覆晶式發(fā)光二極管及其應用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關于一種覆晶式發(fā)光二極管，包括：基板、半導體磊晶多層復合結構、第一與第二電極、第一與第二類金剛石/導電材料多層復合結構與絕緣保護層，其中，絕緣保護層為一具有不同折射率材料的堆棧結構，以及第一與第二類金剛石/導電材料多層復合結構于所述覆晶式發(fā)光二極管里可緩沖熱應力現(xiàn)象，因此，所述覆晶式發(fā)光二極管可提升其整體輸出光率，并避免元件光電特性變差，進而提高其可靠度與壽命。本發(fā)明亦關于上述覆晶式發(fā)光二極管的制法與應用。
【專利說明】覆晶式發(fā)光二極管及其應用
【技術領域】
[0001]本發(fā)明關于一種覆晶式發(fā)光二極管及其制造方法與使用其的芯片板上封裝結構，尤指一種結構中可以達到緩和熱膨脹系數(shù)差異(coefficientthermal expansionmismatch)及提升輸出光率的覆晶式發(fā)光二極管及其制造方法與使用其的芯片板上封裝結構。
【背景技術】
[0002]公元1962年，通用電氣公司的尼克?何倫亞克(Nick Holonyak Jr.)開發(fā)出第一種實際應用的可見光發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED),而隨著科技日益更新,各種色彩發(fā)光二極管開發(fā)也應蘊而生。而對于現(xiàn)今人類所追求永續(xù)發(fā)展為前提的情形下，發(fā)光二極管的低耗電量以及長效性的發(fā)光等優(yōu)勢下，已逐漸取代日常生活中用來照明或各種電器設備的指示燈或光源等用途。更有甚者，發(fā)光二極管朝向多色彩及高亮度的發(fā)展，已應用在大型戶外顯示廣告牌或交通號志。
[0003]21世紀起，電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品在生活上已經(jīng)成為不可或缺的一部分，因此企業(yè)對于電子產(chǎn)品開發(fā)方向以多功能及高效能發(fā)展等為主，也開始將發(fā)光二極管芯片應用于各種電子產(chǎn)品。其中尤其是可攜式電子產(chǎn)品種類日漸眾多，電子產(chǎn)品的體積與重量越來越小，所需的電路載板體積亦隨之變小，因此，電路載板的散熱效果成為值得重視的問
題之一。
[0004]以現(xiàn)今經(jīng)常使用的 發(fā)光二極管芯片而言，由于發(fā)光亮度夠高，因此可廣泛應用于顯示器背光源、小型投影機以及照明等各種電子裝置中。然而，目前LED的輸入功率中，將近80%的能量會轉換成熱能，倘若承載LED元件的載板無法有效地散熱時，便會使得發(fā)光二極管芯片界面溫度升高，除了影響發(fā)光強度之外，亦可能因熱度在發(fā)光二極管芯片中累積而造成各層材料受熱膨脹，促使結構中受到損傷而對產(chǎn)品壽命產(chǎn)生不良影響此外，由于發(fā)光二極管內(nèi)所激發(fā)的光線是以一放射方式擴散，并非所有光線都會經(jīng)由發(fā)光二極管表面而散射出，故造成出光率不佳，且無法達到最有效的出光率。
[0005]據(jù)此， 申請人:于所提出的中國臺灣專利申請?zhí)柕?00146548、100146551以及101120872號中均已揭露以類金剛石與導電材料所組成的堆棧結構或多層結構可有效地改善發(fā)光二極管的散熱效率以及緩和或去除發(fā)光二極管受熱膨脹的不良影響，惟相關前案并未揭露其優(yōu)化的堆棧結構散熱效率。是以，為優(yōu)化散熱效率， 申請人:經(jīng)詳加研究后，還具體提出特定導電材料及類金剛石經(jīng)適當堆棧后，即可優(yōu)化發(fā)光二極管的散熱效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的主要目的在于提供一種覆晶式發(fā)光二極管，其具有緩和熱膨脹系數(shù)差異及提升輸出光率的結構設計，可在發(fā)光二極管運作產(chǎn)生熱量的過程中持續(xù)使熱量散失。即使有部分熱量并未自發(fā)光二極管中散失而促使整體結構產(chǎn)生熱膨脹或變形，其中設置的類金剛石/導電材料多層復合結構亦可緩和對應的熱應力，而保護不受損傷，并且能通過絕緣保護層匯聚光束而提升輸出光率。
[0007]為達成上述目的，本發(fā)明的一態(tài)樣提供一種覆晶式發(fā)光二極管，包括:一基板，具有一第一表面以及一相對于該第一表面的第二表面；一半導體嘉晶多層復合結構，其位于該基板的該第二表面上方且包含一第一半導體嘉晶層、一第二半導體嘉晶層以及一盲孔，其中，該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層層疊設置，且該盲孔貫穿該第二半導體磊晶層；一第一電極，位于該半導體磊晶多層復合結構的該第一半導體磊晶層上方；一第一類金剛石/導電材料多層復合結構，填充于該半導體磊晶多層復合結構的該盲孔中，并覆蓋于該第一電極上方，且電性連接該半導體磊晶多層復合結構的該第一半導體磊晶層；一第二電極，位于該半導體磊晶多層復合結構的該第二半導體磊晶層上方；以及一第二類金剛石/導電材料多層復合結構，位于該半導體磊晶多層復合結構的該第二電極上方，并電性連接該半導體磊晶多層復合結構的該第二半導體磊晶層。此外，于本發(fā)明的另一態(tài)樣中，該覆晶式發(fā)光二極管還包括一絕緣保護層，其是覆蓋該半導體磊晶多層復合結構的該第一半導體磊晶層的側壁以及該第二半導體磊晶層的側壁，以及該盲孔的內(nèi)壁表面，以隔絕該第一類金剛石/導電材料多層復合結構與該第二半導體磊晶層之間的接觸。
[0008]本發(fā)明上述覆晶式發(fā)光二極管中，將電性連接至半導體磊晶多層復合結構中N型半導體磊晶層與P型半導體磊晶層的對應電極，并且在其對應電極上皆設計成濺鍍成類金剛石/導電材料多層復合結構。換言之，設置于N型半導體磊晶層表面的對應N型電極，可先行沉積一般作為N型電極的金屬，再沉積類金剛石，并且可以選擇性重復沉積適用的導電材料層與類金剛石層，據(jù)此形成類金剛石/導電材料多層復合結構，以做為對應N型電極的N型的復合結構。同樣，對于P型半導體磊晶層，亦可先行沉積一般作為P型電極的金屬，再沉積類金剛石，并且可以選擇性重復沉積適用的導電材料層與類金剛石層，據(jù)此形成類金剛石/導電材料多層復合結構，以做為對應P型電極的P型的復合結構。
[0009]上述絕緣保護層為一具有不同折射率材料的堆棧結構，當發(fā)光二極管通入電流后，可使電子激發(fā)形成光線，并使光線向發(fā)光二極管的表面及側面進行擴散，此時，即可通過絕緣保護層將擴散至側面光線反射至覆晶式發(fā)光二極管的出光面，進而提升出光率。
[0010]上述類金剛石/導電材料多層復合結構可以讓本發(fā)明的覆晶式發(fā)光二極管，對于熱膨脹系數(shù)差異所造成應力，具有緩沖能力。換言之，上述類金剛石/導電材料多層復合結構，可在發(fā)光二極管運作產(chǎn)生熱量的過程中加速熱量散失，即使部分熱量沒有自發(fā)光二極管中散失而累積造成整體結構發(fā)生熱膨脹，類金剛石/導電材料多層復合結構亦可緩沖對應的熱應力，而可保護覆晶式發(fā)光二極管中其余構件不受損傷。
[0011]綜上所述，本發(fā)明覆晶式發(fā)光二極管可提升其整體輸出光率，并避免元件光電特性變差，進而提高其可靠度與壽命。
[0012]本發(fā)明上述覆晶式發(fā)光二極管中，該絕緣保護層由兩種或以上的不同折射率材料堆棧設置；其中，上述該不同折射率材料可至少一選自由類金剛石(DLC)、氧化鈦(Tix0y)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、砷化鎵(GaAs)、砷化鋁(AlAs)所組成的群組，其中，氧化鈦(TixOy)可使用如氧化鈦(TiO)、二氧化鈦(TiO2)或三氧化二鈦(Ti2O3)等；在本發(fā)明中，絕緣保護層內(nèi)的不同折射率材料可以依序周期性堆棧設置而具有布拉格反射鏡(DistributeBragg Reflector, DBR)的特性，且使得發(fā)光二極管中發(fā)射至側面的光線可通過絕緣保護層反射至覆晶式發(fā)光二極管的出光面，進而提升輸出光率；此外，在本發(fā)明中，還可以在絕緣保護層的外側設置一金屬保護層，該金屬保護層可至少一選自由鋁(Al)、鈦(Ti)、鑰(Mo)、鎳(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鉬(Pt)、或其合金所組成的群組，因此，通過該金屬保護層，還能增加發(fā)光二極管發(fā)射至側面的光線反射至覆晶式發(fā)光二極管的出光面的反射率，進而更加提升輸出光率。
[0013]較佳而言，在第二表面可通過蝕刻或顯影處理，使第二表面形成一圖形化表面，并可有效提升發(fā)光二極管的出光率，且可以控制其偏極以及光場分布。
[0014]此外，在第一表面可通過蝕刻或顯影處理，使第一表面形成一圖形化表面或一粗糙化表面，并可有效提升發(fā)光二極管的出光率。
[0015]本發(fā)明上述覆晶式發(fā)光二極管中，該半導體磊晶多層復合結構還可以包括一無摻雜半導體磊晶層，該無摻雜半導體磊晶層夾置于該第一半導體磊晶層與該基板的該第二表面之間；因此，該無摻雜半導體磊晶層當作該第一半導體磊晶層與該基板之間的一緩沖層，避免該第一半導體磊晶層與該基板之間晶格不匹配程度過大，并防止成長該第一半導體磊晶層時，其磊晶缺陷密度過高的情形出現(xiàn)，并且可避免上述覆晶式發(fā)光二極管有靜電放電及電流漏電的情形。
[0016]本發(fā)明上述覆晶式發(fā)光二極管中，該半導體磊晶多層復合結構可以選擇性還包括一活性中間層，該活性中間層夾置于該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層之間。除此之外，本發(fā)明上述覆晶式發(fā)光二極管結構中設有該盲孔，而該盲孔貫穿該活性中間層。于本發(fā)明中，該活性中間層可為多量子井層(multiple quantum well layer),用以提升發(fā)光二極管中電能轉換成光能的效率。
[0017]較佳而言，該第一半導體磊晶層、該第一電極以及該第一類金剛石/導電材料多層復合結構為N型，該第二半導體磊晶層、該第二電極以及該第二類金剛石/導電材料多層復合結構為P型。
[0018]上述該導電材料層或該導電材料的材質(zhì)可以選自由銦錫氧化物(indium tinoxide, ITO)、氧化招鋒(aluminum zinc oxide, AZO)、氧化鋒(ZnO)、石墨烯(graphene)、欽(Ti)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鑰(Mo)、鎢(W)、銀(Ag)、鉬(Pt)、以及金(Au)所組群組的至少一者。換言之，該導電材料層或該金屬可使用上述材質(zhì)的合金或金屬混合物構成。由于類金剛石具有較佳的熱膨脹系數(shù)(coefficient of thermal expansion,CTE),因此做為電極的類金剛石/導電材料多層復合結構便可以在整體發(fā)光二極管受熱膨脹時，緩沖熱膨脹所產(chǎn)生的應力，因此發(fā)光二極管整體結構則不易受影響，同時亦可以加速發(fā)光二極管運作時熱量散失，降低發(fā)光二極管整體結構因熱受損的可能性。舉例而言，可以使用鋁(Al)、鈦(Ti)、鑰(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、以及金(Au)做為導電材料層，并與導電性類金剛石層相互層疊，即可構成本發(fā)明所述的類金剛石/導電材料多層復合結構。
[0019]于本發(fā)明的一具體態(tài)樣中，上述第一類金剛石/導電材料多層復合結構可包括一第一類金剛石/金屬堆棧層與一第一金屬合金層，且該第一金屬合金層設置于該第一類金剛石/金屬堆棧層上；以及上述第二類金剛石/導電材料多層復合結構可包括一第二類金剛石/金屬堆棧層與一第二金屬合金層，且該第二金屬合金層設置于該第二類金剛石/金屬堆棧層上。舉例而言，該第一類金剛石/金屬堆棧層、以及該第二類金剛石/金屬堆棧層可為I至10層類金剛石與I至10層鈦交互堆棧設置的多層結構，并且以類金剛石各自獨立電性連接該第一金屬合金層及該第二金屬合金層；在本發(fā)明的另一態(tài)樣中，該第一類金剛石/金屬堆棧層、以及該第二類金剛石/金屬堆棧層可為2至4層類金剛石與2至4層鈦交互堆棧設置的多層結構，并且以類金剛石各自獨立電性連接該第一金屬合金層及該第二金屬合金層；而該第一金屬合金層、以及該第二金屬合金層則可為鈦/鑰/鈦依序堆棧設置的三層結構，并且以鈦各自獨立電性連接該第一類金剛石/金屬堆棧層，以及該第二類金剛石/金屬堆棧層。據(jù)此，該類金剛石/導電材料多層復合結構即可形成5至23層由類金剛石、鈦及鑰所堆棧而成的多層復合結構，從而優(yōu)化本發(fā)明覆晶式發(fā)光二極管的散熱效率。
[0020]在本發(fā)明的一較佳態(tài)樣中，該第一類金剛石/金屬堆棧層、以及該第二類金剛石/金屬堆棧層可為2層類金剛石與2層鈦交互堆棧設置的多層結構，而該第一金屬合金層、以及該第二金屬合金層則可為鈦/鑰/鈦依序堆棧設置的三層結構，因此，該類金剛石/導電材料多層復合結構即可形成7層由類金剛石、鈦及鑰所堆棧而成的多層復合結構；在本發(fā)明另一較佳態(tài)樣中，該第一類金剛石/金屬堆棧層、以及該第二類金剛石/金屬堆棧層可為4層類金剛石與4層鈦交互堆棧設置的多層結構，而該第一金屬合金層、以及該第二金屬合金層則可為鈦/鑰/鈦依序堆棧設置的三層結構，因此，該類金剛石/導電材料多層復合結構即可形成11層由類金剛石、鈦及鑰所堆棧而成的多層復合結構；在本發(fā)明中該第一類金剛石/金屬堆棧層以及該第二類金剛石/金屬堆棧層，或該第一金屬合金層及該第二金屬合金層，均可視使用的需求而隨時任意調(diào)整，且前述結構均可以具有相同或不同的多疊層數(shù)或成份，本發(fā)明并未局限于此。
[0021]本發(fā)明覆晶式發(fā)光二極管，該第一類金剛石/導電材料多層復合結構的表面與該第二類金剛石/導電材料多層復合結構的表面可形成一共平面；或者，該第一類金剛石/導電材料多層復合結構的導電類金剛石層表面與該第二類金剛石/導電材料多層復合結構的導電類金剛石層表面可形成一共平面；亦或，該第一類金剛石/導電材料多層復合結構的表面與該第二類金剛石/導電材料多層復合結構的表面可形成一共平面。
[0022]本發(fā)明覆晶式發(fā)光二極管，還可選擇性包括:一第一金屬焊接層，位于該第一類金剛石/導電材料多層復合結構上；以及一第二金屬焊接層，位于該第二類金剛石/導電材料多層復合結構上，其中，該第二金屬焊接層的表面與該第一金屬焊接層的表面形成一共平面。上述本發(fā)明覆晶式發(fā)光二極管，顧名思義即以覆晶方式與另一電路載板接合(bonding)，因此最后發(fā)光二極管的P型電極與N型電極表面上用于接合金屬焊接層通常會相互形成共平面。
[0023]上述第一金屬焊接層或第二金屬焊接層的材質(zhì)可以選自由硅(Si)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉬(Pt)、金(Au)、錫(Sn)、銦(In)、鉻(Cr)、或其合金所組群組的至少一者。換言之，第一金屬焊接層或第二金屬焊接層可使用上述材質(zhì)的合金或金屬混合物構成，其選擇為熱擴散系數(shù)高的材質(zhì)，使得覆晶式發(fā)光二極管使用時，散熱效率提高。
[0024]本發(fā)明上述覆晶式發(fā)光二極管可以選擇性還包含一反射層，夾置于該半導體磊晶多層復合結構與該第二電極之間，該反射層的材質(zhì)可為銦錫氧化物(indium tin oxide,ΙΤ0)、氧化招鋅(aluminum zinc oxide, AZO)、氧化鋅(ZnO)、石墨烯(graphene)、招、銀、鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、金(Au)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銻(Sb)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銅銀(CuAg)、鎳銀(NiAg)、其合金、或其金屬混合物。上述銅銀(CuAg)與鎳銀(NiAg)等是指共晶金屬(eutectic metal)。換言之其亦可為多層金屬結構，除了用于達到反射效果之外，也可以達到形成歐姆接觸(ohmic contact)的效用。[0025]為達上述目的，本發(fā)明的再另一態(tài)樣提供一種芯片板上封裝結構(chipon board,COB)，包括:一電路載板；以及本發(fā)明上述覆晶式發(fā)光二極管，其經(jīng)由該第一金屬焊接層以及該第二金屬焊接層封裝于該電路載板。
[0026]本發(fā)明上述芯片板上封裝結構中，該電路載板可以包含一絕緣層、以及一電路基板，其中，該絕緣層的材質(zhì)可為絕緣性類金剛石、氧化鋁、陶瓷、含鉆石的環(huán)氧樹脂、或其組成物，或者為表面覆有上述絕緣層的金屬材料，而該電路基板可為一金屬板、一陶瓷板或一硅基板。此外，該電路載板表面也可以選擇性還包含一類金剛石層，以增加散熱效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1A至圖1H是本發(fā)明實施例一的覆晶式發(fā)光二極管的制備方法的流程結構示意圖。
[0028]圖2A及圖2B是本發(fā)明實施例一的側面結構示意圖。
[0029]圖3A及圖3B是本發(fā)明覆晶式發(fā)光二極管的類金剛石/導電材料多層復合結構示意圖。
[0030]圖4A及圖4B是本發(fā)明覆晶式發(fā)光二極管的類金剛石/導電材料多層復合結構電阻測試圖。
[0031]圖5是本發(fā)明實施例二的覆晶式發(fā)光二極管的結構示意圖。
[0032]圖6顯示本發(fā)明實施例一中芯片板上封裝結構的結構示意圖。
[0033]圖7顯示本發(fā)明實施例二中芯片板上封裝結構的結構示意圖。
[0034]【主要元件符號說明】
`[0035]覆晶式發(fā)光二極管2、4
[0036]基板20、40
[0037]第一表面201、401
[0038]第二表面202、402
[0039]半導體磊晶多層復合結構21、41
[0040]無摻雜半導體磊晶層211、411
[0041]第一半導體磊晶層212、412
[0042]活性中間層213、413
[0043]第二半導體磊晶層214、414
[0044]反射層22、42
[0045]盲孔23、43
[0046]第二電極241、441
[0047]第二類金剛石/導電材料多層復合結構 242、442
[0048]第一電極251、451
[0049]第一類金剛石/導電材料多層復合結構 252、452
[0050]第一金剛石/金屬堆棧層2521
[0051]類金剛石25211
[0052]鈦25213,25223
[0053]第一金屬合金層2522[0054]鑰25222
[0055]絕緣保護層26、46
[0056]第一絕緣層261
[0057]第二絕緣層262
[0058]金屬保護層27
[0059]第二金屬焊接層28、48
[0060]第一金屬焊接層29、49
[0061]電路載板6
[0062]電路基板60
[0063]絕緣層61
[0064]焊料62
[0065]電性連接墊63
【具體實施方式】
[0066]以下通過通過特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，熟悉此技藝的人士可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明亦可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節(jié)亦可基于不同觀點與應用，在不悖離本發(fā)明的精神下進行各種修飾與變更。
[0067]本發(fā)明的實施例中這些附圖均為簡化的示意圖。惟該這些圖標僅顯示與本發(fā)明有關的元件，其所顯示的元件非為實際實施時的態(tài)樣，其實際實施時的元件數(shù)目、形狀等比例為一選擇性的設計，且其元件布局型態(tài)可能更復雜。
[0068]實施例一
[0069]參考圖1A至圖1H是本發(fā)明實施例一的覆晶式發(fā)光二極管的制備方法的流程結構不意圖。首先，如圖1A所不,提供一基板20,具有一第一表面201以及一相對于該第一表面201的第二表面202。接著，如圖1B所示，于該基板20的該第二表面202上方形成一半導體磊晶多層復合結構21，其中，該半導體磊晶多層復合結構21包含一無摻雜半導體磊晶層211、一第一半導體磊晶層212、一活性中間層213、以及一第二半導體磊晶層214，其中，該無摻雜半導體磊晶層211、該第一半導體磊晶層212、該活性中間層213與該第二半導體磊晶層214為層疊設置，該無摻雜半導體磊晶層211夾置于該第一半導體磊晶層212與該基板20之間，而該活性中間層213夾置于該第一半導體磊晶層212與該第二半導體磊晶層214之間。于本實施例中，該半導體磊晶多層復合結構21的材質(zhì)為氮化鎵(GaN)，且該第一半導體磊晶層212為N型，該第二半導體磊晶層214為P型，而該無摻雜半導體磊晶層211則當作該第一半導體磊晶層212與該基板20之間的一緩沖層，避免該第一半導體磊晶層212與該基板20之間晶格不匹配程度過大，并防止成長該第一半導體磊晶層212時，其磊晶缺陷密度過高的情形出現(xiàn)，并且可避免本實施例的覆晶式發(fā)光二極管有靜電放電及電流漏電的情形。不過，本發(fā)明半導體磊晶多層復合結構適用的材質(zhì)不限于此，亦可以使用選用其他本領域中常用材質(zhì)。此外，可以依需求選擇是否設置該活性中間層，而于本實施例中，該活性中間層213為多量子井層，用以提升發(fā)光二極管中電能轉換成光能的效率。
[0070]請繼續(xù)參閱圖1B，于該半導體磊晶多層復合結構21的該第二半導體磊晶層214表面上，形成一反射層22。于本實施例中，該反射層22可以選用銦錫氧化物(indium tinoxide, ITO)、氧化招鋒(aluminum zinc oxide, AZO)、氧化鋒(ZnO)、石墨烯(graphene)、招、銀、鎳(Ni)、鈷(Co)、鈕(Pd)、鉬(Pt)、金(Au)、鋅(Zn)、錫(Sn)、鋪(Sb)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銅銀(CuAg)、及鎳銀(NiAg)所組群組的至少一者，換言之其亦可為多層金屬結構，除了用于達到反射效果之外，也可以達到形成歐姆接觸(ohmic contact)的效用。此形成反射層的步驟，本發(fā)明所屬【技術領域】的通常知識者可依需要選擇性執(zhí)行，換言之若不打算設置反射層，則可跳過形成反射層22的步驟而無需進行。
[0071]然后，請參閱圖1C，于該半導體磊晶多層復合結構21開設一盲孔23，其中，該盲孔23貫穿該第二半導體磊晶層214，且該盲孔23抵止于該第一半導體磊晶層212上。接著，請參閱圖1D，于該第二半導體磊晶層214上方形成一第二電極241。再來，請參閱圖1E，該盲孔23中形成一第一電極251,且該一第一電極251位于該半導體嘉晶多層復合結構21的該第一半導體嘉晶層212上。于本實施例中，該第二電極241及該第一電極251的材料為鉻/金/鉬合金，而該第二電極241為P型，以及該第一電極251為N型。
[0072]接著，請參閱圖1F，形成一絕緣保護層26，其覆蓋該反射層22的側壁，該第二電極241的側壁并暴露部分該第二電極241表面，以及覆蓋該半導體磊晶多層復合結構21的該第一半導體磊晶層212的側壁、該活性中間層213的側壁、該第二半導體磊晶層214的側壁，以及該盲孔23的內(nèi)壁表面并顯露由該盲孔23暴露的該第一電極251表面。該絕緣保護層26為具有不同反射性材料的堆棧結構(于圖2A說明)，是用于保護其所覆蓋的該第一半導體磊晶層212、該第二半導體磊晶層214、以及該活性中間層213的側壁，并隔絕該第一電極251、該第二半導體磊晶層214、以及該活性中間層213直接與另一后續(xù)形成的構件接觸。
[0073]再者，如圖1G所示，于該第一電極251以及該第二電極241上，分別形成一第一類金剛石/導電材料多層復合結構252以及一第二類金剛石/導電材料多層復合結構242，且該第一類金剛石/導電材料多層復合結構252填充于內(nèi)壁表面覆蓋有該絕緣保護層26的該盲孔23中，并接觸該第一電極251,使得該第一類金剛石/導電材料多層復合結構252與該第二類金剛石/導電材料多層復合結構242形成一共平面。
[0074]最后,如圖1H所不,于該第一類金剛石/導電材料多層復合結構252表面與該第二類金剛石/導電材料多層復合結構242表面上，分別形成一第一金屬焊接層29以及第二金屬焊接層28，其中，該第一金屬焊接層29的表面與該第二金屬焊接層28的表面形成一共平面。于本實施例中，該第一金屬焊接層29與該第二金屬焊接層28由金層與金錫層構成，且該金錫層是一共晶導電材料層。
[0075]據(jù)此，如圖1A至圖1H所示，上述制得覆晶式發(fā)光二極管，其包括:一基板20，具有一第一表面201以及一相對于該第一表面201的第二表面202 ;—半導體嘉晶多層復合結構21,其位于該基板20的第二表面202上且該半導體嘉晶多層復合結構21包含一無摻雜半導體磊晶層211、一第一半導體磊晶層212、一活性中間層213、以及一第二半導體磊晶層214，其中，該無摻雜半導體磊晶層211、該第一半導體磊晶層212、該活性中間層213、以及該第二半導體磊晶層214為層疊設置，而該無摻雜半導體磊晶層211夾置于該第一半導體磊晶層212與該基板20之間，且該活性中間層213夾置于該第一半導體磊晶層212與該第二半導體磊晶層214之間；一反射層22，位于該半導體磊晶多層復合結構21的該第二半導體磊晶層214表面；一盲孔23，設于該半導體磊晶多層復合結構21中，并貫穿該反射層22、該第二半導體磊晶層214以及該活性中間層213，而該盲孔23抵止于該第一半導體磊晶層212上；一第一電極251,該第一電極251設置于該半導體嘉晶多層復合結構21的該盲孔23上，且其位于該半導體磊晶多層復合結構21的該第一半導體磊晶層212上方；一第一類金剛石/導電材料多層復合結構252，填充于該半導體磊晶多層復合結構21的該盲孔23中，并覆蓋于該第一電極251上方，且電性連接該半導體磊晶多層復合結構21的該第一半導體嘉晶層212 ;—第一金屬焊接層29,位于該第一類金剛石/導電材料多層復合結構252上；一第二電極241，位于該半導體磊晶多層復合結構21的該第二半導體磊晶層214上方，并經(jīng)由該反射層22電性連接該半導體磊晶多層復合結構21的該第二半導體磊晶層214 ;—第二類金剛石/導電材料多層復合結構242，是位于該半導體磊晶多層復合結構21的該第二電極241上方，并電性連接該半導體磊晶多層復合結構21的該第二半導體磊晶層214 ; —第二金屬焊接層28，位于該第二類金剛石/導電材料多層復合結構242上；其中，該第二類金剛石/導電材料多層復合結構242的表面與第一類金剛石/導電材料多層復合結構252的表面形成一共平面，且該第二金屬焊接層28的表面與該第一金屬焊接層29的表面亦形成一共平面；以及一絕緣保護層26，其隔絕所覆蓋的該第一電極251、該第二電極241、該反射層22、該第一半導體磊晶層212以及該第二半導體磊晶層214的側壁，以及該盲孔23的內(nèi)壁表面，并隔絕該第一類金剛石/導電材料多層復合結構252與該第二半導體磊晶層214之間的直接接觸。
[0076]圖2A及圖2B是本發(fā)明實施例一的側面結構示意圖。請參閱圖2A是本實施例的側面結構示意圖，其擷取于圖1H虛線所圈取的A部分，該絕緣保護層26設置于該半導體磊晶多層復合結構21的外側，其包含一第一絕緣層261及一第二絕緣層262，該第一絕緣層261與該第二絕緣層262為堆棧設置；其中，上述該第一絕緣層261及該第二絕緣層262的材質(zhì)分別為具有不同的折射率的材料所制成，而不同折射率材料可至少一選自由類金剛石(DLC)、氧化鈦(TixOy)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、砷化鎵(GaAs)、砷化鋁(AlAs)所組成的群組；該第一絕緣層261與該第二絕緣層262依序周期性堆棧設置而具有布拉格反射鏡(Distribute Bragg reflector)的特性,且使得本實施例的覆晶發(fā)光二極管中發(fā)射至側面的光線可通過絕緣保護層26反射至覆晶式發(fā)光二極管的出光面，進而提升輸出光率。在本實施例中，該第一絕緣層261的材料為二氧化硅(Si02，折射率:1.55)、該第二絕緣層262的材料為二氧化鈦(TiO2，折射率:2.51)，且該第一絕緣層261及該第二絕緣層262為交替形成14層堆棧結構。
[0077]再來，請參閱圖2B本實施例另一側面結構示意圖，除了該絕緣保護層26設置于該半導體磊晶多層復合結構21的外側，且包含一第一絕緣層261及一第二絕緣層262之外，于該絕緣保護層26的最外側設置一金屬保護層27，該金屬保護層27可至少一選自由鋁(Al)、鈦(Ti)、鑰(Mo)、鎳(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鉬(Pt)、或其合金所組成的群組，因此，通過該金屬保護層27，還能增加本實施例的覆晶式發(fā)光二極管發(fā)射至側面的光線反射至覆晶式發(fā)光二極管的出光面的反射率，進而更加提升輸出光率。在本實施例中，該金屬保護層27由銀(Ag，折射率:0.329)所構成。
[0078]圖3A為本發(fā)明實施例一的第一類金剛石/導電材料多層復合結構252的堆棧結構示意圖。請參閱圖3A，其擷取于圖1G虛線所圈取的B部分，其中，該第一類金剛石/導電材料多層復合結構252包括一由2層類金剛石25211與2層鈦25213交互堆棧設置而成的第一類金剛石/金屬堆棧層2521,與一由鈦25223/鑰25222/鈦25223依序堆棧設置而成的第一金屬合金層2522,且該第一金屬合金層2522設置于該第一類金剛石/金屬堆棧層2521上；上述實施例一的第二類金剛石/導電材料多層復合結構242與其第一類金剛石/導電材料多層復合結構252具有大致相同的堆棧結構,包括一第二類金剛石/金屬堆棧層與一第二金屬合金層(圖未顯示)，且該第二金屬合金層設置于該第二類金剛石/金屬堆棧層上，其中，該第二類金剛石/金屬堆棧層為2層類金剛石與2鈦交互堆棧設置的多層結構，而該第二金屬合金層亦為鈦/鑰/鈦依序堆棧設置的三層結構。然而，第一類金剛石/導電材料多層復合結構252中的各堆棧層厚度大于第二類金剛石/金屬堆棧層中的各堆棧層厚度，據(jù)此，上述實施例一的第一類金剛石/導電材料多層復合結構252與第二類金剛石/導電材料多層復合結構242可形成一共平面。然而，應了解的是，上述本實施例一雖采用調(diào)整堆棧層厚度的方式，使第一類金剛石/導電材料多層復合結構252及第二類金剛石/導電材料多層復合結構242形成共平面，但本領域熟悉該項技術者亦可以根據(jù)其所需，調(diào)整類金剛石或導電材料(鈦、鑰)的堆棧層數(shù)，以使該第一類金剛石/導電材料多層復合結構252與該第二類金剛石/導電材料多層復合結構242形成一共平面，本發(fā)明并不以此為限。
[0079]實施例二
[0080]請參考圖1A至圖1H，并一并參考圖3B，本實施例所制得的覆晶式發(fā)光二極管與實施例一的結構大致相同，所不同處在于第一類金剛石/金屬堆棧層2521為4層類金剛石25211與4層鈦25213交互堆棧設置而成，且第二類金剛石/金屬堆棧層亦為4層類金剛石與4層鈦交互堆棧設置而成(圖未顯示)。同樣地，第一類金剛石/導電材料多層復合結構252中的堆棧層厚度大于第二類金剛石/金屬堆棧層，以使該第一類金剛石/導電材料多層復合結構252與該第二類金剛石/導電材料多層復合結構242可形成一共平面。是以，于本實施例二中，所形成的第一類金剛石/導電材料多層復合結構252包括由4層類金剛石25211與4層鈦25213交互堆棧設置而成的第一類金剛石/金屬堆棧層2521，以及由鈦25223/鑰25222/鈦25223依序堆棧設置而成的第一金屬合金層2522 ;第二類金剛石/導電材料多層復合結構包括由4層類金剛石與4層鈦交互堆棧設置而成的第一類金剛石/金屬堆棧層，以及由鈦/鑰/鈦依序堆棧設置而成的第二金屬合金層(圖未顯示)。
[0081]據(jù)此，實施例二所制得覆晶式發(fā)光二極管，包括:一基板20，具有一第一表面201以及一相對于該第一表面201的第二表面202 ;—半導體嘉晶多層復合結構21,其位于該基板20的第二表面202上且該半導體磊晶多層復合結構21包含一無摻雜半導體磊晶層211、一第一半導體磊晶層212、一活性中間層213、以及一第二半導體磊晶層214，其中，該無摻雜半導體磊晶層211、該第一半導體磊晶層212、該活性中間層213、以及該第二半導體磊晶層214為層疊設置，而該無摻雜半導體磊晶層211夾置于該第一半導體磊晶層212與該基板20之間，且該活性中間層213夾置于該第一半導體磊晶層212與該第二半導體磊晶層214之間；一反射層22，位于該半導體磊晶多層復合結構21的該第二半導體磊晶層214表面；一盲孔23，設于該半導體磊晶多層復合結構21中，并貫穿該反射層22、該第二半導體磊晶層214以及該活性中間層213，而該盲孔23抵止于該第一半導體磊晶層212上；一第一電極251,該第一電極251設置于該半導體嘉晶多層復合結構21的該盲孔23上,且其位于該半導體磊晶多層復合結構21的該第一半導體磊晶層212上方；一第一類金剛石/導電材料多層復合結構252，填充于該半導體磊晶多層復合結構21的該盲孔23中，并覆蓋于該第一電極251上方，且電性連接該半導體磊晶多層復合結構21的該第一半導體磊晶層212 ；一第一金屬焊接層29,位于該第一類金剛石/導電材料多層復合結構252上；一第二電極241，位于該半導體磊晶多層復合結構21的該第二半導體磊晶層214上方，并經(jīng)由該反射層22電性連接該半導體磊晶多層復合結構21的該第二半導體磊晶層214 第二類金剛石/導電材料多層復合結構242，位于該半導體磊晶多層復合結構21的該第二電極241上方，并電性連接該半導體磊晶多層復合結構21的該第二半導體磊晶層214 ;—第二金屬焊接層28，位于該第二類金剛石/導電材料多層復合結構242上；其中，該第二類金剛石/導電材料多層復合結構242的表面與第一類金剛石/導電材料多層復合結構252的表面形成一共平面，且該第二金屬焊接層28的表面與該第一金屬焊接層29的表面亦形成一共平面；以及一絕緣保護層26，其隔絕所覆蓋的該第一電極251、該第二電極241、該反射層22、該第一半導體磊晶層212以及該第二半導體磊晶層214的側壁，以及該盲孔23的內(nèi)壁表面，并隔絕該第一類金剛石/導電材料多層復合結構252與該第二半導體磊晶層214之間的直接接觸。
[0082]比較例
[0083]為了比較本發(fā)明的類金剛石/導電材料多層復合結構的散熱效果，比較例一所制得的覆晶式發(fā)光二極管，與實施例一的結構大致相同，所不同處在于第一金屬合金層與第二金屬合金層為鈦/類金剛石/鈦的堆棧結構；同樣地，比較例二所制得的覆晶式發(fā)光二極管，與實施例二的結構大致相同，所不同處在于第一金屬合金層與第二金屬合金層亦為鈦/類金剛石/鈦的堆棧結構。應了解的是，一般而言，在通電的情況下，一物體的電阻越大時，流經(jīng)該物體的電能越可能轉換為熱能散失。據(jù)此，實施例一、二及比較例一、二即可經(jīng)由一電阻測試結果而比較其散熱效果的差異。
[0084]請參考圖4A，為本發(fā)明實施例一、二及比較例一、二的類金剛石/導電材料多層復合結構水平電阻測試圖，其中，橫軸為電壓(V)，縱軸為電流(A)。如圖4A中所示，當?shù)谝唤饘俸辖饘优c第二金屬合金層為鈦/鑰/鈦的堆棧結構時，相較于第一金屬合金層與第二金屬合金層為鈦/類金剛石/鈦的堆棧結構，實施例一、二的類金剛石/導電材料多層復合結構在相同電壓(V)條件下，其具有較大的電流(A)，即水平電阻較小。此外，比較實施例一、二的類金剛石/導電材料多層復合結構的水平電組測試結果，還可發(fā)現(xiàn)，當類金剛石/金屬堆棧層的堆棧層數(shù)增加時，亦有助于降低其水平電阻。請參考圖4B，為本發(fā)明實施例一、二及比較例一、二的類金剛石/導電材料多層復合結構垂直電阻測試圖，其中，橫軸為電壓(V)，縱軸為電流(A)。如圖4B所示，當?shù)谝唤饘俸辖饘优c第二金屬合金層為鈦/鑰/鈦的堆棧結構時，相較于第一金屬合金層與第二金屬合金層為鈦/類金剛石/鈦的堆棧結構，實施例一、二的類金剛石/導電材料多層復合結構在相同電壓(V)條件下，其具有較小的電流(A)，即垂直電阻較大。同樣地，比較實施例一、二的類金剛石/導電材料多層復合結構的垂直電組測試結果，亦可發(fā)現(xiàn)，當類金剛石/金屬堆棧層的堆棧層數(shù)增加時，亦有助于提高其垂直電阻。據(jù)此，由上述兩種電阻測試結果可知，當?shù)谝唤饘俸辖饘优c第二金屬合金層為鈦/鑰/鈦的堆棧結構時，類金剛石/導電材料多層復合結構的散熱效果較佳；且當類金剛石/金屬堆棧層的堆棧層數(shù)增加時，亦有助于改善其散熱效果。[0085]實施例三
[0086]請參考圖5，是本發(fā)明實施例三的覆晶式發(fā)光二極管的結構示意圖。如圖5所示，本實施例與前述實施例一的覆晶式發(fā)光二極管的結構大致相同，其包括:一基板40，具有一第一表面401以及一相對于該第一表面401的第二表面402 ;—半導體嘉晶多層復合結構41,其位于該基板40的第二表面402上且該半導體嘉晶多層復合結構41包含一無摻雜半導體磊晶層411、一第一半導體磊晶層412、一活性中間層413、以及一第二半導體磊晶層414，其中，該無摻雜半導體磊晶層411、該第一半導體磊晶層412、該活性中間層413、以及該第二半導體磊晶層414為層疊設置，而該無摻雜半導體磊晶層411夾置于該第一半導體磊晶層412與該基板40之間，且該活性中間層413夾置于該第一半導體磊晶層412與該第二半導體磊晶層414之間；一反射層42，位于該半導體磊晶多層復合結構41的該第二半導體磊晶層414表面；一盲孔43，設于該半導體磊晶多層復合結構41中，并貫穿該反射層42、該第二半導體磊晶層414以及該活性中間層413，而該盲孔43抵止于該第一半導體磊晶層412上；一第一電極451,該第一電極451設置于該半導體嘉晶多層復合結構41的該盲孔43上，且其位于該半導體磊晶多層復合結構41的該第一半導體磊晶層412上方；一第一類鉆碳/導電材料多層復合結構452，填充于該半導體磊晶多層復合結構41的該盲孔43中，并覆蓋于該第一電極451上方，且電性連接該半導體磊晶多層復合結構41的該第一半導體磊晶層412 ;—第一金屬焊接層49,位于該第一類鉆碳/導電材料多層復合結構452上；一第二電極441，位于該半導體磊晶多層復合結構41的該第二半導體磊晶層414上方，并經(jīng)由該反射層42電性連接該半導體磊晶多層復合結構41的該第二半導體磊晶層414 ;一第二類鉆碳/導電材料多層復合結構442，位于該半導體磊晶多層復合結構41的該第二電極441上方，并電性連接該半導體磊晶多層復合結構41的該第二半導體磊晶層414 ;一第二金屬焊接層48，位于該第二類鉆碳/導電材料多層復合結構442上；其中，該第二類鉆碳/導電材料多層復合結構442的表面與第一類鉆碳/導電材料多層復合結構452的表面形成一共平面，且該第二金屬焊接層48的表面與該第一金屬焊接層49的表面亦形成一共平面；以及一絕緣保護層46，其隔絕所覆蓋的該第一電極451、該第二電極441、該反射層42、該第一半導體磊晶層412以及該第二半導體磊晶層414的側壁，以及該盲孔43的內(nèi)壁表面，并隔絕該第一類鉆碳/導電材料多層復合結構452與該第二半導體磊晶層414之間的直接接觸；然而，不同于前述實施例一的結構，在本實施例中，該基板40的第一表面401可通過一蝕刻處理而形成一粗糙化表面，另一方面，該基板40的第二表面402可通過一微影處里而形成一圖形化表面，進而有效提升本發(fā)明覆晶式發(fā)光二極管的出光率，并且可以控制本實施例的覆晶式發(fā)光二極管偏極以及光場分布。
[0087]實施例四
[0088]參考圖6，其本實施例的芯片板上封裝結構的結構示意圖。如圖6所示，芯片板上封裝結構包括:一電路載板6 ;以及上述實施例一所制得的覆晶式發(fā)光二極管2，其經(jīng)由該第一金屬焊接層29以及該第二金屬焊接層28電性連接該電路載板6，其中，電路載板6包含一絕緣層61、一電路基板60、以及電性連接墊63,該絕緣層61的材質(zhì)可選自由類金剛石、氧化鋁、陶瓷、含鉆石的環(huán)氧樹脂、或者上述材質(zhì)的混合物，該電路基板60是一金屬板、一陶瓷板或一娃基板。
[0089]于該芯片板上封裝結構中，可利用形成于電性連接墊63表面的焊料62，透過覆晶方式，使該第一金屬焊接層29以及該第二金屬焊接層28與該電路載板6的電性連接墊63達到電性連接。
[0090]實施例五
[0091]參考圖7，其本實施例的芯片板上封裝結構的結構示意圖。如圖7所示，芯片板上封裝結構包括:一電路載板6 ;以及上述實施例二所制得的覆晶式發(fā)光二極管4，其經(jīng)由該第一金屬焊接層49以及該第二金屬焊接層48電性連接該電路載板6，其中，電路載板6包含一絕緣層61、一電路基板60、以及電性連接墊63,該絕緣層61的材質(zhì)可選自由類金剛石、氧化招、陶瓷、含鉆石的環(huán)氧樹脂、或者上述材質(zhì)的混合物，該電路基板60 —金屬板、一陶瓷板或一娃基板。
[0092]于該芯片板上封裝結構中，可利用形成于電性連接墊63表面的焊料62，透過覆晶方式，使該第一金屬焊接層49以及該第二金屬焊接層48與該電路載板6的電性連接墊63達到電性連接。
[0093]綜上所述，本發(fā)明的覆晶式發(fā)光二極管，其具有緩沖熱膨脹系數(shù)差異(coefficient thermal expansion mismatch)及集中出光的結構設計，可在發(fā)光二極管運作產(chǎn)生熱量的過程中持續(xù)使熱量散失。即使有部分熱量沒有自發(fā)光二極管中散失而促使整體結構產(chǎn)生熱膨脹，其中設置的類金剛石/導電材料多層復合結構亦可緩沖對應的熱應力，而保護不受損傷，并且能匯聚光束于出光面而提升出光率。
[0094]上述實施例僅是為了方便說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權利范圍自應以申請專利范圍所述為準，而非僅限于上述實施例。
【權利要求】
1.一種覆晶式發(fā)光二極管，包括: 一基板，具有一第一表面以及一相對于該第一表面的第二表面； 一半導體磊晶多層復合結構，其位于該基板的該第二表面上方且包含一第一半導體磊晶層、一第二半導體磊晶層以及一盲孔，其中，該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層為層疊設置，且該盲孔貫穿該第二半導體磊晶層； 一第一電極，位于該半導體磊晶多層復合結構的該第一半導體磊晶層上方； 一第一類金剛石/導電材料多層復合結構，填充于該半導體嘉晶多層復合結構的該盲孔中，并覆蓋于該第一電極上方，且電性連接該半導體磊晶多層復合結構的該第一半導體嘉晶層; 一第二電極，位于該半導體磊晶多層復合結構的該第二半導體磊晶層上方；以及 一第二類金剛石/導電材料多層復合結構，位于該半導體磊晶多層復合結構的該第二電極上方，并電性連接該半導體磊晶多層復合結構的該第二半導體磊晶層。
2.如權利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，還包括一絕緣保護層，覆蓋該半導體磊晶多層復合結構的該第一半導體磊晶層的側壁以及該第二半導體磊晶層的側壁，以及該盲孔的內(nèi)壁表面，以隔絕及該第一類金剛石/導電材料多層復合結構與該第二半導體磊晶層之間的接觸。
3.如權利要求2所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該絕緣保護層由兩種或以上的不同折射率材料堆棧設置。
4.如權利要求3所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該不同折射率材料至少一選自由絕緣類金剛石(Isolated DLC)、氧化鈦(TixOy)、二氧化硅(Si02)、砷化鎵(GaAs)、以及砷化鋁(AlAs)所組成的群組。
5.如權利要求2所述的覆晶式發(fā)光二極管，還包括在該絕緣保護層的外側設置一金屬保護層。
6.如權利要求5所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該金屬保護層至少一選自由鋁(Al)、鈦(Ti)、鑰(Mo)、鎳(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鉬(Pt)、或其合金所組成的群組。
7.如權利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該第二表面為一圖形化表面。
8.如權利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該第一表面為一圖形化表面或一粗糙化表面。
9.如權利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，該半導體磊晶多層復合結構還包括一無摻雜半導體磊晶層，該無摻雜半導體磊晶層夾置于該第一半導體磊晶層與該基板的該第二表面之間。
10.如權利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，該半導體磊晶多層復合結構還包括一活性中間層，該活性中間層夾置于該第一半導體磊晶層與該第二半導體磊晶層之間。
11.如權利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該第一類金剛石/導電材料多層復合結構包括一第一類金剛石/金屬堆棧層與一第一金屬合金層，且該第一金屬合金層設置于該第一類金剛石/金屬堆棧層上；以及該第二類金剛石/導電材料多層復合結構包括一第二類金剛石/金屬堆棧層與一第二金屬合金層，且該第二金屬合金層設置于該第二類金剛石/金屬堆棧層上。
12.如權利要求11所述的覆 晶式發(fā)光二極管，其中，該第一類金剛石/金屬堆棧層、以及該第二類金剛石/金屬堆棧層為I至10層類金剛石與I至10層鈦交互堆棧設置的多層結構，并且以類金剛石各自獨立電性連接該第一金屬合金層及該第二金屬合金層。
13.如權利要求11所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該第一類金剛石/金屬堆棧層、以及該第二類金剛石/金屬堆棧層為2至4層類金剛石與2至4層鈦交互堆棧設置的多層結構。
14.如權利要求11所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該第一金屬合金層、以及該第二金屬合金層為鈦/鑰/鈦依序堆棧設置的三層結構，并且以鈦各自獨立電性連接該第一類金剛石/金屬堆棧層、以及該第二類金剛石/金屬堆棧層。
15.如權利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該第一類金剛石/導電材料多層復合結構的表面與該第二類金剛石/導電材料多層復合結構的表面形成一共平面。
16.如權利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，還包括:一第一金屬焊接層，位于該第一類金剛石/導電材料多層復合結構上；以及一第二金屬焊接層，位于該第二類金剛石/導電材料多層復合結構上，其中，該第二金屬焊接層的表面與該第一金屬焊接層的表面形成一共平面。
17.如權利要求16所述的覆晶式發(fā)光二極管，該第一金屬焊接層或該第二金屬焊接層的材質(zhì)選自由鎳(Ni)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉬(Pt)、金(Au)、錫(Sn)、銦(In)、鉻(Cr)、或其合金所組群組的至少一者。
18.如權利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，還包含一反射層，夾置于該半導體磊晶多層復合結構與該第二電極之間。
19.如權利要求1所述的覆晶式發(fā)光二極管，其中，該第一半導體磊晶層、該第一電極以及該第一類金剛石/導電材料多層復合結構是N型，該第二半導體磊晶層、該第二電極以及該第二類金剛石/導電材料多層復合結構是P型。
20.—種芯片板上封裝結構(chip on board, COB),包括: 一電路載板；以及 一如權利要求1至第19項中任一項所述的覆晶式發(fā)光二極管，其是經(jīng)由該第一金屬焊接層以及該第二金屬焊接層封裝于該電路載板。
21.如權利要求20所述的覆芯片板上封裝結構，其中，該電路載板包含一絕緣層、以及一電路基板，該絕緣層的材質(zhì)是選自由類金剛石、氧化鋁、陶瓷、以及含鉆石的環(huán)氧樹脂所組群組的至少一者。
22.如權利要求21所述的覆芯片板上封裝結構，其中，該電路基板一金屬板、一陶瓷板或一娃基板。
【文檔編號】H01L33/62GK103779464SQ201210489396
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2012年11月26日 優(yōu)先權日:2012年10月22日
【發(fā)明者】甘明吉, 宋健民, 蔡百揚 申請人:錸鉆科技股份有限公司