專利名稱：電子部件用樹脂片、電子部件用樹脂片的制造方法、及半導體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子部件用樹脂片、電子部件用樹脂片的制造方法、及半導體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，半導體封裝、電子部件模塊越來越小型化、高密度化、高性能化，由設(shè)備產(chǎn)生的噪音、熱的問題變得顯著。在這樣的背景下，在半導體封裝等制造工序中用樹脂密封設(shè)備等后，為了確保電磁波屏蔽性、放熱性，在上述密封樹脂上形成金屬膜的情況增多。在密封樹脂上形成金屬膜時，多采用非電解鍍銅。在該非電解鍍工序中，首先，在進行所要鍍敷的表面的洗滌、粗化等前處理后，在樹脂上形成作為鍍敷的催化劑的金屬核，然后實施非電解鍍銅(例如參照非專利文獻I及專利文獻I)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻非專利文獻非專利文獻I 鍍敷教科書電鍍研究會編”(「A -務(wù)教本電氣鍍金研究會編」)、日刊工業(yè)新聞社、P207-218、P233-243 (1986.9)專利文獻專利文獻1:日本特開2011-77430號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，上述方法中，在進行所要鍍敷的表面的洗滌、粗化等前處理工序、在樹脂上形成作為鍍敷的催化劑的金屬核的工序之后，實施非電解鍍銅，因此存在工藝多等問題。本發(fā)明鑒于上述問題而作出，其目的在于，提供能夠簡便地形成非電解鍍層的電子部件用樹脂片、及該電子部件用樹脂片的制造方法。為了解決上述以往的問題，本申請發(fā)明人等對電子部件用樹脂片及該電子部件用樹脂片的制造方法進行了研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過采用下述方案從而能夠簡便地形成非電解鍍層，由此完成本發(fā)明。S卩，本發(fā)明的電子部件用樹脂片，其特征在于，具有熱固化型樹脂膜和剝離膜，在上述熱固化型樹脂膜和上述剝離膜之間設(shè)置用于非電解鍍法的催化劑層。根據(jù)上述方案，由于在熱固化型樹脂膜和剝離膜之間存在用于非電解鍍法的催化劑層，因此只要剝離剝離膜即可形成非電解鍍層而無需進行粗化等前處理工序和在樹脂上形成作為鍍敷的催化劑的金屬核的工序等。因此，能夠簡便地形成非電解鍍層。上述方案中，優(yōu)選使上述剝離膜與水的接觸角為90度以下。若上述剝離膜與水的接觸角為90度以下，則在熱固化型樹脂膜和剝離膜之間可以良好地形成上述催化劑層。尤其是在將剝離膜浸潰于含催化劑的溶液而在剝離膜上形成催化劑層、并在形成有上述催化劑層的面上貼合熱固化型樹脂膜而制造電子部件用樹脂片的情況下，若上述剝離膜與水的接觸角為90度以下，則含催化劑的溶液良好地附著于剝離膜。因此，可以在剝離膜上更可靠地形成催化劑層。上述方案中，優(yōu)選上述催化劑層含有鈀催化劑。若上述催化劑層含有鈀催化劑，則可以得到均勻且高品質(zhì)的鍍敷被膜，在這一點上是優(yōu)選的。此外，本發(fā)明的電子部件用樹脂片的制造方法，其特征在于，具備以下工序:在剝離膜上形成用于非電解鍍法的催化劑層的工序；以及在形成有上述催化劑層的面上貼合熱固化型樹脂膜，得到依次層疊有剝離膜、催化劑層、及熱固化型樹脂膜的電子部件用樹脂片的工序。根據(jù)上述方案，可在固化型樹脂膜和剝離膜之間形成用于非電解鍍法的催化劑層。因此，根據(jù)利用該方法制造的電子部件用樹脂片，只要剝離剝離膜即可形成非電解鍍層而無需進行粗化等前處理工序和在樹脂上形成作為鍍敷的催化劑的金屬核的工序等。因此，能夠簡便地形成非電解鍍層。此外，在剝離膜上形成催化劑層，在形成有上述催化劑層的面上貼合熱固化型樹脂膜而得到電子部件用樹脂片，因此與在熱固化型樹脂膜上直接形成催化劑層性相比，能夠降低在催化劑層形成時由樹脂組合物等帶來的藥液槽的污染，在這一點上是優(yōu)異的。在上述方案中，優(yōu)選使上述剝離膜與水的接觸角為90度以下。若上述剝離膜與水的接觸角為90度以下，則在熱固化型樹脂膜和剝離膜之間可良好地形成上述催化劑層。尤其是在將剝離膜浸潰于含催化劑的溶液而在剝離膜上形成催化劑層的情況下，若上述剝離膜與水的接觸角為90度以下，則含催化劑的溶液會良好地附著于剝離膜。因此，能夠在剝離膜上更可靠地形成催化劑層。在上述方案中，優(yōu)選使上述催化劑層含有鈀催化劑。若上述催化劑層含有鈀催化齊U，則可以得到均勻且高品質(zhì)的鍍敷被膜，在這一點上是優(yōu)選的。此外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備以下工序:準備上述電子部件用樹脂片的工序；對上述電子部件用樹脂片進行成型的工序；對成型后的上述電子部件用樹脂片進行加熱，使上述熱固化型樹脂膜熱固化的工序；使上述熱固化型樹脂膜熱固化后，剝離上述剝離膜的工序；以及利用非電解鍍法在上述催化劑層上形成非電解鍍層的工序。根據(jù)上述方案，使用在熱固化型樹脂膜和剝離膜之間設(shè)置用于非電解鍍法的催化劑層的電子部件用樹脂片而制造半導體裝置。由于在熱固化型樹脂膜和剝離膜之間設(shè)置用于非電解鍍法的催化劑層，因此只要剝離剝離膜即可形成非電解鍍層而無需進行粗化等前處理工序和在樹脂上形成作為鍍敷的催化劑的金屬核的工序等。因此，能夠簡便地形成非電解鍍層。


圖1是本發(fā)明的一個實施方式的電子部件用樹脂片的剖面示意圖。圖2是用于說明圖1所示的電子部件用樹脂片的一個制造方法的剖面示意圖。圖3是用于說明圖1所示的電子部件用樹脂片的一個制造方法的剖面示意圖。圖4是用于說明圖1所示的電子部件用樹脂片的一個制造方法的剖面示意圖。圖5是用于說明使用圖1所示的電子部件用樹脂片的半導體裝置的制造方法的一個例子的剖面示意圖。圖6是用于說明使用圖1所示的電子部件用樹脂片的半導體裝置的制造方法的一個例子的剖面示意圖。圖7是用于說明使用圖1所示的電子部件用樹脂片的半導體裝置的制造方法的一個例子的剖面示意圖。圖8是用于說明使用圖1所示的電子部件用樹脂片的半導體裝置的制造方法的一個例子的剖面示意圖。
具體實施例方式(電子部件用樹脂片)首先，在以下對本發(fā)明的一個實施方式的電子部件用樹脂片進行說明。圖1是本發(fā)明的一個實施方式的電子部件用樹脂片的剖面示意圖。如圖1所示，電子部件用樹脂片10具有熱固化型樹脂膜12和剝離膜16，在熱固化型樹脂膜12和剝離膜16之間設(shè)置用于非電解鍍法的催化劑層14。催化劑層14具有在非電解鍍液中用于誘發(fā)非電解鍍層19(參照圖8)析出的催化劑核。作為構(gòu)成上述催化劑核的催化劑，例如可以使用鈀、銀、及金中的至少I種。催化劑層14可以含有催化劑以外的成分，例如可以含有作為來自催化劑溶液的成分的錫。催化劑層14的厚度沒有特別的限定，在催化劑層14含有鈀催化劑的情況下，優(yōu)選為使鈀吸附量達到0.1 10 μ g/cm2的程度的厚度，更優(yōu)選為使鈀吸附量達到0.5 5 μ g/cm2的程度的厚度。通過使催化劑層14的厚度在上述范圍內(nèi)，從而可以得到均勻的鍍膜(催化劑層14)。另外，鈀吸附量可以通過使其溶解于濃硝酸和濃鹽酸的1: 3混合液后通過ICP發(fā)射光譜分析來進行分析。剝離膜16的與熱固化型樹脂膜12相對置的一側(cè)的面與水的接觸角優(yōu)選為90度以下、更優(yōu)選為75度以下。此外，上述接觸角越小越優(yōu)選，例如為15度以上、更優(yōu)選為30度以上。若剝離膜16的與熱固化型樹脂膜12相對置的一側(cè)的面與水的接觸角為90度以下，則在熱固化型樹脂膜12和剝離膜16之間能良好地形成催化劑層14。尤其是在將剝離膜16浸潰于含催化劑的溶液而在剝離膜16上形成催化劑層14、并在形成有催化劑層14的面上貼合熱固化型樹脂膜12而制造電子部件用樹脂片10的情況下，若剝離膜16的與熱固化型樹脂膜12相對置的一側(cè)的面與水的接觸角為90度以下，則含催化劑的溶液可良好地附著于剝離膜16。因此，可以在剝離膜16上更可靠地形成催化劑層14。上述接觸角可以通過剝離膜的脫模劑處理、物理處理等表面處理來控制。剝離膜16具有在供于實用之前作為保護催化劑層14及熱固化型樹脂膜12的保護材的功能。在催化劑層14上形成非電解鍍層19 (參照圖8)時剝離剝離膜16。作為剝離膜16，可列舉聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯等塑料膜、紙等。這些塑料膜、紙等可以利用氟系脫模劑、硅酮脫模劑、長鏈丙烯酸烷基酯系脫模劑等脫模劑進行表面涂布。但是，在表面涂布的情況下，優(yōu)選使剝離膜16的與熱固化型樹脂膜12相對置的一側(cè)的面與水的接觸角為90度以下。剝離膜16的厚度沒有特別的限定，例如優(yōu)選為15 150 μ m的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為25 75ym的范圍內(nèi)。熱固化型樹脂膜12具有密封半導體芯片等電子部件的功能。作為熱固化型樹脂膜12的構(gòu)成材料，可列舉并用熱可塑性樹脂和熱固化性樹脂的材料。此外，也可以單獨使用熱固化性樹脂。作為上述熱塑性樹脂，可列舉:天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、6-尼龍、6，6_尼龍等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹月旨、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、或氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨使用或者并用兩種以上。這些熱塑性樹脂中，特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性高、且能夠確保半導體芯片的可靠性的丙烯酸樹脂。作為上述丙烯酸樹脂，沒有特別的限定，可列舉以具有碳原子數(shù)為30以下、特別是碳原子數(shù)為4 18的直鏈或支鏈的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯中的一種或兩種以上為成分的聚合物等。作為上述烷基，可列舉例如:甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戍基、異戍基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。此外，作為形成上述聚合物的其他單體，沒有特別的限定，可列舉例如:丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等各種含羧基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等各種酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環(huán)己基)甲酯等各種含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等各種含磺酸基單體；或者2-羥基乙基丙烯?；姿狨サ雀鞣N含磷酸基單體。作為上述熱固化性樹脂，可舉出酚醛樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、硅酮樹脂、或熱固化性聚酰亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨使用或并用兩種以上。特別優(yōu)選為腐蝕半導體元件的離子性雜質(zhì)等的含量少的環(huán)氧樹脂。此外，作為環(huán)氧樹脂的固化劑，優(yōu)選酚醛樹脂。上述環(huán)氧樹脂只要是通常用作膠黏劑組合物的環(huán)氧樹脂，則沒有特別的限定，可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型等二官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂、或者乙內(nèi)酰脲型、三縮水甘油基異氰脲酸酯型或者縮水甘油基胺型等環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨使用或者并用兩種以上。在這些環(huán)氧樹脂中，特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三羥基苯基甲烷型樹脂或四苯基乙烷型環(huán)氧樹脂。這是由于這些環(huán)氧樹脂富有與作為固化劑的酚醛樹脂的反應(yīng)性且耐熱性等優(yōu)異。進而，上述酚醛樹脂作為上述環(huán)氧樹脂的固化劑發(fā)揮作用，可列舉例如:苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基酚醛清漆樹脂、壬基酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂、甲酚型酚醛樹脂、聚對氧基苯乙烯等聚氧基苯乙烯等等。它們可以單獨使用或并用兩種以上。
有關(guān)上述環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，例如優(yōu)選以酚醛樹脂中的羥基相對于上述環(huán)氧樹脂成分中的每I當量環(huán)氧基為0.5 2.0當量的方式配合。更優(yōu)選為0.8
1.2當量。即，這是由于若兩者的配合比例在上述范圍之外，則無法進行充分的固化反應(yīng)，環(huán)氧樹脂固化物的特性容易劣化。作為環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的熱固化促進催化劑，沒有特別限定，可適當從公知的熱固化促進催化劑中加以選擇使用。熱固化促進催化劑可以單獨使用或組合使用兩種以上。作為熱固化促進催化劑，可以使用例如胺系固化促進劑、磷系固化促進劑、咪唑系固化促進劑、硼系固化促進劑、磷-硼系固化促進劑等。此外，在熱固化型樹脂膜12中可以適當配合無機填充劑。無機填充劑的配合能夠賦予導電性、提高熱傳導性、調(diào)節(jié)儲存彈性模量等。作為上述無機填料，可列舉例如:二氧化硅、粘土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化硅、氮化硅等陶瓷類，鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊料等金屬、或者合金類，以及其他的包含碳等的各種無機粉末等。這些無機填料可以單獨使用或并用兩種以上。其中，可以優(yōu)選使用二氧化硅，特別優(yōu)選使用熔融二氧化硅。無機填充劑的平均粒徑優(yōu)選在0.1 30 μ m的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.5 25 μ m的范圍內(nèi)。另外，本發(fā)明中可以組合使用平均粒徑不同的無機填充劑。此外，平均粒徑是利用分光光度式的粒度分布計(H0RIBA制、裝置名；LA-910)求得的值。上述無機填充劑的配合量優(yōu)選相對于有機樹脂成分100重量份設(shè)定為100 1400重量份。特別優(yōu)選為230 900重量份。在無機填充劑的配合量為100重量份以上時，耐熱性、強度提高。此外，通過使無機填充劑的配合量為1400重量份以下，從而可以確保流動性。由此可以防止粘接性、埋入性降低。另外，熱固化型樹脂膜12中，除上述無機填充劑以外，還可以根據(jù)需要適當配合其他添加劑。作為其他添加劑，可列舉例如阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑、離子捕獲劑、脫模劑、增塑劑等。作為上述阻燃劑，可以使用各種公知的阻燃劑成分，從降低環(huán)境負擔的觀點出發(fā)，優(yōu)選使用氫氧化鎂、氫氧化鋁等金屬氫氧化物、磷酸系化合物、磷腈(phosphazene)等有機磷系化合物等。它們可以單獨使用或并用兩種以上。作為上述硅烷偶聯(lián)劑，可列舉例如β -(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y -環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y -環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。這些化合物可以單獨使用或并用兩種以上。作為上述離子捕獲齊U，可舉出例如水滑石類、氫氧化鉍等。它們可以單獨使用或并用兩種以上。作為上述脫模齊U，可以適當選擇使用硅酮系脫模劑、長鏈烷基系脫模劑等一直以來使用的各種脫模劑。作為上述增塑劑，可列舉例如單官能的丙烯酸類單體、單官能環(huán)氧樹脂、液狀環(huán)氧樹脂、丙烯酸系樹脂、環(huán)氧系稀釋劑等。熱固化型樹脂膜12的粘度在成型溫度下優(yōu)選為IOOPa.s IOOOOPa.S、更優(yōu)選為SOOPa.s 3000Pa.S。上述成型溫度可以根據(jù)熱固化型樹脂膜12的組成等進行適當設(shè)定，例如為40 180°C、更優(yōu)選為80 150°C。熱固化型樹脂膜12的厚度(在多層時為總厚度)沒有特別的限定，但是若考慮電子部件的埋入性等，則優(yōu)選100 μ m以上且1000 μ m以下。另外，熱固化型樹脂膜12的厚度可以考慮電子部件的厚度進行適當設(shè)定。電子部件用樹脂片10中，可以在熱固化型樹脂膜12的與設(shè)置剝離膜16的一側(cè)相反側(cè)的面上設(shè)置覆蓋膜(未圖示)。作為上述覆蓋膜，例如可以使用與剝離膜16同樣的物質(zhì)。在上述實施方式中對電子部件用樹脂片由熱固化型樹脂膜12、剝離膜16和催化劑層14構(gòu)成的的情況進行了說明。但是，本發(fā)明的電子部件用樹脂片并不限定于該例，也可以具有其他的層。(電子部件用樹脂片的制造方法)接著，對電子部件用樹脂片10的一個制造方法進行說明。圖2 圖4是用于說明電子部件用樹脂片的一個制造方法的剖面示意圖。本實施方式的電子部件用樹脂片的制造方法至少具備以下工序:在剝離膜16上形成用于非電解鍍法的催化劑層14的工序；以及在形成有催化劑層14的面上貼合熱固化型樹脂膜12，得到依次層疊有剝離膜16、催化劑層14、及熱固化型樹脂膜12的電子部件用樹脂片10的工序。作為剝離膜16的制膜方法，可例示出例如壓延制膜法、有機溶劑中的澆注法、密閉體系中的吹塑擠出法、T模頭擠出法、共擠出法、干式層壓法等。作為催化劑層14的形成方法，可列舉將剝離膜16浸潰于催化劑層形成用溶液18的方法(參照圖2)。由此，得到帶有催化劑層14的剝離膜16(參照圖3)。作為催化劑層形成用溶液18，可列舉例如錫-鈀膠體溶液、鈀離子絡(luò)合物溶液等。作為浸潰時間，優(yōu)選I 15分鐘、更優(yōu)選2 8分鐘。此外，浸潰時的催化劑層形成用溶液18的溫度優(yōu)選20 70°C、更優(yōu)選30 60°C。另外，優(yōu)選的是，將剝離膜16浸潰于催化劑層形成用溶液18而形成催化劑層14后，對帶有催化劑層14的剝離膜16進行水洗、及干燥。作為水洗的條件，可以設(shè)為以純水洗滌3 10分鐘。此外，作為干燥條件，可以設(shè)定為在70 130°C干燥5 10分鐘。另一方面，準備熱固化型樹脂膜12。作為形成熱固化型樹脂膜12的工序，可以通過對熱固化型樹脂膜12的構(gòu)成材料進行混煉、擠出從而得到熱固化型樹脂膜12。接著，在帶有催化劑層14的剝離膜16的形成有催化劑層14的面上轉(zhuǎn)印熱固化型樹脂膜12(參照圖4)。該轉(zhuǎn)印可以通過壓接來進行。貼合溫度優(yōu)選為40 80°C、更優(yōu)選為50 70°C。此外，貼合壓力優(yōu)選為0.1 0.6MPa、更優(yōu)選為0.2 0.5MPa。由此，得到電子部件用樹脂片10。在上述電子部件用樹脂片的制造方法中對通過擠出成形來制造熱固化型樹脂膜的情況進行了說明。但是，本發(fā)明中，熱固化型樹脂膜的制造并不限定于該例，例如，還可以在進行在脫模膜上涂布作為熱固化型樹脂膜的構(gòu)成材料的膠黏劑組合物溶液而形成涂布層的工序之后使上述涂布層干燥來制造熱固化型樹脂膜。在上述電子部件用樹脂片的制造方法中對制作帶有催化劑層的剝離膜并將其貼合于熱固化型樹脂膜而制造電子部件用樹脂片的情況進行了說明。但是，本發(fā)明的電子部件用樹脂片的制造方法并不限定于該例。例如還可以在制造熱固化型樹脂膜后將該熱固化型樹脂膜浸潰于催化劑層形成用溶液而在熱固化型樹脂膜上形成催化劑層、之后將剝離膜貼合于催化劑層上。(半導體裝置的制造方法)接著，對使用電子部件用樹脂片的半導體裝置的一個制造方法進行說明。圖5 圖8是用于說明使用電子部件用樹脂片的半導體裝置的制造方法的一個例子的剖面示意圖。本實施方式的電子部件用樹脂片的制造方法至少具備以下工序:準備上述記載的電子部件用樹脂片的工序；對上述電子部件用樹脂片進行成型的工序；對成型后的上述電子部件用樹脂片進行加熱，使上述熱固化型樹脂膜熱固化的工序；使上述熱固化型樹脂膜熱固化后，剝離上述剝離膜的工序；以及利用非電解鍍法在上述催化劑層上形成非電解鍍層的工序。首先，準備上述記載的電子部件用樹脂片10。接著，對電子部件用樹脂片10進行成型。具體而言，將電子部件用樹脂片10以設(shè)有半導體芯片42的基板40與熱固化型樹脂膜12相對置的方式按壓，并以將半導體芯片42埋入熱固化型樹脂膜12的方式進行成型(參照圖5)。由此，利用熱固化型樹脂膜12對半導體芯片42進行密封(參照圖6)。埋入可以使用壓制成型機、輥成型機并從電子部件用樹脂片10的兩側(cè)施加壓力來進行。由此，可以使半導體芯片42處于被熱固化型樹脂膜12密封的狀態(tài)(參照圖6)。埋入溫度優(yōu)選為60 150°C、更優(yōu)選為80 120°C。此外，埋入壓力優(yōu)選為0.02 3MPa、更優(yōu)選為0. 05 IMPa。接著，對成型后的電子部件用樹脂片10進行加熱，使熱固化型樹脂膜12熱固化。熱固化工序中的加熱溫度優(yōu)選在90 200°C下進行、更優(yōu)選在120 175°C下進行。此外，加熱時間優(yōu)選為30 240分鐘、更優(yōu)選為60 180分鐘。使熱固化型樹脂膜12熱固化后，接著，剝離剝離膜16(參照圖7)。剝離可以使用以往公知的剝離裝置來進行。接著，利用非電解鍍法在催化劑層上形成非電解鍍層19。具體而言，將層疊有具備半導體芯片42的基板40、熱固化型樹脂膜12和催化劑層14的層疊體浸潰于非電解鍍液。作為非電解鍍液的組成，可以根據(jù)所形成的非電解鍍層19進行設(shè)定，可列舉例如以硫酸銅水合物、EDTA(乙二胺四乙酸鹽)為主成分的非電解鍍液的組成。在非電解鍍液中的浸潰時間可以根據(jù)所形成的非電解鍍層19的厚度進行設(shè)定。例如，在形成膜厚(0.5μπι)的非電解鍍層19的情況下，在非電解鍍液中的浸潰時間可以為250 350秒左右。由此，可以在催化劑層14上形成非電解鍍層19 (參照圖8)。實施例以下，舉例詳細地說明本發(fā)明的優(yōu)選的實施例。但是，該實施例中記載的材料、配合量等，只要沒有特別的限定性的記載，則并不意味著將這些參數(shù)限定本發(fā)明的范圍。另夕卜，以下“份”是指重量份。(實施例1)〈熱固化型樹脂膜的制作>將下述(a) (f)用雙軸混煉機在120°C混煉5分鐘并對其進行擠出，從而得到厚度為0.7 μ m的熱固化型樹脂膜A。(a)環(huán)氧樹脂(新日鐵化學公司制、YSLV-80XY)286份(b)酚醛樹脂(明和化成公司制、MEH-7851-SS)303份(c)固化促進劑(四國化成工業(yè)公司制、2PHZ)6份(d) 二氧化硅填料(電氣化學工業(yè)公司制、FB-9454-FC) 3695份(e)硅烷偶聯(lián)劑(信越化學工業(yè)公司制、KBM-403)5份(f)作為填充劑的碳(三菱化學公司制、#20)5份
〈帶有Pd核的剝離膜的制作>準備PET膜(三菱化學制MRF-50、厚度50 μ m、僅一面用硅酮處理的處理品)作為剝離膜。接著，在45°C的條件下將該PET膜在錫-鈀膠體溶液(純水、Rohm and Haas公司制CATAPREP404、CATAP0SIT44的混合液、混合比率為86: 10: 4)中浸潰4分鐘。然后，在常溫(23°C )下進行水洗。由此，得到在PET膜的非硅酮處理面?zhèn)刃纬捎蠵d (鈀)核的帶Pd核的剝離膜A。<電子部件用樹脂片的制作>將帶有Pd核的PET膜的非硅酮處理面與上述制作的熱固化型樹脂膜A貼合。此夕卜，準備未賦予催化劑核的PET膜(三菱化學制MRF-50、厚度50 μ m、僅一面用硅酮處理的處理品)作為覆蓋膜A，在熱固化型樹脂膜A的未貼合帶有Pd核的PET膜的面上貼合覆蓋膜A。由此，得到本實施例1的電子部件用樹脂片A。(實施例2)〈帶有Pd核的剝離膜的制作>除了使用聚甲基戊烯膜(三井化學制、Opulent X-88BMT4、厚度50 μ m)作為剝離膜以外，與實施例1同樣地得到帶有Pd核的剝離膜B。<電子部件用樹脂片的制作>除了使用上述帶有Pd核的剝離膜B以外，與實施例1同樣地得到本實施例2的電子部件用樹脂片B。(實施例3)<電子部件用樹脂片的制作>在45 V的條件下將熱固化型樹脂膜A在錫-鈀膠體溶液(純水、Rohm and Haas公司制CATAPREP404、CATAP0SIT44的混合液、混合比率為86: 10: 4)中浸潰4分鐘。然后，在常溫(23 °C)下進行水洗。接著，將作為剝離膜C而準備的PET膜(三菱化學制MRF-50、厚度50 μ m、僅一面用硅酮處理的處理品)的非硅酮處理面與熱固化型樹脂膜A貼合。此外，在熱固化型樹脂膜A的未貼合剝離膜C的面上貼合作為覆蓋膜C而準備的PET膜(三菱化學制MRF-50、厚度50 μ m、僅一面用硅酮處理的處理品)的硅酮處理面。由此，得到本實施例3的電子部件用樹脂片C。(接觸角的測定)利用2/ Θ法對實施例1及實施例2中得到的帶有Pd核的剝離膜與Pd核形成面的接觸角進行了測定。結(jié)果如表I所示。(對剝離膜的鍍層形成性的評價)在50°C下將實施例1的帶有Pd核的剝離膜A及實施例2的帶有Pd核的剝離膜B 在上述非電解鍍液(純水、Rohm and Haas 公司制、CIRCUP0SIT4500M、CIRCUP0SIT4500A、CIRCUP0SIT4500B的混合液、混合比率為72: 12: 6: 10)中浸潰4分鐘，由此在帶有Pd核的剝離膜表面形成鍍銅層。通過目視觀察樹脂表面，將以帶有Pd核的剝離膜表面整體設(shè)為100%時的、被鍍敷的部分的面積的比例設(shè)為鍍敷率。結(jié)果如表I所示。(對熱固化型樹脂膜的鍍層形成性的評價)分別從實施例1 3的電子部件用樹脂片剝離覆蓋膜。接著，使熱固化型樹脂膜面與配置有多個半導體設(shè)備(例如半導體芯片等)的基板相對置，使用真空壓力機在30torr、90°CUMPa的條件下進行成型。大氣開放后，在150°C加熱I小時，使樹脂熱固化。接著，剝離剝離膜，在50°C下將成型物在非電解鍍液(純水、Rohmand Haas公司制、CIRCUP0SIT4500M、CIRCUP0SIT4500A、CIRCUP0SIT4500B 的混合液、混合比率為72: 12: 6: 10)中浸潰4分鐘，由此，在樹脂表面形成鍍銅層。通過目視觀察樹脂表面，將以樹脂表面整體設(shè)為100%時的、被鍍敷的部分的面積比例設(shè)為鍍敷率。結(jié)果如表I所示。此外，將鍍敷率為100%的情況評價為◎，將鍍敷率為90%以上且小于100的情況評價為〇，將鍍敷率小于90%的情況評價為X。結(jié)果如表I所示。表I
權(quán)利要求
1.一種電子部件用樹脂片，其特征在于，具有熱固化型樹脂膜和剝離膜， 在所述熱固化型樹脂膜和所述剝離膜之間設(shè)置用于非電解鍍法的催化劑層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件用樹脂片，其特征在于，所述剝離膜的與所述熱固化型樹脂膜相對一側(cè)的面與水的接觸角為90度以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件用樹脂片，其特征在于，所述催化劑層含有鈀催化劑。
4.一種電子部件用樹脂片的制造方法，其特征在于，具備以下工序: 在剝離膜上形成用于非電解鍍法的催化劑層的工序；以及 在形成有所述催化劑層的面上貼合熱固化型樹脂膜，得到依次層疊有剝離膜、催化劑層、及熱固化型樹脂膜的電子部件用樹脂片的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子部件用樹脂片的制造方法，其特征在于，所述剝離膜與水的接觸角為90度以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子部件用樹脂片的制造方法，其特征在于，所述催化劑層含有鈀催化劑。
7.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備以下工序: 準備權(quán)利要求1 3中任一項所述的電子部件用樹脂片的工序； 對所述電子部件用樹脂片進行成型的工序； 對成型后的所述電子部件用樹脂片進行加熱，使所述熱固化型樹脂膜熱固化的工序； 使所述熱固化型樹脂膜熱固化后，剝離所述剝離膜的工序；以及 利用非電解鍍法在所述催化劑層上形成非電解鍍層。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠簡便地形成非電解鍍層的電子部件用樹脂片。本發(fā)明的電子部件用樹脂片，其具有熱固化型樹脂膜和剝離膜，在熱固化型樹脂膜和剝離膜之間設(shè)置用于非電解鍍法的催化劑層。
文檔編號H01L21/56GK103182817SQ20121055741
公開日2013年7月3日 申請日期2012年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月28日
發(fā)明者豐田英志, 山崎博司, 龜山工次郎, 松村健 申請人:日東電工株式會社