一種基于自對(duì)準(zhǔn)雙圖案的半導(dǎo)體器件的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種基于自對(duì)準(zhǔn)雙圖案的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：提供一后端制程器件，至少包括半導(dǎo)體襯底以及位于所述半導(dǎo)體襯底上的介電層；圖案化所述介電層，以去除部分所述介電層并形成凹槽；沉積APF材料層并平坦化，以填充所述凹槽；蝕刻所述APF材料層，以形成溝槽以及位于溝槽之間的條狀核心線；在襯底上沉積側(cè)壁材料層，然后蝕刻所述側(cè)壁材料層，以在所述條狀核心線的側(cè)壁上形成間隔壁；蝕刻去除所述條狀核心線，不再單獨(dú)執(zhí)行端切的步驟，以形成平行的條狀圖案。本發(fā)明所述方法使得在半導(dǎo)體器件的后端制程（BEOL）中不再執(zhí)行端切步驟即可獲得目標(biāo)圖案，使工藝簡(jiǎn)單、易控。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種基于自對(duì)準(zhǔn)雙圖案的半導(dǎo)體器件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種基于自對(duì)準(zhǔn)雙圖案的半導(dǎo)體器件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于高容量的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置需求的日益增加，這些半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的集成密度受到人們的關(guān)注，為了增加半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的集成密度，現(xiàn)有技術(shù)中采用了許多不同的方法，例如通過(guò)減小晶片尺寸和/或改變內(nèi)結(jié)構(gòu)單元而在單一晶片上形成多個(gè)存儲(chǔ)單元，對(duì)于通過(guò)改變單元結(jié)構(gòu)增加集成密度的方法來(lái)說(shuō)，已經(jīng)進(jìn)行嘗試溝通過(guò)改變有源區(qū)的平面布置或改變單元布局來(lái)減小單元面積。
[0003]NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，由于NAND閃存以頁(yè)為單位讀寫(xiě)數(shù)據(jù)，所以適合于存儲(chǔ)連續(xù)的數(shù)據(jù)，如圖片、音頻或其他文件數(shù)據(jù)；同時(shí)因其成本低、容量大且寫(xiě)入速度快、擦除時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)在移動(dòng)通訊裝置及便攜式多媒體裝置的存儲(chǔ)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。目前，為了提高NAND閃存的容量，需要在制備過(guò)程中提高NAND閃存的集成密度。
[0004]在制備N(xiāo)AND閃存過(guò)程中，間隔物圖案化技術(shù)(Spacer patterning technology,SPT)以及自對(duì)準(zhǔn)雙圖案技術(shù)(self aligned double patterning, SaDPT)均可以用來(lái)制備納米尺度的晶體管，采用所述方法處理半導(dǎo)體的晶片時(shí)通常使用公知的圖案化和蝕刻工藝在晶片中形成半導(dǎo)體器件的特征，在這些光刻工藝中，光刻膠材料沉積在晶片上，然后暴露于經(jīng)過(guò)中間掩膜過(guò)濾的光線，通過(guò)中間掩膜后，該光線接觸該光刻膠材料的表面，該光線改變?cè)摴饪棠z材料的化學(xué)成分從而顯影機(jī)可以去除該光刻膠材料的一部分，得到所需要的圖案。
[0005]目前在半導(dǎo)體后端制程(The back end of line, BEOL)中，通常選用自對(duì)準(zhǔn)雙圖案技術(shù)(selfaligned double patterning, SaDPT)的方法形成間隙壁,所形成的間隙壁如圖9所示，所述間隙壁11將所述核心線(core line)完全包圍，形成所述間隙壁后需要在所述襯底上形成另外一層掩膜，然后進(jìn)行端切(line end cut),以露出所述核心線(coreline)，在該過(guò)程中需要形成額外的掩膜層，使掩膜疊層更加復(fù)雜，而且進(jìn)行端切、圖案轉(zhuǎn)移的過(guò)程中不易控制，使得整個(gè)工藝過(guò)程更加困難。
[0006]因此，現(xiàn)有技術(shù)中選用自對(duì)準(zhǔn)雙圖案技術(shù)形成間隙壁都不可避免的要執(zhí)行一端切步驟，使得整個(gè)制備過(guò)程更加繁瑣，而且不易控制，產(chǎn)品的生產(chǎn)效率以及良率均受到影響，需要對(duì)目前技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0008]為了解決所述在現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體器件的后端制程(BEOL)中需要執(zhí)行一端切步驟，使整個(gè)制造工藝復(fù)雜、不易控制，造成半導(dǎo)體器件成品率不高的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種基于自對(duì)準(zhǔn)雙圖案的半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括:
[0009]提供一后端制程器件，至少包括半導(dǎo)體襯底以及位于所述半導(dǎo)體襯底上的介電層；
[0010]圖案化所述介電層，以去除部分所述介電層并形成凹槽；
[0011 ] 沉積APF材料層并平坦化，以填充所述凹槽；
[0012]蝕刻所述APF材料層，以形成溝槽以及位于溝槽之間的條狀核心線；
[0013]在襯底上沉積側(cè)壁材料層，然后蝕刻所述側(cè)壁材料層，以在所述條狀核心線的側(cè)壁上形成間隔壁；
[0014]蝕刻去除所述條狀核心線，不再單獨(dú)執(zhí)行端切的步驟，以形成平行的條狀圖案。
[0015]作為優(yōu)選，所述方法還包括以下步驟:
[0016]選用導(dǎo)電材料填充條狀圖案之間的溝槽并進(jìn)行平坦化。
[0017]作為優(yōu)選，所述方法還包括以下步驟:
[0018]以所述平行的條狀圖案為掩膜蝕刻所述介電層，以將所述條狀圖案轉(zhuǎn)移到所述介電層中。
[0019]作為優(yōu)選，所述側(cè)壁材料層為硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物。
[0020]作為優(yōu)選，所述側(cè)壁材料層為SiC、SiCN或者Si02。
[0021]作為優(yōu)選，沉積所述側(cè)壁材料層的方法為原子層沉積法。
[0022]作為優(yōu)選，蝕刻所述側(cè)壁材料層的方法為干法蝕刻。
[0023]作為優(yōu)選，蝕刻所述側(cè)壁材料層時(shí)選用C-F蝕刻劑。
[0024]作為優(yōu)選，所述C-F蝕刻劑為CF4、CHF3> C4F8和C5F8中的一種或多種。
[0025]作為優(yōu)選，蝕刻去除所述條狀核心線時(shí)選用O基蝕刻劑。
[0026]作為優(yōu)選，形成所述凹槽的步驟包括在所述介電層上形成圖案化的光刻膠掩膜層，然后再圖案化所述介電層。
[0027]作為優(yōu)選，在所述APF材料層上形成圖案化的光刻膠掩膜層，然后再蝕刻所述APF材料層，以形成條狀核心線。
[0028]作為優(yōu)選，所述介電層為非超低K材料層。
[0029]在本發(fā)明中采用間隔物圖案化技術(shù)以及自對(duì)準(zhǔn)雙圖案技術(shù)，并對(duì)現(xiàn)有方法進(jìn)行改進(jìn)，使得在半導(dǎo)體器件的后端制程(BEOL)中不再執(zhí)行端切步驟即可獲得目標(biāo)圖案，實(shí)現(xiàn)良好的連接，解決了現(xiàn)有技術(shù)中必須執(zhí)行端切的步驟，使整個(gè)制造工藝復(fù)雜、不易控制，造成半導(dǎo)體器件成品率不高的問(wèn)題。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0031]圖1-8本發(fā)明基于自對(duì)準(zhǔn)雙圖案制造半導(dǎo)體器件方法的示意圖；
[0032]圖9為現(xiàn)有技術(shù)中制造半導(dǎo)體器件的示意圖；
[0033]圖10為本發(fā)明基于自對(duì)準(zhǔn)雙圖案方法的工藝流程圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0034]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0035]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的描述，以說(shuō)明本發(fā)明所述基于自對(duì)準(zhǔn)雙圖案的半導(dǎo)體器件的制造方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0036]應(yīng)予以注意的是，這里所使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述具體實(shí)施例，而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0037]現(xiàn)在，將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，這些示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開(kāi)徹底且完整，并且將這些示例性實(shí)施例的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，夸大了層和區(qū)域的厚度，并且使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，因而將省略對(duì)它們的描述。
[0038]為了方便理解，本發(fā)明提供了一種【具體實(shí)施方式】的工藝流程圖，如圖9所示，同時(shí)結(jié)合圖1-8給出的本發(fā)明制造方法的過(guò)程示意圖作進(jìn)一步的解釋。
[0039]如圖1所示，首先提供后端制程的器件，所述器件至少包含以半導(dǎo)體襯底(未示出)以及位于所述半導(dǎo)體襯底上的介電層101，具體地:
[0040]所述半導(dǎo)體襯底可以是以下所提到的材料中的至少一種:硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI )、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI )、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。
[0041]作為優(yōu)選，還可以在所述半導(dǎo)體襯底中形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)或者局部氧化硅(LOCOS)隔離結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中優(yōu)選形成淺溝槽隔離，所述半導(dǎo)體襯底中還形成有各種阱(well)結(jié)構(gòu)及襯底表面的溝道層。一般來(lái)說(shuō)，形成阱(well)結(jié)構(gòu)的離子摻雜導(dǎo)電類(lèi)型與溝道層離子摻雜導(dǎo)電類(lèi)型相同，但是濃度較柵極溝道層低，離子注入的深度泛圍較廣，同時(shí)需達(dá)到大于隔離結(jié)構(gòu)的深度。
[0042]此外，半導(dǎo)體襯底上可以被定義有源區(qū)。在該有源區(qū)上還可以包含有其他的有源器件，為了方便，在所示圖形中并沒(méi)有標(biāo)示。
[0043]作為優(yōu)選，所述襯底上可以進(jìn)一步形成所述柵極結(jié)構(gòu)，還可以進(jìn)一步包含在柵極兩側(cè)形成源漏區(qū)的步驟，具體地，可以通過(guò)離子注入或者擴(kuò)散的方法來(lái)形成所述源漏區(qū)，作為進(jìn)一步的優(yōu)選，在進(jìn)行離子注入或者擴(kuò)散后還可以進(jìn)一步包括一熱退火的步驟。所述柵極的形成過(guò)程可以選用本領(lǐng)域常用方法，在此不再贅述。
[0044]繼續(xù)參照?qǐng)D1，在圖1中包含上下兩個(gè)部分，其中上面的部分為所述器件的俯視圖，所述下面的部分為相應(yīng)的剖面圖，如圖中箭頭所示部分為一一對(duì)應(yīng)關(guān)系。[0045]在形成介電層之后，在所述介電層上形成如圖1所述的圖案化的光刻膠的掩膜層102,其中,所述介電層101選用超低介電常數(shù)介電材料以外的介電材料。所述介電層可為氧化硅層，包括利用熱化學(xué)氣相沉積(thermal CVD)制造工藝或高密度等離子體(HDP)制造工藝形成的有摻雜或未摻雜的氧化硅的材料層，在本發(fā)明的實(shí)施例中所述介電層可以使用例如SiO2、碳氟化合物(CF)、摻碳氧化硅(SiOC)、或碳氮化硅(SiCN)等?；蛘撸部梢允褂迷谔挤衔?CF)上形成了 SiCN薄膜的膜等。碳氟化合物以氟(F)和碳(C)為主要成分。碳氟化合物也可以使用具有非晶體(非結(jié)晶性)構(gòu)造的物質(zhì)。層間介電層還可以使用例如摻碳氧化硅(SiOC)等多孔質(zhì)構(gòu)造。
[0046]參照?qǐng)D2，以所述光刻膠掩膜層為掩膜，圖案化所述介電層，以去除部分所述介電層，形成凹槽，具體地，所述蝕刻方法為干法蝕刻或者濕法蝕刻，選用和所述半導(dǎo)體襯底具有較大蝕刻選擇比的蝕刻方法和蝕刻劑，并不局限于某一種。
[0047]然后沉積APF材料層103 (Advanced pattern film,APF),以填充所述凹槽,本發(fā)明選用的APF材料，相對(duì)于傳統(tǒng)的ArF，SiON, TE0S、Poly掩膜而言，在半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中性能更加優(yōu)越，CDU變得可控和穩(wěn)定，在本發(fā)明中所述APF材料層優(yōu)選為無(wú)定形碳材料，所述APF材料層的沉積可以選用化學(xué)氣相沉積(CVD)法、物理氣相沉積(PVD)法或原子層沉積(ALD)法等形成的低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、激光燒蝕沉積(LAD)以及選擇外延生長(zhǎng)(SEG)中的一種。在本發(fā)明中優(yōu)選原子層沉積(ALD)法。作為優(yōu)選，沉積APF材料層103后執(zhí)行化學(xué)機(jī)械平坦化步驟，以獲得更加平整表面。
[0048]參照?qǐng)D3，在所述APF材料層上形成圖案化的第二光刻膠掩膜層104，所述第二光刻膠掩膜層上定義了所要形成溝槽的CD以及數(shù)目，然后以所述第二光刻膠掩膜層為掩膜蝕刻所述APF材料層，形成溝槽以及溝槽之間的核心線13 (core line)，如圖4所示，然后蝕刻去除所述光刻膠掩膜層。
[0049]具體地，在該步驟中選用O基蝕刻劑蝕刻所述APF材料層，在本發(fā)明的一實(shí)施例中選用O2的氣氛，還可以同時(shí)加入其它少量氣體例如CF4、CO2, N2，所述蝕刻壓力可以為50-200mTorr，優(yōu)選為100_150mTorr，功率為200-600W，在本發(fā)明中所述蝕刻時(shí)間為5_80s，更優(yōu)選10-60s，同時(shí)在本發(fā)明中選用較大的氣體流量，作為優(yōu)選，在本發(fā)明所述O2的流量為30_300sccm,更優(yōu)選為 50_100sccm。
[0050]參照?qǐng)D5，在襯底上沉積側(cè)壁材料層105，以覆蓋所述介電層以及所述核心線13(core line),其中所述側(cè)壁材料層為硅化物，具體地，所述硅化物可以為硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物，優(yōu)選為SiC、SiCN或者Si02，所述側(cè)壁材料層的沉積可以選用化學(xué)氣相沉積(CVD)法、物理氣相沉積(PVD)法或原子層沉積(ALD)法等形成的低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、激光燒蝕沉積(LAD)以及選擇外延生長(zhǎng)(SEG)中的一種。在本發(fā)明中優(yōu)選原子層沉積(ALD)法。
[0051]參照?qǐng)D6，蝕刻所述側(cè)壁材料層，以在所述條狀核心線的側(cè)壁上形成間隔壁；具體地，選用干法蝕刻來(lái)蝕刻所述側(cè)壁材料層，在本發(fā)明中優(yōu)選C-F蝕刻劑來(lái)蝕刻所述側(cè)壁材料層，所述C-F蝕刻劑為CF4、CHF3、C4F8和C5F8中的一種或多種。在本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中，所述干法蝕刻可以選用CF4、CHF3，另外加上N2、CO2中的一種作為蝕刻氣氛，其中氣體流量為 CF410-200sccm，CHF310-200sccm, N2 或 CO2 或 0210_400sccm，所述蝕刻壓力為30-150mTorr，蝕刻時(shí)間為5_120s，優(yōu)選為5_60s，更優(yōu)選為5_30s。[0052]參照?qǐng)D7，蝕刻去除所述條狀核心線，不再單獨(dú)執(zhí)行端切的步驟，以形成平行的條狀圖案，具體地，蝕刻去除所述條狀核心線，以形成具有一定間隔的條狀圖案，在本發(fā)明中所述條狀核心線的去除方法可以選用本領(lǐng)域常用方法。
[0053]參照?qǐng)D8，選用導(dǎo)電材料填充所述條狀核心線之間的溝槽，并平坦化，以獲得平整的表面，實(shí)現(xiàn)和所述平行的條狀圖案之間的連接。在本發(fā)明中所述導(dǎo)電材料優(yōu)選金屬銅，但并不局限與該金屬材料。
[0054]此外，在本發(fā)明中除了選用導(dǎo)電材料填充所述條狀核心線之間的溝槽外，還可以以所述平行的條狀圖案為掩膜蝕刻所述介電層，以將所述條狀圖案轉(zhuǎn)移到所述介電層中。在形成平行的條狀圖案后可以具有多種操作工藝，并不局限于本發(fā)明所提供的兩種。
[0055]參照?qǐng)D10，其中示出了本發(fā)明基于自對(duì)準(zhǔn)雙圖案的半導(dǎo)體器件的制造方法，具體地包括以下步驟:
[0056]步驟201提供一后端制程器件，至少包括半導(dǎo)體襯底以及位于所述半導(dǎo)體襯底上的介電層；
[0057]步驟202圖案化所述介電層，以去除部分所述介電層并形成凹槽；
[0058]步驟203沉積APF材料層并平坦化，以填充所述凹槽；
[0059]步驟204蝕刻所述APF材料層，以形成溝槽以及位于溝槽之間的條狀核心線；
[0060]步驟205在襯底上沉積側(cè)壁材料層，然后蝕刻所述側(cè)壁材料層，以在所述條狀核心線的側(cè)壁上形成間隔壁；
[0061]步驟206蝕刻去除所述條狀核心線，不再單獨(dú)執(zhí)行端切的步驟，以形成平行的條狀圖案；
[0062]步驟207選用導(dǎo)電材料填充條狀圖案之間的溝槽并進(jìn)行平坦化，或以所述平行的條狀圖案為掩膜蝕刻所述介電層，以將所述條狀圖案轉(zhuǎn)移到所述介電層中。
[0063]在本發(fā)明中采用間隔物圖案化技術(shù)以及自對(duì)準(zhǔn)雙圖案技術(shù)，并對(duì)所述方法進(jìn)行改進(jìn)，使得在半導(dǎo)體器件的后端制程(BEOL)中不再執(zhí)行端切步驟即可獲得目標(biāo)圖案，同時(shí)實(shí)現(xiàn)良好的連接，解決了現(xiàn)有技術(shù)中使整個(gè)制造工藝復(fù)雜、不易控制，造成半導(dǎo)體器件成品率不高的問(wèn)題。
[0064]本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以?xún)?nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種基于自對(duì)準(zhǔn)雙圖案的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括: 提供一后端制程器件，至少包括半導(dǎo)體襯底以及位于所述半導(dǎo)體襯底上的介電層； 圖案化所述介電層，以去除部分所述介電層并形成凹槽； 沉積APF材料層并平坦化，以填充所述凹槽； 蝕刻所述APF材料層，以形成溝槽以及位于溝槽之間的條狀核心線； 在襯底上沉積側(cè)壁材料層，然后蝕刻所述側(cè)壁材料層，以在所述條狀核心線的側(cè)壁上形成間隔壁； 蝕刻去除所述條狀核心線，不再單獨(dú)執(zhí)行端切的步驟，以形成平行的條狀圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟: 選用導(dǎo)電材料填充條狀圖案之間的溝槽并進(jìn)行平坦化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟: 以所述平行的條狀圖案為掩膜蝕刻所述介電層，以將所述條狀圖案轉(zhuǎn)移到所述介電層中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述側(cè)壁材料層為硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述側(cè)壁材料層為SiC、SiCN或者Si02。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，沉積所述側(cè)壁材料層的方法為原子層沉積法。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，蝕刻所述側(cè)壁材料層的方法為干法蝕刻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，蝕刻所述側(cè)壁材料層時(shí)選用C-F蝕刻劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述C-F蝕刻劑為CF4、CHF3>C4F8和C5F8中的一種或多種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，蝕刻去除所述條狀核心線時(shí)選用O基蝕刻劑。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述凹槽的步驟包括在所述介電層上形成圖案化的光刻膠掩膜層，然后再圖案化所述介電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述APF材料層上形成圖案化的光刻膠掩膜層，然后再蝕刻所述APF材料層，以形成條狀核心線。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述介電層為非超低K材料層。
【文檔編號(hào)】H01L21/762GK103779263SQ201210399303
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2012年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月18日
【發(fā)明者】張城龍, 張海洋 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司