專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子設(shè)備的小型、薄型化，高密度安裝的要求急劇增加。因此，半導(dǎo)體封裝中適于高密度安裝的表面安裝型已代替以往的銷插入型成為主流。該表面安裝型將導(dǎo)線直接焊接于印制電路板等。利用作為加熱方法的紅外線回流、氣相回流、浸沾軟釬焊等，對(duì)封裝整體加熱來進(jìn)行安裝。在表面安裝后，為了保護(hù)半導(dǎo)體元件表面、確保半導(dǎo)體元件與基板之間的連接可靠性，對(duì)半導(dǎo)體元件與基板之間的空間進(jìn)行密封樹脂的填充。作為這樣的密封樹脂，廣泛使用液狀的密封樹脂，但是液狀的密封樹脂難以調(diào)節(jié)注入位置和注入量。因此，還提出了使用片狀的密封樹脂填充半導(dǎo)體元件與基板之間的空間的技術(shù)(專利文獻(xiàn)I)。一般而言，作為使用片狀的密封樹脂的工藝，采用以下步驟，即將片狀的密封樹脂貼附于半導(dǎo)體晶片后，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的切割，形成半導(dǎo)體元件，一邊將半導(dǎo)體元件連接于被粘體來進(jìn)行安裝，一邊用將與半導(dǎo)體元件一體化的片狀的密封樹脂填充基板等被粘體與半導(dǎo)體元件之間的空間?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本專利第4438973號(hào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題但是，上述工藝會(huì)產(chǎn)生如下問題。第一個(gè)問題，雖然使被粘體和半導(dǎo)體元件之間的填充變得容易，但是在半導(dǎo)體元件的高溫安裝時(shí)密封樹脂中產(chǎn)生空隙(氣泡)，半導(dǎo)體元件表面的保護(hù)、半導(dǎo)體元件和被粘體的連接可靠性可能會(huì)變得不充分。因此，本發(fā)明的目的在于，抑制半導(dǎo)體元件安裝時(shí)的空隙且能夠制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置的制造方法。此外，第二個(gè)問題，上述專利文獻(xiàn)I的工藝與液狀的密封樹脂在半導(dǎo)體元件和被粘體完成電連接后填充于兩者間的空間這樣的次序不同，其是平行地進(jìn)行半導(dǎo)體元件和被粘體的電連接以及兩者間的空間的填充。其結(jié)果使半導(dǎo)體元件的安裝條件的調(diào)整變得局促，根據(jù)情況有時(shí)會(huì)使半導(dǎo)體元件和被粘體的連接可靠性變得不充分而無法良好地進(jìn)行半導(dǎo)體元件和被粘體之間的接合。因此，本發(fā)明的目的還在于，提供在半導(dǎo)體元件的安裝時(shí)良好地進(jìn)行半導(dǎo)體元件和被粘體的電連接且能夠制造連接可靠性高的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置的制造方法。用于解決問題的手段
本申請(qǐng)發(fā)明人等對(duì)上述第一個(gè)問題進(jìn)行了深入地研究，結(jié)果得到以下見解。片狀的密封樹脂在半導(dǎo)體元件的安裝前經(jīng)過切割工序。切割工序有時(shí)為了切割時(shí)放熱、潔凈而使用水。已判明該切割時(shí)的水、空氣中的水分被片狀的密封樹脂吸收，所吸收的水分因安裝時(shí)的加熱而蒸發(fā)和膨脹，從而產(chǎn)生空隙。本申請(qǐng)發(fā)明人等發(fā)現(xiàn):基于該見解，采用下述方案，從而能夠達(dá)成上述目的，以至完成本發(fā)明。S卩，本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是具備被粘體、與該被粘體電連接的半導(dǎo)體元件以及填充該被粘體與該半導(dǎo)體元件之間的空間的底填劑材料的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法包括:準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備密封片，所述密封片具備基材和層置在該基材上的底填劑材料；貼合工序，在半導(dǎo)體晶片的形成有連接部件的面上貼合上述密封片；切割工序，切割上述半導(dǎo)體晶片而形成帶有上述底填劑材料的半導(dǎo)體元件；保持工序，將上述帶有底填劑材料的半導(dǎo)體元件在100 200°C下保持I秒以上；以及連接工序，用底填劑材料填充上述被粘體與上述半導(dǎo)體元件之間的空間并同時(shí)借助上述連接部件將上述半導(dǎo)體元件和上述被粘體電連接。根據(jù)該制造方法，由于在連接半導(dǎo)體元件和被粘體之前設(shè)置將帶有底填劑材料的半導(dǎo)體元件在100 200°C下保持I秒以上的工序，因此能夠降低或除去底填劑材料中的水分，其結(jié)果抑制半導(dǎo)體元件安裝時(shí)的空隙的產(chǎn)生，從而可以制造高可靠性的半導(dǎo)體裝置。該制造方法中，熱固化前的上述底填劑材料在100 200°C條件下的最低熔融粘度優(yōu)選為IOOPa.s以上且20000Pa.s以下。由此能夠使連接部件容易進(jìn)入底填劑材料。此外，還可以防止半導(dǎo)體元件電連接時(shí)的空隙的產(chǎn)生、以及底填劑材料從半導(dǎo)體元件和被粘體之間的空間溢出。另外，最低熔融粘度的測(cè)定采用實(shí)施例記載的步驟進(jìn)行。該制造方法中，熱固化前的上述底填劑材料在23°C下的粘度優(yōu)選為0.0lMPa *s以上且IOOMPa.s以下。通過使熱固化前的底填劑材料具有這樣的粘度，從而可以提高切割時(shí)半導(dǎo)體晶片的保持性、操作時(shí)的處理性。該制造方法中，熱固化前的上述底填劑材料在溫度23°C、濕度70%的條件下的吸水率優(yōu)選為I重量％以下。通過使底填劑材料具有這樣的吸水率，從而抑制水分向底填劑材料中的吸收，可以有效地抑制半導(dǎo)體元件安裝時(shí)的空隙的產(chǎn)生。進(jìn)而，本申請(qǐng)發(fā)明人等對(duì)上述第二個(gè)問題進(jìn)行了深入地研究，發(fā)現(xiàn)通過采用下述方案從而能夠達(dá)成上述目的，以至完成本發(fā)明。S卩，本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是具備被粘體、與該被粘體電連接的半導(dǎo)體元件以及填充該被粘體與該半導(dǎo)體元件之間的空間的底填劑材料的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法包括:準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備密封片，所述密封片具備基材和層置在該基材上的底填劑材料；貼合工序，在半導(dǎo)體晶片的形成有連接部件的面上貼合上述密封片；切割工序，切割上述半導(dǎo)體晶片而形成帶有所述底填劑材料的半導(dǎo)體元件；連接工序，用底填劑材料填充上述被粘體與上述半導(dǎo)體元件之間的空間并同時(shí)借助上述連接部件將上述半導(dǎo)體元件和上述被粘體電連接。上述連接工序包括:
使上述連接部件和上述被粘體在下述條件(I)的溫度α下接觸的工序；以及將上述接觸的連接部件在下述條件(2)的溫度β下固定于上述被粘體的工序。條件(I):連接部件的熔點(diǎn)-100°C< α <連接部件的熔點(diǎn)條件(2):連接部件的熔點(diǎn)彡β彡連接部件的熔點(diǎn)+100°C根據(jù)該制造方法，在半導(dǎo)體元件和被粘體電連接時(shí)，首次，在低于連接部件的熔點(diǎn)的規(guī)定溫度α的加熱下使半導(dǎo)體元件的連接部件和被粘體接觸。由此，底填劑材料軟化，連接部件能夠容易地進(jìn)入底填劑材料，并且能夠使連接部件和被粘體的接觸保持在充分的水平。在該狀態(tài)下在連接部件的熔點(diǎn)以上的規(guī)定溫度β下將連接部件和被粘體彼此固定，取得電連接，因此能夠有效地制造連接可靠性高的半導(dǎo)體裝置。

該制造方法中，熱固化前的上述底填劑材料在上述條件(I)的溫度α的范圍下的最低熔融粘度優(yōu)選為IOOPa.s以上且20000Pa.s以下。由此，連接部件能夠容易地進(jìn)入底填劑材料。此外，還能夠防止半導(dǎo)體元件電連接時(shí)的空隙的產(chǎn)生、以及底填劑材料從半導(dǎo)體元件和被粘體之間的空間溢出。另外，最低熔融粘度的測(cè)定采用實(shí)施例記載的步驟進(jìn)行。該制造方法中，熱固化前的上述底填劑材料在23°C下的粘度優(yōu)選為0.0lMPa *s以上且IOOMPa.s以下。通過使熱固化前的底填劑材料具有這樣的粘度，從而能夠提高切割時(shí)的半導(dǎo)體晶片的保持性、操作時(shí)的處理性。該制造方法中，熱固化前的上述底填劑材料在溫度23°C、濕度70%的條件下的吸水率優(yōu)選為I重量％以下。通過使底填劑材料具有這樣的吸水率，從而抑制水分向底填劑材料中的吸收，可以有效地抑制半導(dǎo)體元件安裝時(shí)的空隙的產(chǎn)生。該制造方法中，上述半導(dǎo)體晶片的連接部件的高度Χ(μπι)和上述底填劑材料的厚度Υ( μ m)優(yōu)選滿足下述關(guān)系。0.5 彡 Y/Χ 彡 2通過使上述連接部件的高度Χ( μ m)和上述底填劑材料的厚度Υ( μ m)滿足上述關(guān)系，從而能夠充分地填充半導(dǎo)體元件和被粘體之間的空間，并且能夠防止過量的底填劑材料從該空間溢出，能夠防止底填劑材料對(duì)半導(dǎo)體元件的污染等。另外，即使在連接部件的高度X的絕對(duì)值大于底填劑材料的厚度Y的絕對(duì)值的情況下，只要滿足上述關(guān)系，也會(huì)隨著安裝時(shí)的連接部件的熔融而降低連接部件X的高度，因此能夠良好地進(jìn)行半導(dǎo)體元件和被粘體的電連接。


圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的密封片的剖面示意圖。圖2A是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面示意圖。圖2B是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面示意圖。圖2C是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面示意圖。圖2D是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面示意圖。
圖3是表示本發(fā)明其他的實(shí)施方式所涉及的密封片的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式<第I實(shí)施方式>本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是具備被粘體、與該被粘體電連接的半導(dǎo)體元件以及填充該被粘體與該半導(dǎo)體元件之間的空間的底填劑材料的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法包括:準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備密封片，所述密封片具備基材和層疊在該基材上的底填劑材料；貼合工序，在半導(dǎo)體晶片的形成有連接部件的面上貼合上述密封片；切割工序，切割上述半導(dǎo)體晶片而形成帶有上述底填劑材料的半導(dǎo)體元件；保持工序，將上述帶有底填劑材料的半導(dǎo)體元件在100 200°C下保持I秒以上；以及連接工序，用底填劑材料填充上述被粘體與上述半導(dǎo)體元件之間的空間并同時(shí)借助上述連接部件將上述半導(dǎo)體元件和上述被粘體電連接。以下，對(duì)作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的第I實(shí)施方式進(jìn)行了說明。[密封片準(zhǔn)備工序]密封片準(zhǔn)備工序中，準(zhǔn)備具有基材和層疊在該基材上的底填劑材料的密封片。(密封片)如圖1所不，密封片10具有基材I和層置在基材I上的底填劑材料2。另外，底填劑材料2可以不層疊在基材I的整面上，只要以足夠與半導(dǎo)體晶片貼合的尺寸進(jìn)行設(shè)置即可。(基材)上述基材I是構(gòu)成密封片10的強(qiáng)度基體的物質(zhì)。作為基材I的形成材料，可列舉例如:低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯，聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、硅酮樹脂、金屬(箔)、玻璃紙等紙等等。此外，作為基材I的材料，可列舉上述所列舉的樹脂的交聯(lián)體等聚合物。上述塑料膜可以在無拉伸的狀態(tài)下使用，根據(jù)需要，還可以使用實(shí)施了單軸或雙軸的拉伸處理而得的塑料膜。利用通過拉伸處理等而賦予了熱收縮性的樹脂片，通過在切割后使該基材I熱收縮，從而使基材I與底填劑材料2的粘接面積降低，從而可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的易回收化。為了提高基材I的表面與鄰接的層的密合性、保持性等，可實(shí)施慣用的表面處理例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學(xué)性或物理性的處理，基于底涂劑(例如后述的粘合物質(zhì))的涂布處理。上述基材I可適當(dāng)選擇使用同種或不同種的基材，根據(jù)需要，可以使用將多種基材混合而成的混合物。此外，為了對(duì)基材I賦予抗靜電能力，可以在上述的基材I上設(shè)置由金屬、合金、它們的氧化物等形成的厚度30 500A左右的導(dǎo)電性物質(zhì)的蒸鍍層。基材I可以為單層或2種以上的多層。
基材I的厚度可以沒有特別限制地適當(dāng)確定，但通常為5 200 μ m左右。(底填劑材料)本實(shí)施方式中的底填劑材料2可以用作安裝在表面的用于填充半導(dǎo)體元件與被粘體之間的空間的密封用膜。作為底填劑材料的構(gòu)成材料，可列舉并用熱塑性樹脂和熱固化性樹脂的材料。此外，也可以單獨(dú)使用熱塑性樹脂或熱固化性樹脂。作為上述熱塑性樹脂，可列舉:天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、6-尼龍、6，6_尼龍等的聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、或氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨(dú)使用或者并用兩種以上。這些熱塑性樹脂中，特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性高、且能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性的丙烯酸樹脂。作為上述丙烯酸樹脂，沒有特別的限定，可列舉以具有碳原子數(shù)30以下、尤其是碳原子數(shù)4 18的直鏈或支鏈的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯中的一種或兩種以上為成分的聚合物等。作為上述烷基，可列舉例如:甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戍基、異戍基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或二十烷基等。此外，作為形成上述聚合物的其他單體，沒有特別的限定，可列舉例如:丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等各種含羧基單體、馬來酸酐或衣康酸酐等各種酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環(huán)己基)甲酯等各種含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等各種含磺酸基單體；或者2-羥基乙基丙烯酰基磷酸酯等各種含磷酸基單體。作為上述熱固化性樹脂，可舉出酚醛樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、硅酮樹脂、或熱固化性聚酰亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨(dú)使用或并用兩種以上。特別優(yōu)選為含有腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)等少的環(huán)氧樹脂。此外，作為環(huán)氧樹脂的固化劑，優(yōu)選為酚醛樹脂。上述環(huán)氧樹脂只要為通常用作膠粘劑組合物的環(huán)氧樹脂，則沒有特別限定，可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型等二官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂、或者乙內(nèi)酰脲型、三縮水甘油基異氰脲酸酯型或者縮水甘油基胺型等的環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨(dú)使用或者并用兩種以上。在這些環(huán)氧樹脂中，特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三羥基苯基甲烷型樹脂或四苯基乙烷型環(huán)氧樹脂。這是由于這些環(huán)氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂的反應(yīng)性豐富且耐熱性等優(yōu)異。進(jìn)而，上述酚醛樹脂作為上述環(huán)氧樹脂的固化劑發(fā)揮作用，可列舉例如:苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基酚醛清漆樹脂、壬基酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂、甲酚型酚醛樹脂、聚對(duì)氧基苯乙烯等聚氧基苯乙烯等。它們可以單獨(dú)使用或并用兩種以上。在這些酚醛樹脂中，特別優(yōu)選為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹月旨。這是由于能夠提高半導(dǎo)體裝置的連接可靠性。有關(guān)上述環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，例如優(yōu)選以相對(duì)于上述環(huán)氧樹脂成分中的每I當(dāng)量環(huán)氧基，酚醛樹脂中的羥基為0.5 2.0當(dāng)量的方式配合。更優(yōu)選為0.8 1.2當(dāng)量。即，這是由于若兩者的配合比例在上述范圍之外，則無法進(jìn)行充分的固化反應(yīng)，環(huán)氧樹脂固化物的特性容易劣化。另外，本發(fā)明中，特別優(yōu)選使用了環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂及丙烯酸樹脂的底填劑材料。這些樹脂的離子性雜質(zhì)少且耐熱性高，因此可確保半導(dǎo)體元件的可靠性。就該情況下的配合比而言，相對(duì)于丙烯酸樹脂成分100重量份，環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的混合量為10 200重量份。作為環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的熱固化促進(jìn)催化劑，沒有特別限定，可適當(dāng)從公知的熱固化促進(jìn)催化劑中加以選擇使用。熱固化促進(jìn)催化劑可以單獨(dú)使用或組合使用兩種以上。作為熱固化促進(jìn)催化劑，可以使用例如胺系固化促進(jìn)劑、磷系固化促進(jìn)劑、咪唑系固化促進(jìn)劑、硼系固化促進(jìn)劑、磷-硼系固化促進(jìn)劑等。為了除去焊料凸點(diǎn)表面的氧化膜而使半導(dǎo)體元件的安裝容易進(jìn)行，可以在底填劑材料2中添加焊劑。作為焊劑，沒有特別的限定，可以使用具有以往公知的焊劑作用的化合物，可列舉例如:二苯酚酸、己二酸、乙酰水楊酸、苯甲酸、二苯乙醇酸、壬二酸、芐基苯甲酸、丙二酸、2，2_雙(羥基甲基)丙酸、水楊酸、鄰甲氧基苯甲酸、間羥基苯甲酸、琥珀酸、2，6-二甲氧基甲基對(duì)甲酚、苯甲酸酰肼、碳酰肼、丙二酸二酰肼、琥珀酸二酰肼、戊二酸二酰肼、水楊酸酰肼、亞氨基二乙酸二酰肼、衣康酸二酰肼、檸檬酸三酰肼、硫代碳酰肼、二苯甲酮腙、4，4’_羥基雙苯磺酰肼及己二酸二酰肼等。焊劑的添加量只要是發(fā)揮上述焊劑作用的程度即可，通常相對(duì)于底填劑材料中含有的樹脂成分100重量份為0.1 20重量份左右。本實(shí)施方式中，底填劑材料2可以根據(jù)需要進(jìn)行著色。底填劑材料2中，作為通過著色而呈現(xiàn)出的顏色，沒有特別的限制，優(yōu)選例如黑色、藍(lán)色、紅色、綠色等。在著色時(shí)，可以從顏料、染料等公知的著色劑中適當(dāng)?shù)剡x擇使用。在預(yù)先使本實(shí)施方式的底填劑材料2進(jìn)行某種程度的交聯(lián)的情況下，在制作時(shí)，可以添加與聚合物的分子鏈末端的官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能性化合物作為交聯(lián)劑。由此，使高溫下的粘接特性提高，可以實(shí)現(xiàn)耐熱性的改善。作為上述交聯(lián)劑，尤其更優(yōu)選為甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對(duì)苯二異氰酸酯、1，5_萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成物等多異氰酸酯化合物。作為交聯(lián)劑的添加量，相對(duì)于上述聚合物100重量份，通常優(yōu)選設(shè)為0.05 7重量份。若交聯(lián)劑的量多于7重量份，則粘接力降低，因而不優(yōu)選。另一方面，若少于0.05重量份，則凝聚力不足，因而不優(yōu)選。此外，可以根據(jù)需要與這樣的多異氰酸酯化合物一起含有環(huán)氧樹脂等其他多官能的化合物。此外，在底填劑材料2中可以適當(dāng)配合無機(jī)填充劑。無機(jī)填料的配合能夠賦予導(dǎo)電性和提高熱傳導(dǎo)性、調(diào)節(jié)儲(chǔ)存彈性模量等作為上述無機(jī)填料，可列舉例如:二氧化硅、粘土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化硅、氮化硅等陶瓷類，鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊料等金屬、或者合金類，以及其它的包含碳等的各種無機(jī)粉末等。這些無機(jī)填料可以單獨(dú)使用或并用兩種以上。其中，可以優(yōu)選使用二氧化硅，特別優(yōu)選使用熔融二氧化硅。無機(jī)填充劑的平均粒徑?jīng)]有特別的限定，但優(yōu)選在0.005 10 μ m的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.01 5μπι的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選為0.1 2.0 μ m。在無機(jī)填充劑的平均粒徑小于0.005 μ m時(shí)，會(huì)導(dǎo)致底填劑材料的撓性降低。另一方面，在上述平均粒徑超過10 μ m時(shí)，粒徑比底填劑材料要密封的間隙大，會(huì)導(dǎo)致密封性降低。另外，本發(fā)明中可以組合使用平均粒徑不同的無機(jī)填充劑。此外，平均粒徑是利用分光光度式的粒度分布計(jì)(H0RIBA制、裝置名；LA-910)求得的值。上述無機(jī)填充劑的配合量相對(duì)于有機(jī)樹脂成分100重量份優(yōu)選為10 400重量份，更優(yōu)選為50 250重量份。在無機(jī)填充劑的配合量小于10重量時(shí)，有時(shí)儲(chǔ)存彈性模量降低，使封裝的應(yīng)力可靠性大大受損。另一方面，在無機(jī)填充劑的配合量超過400重量份時(shí)，有時(shí)底填劑材料2的流動(dòng)性降低，無法充分埋入基板和半導(dǎo)體元件的凹凸而導(dǎo)致產(chǎn)生空隙、裂縫。另外，底填劑材料2中，除上述無機(jī)填充劑以外，還可以根據(jù)需要適當(dāng)配合其他添力口劑。作為其他添加劑，可列舉例如阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑或離子捕獲劑等。作為上述阻燃劑，可例如例如三氧化銻、五氧化銻、溴化環(huán)氧樹脂等。它們可以單獨(dú)使用或并用兩種以上。作為上述硅烷偶聯(lián)劑，可列舉例如β _(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基二甲氧基娃燒、Y-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基娃燒等。這些化合物可以單獨(dú)使用或并用兩種以上。作為上述離子捕獲劑，可舉出例如水滑石類、氫氧化鉍等。它們可以單獨(dú)使用或并用兩種以上。本實(shí)施方式中，熱固化前的上述底填劑材料2在100 200°C下的最低熔融粘度優(yōu)選為IOOPa.s以上且20000Pa.s以下，更優(yōu)選為IOOOPa.s以上且IOOOOPa.s以下。通過使最低熔融粘度在上述范圍，從而可以使連接部件4 (參照?qǐng)D2A)容易地進(jìn)入底填劑材料2中。此外，還可以防止半導(dǎo)體元件5電連接時(shí)的空隙的產(chǎn)生、以及底填劑材料2從半導(dǎo)體元件5和被粘體6之間的空間溢出(參照?qǐng)D2D)。此外，熱固化前的上述底填劑材料2在23°C下的粘度優(yōu)選為0.0lMPa.s以上且IOOMPa.s以下，更優(yōu)選為0.1MPa.s以上且IOMPa.s以下。通過使熱固化前的底填劑材料具有上述范圍的粘度，從而可以提高切割時(shí)半導(dǎo)體晶片3(參照?qǐng)D2B)的保持性、操作時(shí)的處理性。進(jìn)而，熱固化前的上述底填劑材料2在溫度23°C、濕度70%的條件下的吸水率優(yōu)選為I重量％以下，更優(yōu)選為0.5重量％以下。通過使底填劑材料2具有如上所述的吸水率，從而抑制水分向底填劑材料2中的吸收，可以有效地抑制半導(dǎo)體元件5安裝時(shí)的空隙的產(chǎn)生。另外，上述吸水率的下限越小越優(yōu)選，優(yōu)選基本上為O重量％，更優(yōu)選O重量％。底填劑材料2的厚度(在多層情況下為總厚)，沒有特別的限定，但若考慮底填劑材料2的強(qiáng)度、半導(dǎo)體元件5與被粘體6之間的空間的填充性，則可以為10 μ m以上且100 μ m以下左右。另外，底填劑材料2的厚度只要考慮半導(dǎo)體元件5與被粘體6之間的間隙、連接部件的高度進(jìn)行適當(dāng)設(shè)定即可。密封片10的底填劑材料2優(yōu)選通過隔離件來加以保護(hù)(未圖示)。隔離件具有作為在供于實(shí)用之前保護(hù)底填劑材料2的保護(hù)材料的功能。隔離件在向密封片的底填劑材料2上貼附半導(dǎo)體晶片3時(shí)被剝離。作為隔離件，也可以使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或利用氟系剝離劑、長(zhǎng)鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進(jìn)行了表面涂覆的塑料膜或紙等。(密封片的制造方法)本實(shí)施方式所涉及的密封片的制造方法具有在基材I上形成底填劑材料2的工序。作為上述基材I的制膜方法，可例示出例如壓延制膜法、有機(jī)溶劑中的澆注法、密閉體系中的吹塑擠出法、T模頭擠出法、共擠出法、干式層壓法等?；腎的材料只要使用上述所示的材料即可。在將上述基材用作脫模膜的情況下，其制作方法沒有特別的限定，例如在上述基材的與底填劑材料貼合的面上形成硅酮層等脫模涂層，從而可以制成脫模膜。作為形成上述底填劑材料3的工序，可列舉例如進(jìn)行以下工序的方法，即，在基材I的脫模膜上涂布作為底填劑材料的構(gòu)成材料的膠粘劑組合物溶液，形成涂布層的工序，然后使上述涂布層干燥。作為上述膠粘劑組合物溶液的涂刷方法，沒有特別的限定，可列舉例如用逗號(hào)涂布法、噴注式涂布法(Fountain法)、凹版涂布法等進(jìn)行涂刷的方法。作為涂刷厚度，只要適當(dāng)設(shè)定以使干燥涂布層而最終得到的底填劑材料的厚度達(dá)到上述所示的范圍內(nèi)即可。進(jìn)而，作為膠粘劑組合物溶液的粘度，沒有特別的限定，優(yōu)選在25°C下為400 2500mPa.s,更優(yōu)選為800 2000mPa.S。上述涂布層的干燥只要通過投入到通常的加熱爐等來進(jìn)行即可，此時(shí)可以對(duì)涂布層吹送干燥風(fēng)。干燥時(shí)間可以根據(jù)膠粘劑組合物溶液的涂刷厚度進(jìn)行適當(dāng)設(shè)定，通常為I 5min,優(yōu)選在2 4min的范圍內(nèi)。在干燥時(shí)間小于Imin時(shí)殘存的溶劑量變多，或者因未充分進(jìn)行固化反應(yīng)而使得未反應(yīng)的固化成分和殘存的溶劑量變多，由此，在后續(xù)工序中有時(shí)產(chǎn)生排氣、空隙的問題。另一方面，在干燥時(shí)間超過5min時(shí)，固化反應(yīng)過度進(jìn)行，結(jié)果有時(shí)會(huì)使流動(dòng)性、半導(dǎo)體晶片的凸點(diǎn)的填埋性降低。干燥溫度沒有特別的限定，通常設(shè)定在70 160°C的范圍內(nèi)。但是，在本發(fā)明中，優(yōu)選隨著干燥時(shí)間的推移，使干燥溫度階段性地上升。具體而言，例如可將干燥初期(剛剛進(jìn)行干燥后，Imin以下)設(shè)定在70°C 100°C的范圍內(nèi)，將干燥后期(超過Imin且在5min以下)設(shè)定在100 160°C的范圍內(nèi)。由此，能夠防止在剛剛涂刷后急劇地提高干燥溫度的情況下所發(fā)生的涂布層表面的小孔的產(chǎn)生。進(jìn)而，在底填劑材料的另一個(gè)面貼合上述脫模膜，使用其作為密封片的保護(hù)膜，在與半導(dǎo)體晶片等貼合時(shí)可以將其剝離。由此能夠制造具有底填劑材料的本實(shí)施方式所涉及的密封片。[貼合工序]貼合工序，將半導(dǎo)體晶片的形成有連接部件的面和上述密封片貼合(參照?qǐng)D2A)。(半導(dǎo)體晶片)作為半導(dǎo)體晶片3，可以在一個(gè)面3a形成多個(gè)連接部件4 (參照?qǐng)D2A)，在半導(dǎo)體晶片3的兩個(gè)面3a、3b形成連接部件(未圖示)。作為凸點(diǎn)、導(dǎo)電材料等連接部件的材質(zhì)，沒有特別的限定，可列舉例如:錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料、錫-鋅-鉍系金屬材料等焊料類(合金)、金系金屬材料、銅系金屬材料等等。連接部件的高度也可以根據(jù)用途而定，一般而言為15 IOOym左右。當(dāng)然，半導(dǎo)體晶片3的各個(gè)連接部件的高度可以相同或不同。在半導(dǎo)體晶片的兩個(gè)面上形成連接部件的情況下，可以將連接部件彼此進(jìn)行電連接，也可以不進(jìn)行連接。連接部件彼此的電連接可列舉被稱為TSV形式的、經(jīng)由通孔的連接
坐寸O在本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，就底填劑材料的厚度而言，形成在半導(dǎo)體晶片表面的連接部件的高度Χ(μπι)和上述底填劑材料的厚度Υ( μ m)優(yōu)選滿足下述的關(guān)系。0.5 ^ Y/X ^ 2通過使上述連接部件的高度Χ( μ m)和上述固化膜的厚度Y(ym)滿足上述關(guān)系，從而能夠充分地填充半導(dǎo)體元件和被粘體之間的空間，并且能夠防止過量的底填劑材料從該空間溢出，能夠防止底填劑材料對(duì)半導(dǎo)體元件的污染等。另外，在各連接部件的高度不同的情況下，以最聞的連接部件的聞度為基準(zhǔn)。(貼合)如圖2A所示，首先，將任意地設(shè)置在密封片10的底填劑材料2上的隔離件適當(dāng)?shù)貏冸x，使上述半導(dǎo)體晶片3的形成有連接部件4的面(連接部件形成面)3a和底填劑材料2對(duì)置，將上述 底填劑材料2和上述半導(dǎo)體晶片3貼合(裝載工序)。貼合的方 法沒有特別的限定，但優(yōu)選采用壓接的方法。壓接通常利用壓接輥等的公知的擠壓裝置邊負(fù)載優(yōu)選0.1 IMPa、更優(yōu)選0.3 0.7MPa的壓力來擠壓邊進(jìn)行。此時(shí)，還可以邊在40 100°C左右加熱邊進(jìn)行壓接。此外，為了提高密合性，還優(yōu)選在減壓下(I IOOOPa)進(jìn)行壓接。[切割工序]切割工序，如圖2B所示，切割半導(dǎo)體晶片而形成帶有底填劑材料的半導(dǎo)體元件。通過經(jīng)過切割工序，從而將半導(dǎo)體晶片3切斷為規(guī)定的尺寸，使其單片化(小片化)，制造半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)5。在此得到的半導(dǎo)體芯片5與切斷成同形狀的底填劑材料2—體化。切割按照常規(guī)方法從與半導(dǎo)體晶片3的貼合有底填劑材料2的面3a相反側(cè)的面3b進(jìn)行。切斷處的對(duì)位可以通過使用了直射光、間接光或紅外線(IR)的圖像識(shí)別來進(jìn)行。本工序中，例如可以采用切入到密封片的、被稱為全切割(full cut)的切斷方式等。作為本工序中使用的切割裝置，沒有特別的限定，可以使用以往公知的裝置。此外，半導(dǎo)體晶片被具有底填劑材料的密封片以優(yōu)異的密合性粘接固定，因此，能夠抑制芯片殘缺和芯片飛濺，并且還能夠抑制半導(dǎo)體晶片的破損。另外，在底填劑材料由含有環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成時(shí)，即使通過切割將其切斷，在其切斷面中也能夠抑制或防止發(fā)生底填劑材料的底填劑材料的糊漿溢出的情況。其結(jié)果，能夠抑制或防止切斷面彼此再附著(粘連)，能夠更好地進(jìn)行后述的拾取(pick up)。另外，在繼切割工序后進(jìn)行密封片的擴(kuò)張(expand)的情況下，該擴(kuò)張可以使用以往公知的擴(kuò)張裝置進(jìn)行。擴(kuò)張裝置具有可隔著切割環(huán)將密封片壓向下方的圓環(huán)狀的外環(huán)和直徑比外環(huán)小的支撐密封片的內(nèi)環(huán)。通過該擴(kuò)張工序，能夠在后述的拾取工序中防止相鄰的半導(dǎo)體芯片彼此接觸而造成破損。
[拾取工序]為了回收粘接固定于密封片的半導(dǎo)體芯片5，如圖2C所示，需要進(jìn)行帶有底填劑材料2的半導(dǎo)體芯片5的拾取，并從基材I剝離半導(dǎo)體芯片5與底填劑材料3的層疊體A。作為拾取的方法，沒有特別限定，可采用以往公知的各種方法。例如，可舉出利用針從層疊膜的基材側(cè)將各個(gè)半導(dǎo)體芯片向上頂，并利用拾取裝置對(duì)頂出的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行拾取的方法等。另外，被拾取的半導(dǎo)體芯片5與貼合于面3a的底填劑材料2 —體化構(gòu)成層疊體A。[保持工序]保持工序，將帶有底填劑材料2的半導(dǎo)體元件5 (層疊體A)在100 200°C下保持I秒以上。由此可以降低或除去底填劑材料中的水分，其結(jié)果抑制半導(dǎo)體元件安裝時(shí)的空隙的產(chǎn)生，從而可以制造高可靠性的半導(dǎo)體裝置。保持溫度只要在100 200°C，則沒有特別的限定，可以考慮底填劑材料2中的水分量、水分的擴(kuò)散性來進(jìn)行適當(dāng)選擇。進(jìn)而，若從生產(chǎn)效率的觀點(diǎn)考慮，則優(yōu)選為120 180°C，更優(yōu)選為140 1600C ο保持時(shí)間只要在I秒以上，則沒有特別的限定，可以與保持溫度同樣地考慮底填劑材料2中的水分量、水分的擴(kuò)散性來進(jìn)行適當(dāng)選擇。若從生產(chǎn)效率的觀點(diǎn)考慮，則優(yōu)選為I秒鐘 60分鐘，更優(yōu)選為I秒鐘 2分鐘，進(jìn)一步優(yōu)選為I秒鐘 I分鐘。另外，本保持工序可以改變拾取裝置的設(shè)定而在從拾取工序轉(zhuǎn)入安裝工序期間在拾取裝置內(nèi)進(jìn)行，另外也可以以使層疊體A在加熱爐內(nèi)停留規(guī)定時(shí)間的方式進(jìn)行。[連接工序]連接工序，用底填劑材料填充被粘體與半導(dǎo)體元件之間的空間并同時(shí)借助連接部件將半導(dǎo)體元件和被粘體電連接(所謂的安裝工序。參照?qǐng)D2D)。具體而言，以半導(dǎo)體芯片5的連接部件形成面3a與被粘體6對(duì)置的方式，按照常規(guī)方法使層疊體A的半導(dǎo)體芯片5固定于被粘體6上。例如，通過在使形成于半導(dǎo)體芯片5的凸點(diǎn)(連接部件)4與粘附在被粘體6的連接墊的接合用的導(dǎo)電材料7 (焊料等)接觸并進(jìn)行擠壓的同時(shí)，使導(dǎo)電材料熔融，從而能夠確保半導(dǎo)體芯片5與被粘體6的電連接，并且能夠使半導(dǎo)體芯片5固定于被粘體6上。由于在半導(dǎo)體芯片5的連接部件形成面3a上貼附有底填劑材料2，因此在半導(dǎo)體芯片5與被粘體6電連接的同時(shí)，半導(dǎo)體芯片5與被粘體6之間的空間被底填劑材料2進(jìn)行填充。一般而言，作為安裝工序中的加熱條件，為100 300°C，作為加壓條件，為0.5 500N。此外，可以以多個(gè)階段進(jìn)行安裝工序中的熱壓接處理。例如可以采用如下的工序，即在150°C、100N下處理10秒鐘后，在300°C、100 200N下處理10秒鐘。通過以多個(gè)階段進(jìn)行熱壓接處理，從而能夠有效地除去連接部件與焊墊間的樹脂，得到更良好的金屬間接合。作為被粘體6，可使用引線框、電路基板(配線電路基板等)等各種基板、其他半導(dǎo)體元件。作為基板的材質(zhì)，并沒有特別的限定，可列舉陶瓷基板、塑料基板。作為塑料基板，可列舉例如環(huán)氧基板、雙馬來酰亞胺三嗪基板、聚酰亞胺基板、玻璃環(huán)氧基板等。另外，連接工序中，使連接部件及導(dǎo)電材料的一方或兩方熔融，并且使半導(dǎo)體芯片5的連接部件形成面3a的凸點(diǎn)4與被粘體6的表面的導(dǎo)電材7連接，作為該凸點(diǎn)4及導(dǎo)電材7的熔融時(shí)的溫度，通常達(dá)到260°C左右(例如250°C 300°C )。本實(shí)施方式所涉及的密封片通過由環(huán)氧樹脂等形成底填劑材料2，從而可以成為在該安裝工序也具有耐受高溫的耐熱性的密封片。另外，凸點(diǎn)的熔點(diǎn)的測(cè)定可以如下地進(jìn)行，即，使用DSC (DifferentialScanning Calorimeter,差示掃描量熱計(jì)),以5°C /min的加溫過程對(duì)與凸點(diǎn)相同組成的金屬IOmg進(jìn)行測(cè)定。[底填劑材料固化工序]進(jìn)行半導(dǎo)體元件5與被粘體6的電連接后，通過加熱使底填劑材料2固化。由此，能夠保護(hù)半導(dǎo)體元件5的表面，并且能夠確保半導(dǎo)體元件5與被粘體6之間的連接可靠性。作為用于固化底填劑材料的加熱溫度，沒有特別的限定，只要在150 250°C左右即可。[密封工序]接著，為了保護(hù)具有所安裝的半導(dǎo)體芯片5的半導(dǎo)體裝置20整體，可以進(jìn)行密封工序。密封工序使用密封樹脂來進(jìn)行。作為此時(shí)的密封條件，沒有特別的限定，通常通過在175°C加熱60秒鐘 90秒鐘，從而進(jìn)行密封樹脂的熱固化，但本發(fā)明并不限定于此，例如也可以在165°C 185°C下固化(cure)數(shù)分鐘。作為上述密封樹脂，只要是具有絕緣性的樹脂(絕緣樹脂)，則沒有特別的限制，可以從公知的密封樹脂等密封材料中進(jìn)行適當(dāng)選擇，但更優(yōu)選具有彈性的絕緣樹脂。作為密封樹脂，可列舉例如含有環(huán)氧樹脂的樹脂組合物等。作為環(huán)氧樹脂，可列舉上述例示的環(huán)氧樹脂等。此外，作為由含有環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的密封樹脂，就其樹脂成分而言，除環(huán)氧樹脂以外，還可以含有環(huán)氧樹脂以外的熱固化性樹脂(酚醛樹脂等)、熱塑性樹脂等。另外，作為酚醛樹脂，也可以以環(huán)氧樹脂的固化劑的形式來利用，作為這樣的酚醛樹脂，可列舉上述例示的酚醛樹脂等。[半導(dǎo)體裝置]
下面，參照附圖對(duì)使用該密封片而得到的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明(參照?qǐng)D2D)。在本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置20中，半導(dǎo)體元件5和被粘體6經(jīng)由形成在半導(dǎo)體元件5上的凸點(diǎn)(連接部件)4及設(shè)置在被粘體6上的導(dǎo)電材料7而被電連接。此外，在半導(dǎo)體元件5與被粘體6之間配置底填劑材料2以填充其空間。半導(dǎo)體裝置20通過使用密封片10的上述制造方法來得到，因此能夠抑制半導(dǎo)體元件5安裝時(shí)的空隙的產(chǎn)生。因此，半導(dǎo)體元件5表面的保護(hù)以及半導(dǎo)體元件5與被粘體6之間的空間的填充均達(dá)到充分的水平，能夠發(fā)揮作為半導(dǎo)體裝置20的高可靠性?！吹?實(shí)施方式〉本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是具備被粘體、與該被粘體電連接的半導(dǎo)體元件以及填充該被粘體與該半導(dǎo)體元件之間的空間的底填劑材料的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法包括:準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備密封片，所述密封片具備基材和層疊在該基材上的底填劑材料；貼合工序，在半導(dǎo)體晶片的形成有連接部件的面上貼合上述密封片；切割工序，切割上述半導(dǎo)體晶片而形成帶有上述底填劑材料的半導(dǎo)體元件；連接工序，用底填劑材料填充上述被粘體與上述半導(dǎo)體元件之間的空間并同時(shí)借助上述連接部件將上述半導(dǎo)體元件和上述被粘體電連接,其中，上述連接工序包括:使上述連接部件和上述被粘體在下述條件(I)的溫度α下接觸的工序；以及將上述接觸的連接部件在下述條件(2)的溫度β下固定于上述被粘體的工序。條件⑴:連接部件的熔點(diǎn)-100°C彡α <連接部件的熔點(diǎn)
條件⑵:連接部件的熔點(diǎn)彡β彡連接部件的熔點(diǎn)+100°C以下，根據(jù)需要參照附圖對(duì)作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。第2實(shí)施方式不包括第I實(shí)施方式的保持工序，并將連接工序變?yōu)楸緦?shí)施方式特有的連接工序，除此以外，可以采用與第I實(shí)施方式同樣的工序。因此，作為本實(shí)施方式的代表性的工序，包括密封片準(zhǔn)備工序、貼合工序、切割工序、拾取工序及連接工序，并且根據(jù)需要還包括底填劑材料固化工序及密封工序。以下，對(duì)與第I實(shí)施方式不同的方面進(jìn)行說明。[連接工序]本實(shí)施方式的連接工序包括:使上述連接部件和上述被粘體在下述條件(I)的溫度α下接觸的工序(以下，有時(shí)稱為“接觸工序”。);以及將上述接觸的連接部件在下述條件⑵的溫度β下固定于上述被粘體的工序(以下，有時(shí)稱為“固定工序”。)。條件(I):連接部件的熔點(diǎn)-100°C< α <連接部件的熔點(diǎn)條件⑵:連接部件的熔點(diǎn)彡β彡連接部件的熔點(diǎn)+100°C根據(jù)本實(shí)施方式，半導(dǎo)體元件與被粘體電連接時(shí)，首先，在接觸工序中，在低于連接部件的熔點(diǎn)的規(guī)定溫度α的加熱下使半導(dǎo)體元件的連接部件和被粘體接觸。由此，底填劑材料軟化，連接部件能夠容易地進(jìn)入底填劑材料中，并且能夠使連接部件和被粘體的接觸處于充分的水平。接著，在固定工序中，以維持接觸的狀態(tài)在連接部件的熔點(diǎn)以上的規(guī)定溫度β下將連接部件和被粘體彼此固定，取得電連接，因此能夠有效地制造連接可靠性高的半導(dǎo)體裝置。本實(shí)施方式中，接觸工序中的條件(I)及固定工序中的條件(2)在上述范圍，但從底填劑材料的軟化容易性和防止對(duì)連接部件無意義的熱過程的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選分別為下述范圍(I，)及(2，)。 條件(Γ ):連接部件的熔點(diǎn)-80°C< α彡連接部件的熔點(diǎn)_10°C條件(2’):連接部件的熔點(diǎn)+10°C< β彡連接部件的熔點(diǎn)+80°C保持接觸工序的條件(I)及固定工序的條件(2)的時(shí)間只要能夠達(dá)成半導(dǎo)體元件的連接部件與被粘體的接觸、以及半導(dǎo)體元件借助連接部件在被粘體上的固定，則沒有特別的限定，各自獨(dú)立地優(yōu)選為2 20秒，更優(yōu)選為3 15秒。此外，為了提高在接觸工序及固定工序中處理的可靠性，可以在加壓下進(jìn)行各工序。作為加壓條件，各工序獨(dú)立地優(yōu)選10 200N，更優(yōu)選20 160N。本實(shí)施方式中，熱固化前的上述底填劑材料2在上述條件(I)的溫度α的范圍下的最低熔融粘度優(yōu)選為IOOPa.s以上且20000Pa.s以下，更優(yōu)選為IOOOPa.s以上且IOOOOPa-S以下。通過使最低熔融粘度為上述范圍，從而可以使連接部件4(參照?qǐng)D2A)容易地進(jìn)入底填劑材料2中。此外，還能夠防止半導(dǎo)體元件5電連接時(shí)的空隙的產(chǎn)生、以及底填劑材料2從半導(dǎo)體元件5與被粘體6之間的空間溢出(參照?qǐng)D2D)?！吹?實(shí)施方式〉第I實(shí)施方式中對(duì)在基材上直接層疊底填劑材料的密封片進(jìn)行了說明，第3實(shí)施方式中對(duì)在基材和底填劑材料之間設(shè)有粘合劑層的密封片進(jìn)行說明。圖3是表示本發(fā)明的其他實(shí)施方式即第3實(shí)施方式所涉及的密封片的剖面示意圖。如圖3所示，第3實(shí)施方式所涉及的密封片具備基材1、層疊于基材I上的粘合劑層8、以及層疊在粘合劑層8上的底填劑材料。由于基材I及底填劑材料2與第I實(shí)施方式相同，因此在此對(duì)粘合劑層8進(jìn)行說明。(粘合劑層)粘合劑層8可以利用以往公知的壓敏性粘合劑來形成，也可以利用紫外線固化型粘合劑來形成。紫外線固化型粘合劑通過紫外線的照射而使交聯(lián)度增大，能夠降低對(duì)底填劑材料2的粘合力，能夠容易地進(jìn)行帶有底填劑材料的半導(dǎo)體元件的拾取，在這一點(diǎn)上是優(yōu)選的。上述紫外線固化型粘合劑可以無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等紫外線固化性的官能團(tuán)且顯示粘合性的粘合劑。作為紫外線固化型粘合劑，可例示出例如在丙烯酸系粘合劑、橡膠系粘合劑等一般的壓敏性粘合劑中配合了紫外線固化性的單體成分、低聚物成分的添加型的紫外線固化型粘合劑。作為上述壓敏性粘合劑，從半導(dǎo)體晶片、玻璃等忌避污染的電子部件的利用超純水或醇等有機(jī)溶劑進(jìn)行清洗的潔凈清洗性等方面出發(fā)，優(yōu)選以丙烯酸系聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸系粘合劑。作為上述丙烯酸系聚合物，可列舉例如將(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數(shù)為I 30、尤其碳原子數(shù)為4 18的直鏈狀或支鏈鏈狀的烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環(huán)烷酯(例如環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)中的一種或兩種以上作為單體成分使用的丙烯酸系聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發(fā)明的(甲基)均為相同的含義。以凝聚力、耐熱性等的改性為目的，上述丙烯酸系聚合物根據(jù)需要可以含有與能夠同上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環(huán)烷基酯共聚的其他單體成分對(duì)應(yīng)的單元。作為這樣的單體成分，可列舉例如:丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2_羥基乙基丙烯?；姿狨サ群姿峄鶈误w；丙烯酰胺、丙烯腈等。這些能夠共聚的單體成分可以使用一種或兩種以上。這些能夠共聚的單體的使用量?jī)?yōu)選為全部單體成分的40重量％以下。進(jìn)而，為了使上述丙烯酸系聚合物交聯(lián)，也可以根據(jù)需要含有多官能性單體等作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能性單體，可列舉例如:己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸環(huán)氧酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能性單體也可以使用一種或兩種以上。從粘合特性等方面出發(fā)，多官能性單體的使用量?jī)?yōu)選為全部單體成分的30重量％以下。
上述丙烯酸系聚合物可以通過將單一單體或兩種以上的單體混合物加以聚合而得到。聚合可以以溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意一種方式進(jìn)行。從防止對(duì)潔凈的被粘體的污染等方面出發(fā)，優(yōu)選使低分子量物質(zhì)的含量小。從這一點(diǎn)出發(fā)，丙烯酸系聚合物的數(shù)均分子量?jī)?yōu)選為30萬以上，進(jìn)一步優(yōu)選為40萬 300萬左右。此外，為了提高作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸系聚合物等的數(shù)均分子量，在上述粘合劑中可以適當(dāng)?shù)夭捎猛獠拷宦?lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體手段，可列舉添加聚異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、密胺系交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑使其反應(yīng)的方法。在使用外部交聯(lián)劑的情況下，其使用量由與應(yīng)交聯(lián)的基礎(chǔ)聚合物的平衡、以及作為粘合劑的使用用途來適當(dāng)?shù)卮_定。一般而言，相對(duì)于上述基礎(chǔ)聚合物100重量份，優(yōu)選配合5重量份左右以下，進(jìn)一步優(yōu)選配合0.1 5重量份。進(jìn)而，在粘合劑中，根據(jù)需要，除了上述成分以外，還可以使用以往公知的各種增粘劑、防老化劑等添加劑。作為所配合的上述紫外線固化性的單體成分，可列舉例如:氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4_ 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。此外，紫外線固化性的低聚物成分可列舉氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，適合為分子量為100 30000左右的范圍的物質(zhì)。紫外線固化性的單體成分、低聚物成分的配合量可以根據(jù)上述粘合劑層的種類而適當(dāng)?shù)卮_定能夠降低粘合劑層的粘合力的量。一般而言，相對(duì)于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸系聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份，例如為5 500重量份,優(yōu)選為40 150重量份左右。此外，作為紫外線固化型粘合劑，除了上述說明的添加型的紫外線固化型粘合劑以外，可以列舉使用了在聚合物側(cè)鏈、主鏈中或主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)在型的紫外線固化型粘合劑。內(nèi)在型的紫外線固化型粘合劑由于無需含有作為低分子量成分的低聚物成分等或者不含有大量的作為低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會(huì)隨著時(shí)間的推移而在粘合劑中移動(dòng)，能夠形成穩(wěn)定的層結(jié)構(gòu)的粘合劑層，故優(yōu)選。上述具有碳-碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物可以無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵且具有粘合性的聚合物。作為這樣的基礎(chǔ)聚合物，優(yōu)選以丙烯酸系聚合物作為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸系聚合物的基本骨架，可列舉上述例示的丙烯酸系聚合物。向上述丙烯酸系聚合物中導(dǎo)入碳-碳雙鍵的方法沒有特別的限制，可以采用各種方法，在分子設(shè)計(jì)中容易將碳-碳雙鍵導(dǎo)入到聚合物側(cè)鏈中。例如可列舉如下方法，即，預(yù)先將丙烯酸系聚合物與具有官能團(tuán)的單體共聚后，使具有能夠與該官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)及碳-碳雙鍵的化合物在維持碳-碳雙鍵的紫外線固化性的同時(shí)進(jìn)行縮聚或加成反應(yīng)。作為這些官能團(tuán)的組合例，可列舉羧酸基與環(huán)氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。在這些官能團(tuán)的組合中，從追隨反應(yīng)的容易性出發(fā)，優(yōu)選羥基與異氰酸酯基的組合。此外，如果通過這些官能團(tuán)的組合而成為能夠生成上述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物的組合，則官能團(tuán)無論處于丙烯酸系聚合物和上述化合物的任意一側(cè)均可，在上述優(yōu)選的組合中，優(yōu)選丙烯酸系聚合物具有羥基、上述化合物具有異氰酸酯基的情況。該情況下，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可列舉例如甲基丙烯?；惽杷狨?、2-甲基丙烯酰基氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯等。此外，作為丙烯酸系聚合物，使用將上述例示的含羥基單體、2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚的醚系化合物等共聚而得到的聚合物。上述內(nèi)在型的紫外線固化型粘合劑可以單獨(dú)使用上述具有碳-碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，也可以以不會(huì)使特性變差的程度配合上述紫外線固化性的單體成分、低聚物成分。紫外線固化性的低聚物成分等通常相對(duì)于基礎(chǔ)聚合物100重量份為30重量份的范圍內(nèi)，優(yōu)選為O 10重量份的范圍。在上述紫外線固化型粘合劑中，在利用紫外線等進(jìn)行固化的情況下，可以含有光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，可列舉例如:4-(2_羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-輕基-α，α ’ - 二甲基苯乙酮、2_甲基_2_羥基苯丙酮、1_羥基環(huán)己基苯基酮等α -酮系化合物；甲氧基苯乙酮、2，2- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2- 二乙氧基苯乙酮、
2-甲基-1-[4-(甲基硫代)_苯基]-2-嗎啉代丙烷-1等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚系化合物；芐基二甲基縮酮等縮酮系化合物；2_萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯基-1，2-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲?；郊姿?、3，3’ - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯酮系化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4-二氯噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵化酮；?；趸ⅲ货；姿狨サ取９饩酆弦l(fā)劑的配合量相對(duì)于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸系聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份，為例如0.05 20重量份左右。此外，作為紫外線固化型粘合劑，可列舉例如:日本特開昭60-196956號(hào)公報(bào)中公開的、含有具有兩個(gè)以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環(huán)氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物以及羰基化合物、有機(jī)硫化合物、過氧化物、胺、鎗鹽系化合物等光聚合引發(fā)劑的橡膠系粘合劑、丙烯酸系粘合劑等。另外，紫外線照射時(shí)，在由氧而阻礙固化的情況下，理想的是從紫外線固化型的粘合劑層8的表面阻斷氧(空氣)。作為其方法，可列舉例如:以隔離件被覆粘合劑層8的表面的方法；在氮?dú)鈿夥罩羞M(jìn)行紫外線等紫外線的照射的方法等。粘合劑層8的厚度沒有特別的限定，從防止芯片切斷面的殘缺和保持膠粘層的固定這兩者的兼顧性等方面出發(fā)，優(yōu)選為I 50 μ m左右。優(yōu)選為2 30 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選為5 25 μ m0(密封片的制造方法)以下對(duì)與第I實(shí)施方式中密封片的制造方法的不同點(diǎn)進(jìn)行說明。首先，基材I的制作方法與第I實(shí)施方式相同，因此省略此處的說明。接著，制備粘合劑層形成用的粘合劑組合物。在粘合劑組合物中配合如粘合劑層一項(xiàng)中說明的樹脂、添加物等。在基材I上涂布所制得的粘合劑組合物，形成涂布膜后，在規(guī)定條件下使該涂布膜干燥，(根據(jù)需要進(jìn)行加熱交聯(lián))，形成粘合劑層8。作為涂布方法，沒有特別的限定，可列舉例如輥涂刷、絲網(wǎng)涂刷、凹版涂刷等。此外，作為干燥條件，例如在干燥溫度80 150°C、干燥時(shí)間0.5 5分鐘的范圍內(nèi)進(jìn)行。此外，在隔離件上涂布粘合劑組合物而形成涂布膜后，在上述干燥條件下使涂布膜干燥，從而可以形成粘合劑層8。然后，將粘合劑層8與隔離件一起貼合在基材I上。另外，作為在以上所述的基材上形成有粘合劑層的構(gòu)件，可以使用市售的切割用膜。另外，與第I實(shí)施方式同樣地制作形成于脫模膜(隔離件)上的底填劑材料。接著，以底填劑材料和粘合劑層構(gòu)成貼合面的方式將兩者貼合。貼合例如可以利用壓接來進(jìn)行。此時(shí)，層壓溫度沒有特別的限定，例如優(yōu)選為30 80°C，更優(yōu)選為40 60°C。此外，線壓沒有特別的限定，例如優(yōu)選為0.1 20kgf/cm(0.98 196N/cm)，更優(yōu)選為I IOkgf/cm(9.8 98N/cm)。通過以上方式可以制作第3實(shí)施方式所涉及的密封片。即使是第3實(shí)施方式所涉及的密封片，也可以基本上與第I實(shí)施方式同樣地制造半導(dǎo)體裝置。但是，在粘合劑層8為紫外線固化型的情況下，拾取工序在對(duì)該粘合劑層8照射紫外線后進(jìn)行。由此，粘合劑層8對(duì)底填劑材料2的粘合力降低，使帶有底填劑材料2的半導(dǎo)體芯片5的剝離變得容易。其結(jié)果能夠在不損傷半導(dǎo)體芯片5的情況下進(jìn)行拾取。紫外線照射時(shí)的照射強(qiáng)度、照射時(shí)間等條件沒有特別的限定，只要根據(jù)需要適當(dāng)設(shè)定即可。另夕卜，在預(yù)先對(duì)粘合劑層8照射紫外線使其固化并將該固化后的粘合劑層8和底填劑材料2進(jìn)行貼合的情況下，不需要此處的紫外線照射。實(shí)施例以下，舉例詳細(xì)地說明本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施例。但是，該實(shí)施例中記載的材料、配合量等，只要沒有特別的限定性記載，則并不意味著將這些參數(shù)限定在本發(fā)明的范圍。此外，“份”是指重量份。<第I實(shí)施方式所涉及的實(shí)施例>以下的各實(shí)施例等對(duì)應(yīng)第I實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法。[實(shí)施例1](密封片的制作)相對(duì)于以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯系聚合物(商品名“Parachron W-197CM”根上工業(yè)株式會(huì)社制)100份，將環(huán)氧樹脂I (商品名“EPIC0AT1004” JER株式會(huì)社制)56份、環(huán)氧樹脂2 (商品名“EPIC0AT 828” JER株式會(huì)社制)19份、酚醛樹脂(商品名“Mirex XLC-4L”三井化學(xué)株式會(huì)社制)75份、球狀二氧化硅(商品名“S0-25R，，ADMATECHS C0.，LTD 制)167 份、有機(jī)酸(商品名“才卟卜 7 二 7 酸”，ortho-anisicacid,東京化成株式會(huì)社制)1.3份、咪唑催化劑(商品名“2PHZ-PW”四國化成株式會(huì)社制)1.3份溶解在甲乙酮中，制備固體成分濃度為23.6重量％的膠粘劑組合物的溶液。在作為基材的、經(jīng)硅酮脫模處理后的厚度為50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜構(gòu)成的脫模處理膜上涂布上述膠粘劑組合物的溶液后，在130°C干燥2分鐘，從而制作在基材上形成有厚度45 μ m的底填劑材料的密封片。(半導(dǎo)體裝置的制作)準(zhǔn)備在單面形成有凸點(diǎn)的單面帶凸點(diǎn)的硅晶片，在該單面帶凸點(diǎn)的硅晶片的形成有凸點(diǎn)的一側(cè)的面上以底填劑材料作為貼合面貼合所制作的密封片。作為單面帶凸點(diǎn)的硅晶片，使用以下的物質(zhì)。此外，貼合條件如下所述。底填劑材料的厚度Y( = 45 μ m)與連接部件的高度X( = 45μπι)之比(Υ/Χ)為I?！磫蚊鎺裹c(diǎn)的硅晶片>硅晶片的直徑:8英寸硅晶片的厚度:0.2mm(200 μ m)
凸點(diǎn)的高度:45μπι凸點(diǎn)的間距:50 μ m凸點(diǎn)的材質(zhì):焊料〈貼合條件〉貼附裝置:商品名“DSA840-WS”日東精機(jī)株式會(huì)社制貼附速度:5mm/min貼附壓力:0.25MPa貼附時(shí)的階段溫度:80°C貼附時(shí)的真空度:150Pa按照上述順序貼合單面帶凸點(diǎn)的硅晶片和密封片后，在下述條件下進(jìn)行切割。切割以成為7.3mm見方的芯片尺寸的方式進(jìn)行了全切割?！辞懈顥l件〉切割裝置:商品名“DFD-6361”DISCO公司制切割環(huán):“2-8-1”(DISCO 公司制)切割速度:30mm/sec切割刀片:Zl:DISC0 公司制“2030-SE 27HCDD”Z2:DISC0 公司制“2030-SE 27HCBB”切割刀片轉(zhuǎn)速:Zl:40，OOOrpmZ2:45，OOOrpm切割方式:階梯式切割晶片芯片尺寸:7.3mm見方接著，以從各密封片的基材側(cè)利用針向上頂?shù)姆绞剑叭〉滋顒┎牧吓c單面帶凸點(diǎn)的半導(dǎo)體芯片的層疊體。拾取條件如下所述?！词叭l件〉拾取裝置:商品名“SPA-300”株式會(huì)社新川社制針根數(shù):9根針頂起量:500μ m(0.5mm)針頂起速度:20mm/秒拾取時(shí)間:1秒擴(kuò)張量:3mm接著，在下述的加熱條件下保持被拾取了的層疊體?！醇訜釛l件〉拾取裝置:商品名“FCB-3”松下制加熱條件:150°C X 2秒最后，利用下述的熱壓接條件，以半導(dǎo)體芯片的凸點(diǎn)形成面與BGA基板對(duì)置的狀態(tài)將半導(dǎo)體芯片熱壓接在BGA基板上，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的安裝。由此得到BGA基板上安裝有半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置。另外，本工序中，繼熱壓接條件I后，進(jìn)行利用熱壓接條件2進(jìn)行熱壓接的第2階段的處理。<熱壓接條件1>拾取裝置:商品名“ FCB-3 ”松下制加熱溫度:150 O負(fù)重:98N保持時(shí)間:10秒<熱壓接條件2>拾取裝置:商品名“FCB-3”松下制加熱溫度:260°C負(fù)重:98N保持時(shí)間:10秒[實(shí)施例2]除了在下述的加熱條件下保持半導(dǎo)體元件與底填劑材料的層疊體以外，與實(shí)施例1同樣地制作半導(dǎo)體裝置。<加熱條件>拾取裝置:商品名“FCB-3”松下制加熱條件:IOO0C X 2秒[實(shí)施例3]除了在下述的加熱條件下保持半導(dǎo)體元件與底填劑材料的層疊體以外，與實(shí)施例1同樣地制作半導(dǎo)體裝置。<加熱條件>拾取裝置:商品名“FCB-3”松下制加熱條件:200°C X2秒[實(shí)施例4]除了在下述的加熱條件下保持半導(dǎo)體元件與底填劑材料的層疊體以外，與實(shí)施例1同樣地制作半導(dǎo)體裝置。<加熱條件>拾取裝置:商品名“FCB-3”松下制加熱條件:150°C X I秒[實(shí)施例5]除了在下述的加熱條件下保持半導(dǎo)體元件和底填劑材料的層疊體以外，與實(shí)施例1同樣地制作半導(dǎo)體裝置。<加熱條件>拾取裝置:商品名“FCB-3”松下制加熱條件:100°C X I秒[實(shí)施例6]除了在下述的加熱條件下保持半導(dǎo)體元件與底填劑材料的層疊體以外，與實(shí)施例1同樣地制作半導(dǎo)體裝置。<加熱條件>
拾取裝置:商品名“ FCB-3 ”松下制加熱條件:200°C X I秒[比較例I]除了在下述的加熱條件下保持半導(dǎo)體元件與底填劑材料的層疊體以外，與實(shí)施例1同樣地制作半導(dǎo)體裝置。<加熱條件>拾取裝置:商品名“ FCB-3 ”松下制加熱條件:50°CX2秒[比較例2]除了在下述的加熱條件下保持半導(dǎo)體元件與底填劑材料的層疊體以外，與實(shí)施例1同樣地制作半導(dǎo)體裝置。<加熱條件>拾取裝置:商品名“FCB-3”松下制加熱條件:250°C X2秒[比較例3]除了未設(shè)置保持半導(dǎo)體元件與底填劑材料的層疊體的工序以外，與實(shí)施例1同樣地制造半導(dǎo)體裝置。(最低熔融粘度的測(cè)定)測(cè)定底填劑材料(熱固化前)的最低熔融粘度。最低熔融粘度的測(cè)定是使用流變儀(HAAKE公司制、RS-1)，利用平行板法測(cè)定出的值。更詳細(xì)而言，在間隙ΙΟΟμπκ旋轉(zhuǎn)錐直徑20mm、轉(zhuǎn)速10s—1、升溫速度10°C/分鐘的條件下在60°C 200°C的范圍測(cè)定熔融粘度，將此時(shí)得到的100°C 200°C的范圍內(nèi)的熔融粘度的最低值作為最低熔融粘度。將結(jié)果示于表I。(空隙的產(chǎn)生的評(píng)價(jià))空隙的產(chǎn)生的評(píng)價(jià)如下進(jìn)行，S卩，在實(shí)施例及比較例中制作的半導(dǎo)體裝置的底填劑材料與BGA基板之間進(jìn)行切斷,使用圖像識(shí)別裝置(Hamamatsu Photonics K.K.制、商品名“C9597-11”)觀察切斷面，算出半導(dǎo)體芯片的面積中空隙部分的總面積所占的比例。切斷面的觀察像的半導(dǎo)體芯片的面積中，空隙部分的總面積為O 5%的情況評(píng)價(jià)為“〇”，超過5%且為25%以下的情況評(píng)價(jià)為“Λ”，超過25%的情況評(píng)價(jià)為“ X ”。將結(jié)果示于表I中。表I
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是具備被粘體、與該被粘體電連接的半導(dǎo)體元件以及填充該被粘體與該半導(dǎo)體元件之間的空間的底填劑材料的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法包括: 準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備密封片，所述密封片具備基材和層疊在該基材上的底填劑材料； 貼合工序，在半導(dǎo)體晶片的形成有連接部件的面上貼合所述密封片； 切割工序，切割所述半導(dǎo)體晶片而形成帶有所述底填劑材料的半導(dǎo)體元件； 保持工序，將所述帶有底填劑材料的半導(dǎo)體元件在100 200°C下保持I秒以上；以及連接工序，用底填劑材料填充所述被粘體與所述半導(dǎo)體元件之間的空間并同時(shí)借助所述連接部件將所述半導(dǎo)體元件和所述被粘體電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，熱固化前的所述底填劑材料在100 200°C下的最低熔融粘度為IOOPa.s以上且20000Pa.s以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，熱固化前的所述底填劑材料在23°C下的粘度為0.0lMPa.s以上且IOOMPa.s以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，熱固化前的所述底填劑材料在溫度23°C、濕度70%的條件下的吸水率為I重量％以下。
全文摘要
本發(fā)明提供抑制半導(dǎo)體元件安裝時(shí)的空隙且能夠制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置的制造方法。本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是具備被粘體、與該被粘體電連接的半導(dǎo)體元件以及填充該被粘體與該半導(dǎo)體元件之間的空間的底填劑材料的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法包括準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備密封片，所述密封片具備基材和層疊在該基材上的底填劑材料；貼合工序，在半導(dǎo)體晶片的形成有連接部件的面上貼合上述密封片；切割工序，切割上述半導(dǎo)體晶片而形成帶有上述底填劑材料的半導(dǎo)體元件；保持工序，將上述帶有底填劑材料的半導(dǎo)體元件在100～200℃下保持1秒以上；以及連接工序，用底填劑材料填充上述被粘體與上述半導(dǎo)體元件之間的空間并同時(shí)借助上述連接部件將上述半導(dǎo)體元件和上述被粘體電連接。
文檔編號(hào)H01L21/58GK103137501SQ20121048828
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月28日
發(fā)明者千歲裕之, 高本尚英, 盛田浩介 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社