專利名稱：存儲器同步缺陷檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，更具體地說，本發(fā)明涉及一種存儲器同步缺陷檢測方法。
背景技術(shù)：
隨著設(shè)計與制造技術(shù)的發(fā)展，集成電路設(shè)計從晶體管的集成發(fā)展到邏輯門的集成，現(xiàn)在又發(fā)展到IP的集成，芯片的集成度越來越高。一般在先進的芯片制造過程中都會涉及到光學(xué)的缺陷檢測，缺陷檢測的基本工作原理是將芯片上的光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成為可由不同亮暗灰階表示的數(shù)據(jù)圖像，在掃描的同時進行圖像信號比對，圖I表示的就是將一個光學(xué)顯微鏡下得圖像Pl轉(zhuǎn)換成為數(shù)據(jù)圖像特征P2的過程，再通過相鄰芯片上的數(shù)據(jù)比較來檢測缺陷的位置，如圖2表示的是在水平方向Xl的相鄰芯片的比較，圖3表示的是在垂直方向X2的相鄰芯片的比。 但是，芯片上集成了很多的功能模塊，如微處理器/微控制器、存儲器以及其他專用功能邏輯區(qū)等，特別是存儲器模塊由于其圖形密度往往是整個芯片上最高的地方，所以如右圖所示一些細(xì)微的圖形差異或極小的外界顆粒都會導(dǎo)致整個芯片電性能的失效。從存儲器的圖形設(shè)計上分析，其圖形具有在水平或垂直方向上周期性的重復(fù)結(jié)構(gòu)，目前的檢測方法是在芯片上劃分在水平或垂直方向具有重復(fù)性的最小單元結(jié)構(gòu)，每個重復(fù)結(jié)構(gòu)本身和鄰近的單元進行數(shù)據(jù)比較，但是如上所述，在一個檢測過程中只能做到水平或垂直方向的掃描，不能在一個檢測過程中同時完成兩個方向存儲器結(jié)構(gòu)的缺陷檢測。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)快速掃描的同時又能夠很好地控制每個存儲器區(qū)域的檢測精度的存儲器同步缺陷檢測方法。為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種存儲器同步缺陷檢測方法，其包括首先執(zhí)行用于同時提取芯片上不同方向的存儲器區(qū)重復(fù)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)提取步驟；然后執(zhí)行用于掃描完整的一列或行芯片組、并將芯片組的數(shù)據(jù)信息保存在數(shù)據(jù)庫的掃描步驟；此后執(zhí)行用于根據(jù)結(jié)構(gòu)提取步驟定義的單元結(jié)構(gòu)對由掃描步驟所采集的數(shù)據(jù)信息進行水平和垂直方向上的比較的數(shù)據(jù)比較步驟；此后，重復(fù)掃描步驟和數(shù)據(jù)比較步驟，直到完成整個晶圓的缺陷檢測。優(yōu)選地，所述不同方向是兩個垂直方向。優(yōu)選地，所述不同方向是水平方向和垂直方向。優(yōu)選地，在完成整個晶圓的缺陷檢測時，掃描完了整個晶圓同時完成所有數(shù)據(jù)的比對，得到一個缺陷分布圖。優(yōu)選地，所述存儲器區(qū)重復(fù)結(jié)構(gòu)是最小的存儲器區(qū)重復(fù)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)信息是圖形信息。
通過利用本發(fā)明的存儲器同步缺陷檢測方法，可以在同一個檢測過程中對具有不同方向周期的存儲器結(jié)構(gòu)進行缺陷的檢測，從而實現(xiàn)快速掃描的同時又能夠很好地控制每個存儲器區(qū)域的檢測精度。


結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨 的優(yōu)點和特征，其中圖I示意性地示出了電路光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成為數(shù)據(jù)灰階圖像的示意圖。圖2示意性地示出了水平方向缺陷檢測的示意圖。圖3示意性地示出了垂直方向缺陷檢測的示意圖。圖4示意性地示出了水平方向存儲器重復(fù)結(jié)構(gòu)圖。圖5示意性地示出了垂直方向存儲器重復(fù)結(jié)構(gòu)圖。圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例存儲器同步缺陷檢測方法的流程圖。需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細(xì)描述。在本發(fā)明實施例中，首先提取芯片上存儲器區(qū)域重復(fù)性結(jié)構(gòu)的信息，分別將包括水平和垂直方向上重復(fù)的最小單元結(jié)構(gòu)保存到檢測設(shè)備。例如，如圖4和圖5所示，水平和垂直方向上重復(fù)的最小單元結(jié)構(gòu)包括如圖4所示的水平方向存儲器重復(fù)結(jié)構(gòu)單元Y1、單元Y2、單元Y3,以及如圖5所示的垂直方向存儲器重復(fù)結(jié)構(gòu)單元XI、單元X2、單元X3。當(dāng)在對芯片進行掃描時，將采集到的圖形信號保存到一個特定數(shù)據(jù)庫中，直到完成水平或垂直方向上一行或列完整芯片組信號的收集，然后在對下一行或列芯片組進行掃描的同時對存儲在特定數(shù)據(jù)庫中上一組完整芯片的圖形信息進行在水平和垂直方向上的數(shù)據(jù)比對。圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例存儲器同步缺陷檢測方法的流程圖。如圖6所示，根據(jù)本發(fā)明實施例存儲器同步缺陷檢測方法包括在程序開始時，首先，將晶圓I放入檢測設(shè)備2進行檢測；隨后，提取晶圓I中的芯片的存儲器區(qū)域重復(fù)性結(jié)構(gòu)的信息(步驟3)；隨后，對第一組水平或垂直方向的完整的芯片進行掃描，并將整組芯片的信息保存在數(shù)據(jù)庫中(步驟4);一方面，將整組芯片的信息根據(jù)設(shè)定的存儲器結(jié)構(gòu)進行水平和垂直方向的比對(步驟6);另一方面，對下一組芯片進行掃描(步驟5)；最終，掃描完整個晶圓同時完成所有數(shù)據(jù)的比對，從而得到一個缺陷分布圖(步驟7)。隨后程序結(jié)束。通過利用本發(fā)明實施例的存儲器同步缺陷檢測方法，可以在同一個檢測過程中對具有不同方向周期的存儲器結(jié)構(gòu)進行缺陷的檢測，從而實現(xiàn)快速掃描的同時又能夠很好地控制每個存儲器區(qū)域的檢測精度。例如，對于具體應(yīng)用，可定義好芯片上的不同存儲器區(qū)域的周期性結(jié)構(gòu)(優(yōu)選地，是最小的存儲器重復(fù)結(jié)構(gòu))，開始對晶圓的第一組水平或垂直方向的完整的芯片進行掃描，并將整一組芯片的信息(例如圖形信息)保存在數(shù)據(jù)庫中，在對下一組芯片進行掃描的同時將掃描完的整組芯片的信息根據(jù)設(shè)定的存儲器結(jié)構(gòu)進行水平和垂直方向的比對，直到完成整個晶圓的檢測，從而實現(xiàn)快速掃描的同時又能夠很好地控制每個存儲器區(qū)域的檢測精度。在具體實施方式
中，例如，首先執(zhí)行用于同時提取芯片上不同方向(優(yōu)選地兩個垂直方向，例如水平方向和垂直方向)的存儲器區(qū)最小重復(fù)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)提取步驟；然后執(zhí)行用于掃描完整的一列或行芯片組、并將芯片組的數(shù)據(jù)信息保存在數(shù)據(jù)庫的掃描步驟；此后執(zhí)行用于根據(jù)結(jié)構(gòu)提取步驟定義的單元結(jié)構(gòu)對由掃描步驟所采集的數(shù)據(jù)進行水平和垂直方向上的比較的數(shù)據(jù)比較步驟；此后，重復(fù)掃描步驟和數(shù)據(jù)比較步驟，直到完成整個晶圓的缺 陷檢測?？梢岳斫獾氖?，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種存儲器同步缺陷檢測方法，其特征在于包括首先執(zhí)行用于同時提取芯片上不同方向的存儲器區(qū)重復(fù)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)提取步驟；然后執(zhí)行用于掃描完整的一列或行芯片組、并將芯片組的數(shù)據(jù)信息保存在數(shù)據(jù)庫的掃描步驟；此后執(zhí)行用于根據(jù)結(jié)構(gòu)提取步驟定義的單元結(jié)構(gòu)對由掃描步驟所采集的數(shù)據(jù)信息進行水平和垂直方向上的比較的數(shù)據(jù)比較步驟；此后，重復(fù)掃描步驟和數(shù)據(jù)比較步驟，直到完成整個晶圓的缺陷檢測。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的存儲器同步缺陷檢測方法，其特征在于，所述不同方向是兩個垂直方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的存儲器同步缺陷檢測方法，其特征在于，所述不同方向是水平方向和垂直方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的存儲器同步缺陷檢測方法，其特征在于，在完成整個晶圓的缺陷檢測時，掃描完了整個晶圓同時完成所有數(shù)據(jù)的比對，得到一個缺陷分布圖。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的存儲器同步缺陷檢測方法，其特征在于，所述存儲器區(qū)重復(fù)結(jié)構(gòu)是最小的存儲器區(qū)重復(fù)結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的存儲器同步缺陷檢測方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)信息是圖形信息。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種存儲器同步缺陷檢測方法，包括首先執(zhí)行用于同時提取芯片上不同方向的存儲器區(qū)最小重復(fù)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)提取步驟；然后執(zhí)行用于掃描完整的一列或行芯片組、并將芯片組的數(shù)據(jù)信息保存在數(shù)據(jù)庫的掃描步驟；此后執(zhí)行用于根據(jù)結(jié)構(gòu)提取步驟定義的單元結(jié)構(gòu)對由掃描步驟所采集的數(shù)據(jù)進行水平和垂直方向上的比較的數(shù)據(jù)比較步驟；此后，重復(fù)掃描步驟和數(shù)據(jù)比較步驟，直到完成整個晶圓的缺陷檢測。通過利用本發(fā)明的存儲器同步缺陷檢測方法，可以在同一個檢測過程中對具有不同方向周期的存儲器結(jié)構(gòu)進行缺陷的檢測，從而實現(xiàn)快速掃描的同時又能夠很好地控制每個存儲器區(qū)域的檢測精度。
文檔編號H01L21/66GK102931116SQ20121045166
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月12日
發(fā)明者倪棋梁, 陳宏璘, 龍吟, 顧曉芳 申請人:上海華力微電子有限公司