半導(dǎo)體工藝及其結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體工藝，其包含下列步驟：提供硅基板，該硅基板具有導(dǎo)接墊及保護(hù)層；形成第一種子層，該第一種子層具有第一區(qū)段及第二區(qū)段；形成第一光阻層；形成第一緩沖層,該第一緩沖層具有接合部及包埋部；移除該第一光阻層；移除該第一種子層的該第二區(qū)段以形成第一凸塊下金屬層；形成支撐層于該保護(hù)層及該第一緩沖層，該第一凸塊下金屬層具有第一環(huán)壁，該第一緩沖層具有第二環(huán)壁，該支撐層包覆該第一環(huán)壁、該第二環(huán)壁及該包埋部；以及形成導(dǎo)接部且覆蓋該第一緩沖層的該接合部。
【專利說明】半導(dǎo)體工藝及其結(jié)構(gòu)【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體工藝，特別是有關(guān)于一種可加強(qiáng)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的半導(dǎo)體工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，現(xiàn)有習(xí)知半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200包含有硅基板210、凸塊下金屬層220及焊球230，該硅基板210具有鋁墊211及保護(hù)層212，該凸塊下金屬層220電性連接該鋁墊211且該焊球230形成于該凸塊下金屬層220上。當(dāng)該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200進(jìn)行推力測(cè)試時(shí)，由于該焊球230、該凸塊下金屬層220與該鋁墊211的材質(zhì)不同，因此會(huì)存在明顯的結(jié)合接口而形成結(jié)構(gòu)強(qiáng)度最脆弱之處，導(dǎo)致該凸塊下金屬層220容易由該鋁墊211剝離甚至損傷該鋁墊211而使得該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200良率下降。
[0003]由此可見，上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的半導(dǎo)體工藝及其結(jié)構(gòu)，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
[0004]有鑒于上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的半導(dǎo)體工藝及其結(jié)構(gòu)，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的半導(dǎo)體，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反復(fù)試 作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體存在的缺陷，而提供一種新的半導(dǎo)體工藝及其結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其形成一支撐層于該保護(hù)層及該第一緩沖層，該第一凸塊下金屬層具有一第一環(huán)壁，該第一緩沖層具有一第二環(huán)壁，該支撐層包覆該第一環(huán)壁、該第二環(huán)壁及該包埋部；以及形成一導(dǎo)接部且覆蓋該第一緩沖層之該接合部，非常適于實(shí)用。
[0006]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體工藝，其中包含:提供硅基板，該硅基板具有表面、導(dǎo)接墊及保護(hù)層，該導(dǎo)接墊形成于該表面，該保護(hù)層形成于該表面且覆蓋該導(dǎo)接墊，該保護(hù)層具有第一開口，該第一開口顯露該導(dǎo)接墊；形成第一種子層于該保護(hù)層及該導(dǎo)接墊，該第一種子層具有第一區(qū)段及位于該第一區(qū)段外側(cè)的第二區(qū)段；形成第一光阻層于該第一種子層，該第一光阻層形成有第一開槽以顯露該第一區(qū)段；形成第一緩沖層于該第一開槽，該第一緩沖層覆蓋該第種子層的該第一區(qū)段，該第一緩沖層具有接合部及包埋部；移除該第一光阻層以顯露該第一種子層的該第二區(qū)段；移除該第一種子層的該第二區(qū)段以使該第一區(qū)段形成第一凸塊下金屬層；形成支撐層于該保護(hù)層及該第一緩沖層，該支撐層具有第二開口且該第二開口顯露該第一緩沖層的該接合部，其中該第一凸塊下金屬層具有第一環(huán)壁，該第一緩沖層具有第二環(huán)壁，該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層之該第一環(huán)壁、該第一緩沖層的該第二環(huán)壁及該包埋部；以及
[0007]形成導(dǎo)接部于該第二開口且覆蓋該第一緩沖層的該接合部。
[0008]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0009]前述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該導(dǎo)接部包含有第二凸塊下金屬層、第二緩沖層及焊料層，該第二凸塊下金屬層覆蓋該第一緩沖層之該接合部，該第二緩沖層覆蓋該第二凸塊下金屬層，該焊料層覆蓋該第二緩沖層。
[0010]前述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該支撐層具有頂面，該第二凸塊下金屬層覆蓋該頂面。
[0011]前述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于形成該導(dǎo)接部的工藝包含下列步驟:形成第二種子層于該支撐層并覆蓋該第一緩沖層，該第二種子層具有第三區(qū)段及位于該第三區(qū)段外側(cè)的第四區(qū)段；形成第二光阻層于該第二種子層，該第二光阻層形成有第二開槽以顯露該第三區(qū)段；形成該第二緩沖層于該第二開槽，該第二緩沖層覆蓋該第二種子層之該第三區(qū)段；形成該焊料層于該第二緩沖層；移除該第二光阻層以顯露該第二種子層的該第四區(qū)段；及移除該第二種子層的該第四區(qū)段以使該第三區(qū)段形成該第二凸塊下金屬層。
[0012]前述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于在移除該第二種子層的該第四區(qū)段的步驟后，另包含有回焊該焊料層的步驟。
[0013]前述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該第一種子層的材質(zhì)選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一。
[0014]前述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該支撐層的材質(zhì)選自于聚酰亞胺(Polyimide, PI)、聚對(duì)苯撐苯并二嗯唑(Poly-p-phenylene benzo-bisoxazazole, PBO)或苯環(huán)丁烯(Benezocy-clobutene, BCB)其中之一。
[0015]前述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該第二種子層的材質(zhì)選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一。
[0016]前述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該第一緩沖層的材質(zhì)選自于銅或鎳其中之一。
[0017]前述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該第二緩沖層的材質(zhì)選自于銅、鎳或銅鎳合金其中之一。
[0018]前述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該第一緩沖層的該接合部具有一接合面，該第二凸塊下金屬層具有抵接邊，該抵接邊接觸該接合面。
[0019]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中包含:硅基板，其具有表面、導(dǎo)接墊及保護(hù)層，該導(dǎo)接墊形成于該表面，該保護(hù)層形成于該表面且覆蓋該導(dǎo)接墊，該保護(hù)層具有第一開口，該第一開口顯露該導(dǎo)接墊；第一凸塊下金屬層，其覆蓋該保護(hù)層及該導(dǎo)接墊，該第一凸塊下金屬層具有第一環(huán)壁；第一緩沖層，其形成于該第一凸塊下金屬層，該第一緩沖層具有接合部、包埋部及第二環(huán)壁；支撐層，其形成于該保護(hù)層、該第一凸塊下金屬層及該第一緩沖層，該支撐層具有第二開口且該第二開口顯露該第一緩沖層之該接合部，該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層之該第一環(huán)壁、該第一緩沖層的該第二環(huán)壁及該包埋部；以及導(dǎo)接部，其形成于該第二開口且覆蓋該第一緩沖層的該接合部。
[0020]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0021]前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)接部包含有第二凸塊下金屬層、第二緩沖層及焊料層，該第二凸塊下金屬層形成于該第二開口，且覆蓋該第一緩沖層的該接合部，該第二緩沖層覆蓋該第二凸塊下金屬層，該焊料層覆蓋該第二緩沖層。
[0022]前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該支撐層具有頂面，該第二凸塊下金屬層覆蓋該頂面。
[0023]前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一凸塊下金屬層的材質(zhì)選自于鈦銅合金或鈦鶴銅合金其中之一。
[0024]前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該支撐層的材質(zhì)選自于聚酰亞胺(Polyimide, PI)、聚對(duì)苯撐苯并二嗯唑(Poly-p-phenylene benzo-bisoxazazole, PBO)或苯環(huán)丁烯(Benezocy-clobutene, BCB)其中之一。
[0025]前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二凸塊下金屬層的材質(zhì)選自于鈦銅合金或鈦鶴銅合金其中之一。
[0026]前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一緩沖層的材質(zhì)選自于銅或鎳其中之一。
[0027]前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二緩沖層的材質(zhì)選自于銅、鎳或銅鎳合金其中之一。
[0028]前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一緩沖層的該接合部具有一接合面，該第二凸塊下金屬層具有一抵接邊，該抵接邊接觸該接合面。
[0029]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下:提供一種半導(dǎo)體工藝，其包含下列步驟:提供硅基板，該硅基板具有表面、導(dǎo)接墊及保護(hù)層，該導(dǎo)接墊形成于該表面，該保護(hù)層形成于該表面且覆蓋該導(dǎo)接墊，該保護(hù)層具有第一開口，該第一開口顯露該導(dǎo)接墊；形成第一種子層于該保護(hù)層及該導(dǎo)接墊，該第一種子層具有第一區(qū)段及位于該第一區(qū)段外側(cè)的第二區(qū)段；形成第一光阻層于該第一種子層，該第一光阻層形成有第一開槽以顯露該第一區(qū)段；形成第一緩沖層于該第一開槽，該第一緩沖層覆蓋該第一種子層的該第一區(qū)段，該第一緩沖層具有接合部及包埋部；移除該第一光阻層以顯露該第一種子層的該第二區(qū)段；移除該第一種子層的該第二區(qū)段以使該第一區(qū)段形成第一凸塊下金屬層；形成一支撐層于該保護(hù)層及該第一緩沖層，該支撐層具有第二開口且該第二開口顯露該第一緩沖層的該接合部，其中該第一凸塊下金屬層具有第一環(huán)壁，該第一緩沖層具有第二環(huán)壁，該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層的該第一環(huán)壁、該第一緩沖層的該第二環(huán)壁及該包埋部；以及形成導(dǎo)接部于該第二開口且覆蓋該第一緩沖層之該接合部。
[0030]借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明半導(dǎo)體工藝及其結(jié)構(gòu)具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果:由于該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層的該第一環(huán)壁、該第一緩沖層的該第二環(huán)壁及該包埋部，且該第一緩沖層覆蓋該第一凸塊下金屬層，因此該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行推力試驗(yàn)時(shí)，可防止該第一凸塊下金屬層由該導(dǎo)接墊剝離或損傷該導(dǎo)接墊，因而提高該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率。
[0031]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1是現(xiàn)有習(xí)知半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖。[0033]圖2是依據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，一種半導(dǎo)體工藝之流程圖。
[0034]圖3A至圖31是依據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，該半導(dǎo)體工藝的截面示意圖。
[0035]圖4是依據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，一種導(dǎo)接部工藝流程圖。
[0036]圖5A至圖5E是依據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，該導(dǎo)接部工藝的截面示意圖。
[0037]【主要元件符號(hào)說明】
[0038]10:提供硅基板
[0039]11:形成第一種子層
[0040]12:形成第一光阻層
[0041]13:形成第一緩沖層
[0042]14:移除該第一光阻層
[0043]15:移除該第一種子層
[0044]16:形成支撐層
[0045]17:形成導(dǎo)接部
[0046]20:形成第二種子層
[0047]21:形成第二光阻層
[0048]22:形成該第二緩沖層
[0049]23:形成該焊料層
[0050]24:移除該第二光阻層
[0051]25:移除該第二種子層
[0052]100:半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
[0053]110:硅基板111:表面
[0054]112:導(dǎo)接墊113:保護(hù)層
[0055]113a:第一開口
[0056]120:第一凸塊下金屬層121:第一環(huán)壁
[0057]120’:第一種子層120’ a:第一區(qū)段
[0058]120’ b:第二區(qū)段130:第一緩沖層
[0059]131:接合部131a:接合面
[0060]132:包埋部133:第二環(huán)壁
[0061]140:支撐層141:第二開口
[0062]142:頂面
[0063]150:導(dǎo)接部151:第二凸塊下金屬層
[0064]151a:抵接邊151’:第二種子層
[0065]151’ a:第三區(qū)段151’b:第四區(qū)段
[0066]152:第二緩沖層153:焊料層
[0067]153a:弧狀表面
[0068]200:半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
[0069]210:硅基板211:鋁墊
[0070]212:保護(hù)層220:凸塊下金屬層
[0071] 230:焊球[0072]01:第一開槽02:第二開槽
[0073]Pl:第一光阻層P2:第二光阻層
【具體實(shí)施方式】
[0074]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的半導(dǎo)體工藝及其結(jié)構(gòu)其【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
[0075]請(qǐng)參閱圖2及圖3A至圖31，其本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，一種半導(dǎo)體工藝包含下列步驟:首先，請(qǐng)參閱圖2的步驟10及圖3A，提供硅基板110，該硅基板110具有表面111、導(dǎo)接墊112及保護(hù)層113，該導(dǎo)接墊112形成于該表面111，該保護(hù)層113形成于該表面111且覆蓋該導(dǎo)接墊112，該保護(hù)層113具有第一開口 113a，該第一開口 113a顯露該導(dǎo)接墊112 ;接著，請(qǐng)參閱圖2的步驟11及圖3B，形成第一種子層120’于該保護(hù)層113及該導(dǎo)接墊112，該第一種子層120’具有第一區(qū)段120’ a及位于該第一區(qū)段120’ a外側(cè)的第二區(qū)段120’ b，該第一種子層120’的材質(zhì)選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一；之后，請(qǐng)參閱圖2的步驟12及圖3C，形成第一光阻層Pl于該第一種子層120’，該第一光阻層Pl形成有第一開槽01以顯露該第一區(qū)段120’ a ;接著，請(qǐng)參閱圖2的步驟13及圖3D，形成第一緩沖層130于該第一開槽01，該第一緩沖層130覆蓋該第一種子層120’的該第一區(qū)段120’ a，且該第一緩沖層130具有接合部131及包埋部132，該第一緩沖層130的材質(zhì)選自于銅或鎳其中之一；之后，請(qǐng)參閱圖2的步驟14及圖3E，移除該第一光阻層Pl以顯露該第一種子層120’的該第二區(qū)段120’ b ;接著，請(qǐng)參閱圖2的步驟15及圖3F，移除該第一種子層120’的該第二區(qū)段120’ b以使該第一區(qū)段120’ a形成第一凸塊下金屬層120 ;之后，請(qǐng)參閱圖2的步驟16及圖3G，形成支撐層140于該保護(hù)層113及該第一緩沖層130，該支撐層140具有第二開口 141且該第二開口 141顯露該第一緩沖層130的該接合部131，其中該第一凸塊下金屬層120具有第一環(huán)壁121，該第一緩沖層130具有第二環(huán)壁133，該支撐層140包覆該第一凸塊下金屬層120的該第一環(huán)壁`121、該第一緩沖層130的該第二環(huán)壁133及該包埋部132，該支撐層140的材質(zhì)選自于聚酰亞胺(Polyimide，PI)、聚對(duì)苯撐苯并二嗯唑(Poly-p-phenylene benzo-bisoxazazole, PB0)或苯環(huán)丁烯(Benezocy-clobutene, BCB)其中之一；接著，請(qǐng)參閱圖2的步驟17及圖3H，形成導(dǎo)接部150于該第二開口 141且覆蓋該第一緩沖層130的該接合部131，較佳地，在本實(shí)施例中，該導(dǎo)接部150包含有第二凸塊下金屬層151、第二緩沖層152及焊料層153，該第二凸塊下金屬層151覆蓋該第一緩沖層130的該接合部131，且該支撐層140具有頂面142，該第二凸塊下金屬層151覆蓋該頂面142，在本實(shí)施例中，該第二凸塊下金屬層151具有抵接邊151a，該第一緩沖層130的該接合部131具有接合面131a，該抵接邊151a接觸該接合面131a，該第二緩沖層152覆蓋該第二凸塊下金屬層151，該焊料層153覆蓋該第二緩沖層152。
[0076]此外，請(qǐng)參閱圖4及圖5A至圖5E，在本實(shí)施例中，形成該導(dǎo)接部150的工藝包含下列步驟:首先，請(qǐng)參閱圖4的步驟20及圖5A，形成第二種子層151’于該支撐層140并覆蓋該第一緩沖層130，該第二種子層151’具有第三區(qū)段151’a及位于該第三區(qū)段151’a外側(cè)的第四區(qū)段151’ b，該第二種子層151’的材質(zhì)選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一；接著，請(qǐng)參閱圖4的步驟21及圖5B，形成第二光阻層P2于該第二種子層151’，該第二光阻層P2形成有第二開槽02以顯露該第三區(qū)段151’ a ;之后，請(qǐng)參閱圖4的步驟22及圖5C，形成該第二緩沖層152于該第二開槽02，該第二緩沖層152覆蓋該第二種子層151’的該第三區(qū)段151’a，該第二緩沖層152的材質(zhì)選自于銅、鎳或銅鎳合金其中之一；接著，請(qǐng)參閱圖4的步驟23及圖5D，形成該焊料層153于該第二緩沖層152 ;之后，請(qǐng)參閱圖4的步驟24及圖5E，移除該第二光阻層P2以顯露該第二種子層151’的該第四區(qū)段151’b ;接著，請(qǐng)參閱圖4的步驟25及圖3H，移除該第二種子層151’的該第四區(qū)段151’b以使該第三區(qū)段151’a形成該第二凸塊下金屬層151，并形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100 ;最后，請(qǐng)參閱圖31，回焊該焊料層153以使該焊料層153形成有弧狀表面153a。由于該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的該支撐層140包覆該第一凸塊下金屬層120的該第一環(huán)壁121、該第一緩沖層130的該第二環(huán)壁133及該包埋部132，且該第一緩沖層130覆蓋該第一凸塊下金屬層120，該第二凸塊下金屬層151的該抵接邊151a接觸該接合部131的該接合面131a，因此該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100進(jìn)行推力試驗(yàn)時(shí)，可防止該第一凸塊下金屬層120由該導(dǎo)接墊112剝離或損傷該導(dǎo)接墊112，因而提高該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的良率。
[0077]請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D3H，其本發(fā)明的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100，其至少包含有硅基板110、第一凸塊下金屬層120、第一緩沖層130、支撐層140以及導(dǎo)接部150，該硅基板110具有表面111、導(dǎo)接墊112及保護(hù)層113，該導(dǎo)接墊112形成于該表面111，該保護(hù)層113形成于該表面111且覆蓋該導(dǎo)接墊112，該保護(hù)層113具有第一開口 113a，該第一開口 113a顯露該導(dǎo)接墊112，該第一凸塊下金屬層120覆蓋該保護(hù)層113及該導(dǎo)接墊112，該第一凸塊下金屬層120的材質(zhì)選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一，該第一凸塊下金屬層120具有第一環(huán)壁121,該第一緩沖層130形成于該第一凸塊下金屬層120,該第一緩沖層130的材質(zhì)選自于銅或鎳其中之一，該第一緩沖層130具有接合部131、包埋部132及第二環(huán)壁133，該支撐層140形成于該保護(hù)層113、該第一凸塊下金屬層120及該第一緩沖層130，該支撐層140的材質(zhì)選自于聚酰亞胺(Polyimide, PI)、聚對(duì)苯撐苯并二嗯唑(Poly-p-phenylene benzo-bisoxazazole, PB0)或苯環(huán)丁烯(Benezocy-clobutene, BCB)其中之一，該支撐層 140 具有第二開口 141及頂面142，且該第二開口 141顯露該第一緩沖層130的該接合部131，該支撐層140包覆該第一凸塊下金屬層120的該第一環(huán)壁121、該第一緩沖層130的該第二環(huán)壁133及該包埋部132，該導(dǎo)接部150形成于該第二開口 141且覆蓋該第一緩沖層130之該接合部131，在本實(shí)施例中，該導(dǎo)接部150包含有第二凸塊下金屬層151、第二緩沖層152及焊料層153，該第二凸塊下金屬層151形成于該第二開口 141，且覆蓋該第一緩沖層130的該接合部131,該第二凸塊下金屬層151的材質(zhì)選自于鈦銅合金或鈦鶴銅合金其中之一,該第二緩沖層152覆蓋該第二凸塊下金屬層151，該第二緩沖層152的材質(zhì)選自于銅、鎳或銅鎳合金其中之一，該焊料層153覆蓋該第二緩沖層152，該第二凸塊下金屬層151覆蓋該支撐層140的該頂面142。較佳地，在本實(shí)施例中，該第一緩沖層130的該接合部131具有接合面131a，該第二凸塊下金屬層151具有抵接邊151a，該抵接邊151a接觸該接合面131a。
[0078]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體工藝，其特征在于包含: 提供硅基板，該硅基板具有表面、導(dǎo)接墊及保護(hù)層，該導(dǎo)接墊形成于該表面，該保護(hù)層形成于該表面且覆蓋該導(dǎo)接墊，該保護(hù)層具有第一開口，該第一開口顯露該導(dǎo)接墊； 形成第一種子層于該保護(hù)層及該導(dǎo)接墊，該第一種子層具有第一區(qū)段及位于該第一區(qū)段外側(cè)的第二區(qū)段； 形成第一光阻層于該第一種子層，該第一光阻層形成有第一開槽以顯露該第一區(qū)段；形成第一緩沖層于該第一開槽，該第一緩沖層覆蓋該第種子層的該第一區(qū)段，該第一緩沖層具有接合部及包埋部； 移除該第一光阻層以顯露該第一種子層的該第二區(qū)段； 移除該第一種子層的該第二區(qū)段以使該第一區(qū)段形成第一凸塊下金屬層； 形成支撐層于該保護(hù)層及該第一緩沖層，該支撐層具有第二開口且該第二開口顯露該第一緩沖層的該接合部，其中該第一凸塊下金屬層具有第一環(huán)壁，該第一緩沖層具有第二環(huán)壁，該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層的該第一環(huán)壁、該第一緩沖層的該第二環(huán)壁及該包埋部；以及 形成導(dǎo)接部于該第二開口且覆蓋該第一緩沖層的該接合部。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該導(dǎo)接部包含有第二凸塊下金屬層、第二緩沖層及焊料層，該第二凸塊下金屬層覆蓋該第一緩沖層的該接合部，該第二緩沖層覆蓋該第二凸塊下金屬層，該焊料層覆蓋該第二緩沖層。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該支撐層具有頂面，該第二凸塊下金屬層覆蓋該頂面。`
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于形成該導(dǎo)接部的工藝包含下列步驟: 形成第二種子層于該支撐層并覆蓋該第一緩沖層，該第二種子層具有第三區(qū)段及位于該第三區(qū)段外側(cè)的第四區(qū)段； 形成第二光阻層于該第二種子層，該第二光阻層形成有第二開槽以顯露該第三區(qū)段； 形成該第二緩沖層于該第二開槽，該第二緩沖層覆蓋該第二種子層的該第三區(qū)段； 形成該焊料層于該第二緩沖層； 移除該第二光阻層以顯露該第二種子層的該第四區(qū)段；及 移除該第二種子層的該第四區(qū)段以使該第三區(qū)段形成該第二凸塊下金屬層。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于在移除該第二種子層的該第四區(qū)段的步驟后，另包含有回焊該焊料層的步驟。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該第一種子層的材質(zhì)選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該支撐層的材質(zhì)選自于聚酰亞胺、聚對(duì)苯撐苯并二嗯唑或苯環(huán)丁烯其中之一。
8.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該第二種子層的材質(zhì)選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該第一緩沖層的材質(zhì)選自于銅或鎳其中之一。
10.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該第二緩沖層的材質(zhì)選自于銅、鎳或銅鎳合金其中之一。
11.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體工藝，其特征在于該第一緩沖層的該接合部具有一接合面，該第二凸塊下金屬層具有抵接邊，該抵接邊接觸該接合面。
12.—種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于包含: 硅基板，其具有表面、導(dǎo)接墊及保護(hù)層，該導(dǎo)接墊形成于該表面，該保護(hù)層形成于該表面且覆蓋該導(dǎo)接墊，該保護(hù)層具有第一開口，該第一開口顯露該導(dǎo)接墊； 第一凸塊下金屬層，其覆蓋該保護(hù)層及該導(dǎo)接墊，該第一凸塊下金屬層具有第一環(huán)壁； 第一緩沖層，其形成于該第一凸塊下金屬層，該第一緩沖層具有接合部、包埋部及第二環(huán)壁； 支撐層，其形成于該保護(hù)層、該第一凸塊下金屬層及該第一緩沖層，該支撐層具有第二開口且該第二開口顯露該第一緩沖層的該接合部，該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層的該第一環(huán)壁、該第一緩沖層的該第二環(huán)壁及該包埋部；以及 導(dǎo)接部，其形成于該第二開口且覆蓋該第一緩沖層的該接合部。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)接部包含有第二凸塊下金屬層、第二緩沖層及焊料層，該第二凸塊下金屬層形成于該第二開口，且覆蓋該第一緩沖層的該接合部，該第二緩沖層覆蓋該第二凸塊下金屬層，該焊料層覆蓋該第二緩沖層。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該支撐層具有頂面，該第二凸塊下金屬層覆蓋該頂面。
15.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體`結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一凸塊下金屬層的材質(zhì)選自于鈦銅合金或鈦鶴銅合金其中之一。
16.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該支撐層的材質(zhì)選自于聚酰亞胺、聚對(duì)苯撐苯并二嗯唑或苯環(huán)丁烯其中之一。
17.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二凸塊下金屬層的材質(zhì)選自于鈦銅合金或鈦鶴銅合金其中之一。
18.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一緩沖層的材質(zhì)選自于銅或鎳其中之一。
19.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二緩沖層的材質(zhì)選自于銅、鎳或銅鎳合金其中之一。
20.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一緩沖層的該接合部具有一接合面，該第二凸塊下金屬層具有一抵接邊，該抵接邊接觸該接合面。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK103871912SQ201210559290
【公開日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2012年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月10日
【發(fā)明者】施政宏, 謝永偉, 王凱億 申請(qǐng)人:頎邦科技股份有限公司