專利名稱：一種新型太陽能電池片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域，特別是涉及一種新型太陽能電池片。
背景技術(shù)：
人類面臨著有限常規(guī)能源和環(huán)境破壞嚴(yán)重的雙重壓力。已經(jīng)成為越來越值得關(guān)注的社會與環(huán)境問題。由于人類對可再生能源的不斷需求。促使人們致力于開發(fā)新型能源。太陽在40min內(nèi)照射帶地球表面的能量可供全球目前能源消費(fèi)的速度使用I年。合理的利用好太陽能將是人類解決能源問題的長期發(fā)展戰(zhàn)略，是其中最受矚目的研究熱點(diǎn)之一。太陽能電池造價(jià)高，目前還沒有大規(guī)模發(fā)展，因此需要制造一種成本更低、性能更出色的太陽能電池片
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種新型太陽能電池片，結(jié)構(gòu)簡單，使用安全方便，成本低，具有將光能轉(zhuǎn)化為電能的功能。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種新型太陽能電池片，包括單晶硅片，所述單晶硅片含有P區(qū)，所述單晶硅片的上表面為N+區(qū)形成一個(gè)PN+結(jié)，所述單晶硅片頂部區(qū)域有金屬電極，所述單晶硅片底部區(qū)域有金屬底電極，所述金屬電極和金屬底電極分別與N+區(qū)和P區(qū)形成歐姆接觸。在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述單晶硅片為P型單晶硅。在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述單晶硅片的厚度為O. 3—0. 5mm。在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述金屬電極為柵狀金屬電極。在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述金屬電極的上表面涂有減反射膜。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明新型太陽能電池片，結(jié)構(gòu)簡單，使用安全方便，成本低，具有將光能轉(zhuǎn)化為電能的功能。


圖I是本發(fā)明新型太陽能電池片一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意附圖中各部件的標(biāo)記如下I、金屬電極，2、N+區(qū)，3、單晶硅片，4、P區(qū)，5、金屬底電極。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。請參閱圖1，一種新型太陽能電池片，包括單晶硅片3，所述單晶硅片3含有P區(qū)4，所述單晶硅片3的上表面為N+區(qū)2形成一個(gè)PN+結(jié)，所述單晶硅片3頂部區(qū)域有金屬電極1，所述單晶硅片3底部區(qū)域有金屬底電極5，所述金屬電極I和金屬底電極5分別與N+區(qū)2和P區(qū)4形成歐姆接觸。
另外，所述單晶硅片3為P型單晶硅，單晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)也最為成熟。另外，所述單晶娃片3的厚度為O. 3一O. 5mm,減少體積,便于廣泛運(yùn)用。另外，所述金屬電極I為柵狀金屬電極，接觸面積大，轉(zhuǎn)化的電能更強(qiáng)大。另外，所述金屬電極I的上表面涂有減反射膜，增加透光量，減少雜散光。本發(fā)明一種新型太陽能電池片具體工作原理如下當(dāng)入發(fā)射光照在電池表面時(shí)，光子穿過減反射膜進(jìn)入硅中，能量大于硅禁帶寬度的光子在N+區(qū)2，PN +結(jié)空間電荷區(qū)和P區(qū)4中激發(fā)出光生電子。各區(qū)中的光生載流子如果在復(fù)合前能越過耗盡區(qū)，就對發(fā)光電 壓作出貢獻(xiàn)。光生電子留于N +區(qū)2，光生空穴留于P區(qū)4，在PN +結(jié)的兩側(cè)形成正負(fù)電荷的積累，產(chǎn)生光生電壓，此為光生伏打效應(yīng)。當(dāng)光伏電池兩端接一負(fù)載后，光電池就從P區(qū)4經(jīng)負(fù)載流至N +區(qū)2，負(fù)載中就有功率輸出。區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明新型太陽能電池片，結(jié)構(gòu)簡單，使用安全方便，成本低，具有將光能轉(zhuǎn)化為電能的功能。以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種新型太陽能電池片，其特征在于，包括單晶硅片，所述單晶硅片含有P區(qū)，所述單晶硅片的上表面為N+區(qū)形成一個(gè)PN+結(jié)，所述單晶硅片頂部區(qū)域有金屬電極，所述單晶硅片底部區(qū)域有金屬底電極，所述金屬電極和金屬底電極分別與N+區(qū)和P區(qū)形成歐姆接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的新型太陽能電池片，其特征在于，所述單晶硅片為P型單晶硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的新型太陽能電池片，其特征在于，所述單晶硅片的厚度為O. 3——O. 5mmο
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的新型太陽能電池片，其特征在于，所述金屬電極為柵狀金屬電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的新型太陽能電池片，其特征在于，所述金屬電極的上表面涂 有減反射膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種新型太陽能電池片，包括單晶硅片，所述單晶硅片含有P區(qū)，所述單晶硅片的上表面為N+區(qū)形成一個(gè)PN+結(jié)，所述單晶硅片頂部區(qū)域有金屬電極，所述單晶硅片底部區(qū)域有金屬底電極，所述金屬電極和金屬底電極分別與N+區(qū)和P區(qū)形成歐姆接觸。通過上述方式，本發(fā)明提供的新型太陽能電池片，結(jié)構(gòu)簡單，使用安全方便，成本低，具有將光能轉(zhuǎn)化為電能的功能。
文檔編號H01L31/06GK102969386SQ20121047659
公開日2013年3月13日 申請日期2012年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月22日
發(fā)明者楚海元, 朱俊豪, 張冬強(qiáng) 申請人:常州兆陽光能科技有限公司