具有對位標記的半導體器件以及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種半導體器件及具有該半導體器件的顯示裝置。該半導體器件包括半導體襯底及對位標記。該對位標記包括設置在該半導體襯底上的第一層狀結(jié)構(gòu)，該第一層狀結(jié)構(gòu)包括間隔設置的多個第一圖案；及設置在該第一層狀結(jié)構(gòu)上的該第二層狀結(jié)構(gòu)，該第二層狀結(jié)構(gòu)包括第二圖案；該多個第一圖案及該第二圖案均為非透明圖案，該多個第一圖案圍繞該第二圖案設置。該半導體器件的對比度較高。
【專利說明】具有對位標記的半導體器件以及顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有對位標記的半導體器件以及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]目前，在顯示裝置的制造過程中，通常采用玻璃上芯片(Chip On Glass, COG)技術將半導體器件(如:芯片)壓合到顯示裝置的透明基板上。為使該半導體器件能夠被壓合到該透明基板的正確位置上，通常在該半導體器件及該透明基板上分別設置相應的對位標記。具體地，該半導體器件上所設置的對位標記通常包括多個第一圖案與第二圖案，該多個第一圖案圍繞該第二圖案設置，該多個第一圖案與該第二圖案系由同一層金屬布線蝕刻而成。其中，該第二圖案的形狀與該透明基板上所設置的對位標記的形狀相對應。
[0003]在壓合該半導體器件到該透明基板的過程中，利用光電檢測器或裸眼檢測到該半導體器件上的對位標記及該透明基板上的對位標記后，再將該半導體器件上的對位標記的第二圖案與該透明基板上的對位標記進行精確對準，從而使得該半導體器件能夠被壓合到該透明基板的正確位置上。
[0004]然，由于該多個第一圖案與該第二圖案系由同一層金屬布線蝕刻而成，因此，該多個第一圖案所對應的區(qū)域的亮度與該第二圖案所對應的區(qū)域的亮度相差不大，即，二區(qū)域之間的視覺差別不大，從而導致光電檢測器或裸眼很難檢測區(qū)分該半導體器件上的二對位標記，故，該半導體器件與該透明基板很難實現(xiàn)高度精確對準。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決現(xiàn)有技術半導體器件的對位標記的對比度較低的技術問題，有必要提供一種具有對比度較高的對位標記的半導體器件。
[0006]為解決現(xiàn)有技術顯示裝置的半導體器件的對位標記的對比度較低的技術問題，有必要提供一種具有對比度較高的對位標記的半導體器件的顯示裝置。
[0007]本發(fā)明提供一種半導體器件，其包括:
半導體襯底；及
對位標記，該對位標記設置在該半導體襯底上，該對位標記包括:
第一層狀結(jié)構(gòu)，該第一層狀結(jié)構(gòu)設置在該半導體襯底上，該第一層狀結(jié)構(gòu)包括間隔設置的多個第一圖案；及
第二層狀結(jié)構(gòu)，該第二層狀結(jié)構(gòu)設置在該第一層狀結(jié)構(gòu)上，該第二層狀結(jié)構(gòu)包括第二圖案；
其中，該多個第一圖案及該第二圖案均為非透明圖案，該多個第一圖案圍繞該第二圖案設置。
[0008]本發(fā)明提供一種顯示裝置，其包括:
透明基板；及
半導體器件，該半導體器件壓合在該透明基板上，其中，該半導體器件包括:半導體襯底；及
對位標記，該對位標記設置在該半導體襯底上，該對位標記包括:
第一層狀結(jié)構(gòu)，該第一層狀結(jié)構(gòu)設置在該半導體襯底上，該第一層狀結(jié)構(gòu)包括間隔設置的多個第一圖案；及
第二層狀結(jié)構(gòu)，該第二層狀結(jié)構(gòu)設置在該第一層狀結(jié)構(gòu)上，該第二層狀結(jié)構(gòu)包括第二圖案；
其中，該多個第一圖案及該第二圖案均為非透明圖案，該多個第一圖案圍繞該第二圖案設置。
[0009]相較于現(xiàn)有技術，由于該多個第一圖案位于該第二圖案與該半導體襯底之間，即該多個第一圖案與該第二圖案位于不同層，且該第二圖案較該多個第一圖案更遠離該半導體襯底，因此，經(jīng)由該多個第一圖案反射并射出該半導體器件的光線被該第二圖案所在的第二層狀結(jié)構(gòu)吸收以及折射等，從而使得從該半導體器件上對應該多個第一圖案的區(qū)域射出的光線的強度降低，從而增加了第二圖案所在區(qū)域與該多個第一圖案所在區(qū)域之間的亮度差異。相應地，在壓合該半導體器件到該顯示裝置的透明基板時，光電檢測器能較容易檢測到該第二圖案，從而 控制機臺使該半導體器件較精確地壓合至該透明基板的相應位置上。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為從圖1所示顯示裝置的顯示面板的第一基板一側(cè)向半導體器件一側(cè)觀察，該半導體器件的平面示意圖。
[0012]圖3為圖2所示該半導體器件上的對位標記的第一實施方式的放大結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖4為沿圖3所示的線IV-1V所作的部分剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖5為圖2所示該半導體器件上的電路區(qū)中的部分電路元件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖6為圖5所示電路元件之間的連接關系圖。
[0016]圖7為圖2所示該半導體器件上的對位標記的第二實施方式的放大結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖8為沿圖7所示的線VII1-VIII所作的部分剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖9為圖2所示該半導體器件上的對位標記的第三實施方式的放大結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖10為圖2所示該半導體器件上的對位標記的第四實施方式的放大結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖11為沿圖10所示的線X1-XI所作的部分剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]主要元件符號說明
【權(quán)利要求】
1.一種半導體器件，其包括: 半導體襯底；及 對位標記，該對位標記設置在該半導體襯底上，其特征在于:該對位標記包括: 第一層狀結(jié)構(gòu)，該第一層狀結(jié)構(gòu)設置在該半導體襯底上，該第一層狀結(jié)構(gòu)包括間隔設置的多個第一圖案；及 第二層狀結(jié)構(gòu)，該第二層狀結(jié)構(gòu)設置在該第一層狀結(jié)構(gòu)上，該第二層狀結(jié)構(gòu)包括一第二圖案； 其中，該多個第一圖案及該第二圖案均為非透明圖案，該多個第一圖案圍繞該第二圖案設置。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于:該半導體器件上設有預設區(qū)，每一預設區(qū)中對應設置該對位標記，定義該對位標記對應該第二圖案所在的區(qū)域為第一區(qū)域，該預設區(qū)內(nèi)除該第一區(qū)域的外的區(qū)域則為第二區(qū)域，該第一區(qū)域的亮度小于該第二區(qū)域的亮度，以增加該對位標記的第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的亮度差異。
3.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于:該第一層狀結(jié)構(gòu)中進一步包括對應該第二圖案設置的多個間隔分布的第一圖案，且對應該第二圖案設置的多個第一圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第一圖案彼此間隔分布。
4.如權(quán)利要求3所述的半導體器件，其特征在于:對應該第二圖案設置的多個第一圖案與圍繞該第二圖案設置的 多個第一圖案在該第一層狀結(jié)構(gòu)中均勻分布。
5.如權(quán)利要求2所述的半導體器件，其特征在于:該對位標記進一步包括第三層狀結(jié)構(gòu)，該第三層狀結(jié)構(gòu)沿該半導體襯底厚度方向，設置在該第一層狀結(jié)構(gòu)與該第二層狀結(jié)構(gòu)之間，該第三層狀結(jié)構(gòu)包括間隔設置的多個第三圖案，該多個第三圖案為非透明圖案，且該多個第三圖案位于該第二區(qū)域內(nèi)并圍繞該第二圖案設置，該多個第三圖案與該多個第一圖案相互配合，以增加該對位標記的第一區(qū)域與第二區(qū)域的亮度差異。
6.如權(quán)利要求5所述的半導體器件，其特征在于:每一第一圖案與至少一第三圖案部分重疊。
7.如權(quán)利要求5所述的半導體器件，其特征在于:該多個第一圖案與該多個第三圖案錯開設置。
8.如權(quán)利要求6所述的半導體器件，其特征在于:該第三層狀結(jié)構(gòu)中進一步包括對應該第二圖案設置的多個間隔分布的第三圖案，且對應該第二圖案設置的多個第三圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第三圖案彼此間隔分布。
9.如權(quán)利要求8所述的半導體器件，其特征在于:該第一層狀結(jié)構(gòu)中進一步包括對應該第二圖案設置的多個間隔分布的第一圖案，且對應該第二圖案設置的多個第一圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第一圖案彼此間隔分布。
10.如權(quán)利要求9所述的半導體器件，其特征在于:對應該第二圖案設置的每一第一圖案與至少一第三圖案部分重疊。
11.如權(quán)利要求10所述的半導體器件，其特征在于:對應該第二圖案設置的多個第三圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第三圖案在該第三層狀結(jié)構(gòu)中均勻分布。
12.如權(quán)利要求7所述的半導體器件，其特征在于:該第三層狀結(jié)構(gòu)中進一步包括對應該第二圖案設置的多個間隔分布的第三圖案，且對應該第二圖案設置的多個第三圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第三圖案彼此間隔分布。
13.如權(quán)利要求12所述的半導體器件，其特征在于:該第一層狀結(jié)構(gòu)中進一步包括對應該第二圖案設置的多個間隔分布的第一圖案，且對應該第二圖案設置的多個第一圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第一圖案彼此間隔分布。
14.如權(quán)利要求13所述的半導體器件，其特征在于:對應該第二圖案設置的每一第一圖案與至少一第三圖案部分重疊。
15.如權(quán)利要求14所述的半導體器件，其特征在于:對應該第二圖案設置的多個第三圖案與圍繞該第二圖案設置的多個第三圖案在該第三層狀結(jié)構(gòu)中均勻分布。
16.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于:該第二圖案用于與該半導體器件所要壓合的目標對象上的對位標記進行對準。
17.如權(quán)利要求3所述的半導體器件，其特征在于:該第一層狀結(jié)構(gòu)中的第一圖案均為點狀圖案。
18.如權(quán)利要求9所述的半導體器件，其特征在于:該第一層狀結(jié)構(gòu)中的第一圖案與該第三層狀結(jié)構(gòu)中的第三圖案均為點狀圖案。
19.如權(quán)利要求18所述的半導體器件，其特征在于:該第一層狀結(jié)構(gòu)中的第一圖案的形狀及大小均基本相同，該第三層狀結(jié)構(gòu)中的第三圖案的形狀及大小均基本相同。
20.一種顯示裝置，該顯示裝置包括: 透明基板 '及 半導體器件，該半導體器件壓合在該透明基板上，其特征在于:該半導體器件為上述權(quán)利要求1-19中任意一項所述的半導體器件。
【文檔編號】H01L23/544GK103579194SQ201210409651
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年10月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月1日
【發(fā)明者】楊俊平, 張大鵬 申請人:天鈺科技股份有限公司