三液體以及第二液體可以順序地提供到襯底10上。在液體噴射模塊72a在做直線的往復運動時，第一液體到第三液體可以按第一液體、第三液體、第二液體、第三液體，然后再第一液體這樣的次序來提供。提供第一液體到第三液體的次序可以根據(jù)處理條件而變。例如，在液體噴射模塊72a在做直線的往復運動時，可以順序地提供第二液體、第三液體以及第一液體，并且隨后可以順序地提供第一液體以及第三液體或者第二液體以及第三液體，反之亦然。另外，可以不提供第三液體，并且可以順序地提供第一液體以及第二液體。在這種情況下，在液體噴射模塊72a在做直線的往復運動時，可以順序地提供第二液體以及第一液體。如上所述，根據(jù)當前實施例，第一液體以及第二液體在不同時間提供到襯底10上，其中第一液體以及第二液體是蝕刻速率不同的蝕刻劑。因此，在清潔襯底10的表面時，可以有效地控制氧化硅膜103的蝕刻速率，從而改善了移除了氧化硅膜103的硅膜102的
表面光滑度。此外，將第三液體提供到襯底10上，以通過使用第三液體來清除襯底10上殘留的第一和/或第二液體。因此，可以防止襯底10上殘留的第一液體與第二液體混合并且因此實現(xiàn)了所要的蝕刻速率。因此，可以精確地控制蝕刻速率并且增加均勻質(zhì)量的程度，即使在大規(guī)模生產(chǎn)中也可以如此。第一液體到第三液體的提供不限于單次往復掃描操作，而是可以執(zhí)行至少兩次掃描操作，以提供第一液體到第三液體中的每一種液體，使得可以選擇性地提供第一液體到第三液體中的至少兩種液體。圖12圖示了經(jīng)由一個液體噴射模塊72a選擇性地提供第一液體到第三液體的情況，但本發(fā)明不限于此。例如，液體噴射模塊72a可以包含三個液體提供模塊(未圖示)，這三個液體提供模塊分別連接到第一儲罐711到第三儲罐713以便被獨立地驅(qū)動。這三個液體提供模塊可以彼此組合起來一起操作。或者，液體噴射模塊72a可以包含兩個被獨立驅(qū)動的液體提供模塊(未圖示)。這兩個液體提供模塊可以分別連接到第一儲罐711到第三儲罐713中根據(jù)各種組合的兩個儲罐?？諝鈬娚淠K72b分別安裝在液體噴射模塊72a之前以及之后?？諝鈬娚淠K72b也連接到控制器70?？諝鈬娚淠K72b將空氣提供到襯底10的表面上，并且可以在液體噴射模塊72a的移動方向上移動。液體噴射模塊72a以及空氣噴射模塊72b可以設(shè)計成經(jīng)由不同的直線驅(qū)動構(gòu)件水平地驅(qū)動?？諝鈬娚淠K72b連接到儲氣罐714。在空氣噴射模塊72b內(nèi)部或外部，可以包含空氣泵(未圖示)?？諝鈬娚淠K72b連接到控制器70，并且在控制器70的控制下控制空氣的噴射。第四打開/閉合閥 718進一步連接在空氣噴射模塊72b與儲氣罐714之間。第四打開/閉合閥718可以是電子閥，所述電子閥連接到控制器70以便在控制器70的控制下打開或閉合?？諝鈬娚淠K72b是用于適當?shù)貒娚淇諝獾膰娚鋰娮欤⑶铱梢允悄軌驀娚錃夂煹膰娮?。在之前的一個操作期間將空氣提供到襯底10上，以通過使用氣壓來沖掉襯底10上殘留的第一液體到第三液體中的至少一種液體。因此，防止第一液體到第三液體在襯底10上混合，并且具體來說，可以防止襯底10上第一液體以及第二液體的蝕刻劑密度不像如想要般改變。因此，可以使用空氣來精確地控制第一液體以及第二液體的蝕刻速度，并且可以容易地控制第三液體的緩沖操作。雖然圖12圖示了兩個空氣噴射模塊72b，但是本發(fā)明不限于此。空氣噴射模塊72b的數(shù)目可以根據(jù)裝置設(shè)計條件而變，以便防止第一液體到第三液體中的至少兩種液體混合。例如，一個空氣噴射模塊72b只可以安置在液體噴射模塊72a之前或之后?？梢試娚淇諝庖耘c第一液體到第三液體中的至少一種液體重疊。在這種情況下，空氣的重疊意味著，第一液體到第三液體中的至少一種液體與空氣噴射在襯底10上以在操作襯底10時彼此重疊。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，空氣噴射模塊72b可以與液體噴射模塊72a —起操作，使得在噴射第一液體到第三液體中的至少一種液體的同時可以噴射空氣。圖13是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的噴射模塊72的橫截面圖。在圖13的當前實施例中，第一液體噴射模塊721與第二液體噴射模塊722組合起來以形成一個液體噴射模塊72a，并且兩個空氣噴射模塊72b分別安置在液體噴射模塊72a之前以及之后。液體噴射模塊72a包含第一液體噴射模塊721以及第二液體噴射模塊722。第一液體噴射模塊721以及第二液體噴射模塊722中的每一者都是通過將兩個板部件組合到一起來形成。在第一液體噴射模塊721以及第二液體噴射模塊722中的每一者中形成液體噴射孔723，并且液體提供管724連接到第一液體噴射模塊721以及第二液體噴射模塊722中的每一者的外部部分。液體提供管724可以連接到外部儲罐(未圖示)。上述的第一液體以及第三液體可以通過第一液體噴射模塊721來選擇性地噴射，而上述的第二液體可以通過第二液體噴射模塊722來噴射。然而，本發(fā)明不限于此，并且第二液體以及第三液體可以通過第一液體噴射模塊721來選擇性地噴射,而第一液體可以通過第二液體噴射模塊722來噴射?；蛘?第一液體以及第二液體可以通過第一液體噴射模塊721來選擇性地噴射,而第三液體可以通過第二液體噴射模塊722來噴射。每個空氣噴射模塊72b都是通過將兩個板部件組合到一起來形成。在每個空氣噴射模塊72b中形成液體噴射孔725，并且液體提供管726連接到每個空氣噴射模塊72b的外部部分。液體提供管726可以連接到外部儲氣罐(未圖示)。液體噴射模塊72a以及空氣噴射模塊72b在襯底10的橫向方向上沿直線延伸。液體噴射模塊72a以及空氣噴射模塊72b中的每一者的兩端都通過組合支架727來固定。組合支架727可以改變空氣噴射模塊72b的角度，使之與液體噴射模塊72a組合，并且因此，使用空氣噴射模塊72b噴射空氣的角度可以使用空氣噴射模塊72b來改變以及調(diào)整。噴射模塊72是可以噴射蝕刻溶液、清潔溶液以及空氣的單個模塊，從而緊湊地制造整個設(shè)備，更具體來說是處理室設(shè)備結(jié)構(gòu)。 這是因為允許噴射模塊72做往復運動的直線電動機設(shè)備的大小可以大幅縮減，并且泵以及閥設(shè)備的大小也可以縮減。圖14圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的第一濕式處理模塊7的結(jié)構(gòu)。參看圖14，在根據(jù)當前實施例的第一濕式處理模塊7中，噴射模塊72包含液體噴射模塊72a以及空氣噴射模塊72b。液體噴射模塊72a包含多個噴射噴嘴73。噴射噴嘴73布置在襯底10的縱向方向上，以將第一液體到第三液體中的一種液體一次噴射到整個襯底10上。在這個結(jié)構(gòu)中，液體噴射模塊72a可以是固定的，并且可以將液體同時噴射到整個襯底10上。在當前實施例中，液體噴射模塊72a將第一液體到第三液體選擇性地噴射到襯底10上。空氣噴射模塊72b可以在沿襯底10的表面移動的同時將空氣噴射到襯底10上。在噴射噴嘴73固定時，襯底10可以在做前后往復運動的同時晃動。在這種情況下，襯底10的晃動距離可以設(shè)定成等于或大于噴射噴嘴73之間的距離。因此，第一液體到第三液體中的任一種液體都可以均勻地噴射到襯底10的整個表面上。圖15是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的一個噴射噴嘴73的部分透視圖。參看圖15，噴射噴嘴73包含第一供應(yīng)管731以及連接第一供應(yīng)管731兩端的第二供應(yīng)管732。第一塊體733分別連接到第一供應(yīng)管731的兩端。第二供應(yīng)管732的長度等于第一供應(yīng)管731的長度，并且第二塊體734分別連接到第二供應(yīng)管732的兩端。第三供應(yīng)管735連接在連接到第一供應(yīng)管731兩端的第一塊體733與連接到第二供應(yīng)管732兩端的第二塊體734之間，從而將第一供應(yīng)管731與第二供應(yīng)管732彼此連接。第四供應(yīng)管736連接到一個第二塊體734以供應(yīng)液體。第四供應(yīng)管736也可以連接到一個第一塊體733。第四供應(yīng)管736可以連接到外部儲罐(未圖示)。通過將第一供應(yīng)管731的兩端連接到第二供應(yīng)管732的兩端，可以在第一供應(yīng)管731的縱向方向上將液體相當均勻地供應(yīng)給整個第一供應(yīng)管731。因此，從多個噴嘴737排放的液體的量的變化可以減少。雖然圖14圖示了所有噴射噴嘴73都經(jīng)由第一打開/閉合閥715到第三打開/閉合閥717而連接到第一儲罐711到第三儲罐713，但是本發(fā)明不限于此。如圖16所示，第一儲罐711到第三儲罐713可以分別連接到第一噴射噴嘴73a、第二噴射噴嘴73b以及第三噴射噴嘴73c。第一噴射噴嘴73a到第三噴射噴嘴73c可以交替地布置。在這種情況下，襯底10的晃動距離可以等于或大于第一噴射噴嘴73a之間的距離、第二噴射噴嘴73b之間的距離，或第三噴射噴嘴73c之間的距離。雖然未圖示，但是一些噴射噴嘴73可以連接到第一儲罐711到第三儲罐713中的兩個儲罐，而其他噴射噴嘴73可以連接到另一個儲罐。圖14到圖16圖示了使用布置成多行的噴射噴嘴73的情況。然而，如圖17所示，可以使用布置成一行的并且分別連接到第一儲罐711、第二儲罐712以及第三儲罐713的第一噴射噴嘴73a、第二噴射噴嘴73b以及第三噴射噴嘴73c。在這種情況下，第一噴射噴嘴73a到第三噴射噴嘴73c可以交替地布置。在圖17所示的結(jié)構(gòu)中，襯底10前后晃動的寬度可以大幅增加，并且可以至少等于或大于襯底10的長度。因此， 可以將充足的液體供應(yīng)到襯底10的整個表面。然而，本發(fā)明不限于此，并且噴射模塊72可以在襯底10的縱向方向上做直線的往復運動。在圖17的實施例中，第一儲罐711到第三儲罐713分別經(jīng)由第一打開/閉合閥715到第三打開/閉合閥717連接到布置成一行的第一噴射噴嘴73a到第三噴射噴嘴73c。然而，本發(fā)明不限于此，并且第一儲罐711到第三儲罐717可以分別經(jīng)由不同的打開/閉合閥而連接到一個噴射噴嘴。在這種情況下，噴射噴嘴可以通過控制打開/閉合閥而選擇性地噴射第一液體到第三液體中的一種液體。在圖17的實施例中，不包含空氣噴射模塊。在這種情況下，在液體噴射到了襯底10上之后，可以使襯底10傾斜預(yù)定角度，以將殘留液體從襯底10移除。然而，本發(fā)明不限于此，并且可以使用空氣噴射模塊將空氣噴射到襯底10的表面上，如圖12、圖14或圖16所示。相反地，在圖12、圖14以及圖16的實施例中，也可以不使用空氣噴射模塊，并且可以使襯底10傾斜以移除上面殘留的液體。根據(jù)上述每個實施例包含噴射模塊72的第一濕式處理模塊7的數(shù)目不受限，并且在襯底10的移動方向上可以順序地安裝多個第一濕式處理模塊7，使得可以執(zhí)行多級濕式處理以在多個級中將液體噴射到襯底10上。在這種情況下，僅多個噴射模塊72可以順序地安置，或多個第一濕式處理模塊7可以順序地安置。如上所述的第一濕式處理模塊7可適用于第二濕式處理模塊。圖18圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于傾斜上述襯底10的傾斜驅(qū)動單元9。參看圖18，傾斜驅(qū)動單元9包含框架90?？蚣?0包含第一框架90a和第二框架90b以及第三框架90c和第四框架90d，其中第一框架90a和第二框架90b在第一方向Xl上延伸以便彼此分開地平行安置，第三框架90c和第四框架90d在垂直于第一方向Xl的方向Y上延伸以便彼此分開地平行安置。第一框架90a到第四框架90d組合成實質(zhì)上矩形的形狀。第三框架90c安置在第一方向Xl上的第一框架90a和第二框架90b中的每一者的一端處，且安置比其他框架低，使得可以經(jīng)由第三框架90c容易地載入襯底10。在第一框架90a和第二框架90b上安裝支撐滾筒93以支撐襯底10的側(cè)面。而且，支撐滾筒93可以安裝在第一框架90a和第二框架90b中的每一者的另一端處的第四框架90d 上。如圖18所不，多個支撐桿92安置在第一框架90a與第二框架90b之間并且彼此相隔了預(yù)定距離。多個驅(qū)動滾筒91安裝在每個支撐桿92上以便彼此相隔預(yù)定距離。每個支撐桿92的兩端分別在第一框架90a與第二框架90b之間。在支撐桿92的兩端處安裝了齒輪(未圖示)。在第一框架90a以及第二框架90b中的至少一個框架的兩端處安裝了斜齒輪(未圖示)。所述斜齒輪是通過額外的驅(qū)動器(未圖示)來旋轉(zhuǎn)。當斜齒輪通過額外的驅(qū)動器旋轉(zhuǎn)時，所產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)力被傳遞以使支撐桿92旋轉(zhuǎn)，從而同時旋轉(zhuǎn)驅(qū)動滾筒91。提升單元94與框架90的下部組合。提升單元94包含使框架90能夠做垂直往復運動的裝置(未圖示)，例如氣缸裝置。提升單元94包含與第一框架90a的下部組合的一對第一提升單元94a以及與第二框架90b的下部組合的一對第二提升單元94b。可以通過調(diào)整第一提升單元94a以及第二提升單元94b的收縮長度來使襯底10傾斜。換句話說，如圖19所示，通過調(diào)整第一提升單元94a的收縮程度使之大于第二提升單元94b的收縮程度， 襯底10可以從第一位置Pl自發(fā)地移動到第二位置P2。在這種情況下，由于第一框架90a上的支撐滾筒93，襯底10的位置不會再進一步降低。傾斜驅(qū)動單元9可以載入到根據(jù)圖1到圖11的實施例的至少一些處理室中。即，傾斜驅(qū)動單元9可以安裝在第一水平移動單元4或第二水平移動單元5的一個區(qū)域中。此夕卜，傾斜驅(qū)動單元9可以安裝在方向切換單元6的至少一個區(qū)域中。如所描述，當使用傾斜驅(qū)動單元9來傾斜襯底10時，襯底10上殘留的液體不僅可以移除，而且在襯底10是大型襯底時還可以容易地處理。如果襯底10設(shè)計成傾斜的，那么安裝在襯底10的橫向方向上的設(shè)備的大小可以縮減，因此大幅縮減了整個設(shè)備的大小。而且，通過調(diào)整傾斜角度Θ，即使是大型襯底也可以容易地處理。如果在襯底10傾斜的同時用純水沖洗襯底10或?qū)σr底10執(zhí)行初步潤濕，那么自然地移除殘留在襯底10上的純水或液體，從而有助于后一個工藝。當襯底10移向第一濕式處理模塊7時，可以通過傾斜襯底10來移動襯底10，并且襯底10可以返回到平行于底面的第一位置P1。在這種情況下，可以在襯底10下方安置多個位置調(diào)整銷，使得襯底10可以自然地放置在位置調(diào)整銷上，并且處理液可以直接噴射到襯底10上而無須調(diào)整襯底10的位置,從而減少了總的節(jié)拍時間(tact time)。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的襯底表面處理系統(tǒng)執(zhí)行襯底表面處理如下。首先參看圖3，通過使用第一門14以及搬運機器人將襯底10載入到在第二處理室2上方的第一處理室I中，并且隨后在第一處理室I內(nèi)水平地移動襯底10。在這種情況下，雖然未圖示，但是在第一處理室I中可能存在初步潤濕區(qū)，以通過將純水噴射到襯底10上來對襯底10執(zhí)行初步潤濕。在圖3的實施例中，由于第一濕式處理模塊7是安置在第一處理室I中，因此第一濕式處理模塊7對襯底10執(zhí)行第一濕式處理。隨后，經(jīng)由方向切換模塊6來切換襯底10經(jīng)由第一連接路徑15移動到第三處理室3的方向，使得襯底10可以在第二方向X2上水平地移動。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，移動到第三處理室3的襯底10經(jīng)由垂直移動單元62而向下移動，并且通過操作第三驅(qū)動滾筒61而在第二方向X2上移動。隨后，襯底10經(jīng)由第二連接路徑25移動到第二處理室2。襯底10在第二處理室2中在第二方向X2上移動，以便經(jīng)由第二門24驅(qū)出外部。隨后，安置在外部的搬運機器人接收被執(zhí)行了第一濕式處理的襯底10。第一濕式處理在圖4的實施例中是在第二處理室2中執(zhí)行的，而在圖5到圖9的實施例中是在第三處理室3中執(zhí)行的。隨后，如上文參看圖10所描述，第二濕式處理模塊7'可以對襯底10執(zhí)行第二濕式處理，第二濕式處理發(fā)生在襯底10在第一方向Xl上水平地移動、切換襯底10的方向，以及襯底10在第二方向X2上垂直地移動中不執(zhí)行第一濕式處理的一個操作過程中。而且，如上文參看圖11所描述，干式處理模塊8可以執(zhí)行干式處理，所述干式處理是在襯底10的表面干了之后才執(zhí)行，干式處理發(fā)生在襯底10在第一方向Xl上水平地移動、切換襯底10的方向，以及襯底10在第二方向X2上垂直地移動之中不執(zhí)行第一濕式處理的一個操作過程中。上文已關(guān)于如圖1所示第一處理室I位于第二處理室2上方的情況來描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明的概念不限于此。 如圖2所示，本發(fā)明也可適用于第一處理室I位于第二處理室2下方的情況。通過使用襯底表面處理系統(tǒng)以及方法，以“C”形式對襯底10執(zhí)行表面處理。因此，與沿直線布置的直列式系統(tǒng)相比，所述襯底表面處理系統(tǒng)的構(gòu)造可以非常緊湊，從而節(jié)省了安裝空間。根據(jù)本發(fā)明的上述實施例，二層襯底表面處理系統(tǒng)的制造更緊湊，從而節(jié)省了安裝空間。而且，本發(fā)明可以容易地應(yīng)用于大型襯底。而且，在清潔多晶硅膜的表面的同時，可以使用第一液體以及第二液體來蝕刻氧化硅膜，并且在蝕刻了氧化硅膜之后，可以極大地改善多晶硅膜的表面的光滑度。而且，可以通過在不同時間提供第一液體以及第二液體來控制第一液體以及第二液體這些蝕刻劑的蝕刻速率。此外，由于在使用第一液體以及第二液體這些彼此不同的蝕刻劑的同時提供了第三液體，因此可以通過使用第三液體的緩沖操作來精確地控制第一液體以及第二液體的蝕刻速率，并且防止在第一液體與第二液體混合時導致的所要蝕刻速率的變化，從而防止產(chǎn)率降低。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，可以通過將空氣供應(yīng)到襯底上或傾斜襯底，將第一液體到第三液體中的至少一種液體從襯底的表面移除。因此，可以防止襯底上的第一液體到第三液體中的至少兩種液體混合，從而實現(xiàn)了所要的蝕刻精確性。本發(fā)明對于大型襯底非常有用。雖然已參考示范性實施例對本發(fā)明做了詳細展示和描述，但所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將了解， 在不偏離隨附權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對本發(fā)明的形式和細節(jié)做出各種改變。
權(quán)利要求
1.一種襯底表面處理系統(tǒng)，其特征在于，包括: 第一處理室，所述第一處理室在平行于底面的方向上延伸，并且包含在其兩端處的第一端以及第二端； 第二處理室，所述第二處理室在所述平行于底面的方向上延伸，與所述第一處理室平行安置，并且包含在其兩端處的第三端以及第四端； 第三處理室，所述第三處理室包含在其兩端處的彼此相向的第五端以及第六端，其中所述第五端與所述第二端以及所述第四端組合，并且所述第三處理室與所述第一處理室以及所述第二處理室連通； 第一水平移動單元，所述第一水平移動單元安裝在所述第一處理室中以在從所述第一端到所述第二端的第一方向上移動襯底，所述第一方向平行于所述底面； 第二水平移動單元，所述第二水平移動單元安裝在所述第二處理室中以在第二方向上移動所述襯底，所述第二方向平行于所述底面并且與所述第一方向相反； 方向切換單元，所述方向切換單元安裝在所述第三處理室中以將所述襯底的移動方向從所述第一方向切換到所述第二方向或從所述第二方向切換到所述第一方向；以及 第一濕式處理模塊，所述第一濕式處理模塊安裝在所述第一處理室到所述第三處理室中的至少一個處理室的一個區(qū)域中，以將至少一種類型的處理液噴射到所述襯底上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一端與所述第三端彼此平行地延伸，所述第二端與所述第四端彼此平行地延伸，并且第一門以及第二門分別安裝在所述第一端以及所述第三端處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所 述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一濕式處理模塊安置在所述第一處理室到所述第三處理室中的一個處理室中，并且干式處理模塊安置在未安置有所述第一濕式處理模塊的其他處理室中，以對表面干了的所述襯底執(zhí)行干式處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一濕式處理模塊安置在所述第一處理室到所述第三處理室中的一個處理室中，并且第二濕式處理模塊安置在未安置有所述第一濕式處理模塊的所述其他處理室中的至少一個處理室中，以對所述襯底執(zhí)行濕式處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一濕式處理模塊鄰近于所述第三處理室的所述第五端的一部分而安置，所述部分與所述第二端組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一濕式處理模塊鄰近于所述第三處理室的所述第五端的一部分而安置，所述部分與所述第四端組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一濕式處理模塊安置在所述第三處理室中鄰近于所述第二端的一部分中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一濕式處理模塊安置在所述第三處理室中鄰近于所述第四端的一部分中。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一濕式處理模塊是結(jié)合所述方向切換單元而安裝。
10.根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第二處理室安置在所述第一處理室的下部區(qū)域中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一處理室安置在所述第二處理室的下部區(qū)域中。
12.根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，還包括傾斜驅(qū)動單元，所述傾斜驅(qū)動單元安置在所述第一處理室到所述第三處理室中的至少一個處理室中以傾斜所述襯底使之相對于所述底面傾斜。
13.根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一濕式處理模塊包括集成為一個單元的液體噴射模塊以及空氣噴射模塊，其中所述液體噴射模塊經(jīng)安裝以朝向所述襯底的所述表面噴射所述處理液，并且所述空氣噴射模塊經(jīng)安裝以朝向所述襯底的所述表面噴射空氣。
14.根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一權(quán)利要求所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一濕式處理模塊包括液體噴射模塊，所述液體噴射模塊包含多個噴射噴嘴。
15.—種襯底表面處理方法,其特征在于,包括: 第一水平移動操 作，用于在第一方向上水平地移動襯底； 方向切換操作，用于切換所述襯底的移動方向使得所述襯底從所述第一方向水平地移動到與所述第一方向相反的第二方向； 第二水平移動操作，用于在所述第二方向上水平地移動所述襯底；以及 第一濕式處理操作，用于在所述第一水平移動操作、所述方向切換操作以及所述第二水平移動操作中的至少一個操作過程中將至少一種類型的處理液噴射到所述襯底上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一濕式處理操作是在所述第一水平移動操作、所述方向切換操作以及所述第二水平移動操作中的一個操作中執(zhí)行，并且干式處理操作是在不執(zhí)行所述第一濕式處理操作的其他操作中執(zhí)行，所述干式處理操作是對表面干了的所述襯底執(zhí)行。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一濕式處理操作是在所述第一水平移動操作、所述方向切換操作以及所述第二水平移動操作中的一個操作中執(zhí)行，并且第二濕式處理操作是在不執(zhí)行所述第一濕式處理操作的其他操作中執(zhí)行。
18.根據(jù)權(quán)利要求15到17中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述方向切換操作包括垂直升高所述襯底。
19.根據(jù)權(quán)利要求15到17中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述方向切換操作包括垂直降低所述襯底。
20.根據(jù)權(quán)利要求15到17中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述第一水平移動操作、所述方向切換操作以及所述第二水平移動操作中的至少一個操作包括傾斜所述襯底使之相對于底面傾斜。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述襯底的所述傾斜包括傾斜所述襯底以使得所述襯底的所述表面在垂直于所述第一方向或所述第二方向的方向上傾斜。
22.根據(jù)權(quán)利要求15到17中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述第一濕式處理操作包括將所述處理液以及空氣中的至少一者提供到所述襯底的所述表面上。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，在所述將所述處理液以及空氣中的至少一者提供到所述襯底的所述表面上的過程中，同時提供所述處理液以及空氣。
全文摘要
本發(fā)明提供一種襯底表面處理系統(tǒng)及方法，該系統(tǒng)包含第一處理室，在平行于底面的方向上延伸且包含第一端及第二端；第二處理室，在平行于底面的方向上延伸，與第一處理室平行安置且包含第三端及第四端；第三處理室，包含第五端及第六端，其中第五端與第二端及第四端組合，第三處理室與第一處理室及第二處理室連通；第一水平移動單元，安裝在第一處理室中以在第一方向上移動襯底；第二水平移動單元，安裝在第二處理室中以在與第一方向相反的第二方向上移動襯底；方向切換單元，安裝在第三處理室中以將襯底的移動方向切換為第一方向或第二方向；第一濕式處理模塊，安裝在第一處理室到第三處理室中的至少一個區(qū)域中，以將至少一種處理液噴射到襯底上。
文檔編號H01L21/67GK103219262SQ201210370989
公開日2013年7月24日 申請日期2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月20日
發(fā)明者張承逸, 安吉秀 申請人:株式會社Mm科技