專利名稱：用于圖形化襯底的藍寶石基片的加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體技術(shù)，特別是涉及一種用于圖形化襯底的藍寶石基片的加
工方法。
背景技術(shù)：
目前，氮化鎵LED大部分使用藍寶石基片做襯底，但是普通襯底的應用領(lǐng)域因亮度而受限，因此為了達到當今快速發(fā)展的照明及背光等高亮度應用領(lǐng)域的要求，圖形化襯底應運而生，成為現(xiàn)在市場的主流。圖形化襯底對藍寶石基片有一定規(guī)格要求，而現(xiàn)在藍寶石基片的加工工藝都是針對普通襯底，而且生產(chǎn)效率低。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種生產(chǎn)效率高、加工成本低并且加工較完善的用于圖形化襯底的藍寶石基片的加工方法。本發(fā)明的用于圖形化襯底的藍寶石基片的加工方法，依次按粘膠、研磨、拋光、脫 膠、退火、清洗步驟加工完成；
所述粘膠步驟在常溫下采用膠水使兩片基片胚料粘接在一塊共同加工，膠水的流動性要比蠟好的多，粘好后所形成的膠層也比蠟層要薄，可以更好的避免對加工質(zhì)量的影響，所述研磨步驟采用變速旋轉(zhuǎn)方式分多次對粘接后的基片胚料進行雙面研磨使基片減薄，這樣可以逐步降低基片的表面粗糙度，避免藍寶石在加工過程中出現(xiàn)大的內(nèi)應力而出現(xiàn)事故，
所述拋光步驟使用拋光液采用雙面拋光的方式；
所述脫膠步驟通過加熱粘接的基片胚料使其開膠，再使用乙醇或熱堿溶液使其去膠； 所述退火步驟采用高溫壘片退火。所述粘膠步驟中膠水為DR-13、417或者460中的一種，并且施加50 100克/平方厘米的壓力使基片粘接固定。所述研磨步驟分兩次或三次研磨。所述脫膠步驟中開膠溫度為160 180°C，采用乙醇去膠，去膠在常溫下進行。所述脫膠步驟中去膠溫度為160 180°C，所用去膠溶液為溫度在60 90°C的氫氧化鈉或者氫氧化鉀，將去膠后的基片在熱氫氧化鈉或者氫氧化鉀的溶液中浸泡5 10分鐘進行去膠。與現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明的有益效果為本發(fā)明使用膠水將兩片基片胚料粘接在一起雙面加工，這樣使得膠層更薄、更均勻、無氣泡，采用變速旋轉(zhuǎn)分式多次研磨，可以逐漸降低基片粗糙度并避免產(chǎn)生過大的內(nèi)應力，采用雙面拋光可以增加生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本；采用無污染的乙醇或熱堿溶液進行去膠，可以避免使用過多的有機試劑，減小污染，并且每個步驟可以達到降低不良率，從而提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本，減小污染。
具體實施例方式下面對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。一種用于圖形化襯底的藍寶石基片的加工方法，依次按粘膠、研磨、拋光、脫膠、退火、清洗步驟加工；
粘膠步驟在常溫下采用膠水使兩片基片胚料粘接在一塊共同加工；
研磨步驟采用雙面研磨，變速旋轉(zhuǎn)方式分多次對粘接后的基片胚料進行雙面研磨使基片減??；
拋光步驟使用拋光液采用雙面拋光的方式； 脫膠步驟通過加熱粘接的基片胚料使其開膠，再使用乙醇或熱堿溶液使其去膠；
退火步驟采用高溫壘片退火。實施例一
將待加工基片胚料在常溫下用DR-13膠水并施加75克/平方厘米的壓力，使兩片粘在一起，在研磨步驟中通過變速旋轉(zhuǎn)方式分兩次進行研磨加工，拋光采用雙面拋光的方式，待拋光完成后，在加熱板上加熱到165°C開膠，并冷卻至常溫用乙醇清除膠層，隨后高溫壘片退火消除內(nèi)應力，最后清洗。實施例二
將待加工基片胚料在常溫下用417膠水并施加87克/平方厘米的壓力，使兩片粘在一起，在研磨步驟通過變速旋轉(zhuǎn)方式分三次進行研磨加工，拋光采用雙面拋光的方式，待拋光完成后，在加熱板上加熱到175°C開膠，并放入80°C的氫氧化鈉溶液中清除膠層，隨后高溫壘片退火消除內(nèi)應力，最后清洗。實施例三
將待加工基片胚料在常溫下用460膠水并施加50克/平方厘米的壓力，使兩片粘在一起，在研磨步驟通過變速旋轉(zhuǎn)分三次進行研磨加工，拋光采用雙面拋光的方式，待拋光完成后，在加熱板上加熱到175°C開膠，并放入80°C的氫氧化鉀溶液中清除膠層，隨后高溫壘片退火消除內(nèi)應力，最后清洗。實施例四
將待加工基片在常溫下用膠水并施加100克/平方厘米的壓力，使兩片粘在一起，在研磨步驟通過變速旋轉(zhuǎn)分三次進行研磨加工，拋光采用雙面拋光的方式，待拋光完成后，在加熱板上加熱到175°c開膠，并冷卻至常溫用乙酸清除膠層，隨后高溫壘片退火消除內(nèi)應力，最后清洗。實施例五
將待加工基片在常溫下用膠水并施加87克/平方厘米的壓力，使兩片粘在一起，在研磨步驟通過變速旋轉(zhuǎn)分三次進行研磨加工，拋光采用雙面拋光的方式，待拋光完成后，在加熱板上加熱到175°C開膠，并放入80°C的鹽酸溶液中清除膠層，隨后高溫壘片退火消除內(nèi)應力，最后清洗。本發(fā)明中的實施例，膠水還可以采取其它具有粘接作用的膠水，去膠溶液還可以采用其它具有同樣作用的無污染的化學溶液。綜合上述，本發(fā)明使用膠水將兩片基片胚料粘接在一起雙面加工，這樣使得膠層更薄、更均勻、無氣泡，采用變速旋轉(zhuǎn)分式多次研磨，可以逐漸降低基片粗糙度并避免產(chǎn)生過大的內(nèi)應力，采用雙面拋光可以增加生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本；采用無污染的乙醇或熱堿溶液進行去膠，可以避免使用過多的有機試劑，減小污染，并且每個步驟可以達到降低不良率，從而提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本，減小污染。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人
員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和變型，這些改進和變型也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于圖形化襯底的藍寶石基片的加工方法，其特征在于依次按粘膠、研磨、拋光、脫膠、退火、清洗步驟加工； 所述粘膠步驟在常溫下采用膠水使兩片基片胚料粘接在一塊共同加工； 所述研磨步驟采用變速旋轉(zhuǎn)方式分多次對粘接后的基片胚料進行雙面研磨使基片減??； 所述拋光步驟使用拋光液采用雙面拋光的方式； 所述脫膠步驟通過加熱粘接的基片胚料使其開膠，再使用乙醇或熱堿溶液使其去膠； 所述退火步驟采用高溫壘片退火。
2.如權(quán)利要求I所述的用于圖形化襯底的藍寶石基片的加工方法，其特征在于所述粘膠步驟中膠水為DR-13、417或者460中的一種，并且施加50 100克/平方厘米的壓力使基片粘接固定。
3.如權(quán)利要求I所述的用于圖形化襯底的藍寶石基片的加工方法，其特征在于所述研磨步驟分兩次研磨。
4.如權(quán)利要求I所述的用于圖形化襯底的藍寶石基片的加工方法，其特征在于所述研磨步驟分三次研磨。
5.如權(quán)利要求I所述的用于圖形化襯底的藍寶石基片的加工方法，其特征在于所述脫膠步驟中開膠溫度為160 180°C，采用乙醇去膠，去膠在常溫下進行。
6.如權(quán)利要求I所述的用于圖形化襯底的藍寶石基片的加工方法，其特征在于所述脫膠步驟中去膠溫度為160 180°C，所用去膠溶液為溫度在60 90°C的氫氧化鈉或者氫氧化鉀，將去膠后的基片在熱氫氧化鈉或者氫氧化鉀的溶液中浸泡5 10分鐘進行去膠。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導體技術(shù)，特別是涉及一種用于圖形化襯底的藍寶石基片的加工方法，依次按粘膠、研磨、拋光、脫膠、退火、清洗步驟加工，粘膠步驟在常溫下采用膠水使兩片基片胚料粘接在一塊共同加工，研磨步驟采用變速旋轉(zhuǎn)方式分多次對粘接后的基片胚料進行雙面研磨使基片減薄，拋光步驟使用拋光液采用雙面拋光的方式，脫膠步驟通過加熱粘接的基片胚料使其開膠，再使用乙醇或熱堿溶液使其去膠，退火步驟采用高溫壘片退火；本發(fā)明解決了現(xiàn)有藍寶石基片的加工工藝都是針對普通襯底，而且生產(chǎn)效率低的問題，提供一種生產(chǎn)效率高、加工成本低并且加工較完善的用于圖形化襯底的藍寶石基片的加工方法。
文檔編號H01L33/00GK102945897SQ20121044655
公開日2013年2月27日 申請日期2012年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月10日
發(fā)明者李建明 申請人:長治虹源科技晶片技術(shù)有限公司