專利名稱：一種熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光器件(Organic Light Emitting Device, OLED)顯示器的激光誘導(dǎo)熱成像(Laser Induced Thermal Imaging,LITI)制程領(lǐng)域,尤其涉及一種用于LITI 制程的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
當(dāng)前，一些電子器件包括有機(jī)層。例如，有機(jī)發(fā)光器件(OrganicLight EmittingDevice, 0LED)包括多個有機(jī)層，并且已經(jīng)采用各種方法來形成這些有機(jī)層。一般來說，這些形成方法大致包括沉積法、噴墨法和激光誘導(dǎo)熱成像法。在LITI制程中，通常使用給體薄膜(donor film)裝置來提供轉(zhuǎn)印層。具體地，給體薄膜裝置放置在部分制成的電子裝置(半成品裝置)上，從而轉(zhuǎn)印層接觸該半成品裝置的表面(接收表面)，轉(zhuǎn)印層被轉(zhuǎn)移到該半成品裝置上。然后，激光束被施加到給體薄膜裝置的被選擇區(qū)域上，該激光束在給體薄膜裝置的被選擇區(qū)域中產(chǎn)生熱量。該熱量使轉(zhuǎn)印層的目標(biāo)部分實(shí)現(xiàn)分離。當(dāng)給體薄膜裝置移開時，轉(zhuǎn)印層分離的部分留在半成品裝置表面。在上述熱轉(zhuǎn)印過程中，轉(zhuǎn)印層尤其是其中的發(fā)光層，往往與其他層之間的接觸面(如，轉(zhuǎn)印面和接觸面)產(chǎn)生缺陷，使得OLED特性由于其介面特性不佳而遭受影響。為了在這一問題上持續(xù)進(jìn)行改良，傳統(tǒng)的LITI制程的一種解決方案是在于，在轉(zhuǎn)印層中的發(fā)光層的上方設(shè)置一電子傳輸層(Electron Transport Layer, ETL),以便該發(fā)光層遠(yuǎn)離轉(zhuǎn)印面；或者，在轉(zhuǎn)印層中的發(fā)光層的下方設(shè)置一空穴傳輸層(Hole Transport Layer, HTL),以便該發(fā)光層遠(yuǎn)離接觸面；或者，在轉(zhuǎn)印層中的發(fā)光層的上方和下方分別設(shè)置一電子傳輸層和一空穴傳輸層，使發(fā)光層同時遠(yuǎn)離轉(zhuǎn)印面和接觸面。但是，轉(zhuǎn)印層上方的給體薄膜通常為電子注入層(Electron InjectionLayer, EIL),轉(zhuǎn)印層下方的給體薄膜通常為空穴注入層(Holelnjection Layer, HIL),致使上述電子傳輸層與電子注入層之間的介面仍然為異質(zhì)介面，且上述空穴傳輸層與空穴注入層之間的介面仍然為異質(zhì)介面，所以，LITI制程的組件效率提高較為有限。有鑒于此，如何設(shè)計一種新的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，在消除上述介面特性不良的同時，還可有效提升組件的效率，是業(yè)內(nèi)相關(guān)技術(shù)人員亟待解決的一項課題。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)在設(shè)計時所存在的上述缺陷，本發(fā)明提供了一種新穎的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)。依據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，適用于有機(jī)發(fā)光器件的激光誘導(dǎo)熱成像制程，該熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)包括一轉(zhuǎn)印層，包括一待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層；以及一電子傳輸層(Electron Transport Layer, ETL),位于所述待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層的上
4方；以及一載子傳輸層，設(shè)置于所述轉(zhuǎn)印層與一給體薄膜層之間，其中，所述給體薄膜層為一電子注入層(Electron InjectionLayer, EIL),位于所 述熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的最上方，并且所述載子傳輸層的材質(zhì)與所述電子傳輸層的材質(zhì)相同。優(yōu)選地，載子傳輸層以涂布或蒸鍍方式在所述轉(zhuǎn)印層貼合熱轉(zhuǎn)印后制成。優(yōu)選地，載子傳輸層的厚度不小于2納米。依據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，適用于有機(jī)發(fā)光器件的激光誘導(dǎo)熱成像制程，該熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)包括一轉(zhuǎn)印層，包括一待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層；以及—空穴傳輸層(Hole Transport Layer, HTL),位于所述待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層的下方；以及一載子傳輸層，設(shè)置于所述轉(zhuǎn)印層與一給體薄膜層之間，其中，所述給體薄膜層為一空穴注入層(Hole Injection Layer, HIL),位于所述熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的最下方，并且所述載子傳輸層的材質(zhì)與所述空穴傳輸層的材質(zhì)相同。優(yōu)選地，載子傳輸層以涂布或蒸鍍方式在所述轉(zhuǎn)印層貼合熱轉(zhuǎn)印前制成。優(yōu)選地，載子傳輸層的厚度不小于2納米。依據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，適用于有機(jī)發(fā)光器件的激光誘導(dǎo)熱成像制程，該熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)包括一轉(zhuǎn)印層，包括—待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層；一電子傳輸層(Electron Transport Layer, ETL),位于所述待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層的上方；以及—空穴傳輸層(Hole Transport Layer, HTL),位于所述待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層的下方；一第一給體薄膜層，位于所述熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的最上方；一第二給體薄膜層，位于所述熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的最下方；一第一載子傳輸層，設(shè)置于所述第一給體薄膜層與所述電子傳輸層之間；以及一第二載子傳輸層，設(shè)置于所述第二給體薄膜層與所述空穴傳輸層之間，其中，所述第一載子傳輸層的材質(zhì)與所述電子傳輸層的材質(zhì)相同，所述第二載子傳輸層的材質(zhì)與所述空穴傳輸層的材質(zhì)相同。優(yōu)選地，第一載子傳輸層以涂布或蒸鍍方式在所述轉(zhuǎn)印層進(jìn)行貼合熱轉(zhuǎn)印之后制成，所述第二載子傳輸層以涂布或蒸鍍方式在所述轉(zhuǎn)印層進(jìn)行貼合熱轉(zhuǎn)印之前制成。優(yōu)選地,第一給體薄膜層為一電子注入層(Electron InjectionLayer, EIL),所述第二給體薄膜層為一空穴注入層(Hole InjectionLayer, HIL)。優(yōu)選地，該第一載子傳輸層和該第二載子傳輸層的厚度均不小于2納米。采用本發(fā)明的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，將至少一載子傳輸層設(shè)置于轉(zhuǎn)印層與一給體薄膜層之間，且使該載子傳輸層的材質(zhì)與電子傳輸層的材質(zhì)或空穴傳輸層的材質(zhì)相同，從而可成功地分離轉(zhuǎn)印介面和異質(zhì)介面，消除熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的介面特性不良情形，提升組件的特性和效率。


讀者在參照附圖閱讀了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
以后，將會更清楚地了解本發(fā)明的各個方面。其中，圖I示出現(xiàn)有技術(shù)中的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的組成框圖；
圖2示出依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的組成框圖；圖3示出依據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的組成框圖；以及圖4示出依據(jù)本發(fā)明的又一具體實(shí)施例的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的組成框圖。
具體實(shí)施例方式為了使本申請所揭示的技術(shù)內(nèi)容更加詳盡與完備，可參照附圖以及本發(fā)明的下述各種具體實(shí)施例，附圖中相同的標(biāo)記代表相同或相似的組件。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，下文中所提供的實(shí)施例并非用來限制本發(fā)明所涵蓋的范圍。此外，附圖僅僅用于示意性地加以說明，并未依照其原尺寸進(jìn)行繪制。下面參照附圖，對本發(fā)明各個方面的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。圖I示出現(xiàn)有技術(shù)中的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的組成框圖。參照圖1，該熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)包括一轉(zhuǎn)印層(transfer layer)、一第一給體薄膜層(donor film)10、一第二給體薄膜層30、一陰極和一陽極。其中，該第一給體薄膜層為一電子注入層(Electron Injection Layer, EIL),該陰極位于該電子注入層10的上方。該第二給體薄膜層為一空穴注入層(Hole InjectionLayer, HIL),該陽極位于該空穴注入層30的下方。轉(zhuǎn)印層包括一電子傳輸層(ElectronTransport Layer, ETL) 201、一發(fā)光層(Emitting Layer, EL) 203 和一空穴傳輸層(Hole TransportLayer, HTL) 205。其中，電子傳輸層201位于發(fā)光層203的上方,空穴傳輸層205位于發(fā)光層203的下方,發(fā)光層203位于電子傳輸層201和空穴傳輸層205 二者之間,從而使得發(fā)光層203既可遠(yuǎn)離轉(zhuǎn)印介面SI,又可遠(yuǎn)離轉(zhuǎn)印介面S2。在此，術(shù)語“轉(zhuǎn)印介面”是指轉(zhuǎn)印層與第一給體薄膜層或第二給體薄膜層之間的接觸面，例如，轉(zhuǎn)印層與電子注入層10之間對應(yīng)于轉(zhuǎn)印介面SI，轉(zhuǎn)印層與空穴注入層30之間對應(yīng)于轉(zhuǎn)印介面S2。然而，由于電子注入層10與轉(zhuǎn)印層中的電子傳輸層201屬于不同性質(zhì)的半導(dǎo)體層，因而該轉(zhuǎn)印介面SI也是異質(zhì)介面。類似地，由于空穴注入層30與轉(zhuǎn)印層中的空穴傳輸層205屬于不同性質(zhì)的半導(dǎo)體層，該轉(zhuǎn)印介面S2也是異質(zhì)介面。如前所述，在現(xiàn)有的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)中，正是由于異質(zhì)介面SI和S2的存在，或者說，異質(zhì)介面與轉(zhuǎn)印介面相重合，才導(dǎo)致LITI制程的組件效率仍然較低。為了有效地解決上述缺陷或困擾，本發(fā)明提供了一種新穎的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)。圖2示出依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的組成框圖。參照圖2,在有機(jī)發(fā)光器件(Organic Light Emitting Device, 0LED)的激光誘導(dǎo)熱成像(Laser Induced Thermal Imaging,LITI)制程中，本發(fā)明的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)包括一轉(zhuǎn)印層、一第一給體薄膜層(donor film)10、一第二給體薄膜層30、一陰極和一陽極。第一給體薄膜層10位于轉(zhuǎn)印層的上方，第二給體薄膜層30位于轉(zhuǎn)印層的下方。在圖2中，第一給體薄膜層10為電子注入層，第二給體薄膜層30為空穴注入層。
具體地，該轉(zhuǎn)印層采用多個半導(dǎo)體層疊而成，自上而下依次為電子傳輸層201和發(fā)光層203。為了改善LITI制程的組件效率，該熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)還包括一載子傳輸層40。該載子傳輸層40設(shè)置于轉(zhuǎn)印層中的電子傳輸層201與電子注入層10之間，并且該載子傳輸層40的材質(zhì)與電子傳輸層201的材質(zhì)相同,亦即，載子傳輸層40也為電子傳輸層。由此可知，在圖2的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)中，轉(zhuǎn)印層的電子傳輸層201與電子傳輸層40之間的轉(zhuǎn)印介面SI不同于電子傳輸層40與電子注入層10之間的異質(zhì)介面S3。相比于現(xiàn)有技術(shù)，采用本發(fā)明的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)印介面SI與異質(zhì)介面S3 二者的分離，進(jìn)而消除熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的介面特性不良情形，提升組件的特性和效率。在一具體實(shí)施例中，該載子傳輸層40在進(jìn)行貼合熱轉(zhuǎn)印之后以涂布或蒸鍍方式制作而成。在一具體實(shí)施例中，該載子傳輸層的厚度不小于2納米。圖3示出依據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的組成框圖。參照圖3，在該實(shí)施例中，熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)包括一轉(zhuǎn)印層、一第一給體薄膜層10、一第二給體薄膜層30、一陰極和一陽極。第一給體薄膜層10位于轉(zhuǎn)印層的上方，第二給體薄膜層30位于轉(zhuǎn)印層的下方。在圖3中，第一給體薄膜層10為電子注入層，第二給體薄膜層30為空穴注入層。具體地，該轉(zhuǎn)印層采用多個半導(dǎo)體層疊而成，自上而下依次為發(fā)光層203和空穴傳輸層205。為了改善LITI制程的組件效率,該熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)還包括一載子傳輸層50。該載子傳輸層50設(shè)置于轉(zhuǎn)印層中的空穴傳輸層205與空穴注入層30之間，并且該載子傳輸層50的材質(zhì)與空穴傳輸層205的材質(zhì)相同,亦即，載子傳輸層50也為空穴傳輸層。類似于圖2，在圖3的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)中，轉(zhuǎn)印層的空穴傳輸層205與空穴傳輸層50之間的轉(zhuǎn)印介面S2不同于空穴傳輸層50與空穴注入層30之間的異質(zhì)介面S4，因而可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)印介面S2與異質(zhì)介面S4 二者的分離，消除熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的介面特性不良情形，提升組件的特性和效率。在一具體實(shí)施例中，該載子傳輸層50在進(jìn)行貼合熱轉(zhuǎn)印之前以涂布或蒸鍍方式制作而成。在一具體實(shí)施例中，該載子傳輸層50的厚度不小于2納米。圖4示出依據(jù)本發(fā)明的又一具體實(shí)施例的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的組成框圖。不同于圖2和圖3，在圖4的實(shí)施例中，該轉(zhuǎn)印層采用多個半導(dǎo)體層疊而成，自上而下依次為電子傳輸層201、發(fā)光層203和空穴傳輸層205。對應(yīng)地，該熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)同時包括一第一載子傳輸層40和一第二載子傳輸層50。該第一載子傳輸層40設(shè)置于第一給體薄膜層10與轉(zhuǎn)印層的電子傳輸層201之間，該第二載子傳輸層50設(shè)置于第二給體薄膜層30與轉(zhuǎn)印層的空穴傳輸層205之間。需要指出的是,第一載子傳輸層40的材質(zhì)與電子傳輸層201的材質(zhì)相同,第二載子傳輸層50的材質(zhì)與空穴傳輸層205的材質(zhì)相同。亦即，第一載子傳輸層40為一電子傳輸層，第二載子傳輸層50為一空穴傳輸層。在一具體實(shí)施例中，第一載子傳輸層40和第二載子傳輸層50以涂布或蒸鍍方式制成。更具體地，第一載子傳輸層40在轉(zhuǎn)印層進(jìn)行貼合熱轉(zhuǎn)印之后制成，而第二載子傳輸層50在轉(zhuǎn)印層進(jìn)行貼合熱轉(zhuǎn)印之前制成。此外，第一載子傳輸層40和第二載子傳輸層50的厚度均不小于2納米。
采用本發(fā)明的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，將至少一載子傳輸層設(shè)置于轉(zhuǎn)印層與一給體薄膜層之間，且使該載子傳輸層的材質(zhì)與電子傳輸層的材質(zhì)或空穴傳輸層的材質(zhì)相同，從而可成功地分離轉(zhuǎn)印介面和異質(zhì)介面，消除熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的介面特性不良情形，提升組件的特性和效
率。 上文中，參照附圖描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。但是，本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員能夠理解，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作各種變更和替換。這些變更和替換都落在本發(fā)明權(quán)利要求書所限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，適用于有機(jī)發(fā)光器件(Organic LightEmitting Device, 0LED)的激光誘導(dǎo)熱成像(Laser Induced Thermal Imaging, LITI)制程,其特征在于,所述熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)包括 一轉(zhuǎn)印層，包括 一待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層；以及 一電子傳輸層(Electron Transport Layer, ETL),位于所述待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層的上方；以及 一載子傳輸層，設(shè)置于所述轉(zhuǎn)印層與一給體薄膜層之間， 其中，所述給體薄膜層為一電子注入層(Electron InjectionLayer, EIL),位于所述熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的最上方，并且所述載子傳輸層的材質(zhì)與所述電子傳輸層的材質(zhì)相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述載子傳輸層以涂布或蒸鍍方式在所述轉(zhuǎn)印層貼合熱轉(zhuǎn)印后制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述載子傳輸層的厚度不小于2納米。
4.一種熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu),適用于有機(jī)發(fā)光器件(Organic LightEmitting Device, 0LED)的激光誘導(dǎo)熱成像(Laser Induced Thermal Imaging, LITI)制程,其特征在于,所述熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)包括 一轉(zhuǎn)印層，包括 一待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層；以及 一空穴傳輸層(Hole Transport Layer, HTL),位于所述待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層的下方；以及 一載子傳輸層，設(shè)置于所述轉(zhuǎn)印層與一給體薄膜層之間， 其中，所述給體薄膜層為一空穴注入層(Hole Injection Layer, HIL),位于所述熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的最下方，并且所述載子傳輸層的材質(zhì)與所述空穴傳輸層的材質(zhì)相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述載子傳輸層以涂布或蒸鍍方式在所述轉(zhuǎn)印層貼合熱轉(zhuǎn)印前制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述載子傳輸層的厚度不小于2納米。
7.一種熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，適用于有機(jī)發(fā)光器件(Organic LightEmitting Device, 0LED)的激光誘導(dǎo)熱成像(Laser Induced Thermal Imaging, LITI)制程,其特征在于,所述熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)包括 一轉(zhuǎn)印層，包括 一待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層； 一電子傳輸層(Electron Transport Layer, ETL),位于所述待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層的上方；以及 一空穴傳輸層(Hole Transport Layer, HTL),位于所述待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層的下方； 一第一給體薄膜層，位于所述熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的最上方； 一第二給體薄膜層，位于所述熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的最下方； 一第一載子傳輸層，設(shè)置于所述第一給體薄膜層與所述電子傳輸層之間；以及 一第二載子傳輸層，設(shè)置于所述第二給體薄膜層與所述空穴傳輸層之間，其中，所述第一載子傳輸層的材質(zhì)與所述電子傳輸層的材質(zhì)相同，所述第二載子傳輸層的材質(zhì)與所述空穴傳輸層的材質(zhì)相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一載子傳輸層以涂布或蒸鍍方式在所述轉(zhuǎn)印層進(jìn)行貼合熱轉(zhuǎn)印之后制成，所述第二載子傳輸層以涂布或蒸鍍方式在所述轉(zhuǎn)印層進(jìn)行貼合熱轉(zhuǎn)印之前制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一給體薄膜層為一電子注入層(Electron Injection Layer, EIL),所述第二給體薄膜層為一空穴注入層(HoleInjection Layer, HIL)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一載子傳輸層和所述第二載子傳輸層的厚度均不小于2納米。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)，適用于有機(jī)發(fā)光器件的激光誘導(dǎo)熱成像制程，該熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)包括一轉(zhuǎn)印層，包括一待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層以及一電子傳輸層位于該待轉(zhuǎn)印的發(fā)光層的上方；以及一載子傳輸層，設(shè)置于轉(zhuǎn)印層與一給體薄膜層之間，其中，該給體薄膜層為一電子注入層，位于熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的最上方，并且該載子傳輸層的材質(zhì)與電子傳輸層的材質(zhì)相同。采用本發(fā)明，將至少一載子傳輸層設(shè)置于轉(zhuǎn)印層與一給體薄膜層之間，且使該載子傳輸層的材質(zhì)與電子傳輸層的材質(zhì)或空穴傳輸層的材質(zhì)相同，從而可成功地分離轉(zhuǎn)印介面和異質(zhì)介面，消除熱轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)的介面特性不良情形，提升組件的特性和效率。
文檔編號H01L51/50GK102931356SQ20121044745
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月9日
發(fā)明者黃師軒, 陳重嘉, 卓庭毅, 江伯軒 申請人:友達(dá)光電股份有限公司