專(zhuān)利名稱(chēng)：石墨烯晶體管以及制造石墨烯器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開(kāi)涉及石墨烯器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
硅(Si)基半導(dǎo)體器件的集成度和容量已經(jīng)被極大地提高。然而，由于Si材料的特性和制造工藝的限制，預(yù)計(jì)在將來(lái)實(shí)現(xiàn)更高集成和更高容量的Si基半導(dǎo)體器件會(huì)更加困難。因此，正在對(duì)克服Si基半導(dǎo)體器件的限制的下一代器件進(jìn)行研究。例如，已經(jīng)試圖通過(guò)使用諸如石墨烯的碳基納米結(jié)構(gòu)來(lái)制造高性能器件。石墨烯是由碳原子構(gòu)成的單層六邊形結(jié)構(gòu)，它是化學(xué)穩(wěn)定和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的，并表現(xiàn)出期望的電/物理性質(zhì)。例如，石墨烯具有高達(dá)約2X 105cm2/Vs的電荷遷移率，比硅的電荷遷移率快一百倍以上，并具有約108A/cm2的電流密度，比銅(Cu)的電流密度大一百倍以上。因此，石墨烯作為克服一般器件的限制的下一代材料已經(jīng)受到 關(guān)注。然而，因?yàn)樵谑┑男纬晒に囍写嬖谝恍┫拗?，所以利用石墨烯?lái)制造器件是相對(duì)困難的。通過(guò)現(xiàn)有的技術(shù)，在絕緣薄膜上生長(zhǎng)高質(zhì)量的石墨烯是相對(duì)困難的。因此，石墨烯不得不形成在金屬薄膜上然后被轉(zhuǎn)移到另一基板上。然而，在轉(zhuǎn)移石墨烯期間，石墨烯會(huì)具有一些缺陷或被暴露于污染物。此外，對(duì)石墨烯的操作也是不容易的。因此，制造應(yīng)用石墨烯的器件受到限制。

發(fā)明內(nèi)容
各個(gè)實(shí)施例涉及高性能石墨烯器件及其制造方法。各個(gè)實(shí)施例還涉及制造石墨烯器件的方法，在該方法中對(duì)石墨烯的損傷或污染被防止或最小化?！N制造石墨烯器件的方法可以包括:在第一基板上形成石墨烯層；在第一基板上形成器件部分，該器件部件包括石墨烯層；將第二基板附接到器件部分上；以及移除第
一基板。形成器件部分可以包括形成分別接觸石墨烯層的第一區(qū)和第二區(qū)的源電極和漏電極。形成器件部分可以包括:形成覆蓋石墨烯層、源電極和漏電極的柵絕緣層；以及在柵絕緣層上且在源電極與漏電極之間形成柵極。該方法還可以包括:形成覆蓋器件部分且設(shè)置于器件部分與第二基板之間的絕緣層；以及蝕刻部分的絕緣層和部分的柵絕緣層以暴露源電極、漏電極和柵極。該方法還可以包括:在移除第一基板之后，將第三基板附接在器件部分上，其中器件部分設(shè)置在第二基板與第三基板之間。該方法還可以包括移除第二基板。第三基板可以是玻璃基板、塑料基板和聚合物基板之一。
第三基板可以是柔性基板。該方法還可以包括在器件部分與第三基板之間形成保護(hù)層。該方法還可以包括在移除第一基板之后形成覆蓋器件部分的絕緣層，其中器件部分設(shè)置在絕緣層與第二基板之間。源電極、漏電極和柵極可以形成為分別包括第一焊墊部、第二焊墊部和第三焊墊部，其中絕緣層形成為覆蓋第一至第三焊墊部。該方法還可以包括蝕刻部分的絕緣層以暴
露第一至第三焊墊部。該方法還可以包括:在移除第一基板之后形成覆蓋石墨烯層、源電極和漏電極的柵絕緣層；以及在柵絕緣層上且在源電極與漏電極之間形成柵極。源電極和漏電極可以形成為分別包括第一焊墊部和第二焊墊部，該方法還可以包括蝕刻部分的柵絕緣層以暴露第一焊墊部和第二焊墊部。該方法還可以包括在第一基板與石墨烯層之間形成催化劑層。該方法還可以包括在第一基板與催化劑層之間形成中間層。移除第一基板可以包括蝕刻催化劑層。移除第一基板可以包括蝕刻催化劑層和中間層之一。該方法還可以包括在附接第二基板之前，在第一基板上形成覆蓋器件部分的保護(hù)層。

第二基板可以是聚合物基板。該方法還可以包括:在第一基板上形成包括多個(gè)器件部分的器件層；以及通過(guò)圖案化器件層而分離多個(gè)器件部分。犧牲層可以進(jìn)一步設(shè)置在第一基板與器件層之間。移除第一基板可以包括通過(guò)在多個(gè)器件部分之間注入蝕刻溶液而蝕刻犧牲層。犧牲層可以是金屬層或絕緣層。一種石墨烯晶體管可以包括:在基板上的第一絕緣層，該第一絕緣層具有凹入部；石墨烯器件部分，形成在第一絕緣層的凹入部上；以及第二絕緣層，形成為覆蓋石墨烯器件部分，其中石墨烯器件部分可以包括:柵極；覆蓋柵極的柵絕緣層；在柵極兩側(cè)的柵絕緣層上的源電極和漏電極；以及接觸源電極和漏電極的石墨烯層。 柵絕緣層可以在石墨烯層周?chē)由斓降谝唤^緣層上。柵絕緣層的延伸到第一絕緣層上的部分可以具有與石墨烯層相同的高度。柵極可以與源電極和漏電極交疊?；蹇梢允蔷酆衔锘?。根據(jù)另一非限制實(shí)施例，一種石墨烯晶體管可以包括:形成在基板上的保護(hù)層；形成在保護(hù)層中的源電極和漏電極；石墨烯層，形成為連接源電極和漏電極并設(shè)置在與保護(hù)層的上表面相同的高度處；柵絕緣層，形成在保護(hù)層上并覆蓋石墨烯層；以及柵極，形成在柵絕緣層上。石墨烯層的上表面與在石墨烯層周?chē)谋Ｗo(hù)層的上表面可以處于相同的高度。源電極可以設(shè)置在石墨烯層的第一區(qū)下面，漏電極可以設(shè)置在石墨烯層的第二區(qū)下面?；蹇梢允蔷酆衔锘濉?br>

通過(guò)結(jié)合附圖的下列描述，示例實(shí)施例的以上和/或其他的方面將變得更加明顯并更易于理解，在附圖中:圖1A至圖1L是示出根據(jù)非限制實(shí)施例的制造石墨烯器件的方法的截面圖；圖2A至圖2D是示出根據(jù)非限制實(shí)施例的形成圖1B中示出的結(jié)構(gòu)的方法的截面圖；圖3A至圖3D是示出根據(jù)非限制實(shí)施例的制造石墨烯器件的另一方法的截面圖；圖4A是示出根據(jù)非限制實(shí)施例的圖3C的石墨烯器件的平面結(jié)構(gòu)的平面圖；圖4B是示出根據(jù)非限制實(shí)施例的圖3D的平面結(jié)構(gòu)的平面圖；圖5是示出圖4A的修改示例的平面圖；圖6A至圖6D是示出根據(jù)非限制實(shí)施例的制造石墨烯器件的另一方法的截面圖；圖7A是示出圖6C的平面結(jié)構(gòu)的平面圖；圖7B是示出圖6D的平面結(jié)構(gòu)的平面圖；以及圖8A至圖SE是示出根據(jù)非限制實(shí)施例的制造石墨烯器件的另一方法的截面圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將更詳細(xì)地參照各個(gè)示例實(shí)施例，示例實(shí)施例可以在附圖中示出，其中相似的附圖標(biāo)記通篇指代相似的元 件。在這點(diǎn)上，示例實(shí)施例可以具有不同的形式且不應(yīng)被解釋為限于這里給出的描述。因此，以下通過(guò)參照附圖僅描述各個(gè)示例實(shí)施例來(lái)解釋本說(shuō)明書(shū)的多個(gè)方面。如這里所用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)所列相關(guān)項(xiàng)目的任何及所有組合。諸如“……中至少之一”的表述，當(dāng)在一列元件之前時(shí)，修改元件的整個(gè)列表而不修改該列表中的各個(gè)兀件?，F(xiàn)在將參照附圖更充分地描述各個(gè)示例實(shí)施例，在附圖中示出示例實(shí)施例。將理解，當(dāng)一元件被稱(chēng)為“連接”或“耦接”到另一元件時(shí)，它可以直接連接到或直接耦接到另一元件，或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)一元件被稱(chēng)為“直接連接”或“直接耦接”到另一元件時(shí)，則沒(méi)有中間元件存在。如這里所用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)所列相關(guān)項(xiàng)目的任何及所有組合。將理解，雖然這里可以使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等來(lái)描述各個(gè)元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分應(yīng)不受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)別開(kāi)。因此，以下討論的第一元件、第一部件、第一區(qū)域、第一層或第一部分可以被稱(chēng)為第二元件、第二部件、第二區(qū)域、第二層或第二部分，而不背離示例實(shí)施例的教導(dǎo)。為了描述的方便，這里可以使用空間相對(duì)性術(shù)語(yǔ)諸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等來(lái)描述如附圖所示的一個(gè)元件或特征與另一個(gè)(另一些)元件或特征的關(guān)系。將理解，空間相對(duì)性術(shù)語(yǔ)旨在涵蓋除附圖所示的取向之外器件在使用或操作中的不同方向。例如，如果附圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其他元件或特征的“下面”或“下方”的元件將會(huì)取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，術(shù)語(yǔ)“下面”能夠涵蓋之上和之下兩種取向。器件也可以有其它取向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它取向)，這里所使用的空間相對(duì)描述符作相應(yīng)地解釋。這里所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述特定的實(shí)施例的目的，而不意在限制示例實(shí)施例。如這里所用的，單數(shù)形式“一”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地指示另外的意思。還將理解，術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，指定了所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或構(gòu)件的存在，但并不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、構(gòu)件和/或其組合的存在或增加。這里參照截面圖描述了示例實(shí)施例，這些截面圖是示例實(shí)施例的理想化實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因此，由例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示形狀的變化是可能發(fā)生的。因此，示例實(shí)施例不應(yīng)被解釋為限于這里所示的區(qū)域的特定形狀，而是包括由例如制造引起的形狀偏差在內(nèi)。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)將通常具有倒圓或彎曲的特征和/或在其邊緣處的注入濃度的梯度而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。類(lèi)似地，通過(guò)注入形成的埋入?yún)^(qū)可以導(dǎo)致在埋入?yún)^(qū)與通過(guò)其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，附圖中示出的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀不旨在示出器件的區(qū)域的真實(shí)形狀并且不旨在限制示例實(shí)施例的范圍。除非另行定義，這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))都具有本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所通常理解的同樣的含義。將進(jìn)一步理解的是，諸如通用詞典中所定義的術(shù)語(yǔ)，除非此處加以明確定義，否則應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域的語(yǔ)境中的含義相一致的含義，而不應(yīng)被解釋為理想化的或過(guò)度形式化的意義。在下文，將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)示例實(shí)施例的石墨烯器件及其制造方法。在附圖中，為了清晰，層和區(qū)域的寬度和厚度可以被夸大。相同的附圖標(biāo)記在所有附圖中代表相同的兀件。圖1A至圖1L是示出根據(jù)非限制實(shí)施例的制造石墨烯器件的方法的截面圖。

參照?qǐng)D1A，催化劑層CTl可以形成在第一基板SUBl上。可以使用例如硅基板作為第一基板SUB1。在形成催化劑層CTl之前，期望的或預(yù)定的中間層NI可以首先形成在第一基板SUBl上，然后催化劑層CTl可以形成在中間層NI上。中間層NI可以防止或減少基板SUBl與催化劑層CTl之間的反應(yīng)，例如硅化反應(yīng)。此外，中間層NI可以防止或減少第一基板SUBl與催化劑層CTl之間的材料擴(kuò)散。中間層NI可以形成為絕緣層，例如硅氧化物層。當(dāng)?shù)谝换錝UBl是硅基板時(shí)，第一基板SUBl的表面部分(上表面部分)可以被氧化以形成硅氧化物層，該硅氧化物層將被用作中間層NI。中間層NI的厚度可以為約IOOnm至約300nm。形成中間層NI的材料和方法不限于如上所述的材料和方法且可以改變。例如，中間層NI可以形成為氮化物層，而且也可以利用除氧化法之外的其他方法形成。根據(jù)情況，也可以不形成中間層NI。催化劑層CTl可以由選自由N1、Cu、Co、Pt和Ru及其組合構(gòu)成的組中的至少一種金屬形成。催化劑層CTl可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。催化劑層CTl可以使用各種方法形成，諸如鍍覆、蒸鍍(evaporation)、派射、化學(xué)氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)。催化劑層CTl可以形成為具有約IOOnm至約500nm的厚度。接著，石墨烯層GPl可以形成在催化劑層CTl上。石墨烯層GPl可以利用CVD法或熱解法形成。當(dāng)利用CVD法形成石墨烯層GPl時(shí)，含碳的源氣體可以供應(yīng)到催化劑層CTl上?？梢圆捎美鏑H4、C2H2、C2H4、C0等作為源氣體。為了形成石墨烯層GP1，可以使用在約700°C至1100°C執(zhí)行的相對(duì)高溫工藝。因此，第一基板SUBl可以由耐高溫工藝的材料形成。在此方面，第一基板SUBl可以是硅基板。然而，除硅基板之外的耐高溫工藝的任何其他的基板可以用作第一基板SUBl。例如，石英基板可以用作第一基板SUB1。根據(jù)情況，SiC基板可以用作第一基板SUB1。當(dāng)使用SiC基板作為第一基板SUBl時(shí)，石墨烯層GPl可以直接形成在SiC基板上而在其間沒(méi)有催化劑層CTl。參照?qǐng)D1B，在將石墨烯層GPl圖案化為預(yù)定的、期望的或給定的形狀之后，可以形成分別接觸石墨烯層GPl的第一區(qū)和第二區(qū)的源電極SI和漏電極D1。源電極SI和漏電極Dl可以分別形成在石墨烯層GPl的第一端和第二端處。石墨烯層GPl的位于源電極SI與漏電極Dl之間的部分可以被稱(chēng)為“溝道區(qū)”。如圖1B所示的石墨烯層GP1、源電極SI和漏電極Dl可以利用各種方法形成。例如，圖1A的石墨烯層GPl可以在第一掩模操作中被圖案化，然后形成在石墨烯層GPl上的導(dǎo)電層可以在第二掩模操作中被圖案化以形成源電極SI和漏電極D1?；蛘?，用于形成源極/漏極的導(dǎo)電層可以形成在圖1A的石墨烯層GPl上，然后石墨烯層GPl和導(dǎo)電層可以利用掩模被一起圖案化(第一圖案化)。接著，導(dǎo)電層可以利用另一掩模被圖案化(第二圖案化)。通過(guò)第一圖案化操作，可以獲得圖1B示出的石墨烯層GP1，源電極SI和漏電極Dl可以通過(guò)第一和第二圖案化操作而獲得?；蛘?，在以圖1B所示的形式圖案化石墨烯層GPl之后，源電極SI和漏電極Dl可以利用剝離法形成在石墨烯層GPl上。在下文，將參照?qǐng)D2A至圖2D描述用于形成圖1B的結(jié)構(gòu)的各種非限制方法之一。參照?qǐng)D2A，用于形成源電極和漏電極的導(dǎo)電層SDl可以形成在圖1A的石墨烯層GPl上,第一掩模圖案Ml可以形成在導(dǎo)電層SDl上。參照?qǐng)D2B，導(dǎo)電層SDl和石墨烯層GPl可以利用第一掩模圖案Ml作為蝕刻阻擋物而被依次蝕刻。 因此，導(dǎo)電層SDl和石墨烯層GPl可以被圖案化為相同的形狀(當(dāng)從上方觀看時(shí))。參照?qǐng)D2C，在移除第一掩模圖案Ml之后，第二掩模圖案M2可以形成在導(dǎo)電層SDl上。第二掩模圖案M2可以是用于形成源電極和漏電極的蝕刻掩模。參照?qǐng)D2D，通過(guò)利用第二掩模圖案M2作為蝕刻阻擋物，導(dǎo)電層SDl可以被蝕刻。結(jié)果，可以形成源電極SI和漏電極D1。然后，通過(guò)移除第二掩模圖案M2，可以獲得如圖1B所示的結(jié)構(gòu)?？梢岳美缯翦兎ㄐ纬捎糜谛纬稍措姌OSI和漏電極Dl的導(dǎo)電層，即導(dǎo)電層SDl0由于石墨烯層GPl會(huì)被等離子體損傷，所以導(dǎo)電層SDl可以利用不使用等離子體的方法形成。該方法的示例是蒸鍍法。然而，形成用于形成源極/漏極的導(dǎo)電層SDl的方法不限于蒸鍍法且可以改變。此外，當(dāng)圖案化(蝕刻)導(dǎo)電層SDl時(shí)，可以采用不使用等離子體的方法，例如濕法蝕刻法?；蛘撸梢允褂脛冸x法直接形成彼此分離的源電極SI和漏電極D1。再次參照?qǐng)D1B，源電極SI和漏電極Dl可以由能與石墨烯層GPl形成歐姆接觸的材料形成。例如，源電極SI和漏電極Dl可以由選自Au、Cu、N1、T1、Pt、Ru和Pd或其組合構(gòu)成的組的材料(金屬)形成。具體地，源電極SI和漏電極Dl可以例如由Ti/Au或Pd/Au形成。根據(jù)情況，歐姆接觸層(未示出)可以進(jìn)一步形成在石墨烯層GPl與源電極SI和漏電極Dl中的每個(gè)之間。在此情形下，即使是不與石墨烯層GPl形成歐姆接觸的材料也可以用于形成源電極SI和漏電極Dl。
參照?qǐng)D1C，覆蓋石墨烯層GPl以及源電極SI和漏電極Dl的柵絕緣層GIl可以形成在催化劑層CTl上。柵絕緣層GIl可以由Si氧化物、Si氮化物、Si氮氧化物、或具有比Si氮化物高的介電常數(shù)的高k材料、或諸如聚合物的有機(jī)材料形成，該高k材料諸如是Al氧化物、Hf氧化物等?；蛘?，至少兩種上述材料的混合物可以用于形成柵絕緣層GI1。柵絕緣層GIl可以利用諸如熱ALD法、熱CVD發(fā)或蒸鍍法的方法形成。當(dāng)形成柵絕緣層GIl時(shí)，工藝溫度可以為約400°C或以下。然而，根據(jù)情況，工藝溫度可以高于400°C。柵絕緣層GIl的厚度可以例如為約IOnm至約30nm。接著，柵極Gl可以形成在源電極SI與漏電極Dl之間的柵絕緣層GIl上。柵極Gl可以在一定程度上延伸至源電極SI和漏電極Dl上方。S卩，柵極Gl可以具有與源電極SI和漏電極Dl交疊一定程度的結(jié)構(gòu)。然而，根據(jù)情況，柵極Gl可以不與源電極SI和漏電極Dl交疊。此外，即使圖1C的柵極Gl高于柵絕緣層GIl，但是柵極Gl的高度也可以基本上與柵絕緣層GIl的高度相同或相似。柵絕緣層GIl的高度是指形成在源電極S I和漏電極Dl上的柵絕緣層GIl的高度。柵極Gl可以由典型的半導(dǎo)體器件中使用的導(dǎo)電材料(例如金屬、導(dǎo)電氧化物等)形成。如果柵極Gl如上所述形成，則柵極Gl相對(duì)于源電極SI和漏電極Dl的位置可以被自對(duì)準(zhǔn)。由于柵極Gl填滿源電極SI與漏電極Dl之間的空間，所以柵極Gl相對(duì)于源電極S I和漏電極Dl的位置可以被自對(duì)準(zhǔn)。此外，當(dāng)柵極Gl與源電極SI和漏電極Dl交疊時(shí)，即使當(dāng)柵極Gl稍微未對(duì)準(zhǔn)時(shí)，有效柵極區(qū)的位置也不改變，而是可以保持不變。有效柵極區(qū)指的是柵極Gl位于源電極SI和漏電極Dl之間的區(qū)域。如上所述，由于柵極Gl相對(duì)于源電極SI和漏電極Dl的位置被自對(duì)準(zhǔn)，所以可以防止(或減少)未對(duì)準(zhǔn)，并可以最小化源電極SI與漏電極Dl之間的電阻。參照?qǐng)D1D，覆蓋柵絕緣層GIl和柵極Gl的絕緣層ILl可以形成在第一基板SUBl上。絕緣層ILl可以例如由Si氧化物、Si氮化物或Si氮氧化物形成。絕緣層ILl的厚度例如可以為約IOOnm至約500nm。參照?qǐng)D1E，部分的絕緣層ILl和柵絕緣層GIl可以被蝕刻以分別暴露部分的柵極G1、源電極SI和漏電極D1。然而，應(yīng)該理解，可以在不同的時(shí)刻(階段)執(zhí)行暴露部分的柵極G1、源電極SI和漏電極 Dl的開(kāi)口操作。例如，根據(jù)非限制實(shí)施例，開(kāi)口操作可以在制造石墨烯器件的方法的最后階段執(zhí)行。通過(guò)利用以上參照?qǐng)D1A至圖1E描述的方法，包括石墨烯層GPl的器件部分DPl可以形成在第一基板SUBl上。器件部分DPl可以是“石墨烯晶體管”。參照?qǐng)D1F，覆蓋器件部分DPl的第一保護(hù)層Pl可以形成在第一基板SUBl上。第一保護(hù)層Pl可以通過(guò)例如旋涂法由聚合物材料或旋涂玻璃(SOG)材料形成。第一保護(hù)層Pl可以形成為具有平面結(jié)構(gòu)。如果第一保護(hù)層Pl的表面不是平面的，則可以額外執(zhí)行用于平坦化表面的平坦化工藝。第一保護(hù)層Pl可以用于使在后續(xù)操作中附接第二基板SUB2容易(見(jiàn)圖1G)。此外，當(dāng)在后續(xù)操作中移除第一基板SUBl時(shí)，第一保護(hù)層Pl可以保護(hù)器件部分 DPI。參照?qǐng)D1G，第二基板SUB2可以附接在第一保護(hù)層Pl上。第二基板SUB2可以被看作是附接在第一基板SUBl上，器件部分DPl和第一保護(hù)層Pl插設(shè)在其間。例如，第二基板SUB2可以是包括聚合物的基板。具體地，第二基板SUB2可以是膠帶。膠帶可以是基于紫外線而失去粘著力的紫外(UV)釋放型膠帶或基于熱而失去粘著力的熱釋放型膠帶。或者，第二基板SUB2可以由聚合物形成，該聚合物可以通過(guò)使用預(yù)定的或期望的溶劑來(lái)移除。然而，用于形成第二基板SUB2的材料不限于諸如膠帶的聚合物，并且可以改變。根據(jù)情況，第二基板SUB2可以由玻璃或硅(Si )形成。在此情形下，在第一保護(hù)層Pl與第二基板SUB2之間可以進(jìn)一步包括預(yù)定的或期望的粘著層(未示出)。第二基板SUB2可以防止或減少在隨后分離第一基板SUBl時(shí)或在另一后續(xù)操作中器件部分DPl的起皺和折疊。根據(jù)情況，第一保護(hù)層Pl可以起到第二基板SUB2的功能。在此情形下，第一保護(hù)層Pl可以被看作基板，因此，可以不包括第二基板SUB2。參照?qǐng)D1H，第一基板SUBl可以被移除/分離。第一基板SUBl可以通過(guò)蝕刻催化劑層CTl和/或中間層NI而被移除/分離。根據(jù)非限制實(shí)施例，第一基板SUBl通過(guò)蝕刻催化劑層CTl而被移除/分離。當(dāng)蝕刻催化劑層CTl時(shí)，可以使用用于蝕刻金屬的蝕刻劑諸如FeCl3或!1勵(lì)3。如果第一基板SUBl通過(guò)蝕刻中間層NI而不是催化劑層CTl而被移除，則為了蝕刻中間層NI，可以使用例如含HF的蝕刻溶液。移除/分離第一基板SUBl的方法不限于以上所述，可以改變。例如，第一基板SUBl的大部分可以利用拋光(polishing)工藝移除，第一基板SUBl的剩余部分可以利用預(yù)定的或期望的蝕刻溶液移除，然后中間層NI和催化劑層CTl可以被依次移除。作為用于移除剩余的第一基板SUBl的蝕刻溶液，可以使用例如KOH或四甲基氫氧化銨(TMAH)。參照?qǐng)D1I，第二保護(hù)層P2可以形成在通過(guò)移除第一基板SUBl而暴露的器件部分DPl的下表面上。第二保護(hù)層P2可以保護(hù)石墨烯層GPl使得石墨烯層GPl的性質(zhì)/特性不改變。例如，第二保護(hù)層P2可以由Si氧化物、Si氮化物、Si氮氧化物、或者諸如Al氧化物或Hf氧化物的高k材料或聚合物形成。第二保護(hù)層P2可以利用不損傷石墨烯層GPl的方法形成，諸如熱ALD法、熱CVD法或蒸鍍法。雖然在圖1I中，第二保護(hù)層P2被示出為形成在器件部分DPl的下表面上，但是實(shí)際上，第二保護(hù)層P2可以在翻轉(zhuǎn)包括第二基板SUB2和器件部分DPl的結(jié)構(gòu)(即，翻轉(zhuǎn)器件部分DPl的石墨烯層GPl以面朝上)之后形成。參照?qǐng)D1J，第三基板SUB3可以附接在第二保護(hù)層P2上。第三基板SUB3可以被看作附接到器件部分DP1，第二保護(hù)層P2插設(shè)在其間。第三基板SUB3可以為例如玻璃基板、塑料基板或聚合物基 板。第三基板SUB3可以是柔性基板或也可以是剛性基板。當(dāng)選擇第三基板SUB3的材料時(shí)，沒(méi)有諸如工藝溫度的限制，因此，各種基板都可以用作第三基板SUB3。
參照?qǐng)D1K，可以移除第二基板SUB2。例如，當(dāng)?shù)诙錝UB2是熱釋放型膠帶時(shí)，第二基板SUB2可以通過(guò)施加熱在約200°C被容易地移除。移除方法可以根據(jù)第二基板SUB2的類(lèi)型而改變。接著，可以移除第一保護(hù)層P1。第一保護(hù)層Pl可以利用氧等離子體工藝或濕法蝕刻工藝移除。如果第一保護(hù)層Pi是聚合物，則第一保護(hù)層Pi可以利用氧等離子體工藝移除，如果第一保護(hù)層Pl是電介質(zhì)層，則第一保護(hù)層Pl可以利用濕法蝕刻工藝移除。在移除第一保護(hù)層Pl之后的所得結(jié)構(gòu)在圖1L中示出。參照?qǐng)D1L，包括石墨烯層GPl的器件部分DPl可以形成在第三基板SUB3上。如上所述，根據(jù)非限制實(shí)施例，在第一基板SUBl上制造包括石墨烯層GPl的器件部分DPl之后，器件部分DPl可以被附接在另一基板上，也就是在第三基板SUB3上。在此工藝中，為了可操作性，可以臨時(shí)地使用支撐器件部分DPl的第二基板SUB2，并且第一基板SUBl可以被移除。換言之，根據(jù)非限制實(shí)施例的工藝可以包括在第一基板SUBl上的石墨烯生長(zhǎng)和器件制造操作、以及將制造的器件附接在另一基板(即，第三基板SUB3)上。在此工藝中，可以防止或最小化對(duì)石墨烯層GPl的損傷或污染，因此可以制造具有更高質(zhì)量的石墨烯器件。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，石墨烯生長(zhǎng)在第一基板上然后被轉(zhuǎn)移到另一基板，器件制造操作在該另一基板上執(zhí)行。在此情形下，由于石墨烯被單獨(dú)轉(zhuǎn)移而沒(méi)有被圖案化，所以石墨烯會(huì)破裂或起皺，且會(huì)暴露于污染物使得石墨烯的質(zhì)量會(huì)容易劣化。然而，根據(jù)非限制實(shí)施例，在第一基板SUBl上形成包括石墨烯GPl的器件部分DPl之后，整個(gè)器件部分DPl可以附接在另一基板(即，第三基板SUB3)上。因此，可以最小化對(duì)石墨烯層GPl的損傷或污染，因而，可以制造具有更聞質(zhì)量的石墨稀器件。而且，由于柵極Gl關(guān)于源電極S I和漏電極Dl的位置是自對(duì)準(zhǔn)的，所以可以最小化源電極SI與漏電極Dl之間的電阻，并可以改善石墨烯器件的操作特性。此外，由于各種基板可以作為用作最終基板的第三基板SUB3，所以石墨烯器件的可用性可以提高，其應(yīng)用領(lǐng)域可以擴(kuò)大。例如，當(dāng)柔性基板用作第三基板SUB3時(shí)，根據(jù)非限制實(shí)施例的石墨烯器件可以用在柔性顯示器件中；當(dāng)諸如玻璃基板的透明基板用作第三基板SUB3時(shí)，石墨烯器件可以應(yīng)用于透明顯示器件。此外，根據(jù)非顯示實(shí)施例的石墨烯器件可以應(yīng)用于用于高頻應(yīng)用(applications)的射頻(RF)器件而不是顯示器件。圖3A至圖3D是示出根據(jù)非限制實(shí)施例的制造石墨烯器件的另一方法的截面圖。參照?qǐng)D3A，類(lèi)似于參照?qǐng)D1A至圖1G描述的方法，可以制備這樣的結(jié)構(gòu)，其中器件部分DPI’形成在第一基板SUBl上且第二基板SUB2附接在器件部分DPI’上。器件部分DPI’可以包括石墨烯層GP1、源電極S1、漏電極D1、柵絕緣層GIl和柵極G1。此外，可以進(jìn)一步包括覆蓋這些層的絕緣層IL1。在圖3A的結(jié)構(gòu)中，與圖1G的結(jié)構(gòu)不同，絕緣層ILl和柵絕緣層GIl可以不被圖案化(蝕刻)。第一保護(hù)層Pl可以形成在絕緣層ILl上，第二基板SUB2可以附接在第一保護(hù)層Pl上。參照?qǐng)D3B，類(lèi)似于圖1H的操作，第一基板SUBl可以被移除/分離。雖然在非限制實(shí)施例中第一基板SUBl通過(guò)蝕刻催化劑層CTl來(lái)移除/分離，但是可以蝕刻中間層NI來(lái)移除/分離第一基板SUB1。當(dāng)通過(guò)蝕刻中`間層NI來(lái)移除或分離第一基板SUBl時(shí)，可以額外執(zhí)行移除催化劑層CTl的工藝。參照?qǐng)D3C，其上形成器件部分DPI’的第二基板SUB2可以被翻轉(zhuǎn)，第二絕緣層IL2可以形成在器件部分DPI’上。第二絕緣層IL2可以由與絕緣層ILl (在下文稱(chēng)為第一絕緣層ILl)相同或相似的材料形成。第二絕緣層IL2可以利用不損傷石墨烯層GPl的方法形成，諸如熱ALD法、熱CVD法或蒸鍍法。圖3C的器件部分DPI’可以具有例如圖4A所示的平面結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D4A，石墨烯層GPl可以在X軸方向延伸。源電極SI可以接觸石墨烯層GPl的第一端并可以包括延伸到石墨烯層GPl外側(cè)的第一焊墊部roi。類(lèi)似地，漏電極Dl可以接觸石墨烯層GPl的第二端并可以包括延伸到石墨烯層GPl外側(cè)的第二焊墊部TO2。柵極Gl可以與石墨烯層GPl的中心部分交疊并可以包括在Y軸方向延伸的第三焊墊部TO3。第二絕緣層IL2可以形成為覆蓋石墨烯層GP1、源電極S1、漏電極Dl和柵極G1。沿圖4A的線A-A’截取的截面圖可以類(lèi)似于圖3C。因此，雖然在圖3C中沒(méi)有示出，但是源電極S1、漏電極Dl和柵極Gl可以分別包括第一焊墊部HH、第二焊墊部PD2和第三焊墊部TO3。接著，可以形成如圖3D所示的結(jié)構(gòu)。圖3D所示的結(jié)構(gòu)可以對(duì)應(yīng)于與圖4A的第一至第三焊墊部PDl至PD3相關(guān)的操作。具體地，可以通過(guò)蝕刻部分的第二絕緣層IL2和部分的柵絕緣層GIl而形成暴露第一至第三焊墊部PDl至PD3的第一至第三接觸孔Hl至H3。圖3D的截面圖可以對(duì)應(yīng)于圖4B的平面結(jié)構(gòu)。沿圖4B的線B-B’截取的截面圖可以是圖3D的視圖。在圖4A和圖4B中，石墨烯層GP1、源電極S1、漏電極Dl和柵極Gl的形狀僅為示例，可以改變。例如，石墨烯層GPl可以被變更為圖5所示的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D5，石墨烯層GP1’可以具有與源電極SI和漏電極Dl相同或相似的平面結(jié)構(gòu)，但是包括與源電極SI與漏電極Dl之間的部分相對(duì)應(yīng)的中心部分。換言之，石墨烯層GP1’可以包括具有與源電極SI相同或相似的平面結(jié)構(gòu)的第一區(qū)、具有與漏電極Dl相同或相似的平面結(jié)構(gòu)的第二區(qū)、以及連接第一區(qū)與第二區(qū)的第三區(qū)(中心部分)。如以上參照?qǐng)D2A至圖2D所述的，通過(guò)利用第一掩模圖案Ml (見(jiàn)圖2B)依次圖案化石墨烯層GPl和用于源極/漏極的導(dǎo)電層SD1，它們可以具有相同的平面結(jié)構(gòu)，通過(guò)在后續(xù)操作中利用第二掩模圖案M2 (見(jiàn)圖2C)圖案化用于形成源極/漏極的導(dǎo)電層SDl，可以形成源電極SI和漏電極Dl并且可以暴露源電極SI與漏電極Dl之間的溝道區(qū)(第三區(qū))。根據(jù)參照?qǐng)D3A至圖3D描述的實(shí)施例，第二基板SUB2可以用作最終器件的基板，可以省略圖1J的附接第三基板SUB3的操作和圖1K的移除第二基板SUB2的操作。由于制造工藝的數(shù)目減少，所以整個(gè)制造方法可以被簡(jiǎn)化。此外，根據(jù)參照?qǐng)D3A至圖3D描述的方法，當(dāng)?shù)谝换錝UBl和第二基板SUB2形成在器件部分DPI’的兩側(cè)(B卩，下面和上面)時(shí)，第一基板SUBl被移除，第二基板SUB2用作最終基板。因此，可以不包括石墨烯層GPl的直接轉(zhuǎn)移操作。因此，根據(jù)非限制實(shí)施例的方法可以被稱(chēng)為不轉(zhuǎn)移石墨烯而制造石墨烯器件的方法，即無(wú)轉(zhuǎn)移工藝(transfer-free process)。沿圖4B的線A-A’截取的截面圖可以與圖3C相同，因此圖3C的結(jié)構(gòu)可以被看作根據(jù)非限制實(shí)施例的晶體管的截面圖。將參照?qǐng)D3C描述根據(jù)非限制實(shí)施例的晶體管。第一保護(hù)層Pl可以設(shè)置在第二基板SUB2上，第一絕緣層ILl可以設(shè)置在第一保護(hù)層Pl上。第二基板SUB2可以為例如聚合物基板。第一保護(hù)層Pl可以由絕緣材料形成，因此第一保護(hù)層Pl和第一絕緣層ILl可以被看作形成多層絕緣層。第一絕緣層ILl可以具有在其表面中的凹入部，“石墨烯器件部分”可以形成在該凹入部中。石墨烯器件部分可以包括柵極G1、形成在柵極Gl上的柵絕緣層GI1、在柵極Gl的兩側(cè)處形成在柵絕緣層GII上的源電極SI和漏電極Dl、以及形成為接觸源電極SI和漏電極Dl的石墨烯層GPl。石墨烯層GPl可以是溝道層。柵絕緣層GIl可以在石墨烯層GPl周?chē)由斓降谝唤^緣層ILl上。柵絕緣層GIl的延伸到第一絕緣層ILl上的部分可以設(shè)置在與石墨烯層GPl相同(或相似)的高度處。柵極Gl可以與源電極SI和漏電極Dl交疊?？梢赃M(jìn)一步提供覆蓋石墨烯層GPl和柵絕緣層GIl的第二絕緣層IL2。圖6A至圖6D是示出根據(jù)非限制實(shí)施例的制造石墨烯器件的另一方法的截面圖。參照?qǐng)D6A，在制備圖1B的結(jié)構(gòu)之后，覆蓋源電極S1、漏電極Dl和石墨烯層GPl的保護(hù)層Pl可以形成在第一基板SUBl上。保護(hù)層Pl可以利用與圖1F示出的第一保護(hù)層Pl相同(或相似)的材料和方法形成。接著，第二 基板SUB2可以附接在保護(hù)層Pl上。第二基板SUB2可以利用與圖1G示出的第二基板SUB2相同(或相似)的材料和方法形成。根據(jù)情況，預(yù)定的或期望的粘著層(未示出)可以進(jìn)一步設(shè)置在保護(hù)層Pl與第二基板SUB2之間。石墨烯層GP1、源電極S I和漏電極Dl可以構(gòu)成器件部分DP2。與圖1E所示的器件部分DPl不同，器件部分DP2可以不完全地形成。參照?qǐng)D6B，第一基板SUBl可以被移除/分離。第一基板SUBl可以通過(guò)蝕刻催化劑層CTl或中間層NI而被移除/分離。根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例，催化劑層CTl被蝕刻以移除/分離第一基板SUBl。移除/分離第一基板SUBl的方法可以與參照?qǐng)D1H描述的方法相同(或類(lèi)似)，或者可以改變。參照?qǐng)D6C，其上形成石墨烯層GPl、源電極SI和漏電極Dl的第二基板SUB2可以被翻轉(zhuǎn)，柵絕緣層Gil’可以形成在石墨烯層GPl和保護(hù)層Pl上。柵絕緣層Gil’可以利用與圖1C的柵絕緣層GIl相同(或相似)的材料和方法形成。柵極G1’可以形成在柵絕緣層Gil’上。柵極G1’可以設(shè)置在源電極SI和漏電極Dl之間的石墨烯層GPl上方。圖6C中示出的晶體管可以具有如圖7A所示的平面結(jié)構(gòu)。圖7A的平面結(jié)構(gòu)類(lèi)似于圖4A的平面結(jié)構(gòu)。然而，柵極G1’設(shè)置在石墨烯層GPl和柵絕緣層Gil’上。在圖7A中，附圖標(biāo)記HH、PD2和TO3’分別表示第一焊墊部、第二焊墊部和第三焊墊部。沿圖7A的線A-A’截取的截面圖可以為圖6C的視圖。接著，可以形成圖6D所示的結(jié)構(gòu)。圖6D可以對(duì)應(yīng)于關(guān)于圖7A的第一焊墊部roi和第二焊墊部ro2的操作。具體地，分別暴露第一焊墊部PDi和第二焊墊部TO2的第一接觸孔ΗΓ和第二接觸孔H2’可以通過(guò)蝕刻部分的柵絕緣層Gir而形成。圖6D的截面圖可以對(duì)應(yīng)于圖7B的平面結(jié)構(gòu)。沿圖7B的線B-B’截取的截面圖可以如圖6D所示。圖7A和圖7B的石墨烯層GP1、源電極S1、漏電極Dl和柵極G1’僅是示例，也可以改變。例如，石墨烯層GPl可以具有與圖5的石墨烯層GP1’相同或相似的形式。在參照?qǐng)D6A至圖6D描述的實(shí)施例中，第二基板SUB2用作最終基板，可以省略圖1J的附接第三基板SUB3的操作和圖1K的移除第二基板SUB2的操作。因此，制造方法可以被簡(jiǎn)化。此外，在參照?qǐng)D6A至圖6D描述的方法中，在第一基板SUBl和第二基板SUB2形成在器件部分DP2兩側(cè)上(B卩，下面和上面)時(shí)，第一基板SUBl被移除，第二基板SUB2被用作最終基板，因此，不包括石墨烯層GPl的直接轉(zhuǎn)移操作。因此，可以防止或最小化在石墨烯層被直接轉(zhuǎn)移時(shí)發(fā)生的對(duì)石墨烯層的損傷或污染。沿圖7B的線A-A’截取的截面圖可以是圖6C的視圖，因此，圖6C可以被看作根據(jù)非限制實(shí)施例的晶體管的截面圖。將參照?qǐng)D6C描述根據(jù)非限制實(shí)施例的晶體管。保護(hù)層Pl可以設(shè)置在第二基板SUB2上。第二基板SUB2可以為例如聚合物基板。彼此分離的源電極SI和漏電極Dl可以被包括在保護(hù)層Pl中?？梢孕纬蛇B接源電極SI和漏電極Dl的石墨烯層GP1。源電極SI和漏電極Dl可以分別設(shè)置在石墨烯層GPl的第一區(qū)和第二區(qū)下面。石墨烯層GPl可以設(shè)置在與保護(hù)層Pl的上表面相同的高度處。換言之，石墨烯層GPl的上表面和在石墨烯層GPl附近的保護(hù)層Pl的上表面可以具有相同的水平(高度)。覆蓋石墨烯層GPl的柵絕緣層Gil’可以設(shè)置在保護(hù)層Pl上。柵極G1’可以設(shè)置在柵絕緣層Gil’上。柵極G1’可以設(shè)置在源電極SI與漏電極Dl之間的石墨烯層GPl上方。根據(jù)非限制實(shí)施例，多個(gè)器件部分DPl可以形成在第一基板SUBl上，然后該多個(gè)器件部分DPl可以 利用圖案化操作被分離。然后，可以移除第一基板SUB1。這將參照?qǐng)D8A至圖8E詳細(xì)描述。
參照?qǐng)D8A，包括多個(gè)器件部分DPlO的堆疊結(jié)構(gòu)(器件層)可以形成在第一基板SUBlO上。多個(gè)器件部分DPlO可以每個(gè)具有與圖1F的器件部分DPl相同的結(jié)構(gòu)。包括多個(gè)器件部分DPlO的堆疊結(jié)構(gòu)(器件層)可以具有連續(xù)結(jié)構(gòu)。催化劑層CTlO可以設(shè)置在第一基板SUBlO與多個(gè)器件部分DPlO之間。中間層NlO可以進(jìn)一步設(shè)置在第一基板SUBlO與催化劑層CTlO之間。附圖標(biāo)記GP10、S10、D10、GI10、G10、IL10和PlO分別表示石墨烯層、源電極、漏電極、柵絕緣層、柵極、絕緣層和保護(hù)層。參照?qǐng)D8B，形成在第一基板SUBlO上的堆疊結(jié)構(gòu)，也就是包括多個(gè)器件部分DPlO的器件層，可以被圖案化以分離多個(gè)器件部分DP10?？梢酝ㄟ^(guò)從保護(hù)層PlO蝕刻到中間層NlO來(lái)執(zhí)行該圖案化操作直到暴露第一基板SUBlO的上表面?；蛘撸g刻操作也可以僅從保護(hù)層PlO執(zhí)行到催化劑層CT10。在此情況下，中間層NlO可以不被蝕刻而是保持為連續(xù)層。預(yù)定的或期望的溝槽TlO可以通過(guò)圖案化操作而形成在器件部分DPlO之間。當(dāng)從上方觀看時(shí)，通過(guò)圖案化操作分離的多個(gè)器件部分DPlO可以規(guī)則地布置為多個(gè)行和列。此外，當(dāng)從上方觀看時(shí)，形成在多個(gè)器件部分DPlO之間的溝槽TlO可以具有類(lèi)似于網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。在這方面，上述圖案化操作可以被稱(chēng)作網(wǎng)狀圖案化。參照?qǐng)DSC，第 二基板SUB2可以被附接在多個(gè)器件部分DPlO上。由于溝槽TlO形成在多個(gè)器件部分DPlO之間，所以當(dāng)?shù)诙錝UB20被附接時(shí)，氣泡(空氣)可以通過(guò)溝槽TlO泄漏。因此，第二基板SUB20可以被容易地附接。第二基板SUB20可以支撐多個(gè)器件部分DP10。第二基板SUB20可以由利用與圖1G的第二基板SUB2基本相同的材料形成的基板來(lái)形成。參照?qǐng)D8D，預(yù)定的、期望的或給定的蝕刻溶液(未示出)可以注入到多個(gè)器件部分DPlO之間的溝槽TlO以蝕刻催化劑層CTlO或中間層N10。根據(jù)非限制實(shí)施例，示出了對(duì)于催化劑層CTlO的蝕刻工藝。由于蝕刻溶液可以相對(duì)容易地注入在多個(gè)器件部分DPlO之間，所以催化劑層CTlO可以被相對(duì)容易地蝕刻。即使當(dāng)?shù)谝换錝UBlO是大尺寸基板時(shí)，催化劑層CTlO也可以在短時(shí)間內(nèi)被相對(duì)容易地移除。這意味著第一基板SUBlO可以相對(duì)容易地移除/分離。由于催化劑層CTlO被蝕刻以移除第一基板SUB10，所以催化劑層CTlO可以被稱(chēng)為一種犧牲層。當(dāng)通過(guò)蝕刻中間層NlO而不是催化劑層CTlO來(lái)移除第一基板SUBlO時(shí)，中間層NlO可以被稱(chēng)為犧牲層。催化劑層CTlO可以是金屬層，中間層NlO可以是絕緣層，犧牲層可以是金屬層或絕緣層。在圖SE中示出了圖8D中移除/分離第一基板SUBlO之后的所得結(jié)構(gòu)。器件部分DPlO可以具有與圖1H的器件部分DPl相同的結(jié)構(gòu)。然后，雖然沒(méi)有在附圖中示出，但是可以對(duì)圖SE的結(jié)構(gòu)執(zhí)行預(yù)定的或期望的后續(xù)操作。后續(xù)操作可以類(lèi)似于圖1I至圖1L示出的那些。圖8A至圖SE所示的方法可以類(lèi)似地不僅應(yīng)用于圖1A至圖1L所示的操作，還應(yīng)用于圖3A至圖3D所示的操作以及圖6A至圖6D所示的操作。當(dāng)使用圖8A至圖SE所示的方法時(shí)，根據(jù)示例實(shí)施例的制造石墨烯器件的方法也可以應(yīng)用于具有300mm或更大直徑的大尺寸基板。因此，根據(jù)以上非限制實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)，可以提高石墨烯器件的生產(chǎn)率并且可以降低其制造成本。雖然已經(jīng)參照不同的示例實(shí)施例具體示出和描述了本公開(kāi)，但是示例實(shí)施例應(yīng)當(dāng)僅被認(rèn)為是描述性的含義而不是為了限制的目的。例如，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以對(duì)根據(jù)示例實(shí)施例的石墨烯器件的制造方法及通過(guò)所述方法制造的石墨烯器件進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。此外，除石墨烯晶體管之外，上述示例實(shí)施例也可以應(yīng)用于其他石墨烯器件。因此，本公開(kāi)的范圍不受具體描述中的示例的限制，而由權(quán)利要求書(shū)限定。本申請(qǐng)要求于2012年I月26日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)N0.10-2012-00077 97的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用整體結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種制造石墨烯器件的方法，該方法包括: 在第一基板上形成石墨烯層； 在所述第一基板上形成器件部分，所述器件部件包括所述石墨烯層； 將第二基板附接到所述器件部分上；以及 移除所述第一基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述器件部分包括形成分別接觸所述石墨烯層的第一區(qū)和第二區(qū)的源電極和漏電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述器件部分包括: 形成覆蓋所述石墨烯層、所述源電極和所述漏電極的柵絕緣層；和 在所述柵絕緣層上且在所述源電極與所述漏電極之間形成柵極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括: 形成覆蓋所述器件部分且在所述器件部分與所述第二基板之間的絕緣層；和蝕刻部分的所述絕緣層和部分的所述柵絕緣層以暴露所述源電極、所述漏電極和所述柵極。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括: 在移除所述第一基板之后，將第三基板附接在所述器件部分上，其中所述器件部分設(shè)置在所述第二基板與所述第三基板之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括: 移除所述第二基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中附接所述第三基板包括選擇玻璃基板、塑料基板和聚合物基板之一作為所述第三基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中附接所述第三基板包括選擇柔性基板作為所述第二基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括: 在所述器件部分與所述第三基板之間形成保護(hù)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括: 在移除所述第一基板之后，形成覆蓋所述器件部分的絕緣層，其中所述器件部分設(shè)置在所述絕緣層與所述第二基板之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括: 形成分別從所述源電極、所述漏電極和所述柵極延伸的第一焊墊部、第二焊墊部和第三焊墊部，所述絕緣層覆蓋所述第一至第三焊墊部；和 蝕刻部分的所述絕緣層以暴露所述第一至第三焊墊部。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括: 在移除所述第一基板之后，形成覆蓋所述石墨烯層、所述源電極和所述漏電極的柵絕緣層；和 在所述柵絕緣層上且在所述源電極與所述漏電極之間形成柵極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括: 從所述源電極和所述漏電極分別形成第一焊墊部和第二焊墊部；和 蝕刻部分的所述柵絕緣層以暴露所述第一焊墊部和所述第二焊墊部。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 在所述第一基板與所述石墨烯層之間形成催化劑層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括: 在所述第一基板與所述催化劑層之間形成中間層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中移除所述第一基板包括蝕刻所述催化劑層。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中移除所述第一基板包括蝕刻所述催化劑層和所述中間層之一。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 在附接所述第二基板之前，在所述第一基板上形成覆蓋所述器件部分的保護(hù)層。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中附接所述第二基板包括選擇聚合物基板作為所述第二基板。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 在所述第一基板上形成包括多個(gè)所述器件部分的器件層；和 通過(guò)圖案化所述器件層而分離所述多個(gè)器件部分。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括: 在所述第一基板與所述器件層之間形成犧牲層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中移除所述第一基板包括通過(guò)在所述多個(gè)器件部分之間注入蝕刻溶液而蝕刻所述犧牲層。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中形成所述犧牲層包括選擇金屬層或絕緣層作為所述犧牲層。
24.一種石墨稀晶體管，包括: 在基板上的第一絕緣層，所述第一絕緣層具有凹入部； 石墨烯器件部分，在所述第一絕緣層的所述凹入部上；和 第二絕緣層，覆蓋所述石墨烯器件部分， 其中所述石墨烯器件部分包括: 柵極； 柵絕緣層，覆蓋所述柵極； 源電極和漏電極，在所述柵極兩側(cè)的所述柵絕緣層上；和 石墨烯層，接觸所述源電極和所述漏電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的石墨烯晶體管，其中所述柵絕緣層在所述石墨烯層周?chē)由斓剿龅谝唤^緣層上。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的石墨烯晶體管，其中所述柵絕緣層的一部分延伸到所述第一絕緣層上并具有與所述石墨烯層相同的高度。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的石墨烯晶體管，其中所述柵極與所述源電極和所述漏電極交疊。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的石墨烯晶體管，其中所述基板是聚合物基板。
29.—種石墨稀晶體管，包括: 在基板上的保護(hù)層； 在所述保護(hù)層中的彼此分離的源電極和漏電極；石墨烯層，連接所述源電極和所述漏電極并設(shè)置在與所述保護(hù)層的上表面相同的高度處； 柵絕緣層，在所述保護(hù)層上并覆蓋所述石墨烯層；和 柵極，在所述柵絕緣層上并設(shè)置在所述源電極與所述漏電極之間的石墨烯層上方。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的石墨烯晶體管，其中所述石墨烯層的上表面與在所述石墨烯層周?chē)乃霰Ｗo(hù)層的上表面處于相同的高度。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的石墨烯晶體管，其中所述源電極設(shè)置在所述石墨烯層的第一區(qū)下面，所述漏電極設(shè)置在所述石墨烯層的第二區(qū)下面。
32.根據(jù)權(quán)利要求29 所述的石墨烯晶體管，其中所述基板是聚合物基板。
全文摘要
本發(fā)明提供了石墨烯晶體管以及制造石墨烯器件的方法。制造石墨烯器件的方法可以包括在第一基板上形成包括石墨烯層的器件部分；將第二基板附接在第一基板的器件部分上；以及移除第一基板。移除第一基板可以包括蝕刻第一基板與石墨烯層之間的犧牲層。在移除第一基板之后，第三基板可以附接在器件部分上。在附接第三基板之后，可以移除第二基板。
文檔編號(hào)H01L29/78GK103227103SQ201210497438
公開(kāi)日2013年7月31日 申請(qǐng)日期2012年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月26日
發(fā)明者李昌承, 李周浩, 金容誠(chéng), 文彰烈 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社