專利名稱：發(fā)光二極管封裝件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管封裝件及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是包括利用電能發(fā)光的材料的器件，在該材料中通過半導(dǎo)體結(jié)部分中的電子空穴復(fù)合而產(chǎn)生的能量被轉(zhuǎn)換為要從該材料發(fā)出的光。LED通常被用作照明裝置、顯示裝置等的光源，并由此已經(jīng)促進(jìn)了 LED的開發(fā)。尤其是近年來，氮化鎵基LED的開發(fā)和使用已得到增長，并且使用這種氮化鎵基LED的手機(jī)鍵盤、觀景器、照相機(jī)閃光燈等已經(jīng)商業(yè)化，并由此已促進(jìn)了使用LED的一般照明裝置的開發(fā)。就像應(yīng)用了 LED的諸如大型TV的背光單元、汽車前大燈、普通照明裝置等產(chǎn)品一樣，LED的目標(biāo)逐漸向具有高輸出和高效率的大尺寸產(chǎn)品靠攏，針對這種目的而使用的LED的特性需要滿足高水平的LED特性。在相關(guān)技術(shù)的LED中，在封裝件主體上形成堰(dam)，并隨后(利用由堰保持在適當(dāng)位置處的樹脂等)對LED芯片進(jìn)行密封，這里，可以形成的堰圖案類型是有限的，使得難以制造具有多種類型的光提取表面圖案的LED。

發(fā)明內(nèi)容
本公開的一個方面提供了一種具有減小的產(chǎn)品成本、多種光提取表面圖案和增強(qiáng)的照明強(qiáng)度的發(fā)光二極管(LED)封裝件。本公開的另一方面提供了一種用于制造上述LED封裝件的方法。根據(jù)本公開的一個方面，提供了一種發(fā)光二極管(LED)封裝件，包括封裝件主體；安裝在所述封裝件主體上的LED芯片；疏水圖案，其與所述LED芯片隔開地形成在所述封裝件主體上；以及密封所述LED芯片的樹脂單元，其中所述樹脂單元由所述疏水圖案限定。所述疏水圖案可以包括多個納米結(jié)構(gòu)。所述疏水圖案可以包括形成在所述封裝件主體上的種子層圖案；以及從所述種子層圖案生長的多個納米結(jié)構(gòu)。所述樹脂單元可以包括熒光劑。所述樹脂單元相對于所述封裝件主體可以具有90°或更大的接觸角。所述疏水圖案可以包括圓形、三角形、四邊形和它們的任意組合。所述疏水圖案可以包括以相同方式形成的至少兩個被隔開的圖案。所述LED封裝件還可以包括密封所述樹脂單元的透鏡，其中所述透鏡由所述疏水圖案限定。所述透鏡相對于所述封裝件主體可以具有90°或更大的接觸角。
所述疏水圖案可以受到O2等離子體或H2等離子體處理，或者可以被氟碳化。所述納米結(jié)構(gòu)可以由氧化鋅(ZnO)基化合物制成。所述種子層圖案可以是金(Au)、銅(Cu)或它們的合金，或者可以是ZnO。所述種子層圖案可以具有交替地層疊金(Au)和銅(Cu)的多層結(jié)構(gòu)。根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種發(fā)光二極管(LED)封裝件，包括封裝件主體；安裝在所述封裝件主體上的LED芯片；親水圖案，其與所述LED芯片隔開地形成在所述封裝件主體上；以及密封所述LED芯片的樹脂單元，其中所述樹脂單元由所述親水圖案限定。所述親水圖案可以包括多個納米結(jié)構(gòu)。所述親水圖案可以受到O2等離子體處理。根據(jù)本公開另一方面，提供了一種用于制造發(fā)光二極管(LED)的方法，包括在封裝件主體上形成疏水圖案JfLED芯片安裝在由所述疏水圖案形成的區(qū)域上；以及以樹脂密封所述LED芯片。 所述疏水圖案可以包括多個納米結(jié)構(gòu)?？梢栽诜N子層圖案形成在所述封裝件主體上之后，從所述種子層圖案生長所述納米結(jié)構(gòu)。所述種子層圖案可以浸入(Zn(NO3)2 6H20)中，并且可以在所述種子層圖案上形成ZnO納米結(jié)構(gòu)。所述種子層圖案可以由金(Au)、銅(Cu)或它們的合金制成，或者所述種子層圖案可以由ZnO制成。所述種子層圖案可以形成為通過交替地層疊金(Au)和銅(Cu)而成為多層的。

所述方法還可以包括對所述疏水圖案執(zhí)行O2等離子體或H2等離子體處理，或者將所述疏水圖案氟碳化。所述方法還可以包括在形成密封LED芯片的樹脂單元之后，在所述樹脂單元上形成透鏡。所述納米結(jié)構(gòu)可以由氧化鋅(ZnO)基化合物制成。根據(jù)本公開另一方面，提供了一種用于制造發(fā)光二極管(LED)封裝件的方法，包括在封裝件主體上形成疏水圖案；將封裝件主體的其上形成有所述疏水圖案的表面修改為具有親水性的表面；將LED芯片安裝在封裝件主體的表面的一部分上；以及利用樹脂密封所述LED芯片。所述疏水圖案可以包括多個納米結(jié)構(gòu)，并且可以通過執(zhí)行H2等離子體處理或者執(zhí)行氟碳處理來實現(xiàn)使得所述封裝件主體的表面成為具有親水性表面的修改。根據(jù)本公開的另一方面，一種發(fā)光二極管(LED)封裝件包括封裝件主體和安裝在封裝件主體上的LED芯片。在封裝件主體上形成包括第一多個納米結(jié)構(gòu)的第一圖案。第一圖案與LED芯片隔開并圍繞LED芯片。透光樹脂單元密封LED芯片。樹脂單元的外邊界由所述圖案限定。在本公開的具體實施例中，在封裝件主體上形成包括第二多個納米結(jié)構(gòu)的第二圖案。第二圖案與第一圖案隔開并且圍繞LED芯片。在具體實施例中，第一圖案和第二圖案受到O2等離子體或H2等離子體處理，或者被氟碳化。在具體實施例中，納米結(jié)構(gòu)由氧化鋅(ZnO)基化合物制成。
在本公開的其他實施例中，提供了用于制造發(fā)光二極管(LED)封裝件的方法，其中所述方法包括在封裝件主體上形成具有第一多個納米結(jié)構(gòu)的第一圖案。將LED芯片安裝在由第一圖案形成的區(qū)域上。第一圖案與LED芯片隔開并且圍繞LED芯片，并且采用樹脂將LED芯片密封以形成樹脂單元。樹脂單元的外邊界由所述圖案限定。在本公開的具體實施例中，在封裝件主體上形成種子層圖案，并且從種子層圖案生長出納米結(jié)構(gòu)。在具體實施例中，在封裝件主體上形成包括第二多個納米結(jié)構(gòu)的第二圖案，第二圖案與第一圖案隔開并且圍繞LED芯片。


通過以下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，將會更清楚地理解本公開的上述和其他方面、特征以及其他優(yōu)點(diǎn)，在附圖中

圖1A是示意性示出根據(jù)本公開第一實施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的透視圖。圖1B是圖1A中的“B”的放大示圖。圖2是示意性示出圖1A中的LED封裝件沿線A_A’截取的截面的示圖。圖3是示意性示出根據(jù)本公開第二實施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的截面圖。圖4是示意性示出根據(jù)本公開第三實施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的截面圖。圖5是示意性示出根據(jù)本公開第四實施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的透視圖。圖6是示意性示出根據(jù)本公開第五實施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的透視圖。圖7是示意性示出根據(jù)本公開第六實施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的透視圖。圖8是示意性示出根據(jù)本公開第七實施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的透視圖。圖9至圖13是示意性示出用于制造根據(jù)本公開第一實施例的LED封裝件的方法的示圖。圖14A至圖14C是示出LED封裝件形狀的變化的示圖。圖15是通過拍攝納米結(jié)構(gòu)而得到的SEM照片。
具體實施例方式現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述本公開的實施例。然而，本公開可以以許多不同形式來實現(xiàn)，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于本發(fā)明所述的實施例。相反，提供這些實施例是為了使得本公開透徹和完整，并且將本公開的范圍全面?zhèn)鬟_(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為清楚起見夸大了元件的形狀和尺寸，并且全文將使用相同附圖標(biāo)記來指代相同或相似的部件。首先將描述根據(jù)本發(fā)明一個實施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件,并隨后描述用于制造根據(jù)本發(fā)明實施例的LED封裝件的方法。圖1A是示意性示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的透視圖。圖1B是圖1A中“B”的放大示圖。圖2是示意性示出圖1A中所示LED封裝件的沿線A-A’截取的界面的示圖。如圖1A和圖2所示，根據(jù)本公開的第一實施例的LED封裝件100包括封裝件主體110、LED 芯片 120、疏水圖案(hydrophobic pattern) 130 和樹脂單兀 140。LED芯片120安裝在封裝件主體110的一個表面上，并且可以將封裝件主體110的安裝了 LED芯片120的表面形成為凹陷的，使其周圍形成為斜面。LED芯片120安裝在封裝件主體110的一個表面上，并且可以通過在生長襯底上外延生長半導(dǎo)體層來得到LED芯片120。在該情況下，生長襯底可以由藍(lán)寶石制成，但是本公開不限于此。例如，可以使用由諸如尖晶石、SiC, GaN, GaAs之類的材料制成的已知的生長襯底。詳細(xì)地說，LED 芯片 120 可以由 BN、SiC、ZnSe、GaN、InGaN、InAlGaN、AlGaN、BAlGaN、BInAlGaN等制成，并且摻雜硅(Si)、鋅(Zn)等。這里，在本實施例中，將LED作為一個示例，但是可以使用任何光電元件，只要其在被施加了電信號時發(fā)光即可。例如，可以使用激光二極管、光電二極管、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)等。而且，LED芯片120的發(fā)光層可以由通過InxAlyGai_x_y (0彡X彡1，0彡Y彡1，0彡X+Y彡I)形成的氮化物半導(dǎo)體制成，并且可以具有單量子阱或多量子阱結(jié)構(gòu)以增強(qiáng)其輸出。形成于LED芯片120的上表面上的電極(未示出)可以與封裝件主體110上的引線框進(jìn)行線接合，以從外部接收電信號。在本實施例中，形成于LED芯片120的上表面上的兩個電極均與引線框線接合，但可替換地，可以不使用線而將電極直接電連接到提供在LED芯片的安裝區(qū)域處的引線框，并且通過導(dǎo)線連接到?jīng)]有提供在安裝區(qū)域上的引線框。即，可以根據(jù)需要對具體連接方案進(jìn)行各種改變。而且，在本公開中，在封裝件主體110內(nèi)僅示出單個LED芯片120，但是可以提供兩個或更多LED芯片。如圖1A和圖1B所示，疏水圖案130形成為與封裝件主體110上的LED芯片120隔開。疏水圖案130可以形成為連續(xù)圖案以完全圍繞LED芯片120，或者可以形成為以一定間隔形成的不連續(xù)圖案。疏水圖案130用作用于將具有親水性的樹脂單元140限制為僅形成在由疏水圖案130所限定的區(qū)域內(nèi)的堰。疏水圖案130的疏水性可以通過蓮花效應(yīng)來實現(xiàn)。蓮花效應(yīng)是指蓮葉的表面由于形成在其上的微小突起而表現(xiàn)出超疏水性的現(xiàn)象，其使得水滴不能附著在蓮葉的表面上。在本實施例中，為了使得形成于LED 100的封裝件主體110上的疏水圖案130能夠具有疏水性，疏水圖案130可以包括如圖15所示的多個納米結(jié)構(gòu)130b。納米結(jié)構(gòu)130b是納米尺度上的微小圖案的聚集體。如圖15所示，納米結(jié)構(gòu)130b可以在納米尺度上形成為柱狀、針狀、管狀、片狀等，并且具有包括圓形、四邊形、六邊形在內(nèi)的多邊形當(dāng)中的一種水平截面形狀。而且，可以根據(jù)納米結(jié)構(gòu)130b的長度和尺寸以及納米結(jié)構(gòu)130b之間的間隔來改變疏水圖案130的疏水性。可以通過調(diào)節(jié)納米結(jié)構(gòu)130b生長時的反應(yīng)時間來控制納米結(jié)構(gòu)130b的長度。疏水圖案130的納米結(jié)構(gòu)130b可以由氧化鋅(ZnO)基的化合物制成?？梢酝ㄟ^諸如化學(xué)氣相沉積(CVD)之類的方法來從封裝件主體110生長納米結(jié)構(gòu)130b?？商鎿Q地，為了簡化制造工藝并減小生產(chǎn)成本，可以通過形成由金(Au)、銅(Cu)或其合金制成的種子層圖案并隨后將種子層圖案浸入包括(Zn(NO3)2 *6H20)和六次甲基四胺(HMT)的混合物的溶液中，來形成納米結(jié)構(gòu)130b。而且，為了增強(qiáng)納米結(jié)構(gòu)130b的透光性和導(dǎo)電性，可以在氧氣(02)、氮?dú)?N2)、氫氣(H2)、氬氣(Ar)或空氣的氛圍下以及在真空中以800°C或低于800°C的溫度下對納米結(jié)構(gòu)130b進(jìn)行熱處理。
而且，為了調(diào)節(jié)疏水圖案13的疏水和親水性，可以在800°C或低于800°C的溫度下使用氧(O2)或氫(H2)離子對疏水圖案130進(jìn)行等離子體處理，或者可以對其進(jìn)行氟碳處理。當(dāng)納米結(jié)構(gòu)130b的表面受到氫(H2)等離子體處理或氟碳處理時，納米結(jié)構(gòu)130b的疏水性增強(qiáng)，而當(dāng)納米結(jié)構(gòu)130b的表面受到氧(O2)等離子體處理時，納米結(jié)構(gòu)130b的疏水性減弱而表現(xiàn)出親水性。當(dāng)納米結(jié)構(gòu)130b的疏水性增強(qiáng)以具有超疏水性時，形成在由疏水圖案130所限定的區(qū)域內(nèi)的樹脂單元140可以被形成為液滴形狀。詳細(xì)地說，如圖14A至圖14C所示，當(dāng)納米結(jié)構(gòu)130b的疏水性增強(qiáng)時，可以形成包括較大量的液滴的樹脂單元140。如圖14C所示，當(dāng)納米結(jié)構(gòu)130b的疏水性增強(qiáng)以表現(xiàn)出超疏水性時，可以形成在封裝件主體110上方具有90°或更大接觸角的液滴形狀的樹脂單元140”。通過該方式，當(dāng)樹脂單元140”的接觸角為90°或更大時，由于高度H3大于半徑R，因此與如圖14A和圖14B分別示出的具有相對較小接觸角的樹脂單元140和140’相比，樹脂單元140”具有增強(qiáng)的照明強(qiáng)度。而且，可以以完全相同的方式形成兩個或更多疏水圖案130，從而可以在由疏水圖案130限定的區(qū)域中以重疊的方式形成若干樹脂單元140，并且可以將透鏡350 (見圖4)形成為具有與樹脂單元140不同的尺寸。如上所述，疏水圖 案130可以用作使得能夠在封裝工藝中將對LED芯片120進(jìn)行密封的樹脂單元140形成并保持為一定形狀的堰，因此能夠以多種圖案來有利地形成疏水圖案130。而且，當(dāng)形成一般的堰圖案以便形成樹脂單元，并隨后在堰圖案中形成樹脂單元時，由于制造工藝方面的容差而導(dǎo)致堰圖案的寬度產(chǎn)生差異，從而有可能使得樹脂溢出。然而，在本實施例中，當(dāng)使用了疏水 圖案130時，由于親水的樹脂被疏水圖案限制，因此防止了在分配工藝期間樹脂溢出。在由疏水圖案130所限定的區(qū)域中形成對LED芯片120進(jìn)行密封的樹脂單元140。只要是透光的，就不必具體限定構(gòu)成樹脂單元140的材料，并且可以應(yīng)用具有半透明性的絕緣樹脂，比如硅樹脂化合物、修改的硅樹脂化合物、環(huán)氧樹脂化合物、修改的環(huán)氧樹脂化合物、丙烯酸樹脂化合物等。而且，還可以使用具有良好耐氣候性的樹脂，比如包括硅樹脂、環(huán)氧樹脂和氟碳樹脂中的一種或多種的混合樹脂等。在具體實施例中，用于形成根據(jù)本公開的樹脂單元的透明液體樹脂可以包含至少一種突光劑。熒光劑可以將光波長轉(zhuǎn)換為黃色、紅色和綠色光波長中的任一種，并且可以通過從LED芯片120的有源層發(fā)射的光波長來確定對其使用的熒光劑類型。詳細(xì)地說，熒光劑可以包括YAG基、TAG基、硅酸鹽基、硫化物基和氮化物基的熒光材料中的任一種。例如，當(dāng)對藍(lán)色LED芯片施加將光波長轉(zhuǎn)換為黃色光波長的熒光劑時，可以得到發(fā)射白光的LED。下面將描述根據(jù)本公開第二實施例的LED封裝件200。根據(jù)本公開第二實施例的LED封裝件200在根據(jù)本公開第一實施例的LED封裝件100中另外包括透鏡250。圖3是示意性示出根據(jù)本公開第二實施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的截面圖。如圖3所示，根據(jù)本公開第二實施例的LED封裝件200包括封裝件主體210、LED芯片220、疏水圖案230、樹脂單元240和透鏡250。
與上文所述的情況類似，LED芯片220安裝在封裝件主體210的一個表面上，并且可以將封裝件主體210的安裝了 LED芯片220的表面形成為其周邊形成為斜面的凹陷。疏水圖案230形成為圍繞封裝件主體210上的LED芯片220。疏水圖案形成為具有疏水性以用作對具有親水性的樹脂單元240進(jìn)行限定的堰。在由疏水圖案230所限定的區(qū)域上形成對LED芯片220進(jìn)行密封的樹脂單元240。并沒有具體限定樹脂單元240的成分，只要其材料為透光的即可。透鏡250密封樹脂單元240并且形成為被疏水圖案230限定。與上文所述的樹脂單元240類似，透鏡250的形狀由疏水圖案230的疏水性限定。并沒有具體限定構(gòu)成透鏡250的成分，只要其材料為透光的即可，并且可以應(yīng)用具有半透明性的絕緣樹脂，比如硅樹脂化合物、修改的硅樹脂化合物、環(huán)氧樹脂化合物、修改的環(huán)氧樹脂化合物、丙烯酸樹脂化合物等。而且，還可以使用具有良好耐氣候性的樹脂，比如包括硅樹脂、環(huán)氧樹脂和氟碳樹脂的一種或多種的混合樹脂等。而且，可以通過調(diào)整透鏡250的表面的形狀來控制光分布圖案。詳細(xì)地說，透鏡250可以具有凸透鏡或凹透鏡、卵形透鏡等，以控制光分布?？梢酝ㄟ^液滴(droplet)工藝在樹脂單元240上將透鏡250形成為具有液滴形狀。當(dāng)透鏡250形成為具有液滴形狀時，可以提高照明強(qiáng)度。下面將描述根據(jù)本公開第三實施例的LED封裝件300。在根據(jù)本公開第三實施例的LED封裝件300中，疏水圖案包括以相同方式形成的兩個或更多分隔開的疏水圖案330和330’。圖4是示意性示出根據(jù)本公開第三實施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的截面圖。如圖4所示，根據(jù)本公開第三實施例的LED封裝件300包括封裝件主體310、LED芯片320、疏水圖案330和330’、樹脂單元340和透鏡350。與上文所述的情況類似，LED芯片320安裝在封裝件主體310的一個表面上，并且可以將封裝件主體310的安裝了 LED芯片320的表面形成為其周邊形成為斜面的凹陷。以相同方式形成兩個或更多疏水圖案330和330’以圍繞LED芯片320。疏水圖案330和330’形成為具有疏水性以用作對具有親水性的樹脂單元340進(jìn)行限定的堰。在兩個或更多疏水圖案當(dāng)中，在由內(nèi)部疏水圖案330所限定的區(qū)域中形成對LED芯片320進(jìn)行密封的樹脂340，并且在雙重的疏水圖案當(dāng)中，在由外部疏水圖案330’所限定的區(qū)域中形成密封樹脂單元340的透鏡350。并沒有具體限定樹脂單元340和透鏡350的成分，只要其材料為透光的即可。當(dāng)以相同方式形成疏水圖案330和330’時，可以將限定樹脂單元340的內(nèi)部疏水圖案330和限定透鏡單元350的外部疏水圖案330’形成為不相同，以使得樹脂單元340和透鏡350能夠具有不同的形狀。在第四實施例中，如圖5所示，圍繞LED芯片420的樹脂單元440由封裝件主體410上的具有四邊形形狀的疏水圖案430限定。在第五實施例中，如圖6所示，圍繞LED芯片520的樹脂單元540由封裝件主體510上的具有星型形狀的疏水圖案530限定。在第六實施例中，如圖7所示，圍繞LED芯片620的樹脂單元640由封裝件主體610上的具有十字形狀的疏水圖案630限定 。下面將描述根據(jù)本公開第七實施例的LED封裝件700。在根據(jù)本公開第七實施例的LED封裝件700中，將疏水圖案的表面修改為具有親水性以防止密封LED芯片720的樹脂單元740的一部分在分配工藝中泄漏到形成在封裝件主體710上的電極750和760。圖8是示意性示出根據(jù)本公開第七實施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的透視圖。如圖8所示，根據(jù)本公開的第七實施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件包括封裝件主體710、安裝在封裝件主體710上的LED芯片720、親水圖案730、和被形成為與親水圖案730隔開的樹脂單兀740。與上文所述的情況類似，LED芯片720安裝在封裝件主體710的一個表面上，并且可以將封裝件主體710的安裝了 LED芯片720的表面形成為其周邊形成為斜面的凹陷。任何LED芯片均可以用作LED芯片720，只要其為在施加了電信號時發(fā)光的光電元件即可。LED芯片720被樹脂單元740密封，樹脂單元740的周邊表面可以由堰(未示出)限定。如上所述，通過對疏水圖案執(zhí)行氧(O2)等離子體處理將疏水圖案的表面修改為表現(xiàn)出親水性來得到親水圖案730。親水圖案730形成為插在樹脂單元740與電極750和760之間。具有親水性的親水圖案730吸收在分配工藝期間泄漏的液體樹脂單元740，以防止樹脂單元740形成在電極750和760上。如果樹脂單元740形成在電極750和760上，則妨礙了線與電極750和760的接合，從而導(dǎo)致不能將電源提供到LED芯片720，使得LED封裝件700產(chǎn)生缺陷。將親水圖案730插在樹脂單元740與電極750和760之間，有效地防止了分配工藝期間可能產(chǎn)生的有缺陷的LED封裝件。下面將描述用于制造根據(jù)本公開第一實施例的LED封裝件100的方法。圖9至圖13是示意性示出用于制造根據(jù)本公開第一實施例的LED封裝件的方法的示圖。用于制造LED封裝件100的方法包括在封裝件主體110上形成疏水圖案130 ;將LED芯片120安裝在被疏水圖案130圍繞的區(qū)域上；以及形成密封LED芯片120的樹脂單元 140。首先，如圖9所示，制備封裝件主體110。如圖10所示，在封裝件主體110上形成種子層圖案130a。通過在封裝件主體110的安裝了 LED芯片120的表面上沉積由金(Au)、銅(Cu)或其合金制成的薄膜層，來形成種子層圖案130a?？梢詫⒎N子層圖案130a形成為單層，或者可以通過沉積由金(Au)、銅(Cu)或其合金制成的多個薄膜層來將種子層圖案130a形成為多層。種子層圖案130a可以由ZnO制成。此后，如圖11所示，將其上形成有種子層圖案130a的封裝件主體110浸入ZnO溶液以在種子層圖案130a上形成納米結(jié)構(gòu)130b。ZnO溶液可以是通過將ZnO膜溶解于其中將0. OlM的(Zn(NO3)2 6H20)和0. 25M的HMT(C6H12N4)以1:1的比例混合的溶液中而得到的溶液。隨后，如圖12所示，將LED芯片120安裝在由如上所述形成的疏水圖案130所圍繞的區(qū)域上?？梢酝ㄟ^將形成在LED芯片120的上表面上的電極(未示出)與封裝件主體110上的引線框(未示出)以線(W)進(jìn)行接合的工藝來執(zhí)行LED芯片120的安裝。隨后，如圖13所示，在周邊被 疏水圖案130限定的區(qū)域上形成密封LED芯片120的樹脂單元140，從而制造出LED封裝件100。
下面將描述用于制造根據(jù)本公開第七實施例的LED封裝件700的方法。用于制造LED封裝件700的方法包括在封裝件主體710上形成疏水圖案；將封裝件主體710的其上形成有疏水圖案的表面修改為具有親水性的表面；安裝LED芯片720 ；以及形成樹脂單元740。首先，如上面在本公開第一實施例中所述，制備封裝件主體710，并在封裝件主體710上形成疏水圖案。接下來，對疏水圖案的表面進(jìn)行氧(O2)等離子體處理以形成親水圖案730。如上所述，疏水圖案可以包括多個納米結(jié)構(gòu)，所以從疏水圖案得到的親水圖案730由于大接觸面積而可以具有強(qiáng)親水吸收能力。從而，由于親水圖案730具有強(qiáng)親水吸收能力，因此其能夠有效吸收親水材料。隨后，將LED芯片720安裝在封裝件710上，并且將樹脂單元740形成為密封LED芯片720。親水圖案730吸收在將液體樹脂單元分配到LED芯片720的工藝中泄漏的液體樹脂單元，從而防止了樹脂單元740形成在電極750和760上。如上所述，根據(jù)本公開的實施例，可以提供一種只需較小生產(chǎn)成本并具有多種圖案和增強(qiáng)的照明強(qiáng)度的LED封裝件。而且，可以提供一種用于制造只需較小生產(chǎn)成本并具有多種圖案和增強(qiáng)的照明強(qiáng)度的LED封裝件的方法。盡管聯(lián)系實施例 示出并說明了本發(fā)明，然而對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，可以在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明精神和范圍的情況下作做出各種修改和變形。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝件，包括 封裝件主體； 安裝在所述封裝件主體上的發(fā)光二極管芯片； 疏水圖案，其與所述發(fā)光二極管芯片隔開地形成在所述封裝件主體上；以及 密封所述發(fā)光二極管芯片的樹脂單元，其中所述樹脂單元由所述疏水圖案限定。
2.權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中所述疏水圖案包括多個納米結(jié)構(gòu)。
3.權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中所述疏水圖案包括 形成在所述封裝件主體上的種子層圖案；以及 從所述種子層圖案生長的多個納米結(jié)構(gòu)。
4.權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中所述樹脂單元包括熒光劑。
5.權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中所述樹脂單元相對于所述封裝件主體具有90°或更大的接觸角。
6.權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中所述疏水圖案包括圓形、三角形、四邊形和它們的任意組合。
7.權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中所述疏水圖案包括以相同方式形成的至少兩個被隔開的圖案。
8.權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，還包括密封所述樹脂單元的透鏡，其中所述透鏡由所述疏水圖案限定。
9.權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝件，其中所述透鏡相對于所述封裝件主體具有90°或更大的接觸角。
10.權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中所述疏水圖案受到O2等離子體或H2等離子體處理，或者被氟碳化。
11.權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中所述納米結(jié)構(gòu)由氧化鋅基化合物制成。
12.權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝件，其中所述種子層圖案由金、銅或它們的合金制成。
13.權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝件，其中所述種子層圖案由氧化鋅制成。
14.權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝件，其中所述種子層圖案具有交替地層疊金和銅的多層結(jié)構(gòu)。
15.一種發(fā)光二極管封裝件，包括 封裝件主體； 安裝在所述封裝件主體上的發(fā)光二極管芯片； 親水圖案，其與所述發(fā)光二極管芯片隔開地形成在所述封裝件主體上；以及 密封所述發(fā)光二極管芯片的樹脂單元，其中所述樹脂單元由所述親水圖案限定。
16.權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管封裝件，其中所述親水圖案包括多個納米結(jié)構(gòu)。
17.權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管封裝件，其中所述親水圖案受到O2等離子體處理。
全文摘要
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管封裝件及其制造方法，該發(fā)光二極管封裝件包括封裝件主體；安裝在所述封裝件主體上的發(fā)光二極管芯片；疏水圖案，其與所述發(fā)光二極管芯片隔開地形成在所述封裝件主體上；以及密封所述發(fā)光二極管芯片的樹脂單元，并且所述樹脂單元由所述疏水圖案限定。能夠提供只需較少生產(chǎn)成本并且具有多種圖案和增強(qiáng)的照明強(qiáng)度的發(fā)光二極管封裝件及其制造方法。
文檔編號H01L33/54GK103035825SQ20121037651
公開日2013年4月10日 申請日期2012年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月6日
發(fā)明者金澖亨 申請人:三星電子株式會社