專利名稱：顯示設備及其制造方法
技術領域：
本文涉及一種可防止線路之間發(fā)生短路的顯示設備及其制造方法。
背景技術：
目前，已經開發(fā)出可降低重量和體積的各種平板型顯示器，重量和體積是CRT(陰極射線管)的缺陷。這種平板型顯示器的實例是IXD (液晶顯示器)、FED (場發(fā)射顯示器)、PDP (等離子體顯示面板)和OLED (有機發(fā)光顯示器)。其中，OLED是通過電激發(fā)有機化合物而發(fā)光的自發(fā)光顯示器。OLED不需要用于IXD的背光，且由此可將其制造得輕且薄同時簡化了工藝。而且，可在低溫下制造0LED，且能夠提供Ims或以下的高響應速度，以及低功耗、寬視角和高對比度。OLED包括位于陽極和陰極之間由有機材料形成的發(fā)光層。自陽極提供的空穴和自陰極提供的電子在發(fā)光層中彼此結合，從而形成空穴電子對的激子。激子在躍遷回到基態(tài)時產生能量，從而福射光。圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術的有機發(fā)光顯示器的平面圖，圖2是示出其上具有劃痕的有機發(fā)光顯示器的平面圖，圖3是示出有機發(fā)光顯示器的電源單元的截面圖。參考圖1，常規(guī)有機發(fā)光顯示器包括有源區(qū)A/A和在有源區(qū)A/A附近的數(shù)據(jù)線25和柵極線35。圖像顯示在有源區(qū)A/A上。來自數(shù)據(jù)IC20的數(shù)據(jù)信號經由數(shù)據(jù)線25傳送，來自柵極IC30的柵極信號經由柵極線35傳送。數(shù)據(jù)線25與柵極線35交叉。與數(shù)據(jù)線25平行的數(shù)據(jù)電源線40和與柵極線35平行的柵極電源線45構成了電源單元。此處，當從柵極電源線45和數(shù)據(jù)電源線40彼此交叉的電源單元45的截面看時，柵極電源線45被設置在基板10上，柵極絕緣膜37被設置在柵極電源線45上，數(shù)據(jù)電源線40被設置在柵極絕緣膜37上。但是，如圖2中所示，當執(zhí)行有機發(fā)光顯示器的后續(xù)工藝時，有時會在電源單元45上出現(xiàn)切痕或劃痕。因此，如圖3中所示，數(shù)據(jù)電源線40可穿過柵極絕緣膜37從而接觸柵極電源線45，這會導致電力施加不到面板上。

發(fā)明內容
本發(fā)明涉及一種可防止線路之間發(fā)生短路的顯示器及其制造方法。在一個方面，一種顯示設備，包括:基板；設置在基板上的柵極金屬線；配置成絕緣所述柵極金屬線的柵極絕緣膜；設置在柵極絕緣膜上的數(shù)據(jù)金屬線；和設置在柵極金屬線和數(shù)據(jù)金屬線之間位于柵極金屬線和數(shù)據(jù)金屬線之間彼此重疊的區(qū)域的保護膜。在另一方面，一種顯示設備，包括:基板；設置在基板上的柵極金屬線；配置成絕緣所述柵極金屬線的柵極絕緣膜；設置在柵極絕緣膜上的數(shù)據(jù)金屬線；設置在數(shù)據(jù)金屬線上的鈍化膜；設置在鈍化膜上的像素電極；和設置在數(shù)據(jù)金屬線和像素電極之間位于數(shù)據(jù)金屬線和像素電極彼此重疊的區(qū)域的保護膜。在另一方面，一種制造顯示設備的方法，該方法包括:在基板上形成柵極金屬線；在柵極金屬線上形成保護膜；在保護膜上形成柵極絕緣膜；和在柵極絕緣膜上形成數(shù)據(jù)金屬線，其中保護膜形成在柵極金屬線和數(shù)據(jù)金屬線彼此重疊的區(qū)域。


本文包括附圖以提供本發(fā)明的進一步理解，附圖結合到說明書中并構成說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施例且與文字描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術的有機發(fā)光顯示器的平面圖。圖2是示出其上產生劃痕的有機發(fā)光顯示器的平面圖。圖3是示出有機發(fā)光顯示器的電源單元的截面圖。圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示設備的平面圖。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示設備的截面圖。圖6A至6D是分別示出制造根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示設備的方法的工序的截面圖。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示設備的保護膜的另一位置的平面圖。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示設備的截面圖。圖9和10是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的顯示區(qū)域的一個單位像素的平面圖。圖11是沿著圖10的線1-1 ’取得的截面圖。圖12是示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的顯示區(qū)域的單位像素的平面圖。圖13是沿著圖12的線I1-1I’取得的截面圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將具體參考本發(fā)明實施例，其實例于附圖中示出。只要可以，在所有附圖使用相同參考數(shù)字表示相同或相似部件。將注意到，只要確定公知技術會誤導本發(fā)明實施例，就將省略該技術的具體描述。圖4是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示設備的平面圖，圖5是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示設備的截面圖。以下，作為實例，所描述的根據(jù)本發(fā)明的顯示設備是有機發(fā)光顯示器。但是，本發(fā)明不限于此。參考圖4，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示設備包括在基板110上用于施加柵極信號的柵極IC120和用于施加數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)IC130。自柵極IC120傳送柵極信號的柵極線125設置在基板110上的一方向上，自數(shù)據(jù)IC130傳送數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線135設置在與柵極線125交叉的方向上。柵極線125和數(shù)據(jù)線135彼此交叉從而限定顯示圖像的顯示區(qū)域DA，除了顯示區(qū)域DA之外的剩余區(qū)域被限定為非顯示區(qū)域NDA。電源線設置在非顯示區(qū)域NDA上以將電力施加到顯示區(qū)域DA。電源線包括與數(shù)據(jù)線135平行的垂直電源線140和與柵極線125平行的水平電源線145。垂直電源線140和水平電源線145交叉的區(qū)域構成為電源單元A。水平電源線145和柵極線125由相同柵極金屬形成，從而構成柵極金屬線GML，垂直電源線140和數(shù)據(jù)線135由相同數(shù)據(jù)金屬形成，從而構成數(shù)據(jù)金屬線DML。同時，在柵極金屬線GML和數(shù)據(jù)金屬線DML彼此交叉并重疊的區(qū)域，將保護膜165形成在柵極金屬線GML和數(shù)據(jù)金屬線DML之間。保護膜165防止柵極金屬線GML和數(shù)據(jù)金屬線DML彼此接觸和由外部沖擊引起短路。以下，參考圖5更具體地描述本發(fā)明的第一實施例。圖5是示出圖4的顯示設備的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域的截面圖。參考圖5，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示設備100包括限定了顯示區(qū)域DA和非顯示區(qū)域NDA的基板110。柵極127設置在基板110的顯示區(qū)域DA上，柵極絕緣膜150設置在柵極127上以絕緣所述柵極127。半導體層155設置在柵極絕緣膜150上的與柵極127對應的區(qū)域處，蝕刻停止層160設置在半導體層155上。源極170a和漏極170b分別定位成連接半導體層155的兩端，從而構成薄膜晶體管TFT。鈍化膜172設置成保護薄膜晶體管TFT，濾色器173設置在鈍化膜172上。濾色器173形成在鈍化膜172上以對應第一電極180 (稍后描述),使得稍后發(fā)光層185發(fā)出的白光穿過第一電極180，之后透過濾色器173傳輸。濾色器173可顯示紅、綠和藍色中的至少一種，在本實施例中，將濾色器173描述為紅色濾色層。外涂層175設置成覆蓋濾色器173，第一電極180設置在外涂層175上。第一電極180經由通孔177連接到薄膜晶體管TFT的漏極170b。堤岸層183設置在第一電極180上以暴露部分的第一電極180,發(fā)光層185設置在暴露的第一電極180上。第二電極190設置在發(fā)光層185上。同時，水平電源線145設置在基板110的非顯示區(qū)域NDA上，柵極絕緣膜150設置在水平電源線145上以絕緣所述水平電源線145。保護膜165設置在柵極絕緣膜150上，垂直電源線140設置在保護膜165上。外涂層175設置在垂直電源線140上。這樣，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示設備還包括位于非顯示區(qū)域上在水平電源線145和垂直電源線140之間的保護膜165。以下，描述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示設備制造方法。圖6A至6D是分別示出制造根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示設備的方法的工序的截面圖，圖7是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示設備的保護膜的另一位置的平面圖。參考圖6A，首先將第一金屬沉積在由玻璃、塑料或導電材料制成的基板110上，并將第一金屬圖案化從而在顯示區(qū)域DA上形成柵極127和在非顯示區(qū)域NDA上形成水平電源線145。盡管圖中未示出，但是同時形成了柵極線。第一金屬可以是低阻金屬，諸如鑰(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、銅(Cu)或其合金。之后，將柵極絕緣膜150形成在其上形成了柵極127和水平電源線145的基板110上。柵極絕緣膜150可由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或其疊層結構形成。將柵極絕緣膜150形成在基板110的顯示區(qū)域DA和非顯示區(qū)域NDA上。接下來，參考圖6B，將非晶硅沉積在其上形成了柵極絕緣膜150的基板110上，并將非晶硅結晶從而形成多晶，之后進行圖案化以形成半導體層155。之后，將氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)沉積在包括半導體層155的基板110的整個表面上，將其圖案化從而形成蝕刻停止層160和保護膜165。更具體地，蝕刻停止層160形成在基板110的顯示區(qū)域DA上的半導體層155上，保護膜165形成在非顯示區(qū)域NDA上。 向回參考圖4，形成非顯示區(qū)域NDA上的保護膜165以包圍顯示區(qū)域DA，且將保護膜165形成為與設置了數(shù)據(jù)線135、柵極線125、水平電源線145和垂直電源線140的區(qū)域重疊。相反，參考圖7，可將保護膜165至少形成在水平電源線145與垂直電源線140或柵極線125與數(shù)據(jù)線135彼此交叉的區(qū)域B上。S卩，將保護膜165形成在包括柵極線125和水平電源線145的柵極金屬線GML與包括數(shù)據(jù)線135和垂直電源線140的數(shù)據(jù)金屬線DML交叉且重疊的區(qū)域。因此，防止了在執(zhí)行工藝時由于物理損傷導致柵極金屬線GML和數(shù)據(jù)金屬線DML彼此接觸，從而引起短路。參考圖6C，之后將第二金屬沉積在其上形成了蝕刻停止層160和保護膜165的基板110上，并將第二金屬圖案化，從而在顯示區(qū)域DA上形成源極170a和漏極170b和在非顯示區(qū)域NDA上形成垂直電源線140。盡管圖中未示出，但是同時形成了數(shù)據(jù)線。第二金屬可以是低阻金屬，諸如鑰(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、銅(Cu)或其合金，且第二金屬可由單層低阻材料形成，或者由鑰/鋁/鑰(Mo/Al/Mo)或者鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)的多層形成。接下來，將鈍化膜172形成在其上形成了源極170a、漏極170b和垂直電源線140的基板110上。鈍化膜172可由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或者其疊層結構形成。鈍化膜172形成在基板110的顯示區(qū)域DA和非顯示區(qū)域NDA上。隨后，將濾色器173形成在顯示區(qū)域DA的鈍化膜172上。濾色器173形成在與發(fā)光層185 (下文描述)對應的位置處，使得經由濾色器173將來自發(fā)光層185的白光輻射為紅、綠或藍光。接下來，將外涂層175形成在其上形成了濾色器173的基板110的整個表面上。外涂層175減緩了下部結構的臺階，且可通過使用無機材料(諸如通過涂覆獲得的液相SOG(玻璃上旋涂)、氧化硅)或者有機材料(諸如聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯系列樹脂或者丙烯酸)，之后將所述材料固化來形成。之后，蝕刻外涂層175以形成暴露源極170a和漏極170b中的一個的通孔177。隨后，參考圖6D，形成經由通孔177連接到源極170a和漏極170b中的一個的第一電極180。第一電極180可由諸如ITO (氧化銦錫)或者IZO (氧化銦鋅)的透明導電膜形成。之后,將堤岸層183形成在第一電極180上以將第一電極180與另一第一電極絕緣。堤岸層183可由諸如聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯系列樹脂或者丙烯酸的有機材料形成。之后，蝕刻堤岸層183以形成暴露部分第一電極180的開口 187。接下來，在暴露第一電極180的開口 187中形成發(fā)光層185。發(fā)光層185由發(fā)白光的有機材料形成且因此可輻射白光。對于所有子像素，發(fā)光層185都形成在第一電極180上。因此，可經由濾色器173將發(fā)光層185發(fā)出的白光實現(xiàn)為紅、綠和藍色。而且，在發(fā)光層185和第一電極180之間可進一步提供電子注入層(EIL)和電子傳輸層(ETL)中的一個或多個，以允許電子容易移動到發(fā)光層185中。在發(fā)光層185和第二電極190之間可進一步提供空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL)中的一個或多個，以允許空穴容易移動到發(fā)光層185中?？赏ㄟ^使用真空沉積、激光誘導熱成像、絲網(wǎng)印刷和噴墨工藝形成發(fā)光層185。之后，將第二電極190形成在包括發(fā)光層185的基板110上。第二電極190可使用低功函數(shù)金屬，諸如銀(Ag)、鎂(Mg)或者鈣(Ca)。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示設備中，在柵極金屬線和數(shù)據(jù)金屬線之間形成保護膜，同時形成了薄膜晶體管的蝕刻停止層，以便防止工藝期間由于發(fā)生物理損傷導致的柵極金屬線和數(shù)據(jù)金屬線彼此接觸，從而引起短路。同時，根據(jù)本發(fā)明的保護膜165可形成在柵極絕緣膜150和水平電源線145之間。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示設備的截面圖。以下，略過與結合第一實施例描述的部件相同的部件的具體描述。參考圖8，根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示設備100包括在基板110的顯示區(qū)域DA上的柵極127和在柵極127上用以絕緣所述柵極127的柵極絕緣膜150。半導體層155設置在柵極絕緣膜150上位于與柵極127對應的區(qū)域，蝕刻停止層160設置在半導體層155上。源極170a和漏極170b設置成分別與半導體層155的兩端連接，從而構成薄膜晶體管TFT。鈍化膜172設置成保護薄膜晶體管TFT，濾色器173設置在鈍化膜172上。外涂層175設置成覆蓋濾色器173，第一電極180設置在外涂層175上。第一電極180經由通孔177連接到薄膜晶體管TFT的漏極170b。堤岸層183設置在第一電極180上以暴露部分第一電極180,發(fā)光層185設置在暴露的第一電極180上。第二電極190設置在發(fā)光層185上。同時，水平電源線145設置在基板110的非顯示區(qū)域NDA上。保護膜165設置在水平電源線145上以覆蓋水平電源線145。柵極絕緣膜150設置在保護膜165上，垂直電源線140設置在柵極絕緣膜150上。外涂層175設置在垂直電源線140上。這樣，根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示設備包括非顯示區(qū)域上的柵極絕緣膜150和水平電源線145之間的保護膜165。代替上述與蝕刻停止層160同時形成保護膜165的第一實施例，通過單獨形成和圖案化有機材料或無機材料來形成保護膜165。此處，保護膜165可由諸如氧化娃(SiOx)或者氮化娃(SiNx)的無機材料或者諸如丙烯酸樹脂或者酰亞胺基樹脂的有機材料形成。根據(jù)本發(fā)明第二實施例的保護膜165形成為具有足以防止水平電源線145與設置在水平電源線145上的垂直電源線140短路的厚度，例如該厚度為2000至4000 A。如上所述，根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示設備包括作為柵極金屬線的水平電源線和作為數(shù)據(jù)金屬線的垂直電源線之間的保護膜，從而防止柵極金屬線和數(shù)據(jù)金屬線彼此接觸從而引起短路。另一方面，根據(jù)本發(fā)明也可將上述保護膜定位在顯示區(qū)域中。圖9和10是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的顯示區(qū)域的一個單位像素的平面圖，圖11是沿著線1-1’取得的截面圖。參考圖9，柵極線225設置在一方向上以將柵極信號施加到基板上的單位像素，數(shù)據(jù)線235設置在與柵極線225交叉的方向上以施加數(shù)據(jù)信號。公共電源線245設置成與數(shù)據(jù)線235平行以將電力施加至單位像素。此處，公共電源線245連接到上述水平電源線，從而將電力施加至像素。柵極線225由柵極金屬材料形成從而構成柵極金屬線GML，公共電源線245和數(shù)據(jù)線235由相同金屬材料形成從而構成數(shù)據(jù)金屬線DML。因此，單位像素包括開關晶體管Tl、驅動薄膜晶體管T2、電容器Cst、第一電極280、發(fā)光層(未示出)和第二電極(未示出)。同時，保護膜265形成在柵極線225和數(shù)據(jù)線235彼此交叉且重疊的區(qū)域以及柵極線225和公共電源線245彼此交叉且重疊的區(qū)域之間。即，保護膜265防止作為柵極線225的柵極金屬線GML和作為數(shù)據(jù)線235的數(shù)據(jù)金屬線DML在其邊緣處彼此接觸，從而引起柵極金屬線GML和數(shù)據(jù)金屬線DML之間的短路。而且，如圖10中所示，保護膜265形成在驅動薄膜晶體管T2和開關薄膜晶體管Tl之間，這里，柵極金屬線GML上的柵極和數(shù)據(jù)金屬線DML的源/漏極彼此相鄰。更具體地，參考圖11，圖11是沿著圖10的線1-1 ’取得的截面圖，在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的顯示設備200中，柵極227和柵極線225設置在基板210上，保護膜265設置在柵極227和柵極線225上以覆蓋柵極227和柵極線225。保護膜265絕緣了柵極227和柵極線225且覆蓋并保護其邊緣。柵極絕緣膜250設置在保護膜265上，半導體層255設置在柵極絕緣膜250上的與柵極227對應的區(qū)域處，蝕刻停止層260設置在半導體層255上。源極270a和漏極270b設置成分別連接到半導體層255的兩端，從而構成薄膜晶體管TFT。數(shù)據(jù)線235與柵極線225對應地設置在柵極絕緣膜250上。因此，保護膜265形成在柵極線225和數(shù)據(jù)線235之間以及柵極227和源/漏極270a和270b之間。由此，可以降低寄生電容和防止在柵極線225和數(shù)據(jù)線235之間以及柵極227和源/漏極270a和270b之間發(fā)生短路。同時，設置鈍化膜272以保護薄膜晶體管TFT，濾色器273設置在鈍化膜272上。設置外涂層275以覆蓋濾色器273，第一電極280設置在外涂層275上以經由通孔277連接到薄膜晶體管TFT的漏極270b。堤岸層283設置在第一電極280上以暴露部分第一電極280,發(fā)光層285設置在暴露的第一電極280上。第二電極290設置在發(fā)光層285上。另一方面，根據(jù)本發(fā)明的保護膜可形成在第一電極和數(shù)據(jù)金屬線彼此重疊的區(qū)域。圖12是示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的顯示區(qū)域的單位像素的平面圖，圖13是沿著圖12的線I1-1I’取得的截面圖。以下，不再重復與上文結合第三實施例描述的部件相同的部件的具體描述。參考圖12，與上述第三實施例不同，形成第一電極280以與公共電源線245重疊。由于在第一電極280的圖案化工藝期間發(fā)生的掩膜余量(margin)導致形成該結構。如果第一電極280與公共電源線245重疊，則在第一電極280和公共電源線245之間出現(xiàn)寄生電容。本發(fā)明不限于公共電源線245，且可形成為使得由數(shù)據(jù)金屬線DML形成的數(shù)據(jù)線235與第一電極280重疊。即，在本發(fā)明第四實施例中，在第一電極280和數(shù)據(jù)金屬線之間形成保護膜265。在本發(fā)明第四實施例中，描述了第一電極280與作為數(shù)據(jù)金屬線的數(shù)據(jù)線重疊的實例。更具體地，參考圖13，在根據(jù)本發(fā)明第四實施例的顯示設備2000中，柵極227設置在基板210上，柵極絕緣膜250設置在柵極227上以絕緣所述柵極227。半導體層255設置在柵極絕緣膜250上的與柵極227對應的區(qū)域處，蝕刻停止層260設置在半導體層255上。源極270a和漏極270b設置成分別連接到半導體層255的兩端，從而構成薄膜晶體管TFT。而且，保護膜265與公共電源線245對應地設置在柵極絕緣膜250上，以使保護膜265覆蓋公共電源線245。鈍化膜272設置在薄膜晶體管TFT上以保護薄膜晶體管TFT，濾色器273設置在鈍化膜272上。設置外涂層275以覆蓋濾色器273，第一電極280設置在外涂層275上以經由通孔227連接到薄膜晶體管TFT的漏極270b。堤岸層283設置在第一電極280上以暴露部分第一電極280,發(fā)光層285設置在暴露的第一電極280上。第二電極290設置在發(fā)光層285 上。在本發(fā)明第四實施例中，將保護膜265設置在公共電源線245和第一電極280之間。也可將保護膜265設置在作為另一數(shù)據(jù)金屬線的數(shù)據(jù)線235和第一電極280之間。因此，可以降低寄生電容并防止由于數(shù)據(jù)金屬線和第一電極280重疊導致的在數(shù)據(jù)金屬線和第一電極280之間發(fā)生短路。同時，根據(jù)本發(fā)明的保護膜265可在除了電容器Cst區(qū)域外的任何位置形成。參考圖12，類似于本發(fā)明的第一、第二和第三實施例，在將保護膜265定位在柵極線(柵極)和數(shù)據(jù)金屬線(數(shù)據(jù)線、源/漏極、公共電源線)之間的情況下，可在除了電容器Cst區(qū)域之外的任何位置形成保護膜265?；跂艠O絕緣膜的介電常數(shù)(permittivity)和電容器的上下電極之間的厚度設計電容器Cst的電容。如果將根據(jù)本發(fā)明的保護膜形成在電容器處，則電容器的電容會發(fā)生變化。由此，根據(jù)本發(fā)明的保護膜形成在除了電容器Cst區(qū)域之外的基板上。如上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示設備包括形成在柵極金屬線和數(shù)據(jù)金屬線之間位于柵極金屬線和數(shù)據(jù)金屬線彼此重疊的區(qū)域處的保護膜，或者包括形成在數(shù)據(jù)金屬線和像素電極之間位于數(shù)據(jù)金屬線和像素電極彼此重疊的區(qū)域處的保護膜，從而降低了寄生電容同時防止發(fā)生短路。盡管已經參考多個示意性實施例描述了實施例，但是應當理解，本領域技術人員可設計出落入到本公開原理范圍內的多種其他修改和實施例。更特別地，可以對本公開、附圖和所附權利要求范圍內的部件部分和/或主題組合結構的配置進行各種變化和修改。除了部件部分和/或配置的變化和修改之外，替換應用對本領域技術人員也是顯而易見的。
權利要求
1.一種顯示設備，包括: 基板； 設置在基板上的柵極金屬線； 配置成絕緣所述柵極金屬線的柵極絕緣膜； 設置在柵極絕緣膜上的數(shù)據(jù)金屬線；和 設置于柵極金屬線和數(shù)據(jù)金屬線之間位于柵極金屬線和數(shù)據(jù)金屬線彼此重疊的區(qū)域處的保護膜。
2.如權利要求1所述的顯示設備，其中所述柵極金屬線是水平電源線，所述數(shù)據(jù)金屬線是垂直電源線。
3.如權利要求2所述的顯示設備，還包括: 設置在柵極絕緣膜上的半導體層；和 設置在半導體層上的蝕刻停止層，其中所述保護膜由與蝕刻停止層相同的材料形成。
4.如權利要求1所述的顯示設備，其中所述柵極金屬線是柵極，所述數(shù)據(jù)金屬線是源極和漏極。
5.如權利要求1所述的顯示設備，其中所述保護膜設置在柵極絕緣膜和柵極金屬線之間。
6.如權利要求1所述的顯示設備，其中所述柵極金屬線是柵極線，所述數(shù)據(jù)金屬線是數(shù)據(jù)線和公共電源線。
7.如權利要求1所述的顯示設備，還包括設置在基板上的電容器，其中所述保護膜設置在除了所述電容器之外的區(qū)域。
8.一種顯示設備，包括: 基板； 設置在基板上的柵極金屬線； 配置成絕緣所述柵極金屬線的柵極絕緣膜； 設置在柵極絕緣膜上的數(shù)據(jù)金屬線； 設置在數(shù)據(jù)金屬線上的鈍化膜； 設置在鈍化膜上的像素電極；和 設置在數(shù)據(jù)金屬線和像素電極之間位于數(shù)據(jù)金屬線和像素電極彼此重疊的區(qū)域處的保護膜。
9.如權利要求8所述的顯示設備，其中所述數(shù)據(jù)金屬線是數(shù)據(jù)線和公共電源線。
10.如權利要求9所述的顯示設備，其中所述保護膜設置在鈍化膜和數(shù)據(jù)金屬線之間。
11.如權利要求8所述的顯示設備，還包括設置在基板上的電容器，其中所述保護膜設置在除了所述電容器之外的區(qū)域。
12.一種制造顯示設備的方法，所述方法包括: 在基板上形成柵極金屬線； 在柵極金屬線上形成保護膜； 在保護膜上形成柵極絕緣膜；和 在柵極絕緣膜上形成數(shù)據(jù)金屬線，其中所述保護膜形成在柵極金屬線和數(shù)據(jù)金屬線彼此重疊的區(qū)域處。
13.如權利要求12所述的方法，其中所述柵極金屬線被形成為水平電源線，所述數(shù)據(jù)金屬線被形成為垂直電源線。
14.如權利要求13所述的方法，還包括: 在柵極絕緣膜上形成半導體層；和 通過在半導體層上沉積無機材料和圖案化所述無機材料，形成蝕刻停止層和保護膜。
15.如權利要求12所述的方法，其中所述柵極金屬線被形成為柵極，所述數(shù)據(jù)金屬線被形成為源極和漏極。
16.如權利要求12所述的方法，其中所述柵極金屬線被形成為柵極線，所述數(shù)據(jù)金屬線被形成為數(shù)據(jù)線和公共電源線。
17.如權利要求12所述的方法，還包括: 在數(shù)據(jù)金屬線上形成鈍化膜；和 在鈍化膜上形成像素電極，其中所述保護膜形成在數(shù)據(jù)金屬線和像素電極彼此重疊的區(qū)域。
18.如權利要求12所述的方法，其中進一步將電容器形成在基板上，其中所述保護膜形成在除了所述電容器之外的區(qū)域。
全文摘要
公開了一種顯示設備及其制造方法。所述顯示設備包括基板、設置在基板上的柵極金屬線、被配置成絕緣所述柵極金屬線的柵極絕緣膜、設置在柵極絕緣膜上的數(shù)據(jù)金屬線、和設置在柵極金屬線和數(shù)據(jù)金屬線之間位于柵極金屬線和數(shù)據(jù)金屬線彼此重疊的區(qū)域處的保護膜。
文檔編號H01L27/32GK103178082SQ20121055497
公開日2013年6月26日 申請日期2012年12月19日 優(yōu)先權日2011年12月21日
發(fā)明者李東澔, 黃淳載 申請人:樂金顯示有限公司