連接基板及層疊封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種連接基板，其包括絕緣基材、多個導(dǎo)電柱及導(dǎo)熱金屬框，所述絕緣基材具有相對的第一表面和第二表面，所述絕緣基材內(nèi)形成有多個貫穿所述第一表面和第二表面的多個通孔，所述多個導(dǎo)電柱一一對應(yīng)地收容于多個通孔內(nèi)，自所述絕緣基材的第二表面向第一表面，形成有收容孔，所述導(dǎo)熱金屬框具有頂板及與頂板連接的側(cè)板，所述導(dǎo)熱金屬框配合收容于所述收容孔內(nèi)，所述頂板從第一表面一側(cè)露出，所述側(cè)板與收容孔的內(nèi)壁配合接觸。本發(fā)明還提供一種包括所述連接基板的層疊封裝結(jié)構(gòu)。
【專利說明】連接基板及層疊封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝技術(shù)，特別涉及一種連接基板及層疊封裝(package-on-package, POP)結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷減小，具有半導(dǎo)體器件的層疊封裝結(jié)構(gòu)也逐漸地備受關(guān)注。層疊封裝結(jié)構(gòu)一般通過層疊制作方法制成。在傳統(tǒng)的層疊制作方法中，為了實現(xiàn)高密度集成及小面積安裝，通常通過直徑為200微米至300微米的焊球?qū)⑸舷聝蓚€封裝器件電連接。然而，直徑為200微米至300微米的焊球不僅體積較大，而且容易在焊球與其連接的電性接觸墊之間產(chǎn)生斷裂，因此，不僅使得下封裝器件上與錫球?qū)?yīng)的焊盤的面積也較大，進(jìn)而難以縮小層疊封裝結(jié)構(gòu)的體積，而且降低了層疊封裝結(jié)構(gòu)的成品率及可靠性。下封裝器件封裝于上下兩個電路載板之間，其產(chǎn)生的熱量并不容易發(fā)散出，下封裝器件的散熱性較差，影響整個層疊封裝結(jié)構(gòu)使用壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種可靠性較高并且散熱性良好的連接基板及層疊封裝結(jié)構(gòu)。
[0004]一種連接基板，其包括絕緣基材、多個導(dǎo)電柱及導(dǎo)熱金屬框，所述絕緣基材具有相對的第一表面和第二表面，所述絕緣基材內(nèi)形成有多個貫穿所述第一表面和第二表面的多個通孔，所述多個導(dǎo)電柱一一對應(yīng)地收容于多個通孔內(nèi)，自所述絕緣基材的第二表面向第一表面，形成有收容孔，所述導(dǎo)熱金屬框具有頂板及與頂板連接的側(cè)板，所述導(dǎo)熱金屬框配合收容于所述收容孔內(nèi)，所述頂板從第一表面一側(cè)露出，所述側(cè)板與收容孔的內(nèi)壁配合接觸。
[0005]一種層疊封裝結(jié)構(gòu)，其包括第一封裝基板、封裝于第一封裝基板的第一芯片、第二封裝基板、封裝于第二封裝基板的第二芯片、第一焊接材料、第二焊接材料及所述的連接基板，所述第一封裝基板設(shè)置于所述連接基板的第二表面一側(cè)，所述第一封裝基板與連接基板相接觸的表面具有多個第三電性接觸墊及多個第四電性接觸墊，所述第一芯片通過多個第三電性接觸墊與第一封裝基板電連接，每個所述導(dǎo)電柱的一端通過第一焊接材料與一個對應(yīng)的第三電性接觸墊相互電連接，所述第一芯片收容于所述連接基板的導(dǎo)熱金屬框內(nèi)，所述第二封裝基板設(shè)置于連接基板的第一表面的一側(cè)，所述第二封裝基板具有與多個導(dǎo)電柱一一對應(yīng)的第七電性接觸墊，每個導(dǎo)電柱的另一端通過第二焊接材料與對應(yīng)的第七電性接觸墊電連接。
[0006]本技術(shù)方案提供的連接基板，其內(nèi)部形成有導(dǎo)熱金屬框，以用于收容芯片并將芯片產(chǎn)生的熱量快速傳導(dǎo)。本技術(shù)方案提供的層疊封裝機(jī)構(gòu)，由于第一芯片收容于連接基板的導(dǎo)熱金屬框中，從而第一芯片產(chǎn)生的熱量能夠快速地從第一芯片傳導(dǎo)出來，使得第一芯片在使用過程中不會溫度過高，提高第一芯片的使用壽命?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0007]圖1為本技術(shù)方案第一實施例提供的連接基板的剖面示意圖。
[0008]圖2為圖1的俯視圖。
[0009]圖3-5分別為本技術(shù)方案第一實施例提供的另外的連接基板的剖面示意圖。
[0010]圖6-10分別為本技術(shù)方案第二實施例提供的連接基板的剖面示意圖。
[0011]圖11-12分別為本技術(shù)方案第三實施例提供的連接基板的剖面示意圖。
[0012]圖13-14為本技術(shù)方案第四實施例提供的連接基板的剖面示意圖。
[0013]圖15為本技術(shù)方案第五實施例提供的連接基板的剖面示意圖。
[0014]圖16-20分別為本技術(shù)方案提供的層疊封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0015]主要元件符號說明
【權(quán)利要求】
1.一種連接基板，其包括絕緣基材、多個導(dǎo)電柱及導(dǎo)熱金屬框，所述絕緣基材具有相對的第一表面和第二表面，所述絕緣基材內(nèi)形成有多個貫穿所述第一表面和第二表面的多個通孔，所述多個導(dǎo)電柱一一對應(yīng)地收容于多個通孔內(nèi)，自所述絕緣基材的第二表面向第一表面，形成有收容孔，所述導(dǎo)熱金屬框具有頂板及與頂板連接的側(cè)板，所述導(dǎo)熱金屬框配合收容于所述收容孔內(nèi)，所述頂板從第一表面一側(cè)露出，所述側(cè)板與收容孔的內(nèi)壁配合接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的連接基板，其特征在于，所述導(dǎo)電柱的高度與絕緣基材的厚度相等，所述絕緣基材具有相對的第一端面和第二端面，所述第一端面與所述第一表面平齊，所述第二端面與第二表面平齊。
3.如權(quán)利要求1所述的連接基板，其特征在于，所述導(dǎo)電柱的高度大于絕緣基材的厚度，所述絕緣基材具有相對的第一端面和第二端面，所述第一端面與第一表面平齊，所述第二端面突出于所述第二表面。
4.如權(quán)利要求1所述的連接基板，其特征在于，所述連接基板還包括導(dǎo)熱連接體，所述導(dǎo)熱連接體連接于導(dǎo)熱金屬框與部分導(dǎo)電柱之間。
5.如權(quán)利要求4所述的連接基板，其特征在于，所述導(dǎo)熱連接體從所述第一表面一側(cè)露出。
6.如權(quán)利要求1所述的連接基板，其特征在于，所述連接基板還包括多個形成于所述第一表面的第一電性接觸墊，多個第一電性接觸墊與多個導(dǎo)電柱一一對應(yīng)并相互電連接。
7.如權(quán)利要求6所述的連接基板，其特征在于，每個所述第一電性接觸墊與對應(yīng)的導(dǎo)電柱一體成形。
8.如權(quán)利要求6所述的連接基板，其特征在于，所述連接基板還包括多個形成于第二表面的第二電性接觸墊，所述第二電性接觸墊與多個導(dǎo)電柱一一對應(yīng)并相互電連接。
9.如權(quán)利要求6所述的連接基板，其特征在于，所述第一表面還形成有第五防焊層，所述第五防焊層內(nèi)形成有多個與第一電性接觸墊一一對應(yīng)的開口，每個第一電性接觸墊從對應(yīng)的開口露出。
10.如權(quán)利要求1所述的連接基板，其特征在于，所述頂板內(nèi)開設(shè)有至少一個貫穿所述頂板的開孔。
11.一種層疊封裝結(jié)構(gòu)，其包括第一封裝基板、封裝于第一封裝基板的第一芯片、第二封裝基板、封裝于第二封裝基板的第二芯片、第一焊接材料、第二焊接材料及如權(quán)利要求1至13任一項所述的連接基板，所述第一封裝基板設(shè)置于所述連接基板的第二表面一側(cè)，所述第一封裝基板與連接基板相接觸的表面具有多個第三電性接觸墊及多個第四電性接觸墊，所述第一芯片通過多個第三電性接觸墊與第一封裝基板電連接，每個所述導(dǎo)電柱的一端通過第一焊接材料與一個對應(yīng)的第三電性接觸墊相互電連接，所述第一芯片收容于所述連接基板的導(dǎo)熱金屬框內(nèi)，所述第二封裝基板設(shè)置于連接基板的第一表面的一側(cè)，所述第二封裝基板具有與多個導(dǎo)電柱一一對應(yīng)的第七電性接觸墊，每個導(dǎo)電柱的另一端通過第二焊接材料與對應(yīng)的第七電性接觸墊電連接。
12.如權(quán)利要求11所述的層疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片與導(dǎo)熱金屬框之間填充有封裝膠體，所述封裝膠體采用高散熱粘著材料制成。
13.如權(quán)利要求11所述的層疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一封裝基板遠(yuǎn)離連接基板的表面具有多個第四電性接觸墊，每個所述第四電性接觸墊上形成有錫球。
【文檔編號】H01L23/367GK103779289SQ201210396939
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2012年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月18日
【發(fā)明者】許詩濱 申請人:富葵精密組件(深圳)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司