多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
【專利摘要】一種多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括：一基板單元、一電路單元、一支撐單元、一半導(dǎo)體單元、一封裝單元及一電極單元。基板單元包括一基板本體及一具有多個(gè)導(dǎo)電接觸部的第一電子元件。電路單元包括多個(gè)設(shè)置于基板本體上的第一導(dǎo)電層。半導(dǎo)體單元包括多個(gè)第二電子元件，且每一個(gè)第二電子元件電性連接于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層之間。封裝單元包括一設(shè)置于基板本體上以覆蓋多個(gè)第二電子元件的封裝體。電極單元包括多個(gè)頂端電極、多個(gè)底端電極及多個(gè)設(shè)置且電性連接于多個(gè)頂端電極與多個(gè)底端電極之間的側(cè)端電極，且每一個(gè)側(cè)端電極電性連接于相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層與相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電接觸部。
【專利說(shuō)明】多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]未來(lái)的電子產(chǎn)品，將朝著具有輕、薄、短、小的功能，以使得電子產(chǎn)品能更趨于迷你化。而被動(dòng)元件(passive component)在電子產(chǎn)品中所占的面積又是最龐大的,所以能夠有效地整合被動(dòng)元件，將使得電子產(chǎn)品可以達(dá)到輕、薄、短、小的功能。然而，已知被動(dòng)元件的設(shè)計(jì)，皆以單一功能為主。因此，當(dāng)電子產(chǎn)品需要安裝不同功能的被動(dòng)元件來(lái)保護(hù)電子產(chǎn)品時(shí)，已知僅能設(shè)置多個(gè)單一功能的被動(dòng)元件于電子產(chǎn)品內(nèi)。因此已知的作法不僅耗費(fèi)制造的成本，更是占用電子產(chǎn)品整體的體積。
[0003]再者，在保護(hù)元件中，關(guān)于瞬態(tài)電壓抑制器(Transient VoltageSuppressor,TVS)，一般應(yīng)用于保護(hù)集成電路，以避免集成電路會(huì)因?yàn)樨?fù)擔(dān)過(guò)大的電壓而造成的損傷。集成電路一般設(shè)計(jì)在一正常電壓范圍下運(yùn)作。然而，在例如靜電放電(ESD)的狀況下，電快速地瞬變并閃電，此時(shí)無(wú)法預(yù)期與無(wú)法控制的高電壓可能意外地?fù)舸╇娐?。在類似集成電路發(fā)生負(fù)載過(guò)大電壓的這類損傷狀況時(shí)，就需要使用TVS來(lái)提供保護(hù)功能。當(dāng)集成電路中實(shí)施的元件數(shù)量增加時(shí)，將使得集成電路在遇到過(guò)大電壓損傷時(shí)更容易造成損傷，此時(shí)對(duì)TVS防護(hù)的需求也更增加。TVS的應(yīng)用范例如USB電源與數(shù)據(jù)線防護(hù)、數(shù)字影訊界面、高速以太網(wǎng)絡(luò)、筆記型電腦、顯示器與平面顯示器等等。
[0004]然而，以保護(hù)元件TVS為例，傳統(tǒng)TVS的封裝方式需要經(jīng)由打線來(lái)達(dá)成電性連接，因此造成傳統(tǒng)封裝體積過(guò)大、制作成本與時(shí)間增加、電流傳送速度降低、及金線的等效電感于高頻產(chǎn)生諧振而導(dǎo)致高頻傳輸號(hào)不佳等問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例在于提供一種多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，其可同時(shí)用來(lái)封裝至少兩種以上不同類型或不同尺寸的電子元件(包括主動(dòng)元件或被動(dòng)元件)，以同時(shí)提供至少兩種以上的功能給電子產(chǎn)品使用，并且本發(fā)明也可有效解決“傳統(tǒng)保護(hù)元件TVS的封裝方式需要經(jīng)由打線來(lái)達(dá)成電性連接”的缺陷。
[0006]本發(fā)明其中一實(shí)施例所提供的一種多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括:一基板單兀、一電路單元、一支撐單元、一半導(dǎo)體單元、一封裝單元及一電極單元。所述基板單元包括一基板本體及一內(nèi)埋在所述基板本體內(nèi)部的共模濾波器，其中所述基板本體具有多個(gè)第一側(cè)端，且所述共模濾波器具有多個(gè)從所述基板本體的多個(gè)所述第一側(cè)端外露的導(dǎo)電接觸部。所述電路單元包括多個(gè)設(shè)置于所述基板本體的頂端上的第一導(dǎo)電層及多個(gè)設(shè)置于所述基板本體的頂端上的第二導(dǎo)電 層。所述半導(dǎo)體單元包括多個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器，其中每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器電性連接于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層之間。所述封裝單元包括一設(shè)置于所述基板本體的頂端上以覆蓋多個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器的封裝體，其中所述封裝體具有多個(gè)分別連接于多個(gè)所述第一側(cè)端的第二側(cè)端，且每一個(gè)所述第一導(dǎo)電層的第一末端與每一個(gè)所述第二導(dǎo)電層的第二末端從所述封裝體的多個(gè)所述第二側(cè)端外露。所述電極單元包括多個(gè)設(shè)置于所述封裝體的頂端上的頂端電極、多個(gè)設(shè)置于所述基板本體的底端上的底端電極、及多個(gè)設(shè)置且電性連接于多個(gè)所述頂端電極與多個(gè)所述底端電極之間的側(cè)端電極，其中多個(gè)所述頂端電極分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)所述第一導(dǎo)電層與多個(gè)所述第二導(dǎo)電層，多個(gè)所述底端電極分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)所述頂端電極，且每一個(gè)所述側(cè)端電極設(shè)置于所述封裝體的相對(duì)應(yīng)所述第二側(cè)端與所述基板本體的相對(duì)應(yīng)所述第一側(cè)端上，以分別電性連接于相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層的所述第一末端、相對(duì)應(yīng)的所述第二導(dǎo)電層的所述第二末端及相對(duì)應(yīng)的所述導(dǎo)電接觸部。
[0007]本發(fā)明另外一實(shí)施例所提供的一種多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列步驟:首先，提供一基板單元，其包括一基板本體及一內(nèi)埋在所述基板本體內(nèi)部的共模濾波器，其中所述基板本體具有多個(gè)第一側(cè)端，且所述共模濾波器具有多個(gè)從所述基板本體的多個(gè)所述第一側(cè)端外露的導(dǎo)電接觸部；接著，形成多個(gè)第一導(dǎo)電層與多個(gè)第二導(dǎo)電層于所述基板本體的頂端上；然后，放置多個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器于多個(gè)所述第一導(dǎo)電層上，其中每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器電性連接于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層之間；接下來(lái)，形成一封裝體于所述基板本體的頂端上，以覆蓋多個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器，其中所述封裝體具有多個(gè)分別連接于多個(gè)所述第一側(cè)端的第二側(cè)端，且每一個(gè)所述第一導(dǎo)電層的第一末端與每一個(gè)所述第二導(dǎo)電層的第二末端從所述封裝體的多個(gè)所述第二側(cè)端外露；緊接著，形成多個(gè)頂端電極于所述封裝體的頂端上，且形成多個(gè)底端電極于所述基板本體的底端上，其中多個(gè)所述頂端電極分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)所述第一導(dǎo)電層與多個(gè)所述第二導(dǎo)電層，且多個(gè)所述底端電極分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)所述頂端電極；最后，形成多個(gè)電性連接于多個(gè)所述頂端電極與多個(gè)所述底端電極之間的側(cè)端電極，其中每一個(gè)所述側(cè)端電極設(shè)置于所述封裝體的相對(duì)應(yīng)所述第二側(cè)端與所述基板本體的相對(duì)應(yīng)所述第一側(cè)端上，以分別電性連接于相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層的所述第一末端、相對(duì)應(yīng)的所述第二導(dǎo)電層的所述第二末端及相對(duì)應(yīng)的所述導(dǎo)電接觸部。
[0008]本發(fā)明的有益效果可以在于，本發(fā)明實(shí)施例所提供的多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其可通過(guò)“一內(nèi)埋在所述基板本體內(nèi)部的共模濾波器”、“每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器通過(guò)兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的支撐件，以電性連接于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層之間”及“每一個(gè)所述側(cè)端電極設(shè)置于所述封裝體的相對(duì)應(yīng)所述第二側(cè)端與所述基板本體的相對(duì)應(yīng)所述第一側(cè)端上，以分別電性連接于相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層的所述第一末端、相對(duì)應(yīng)的所述第二導(dǎo)電層的所述第二末端及相對(duì)應(yīng)的所述導(dǎo)電接觸部”的設(shè)計(jì)，以使得本發(fā)明多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)可同時(shí)用來(lái)封裝至少兩種以上不同類型或不同尺寸的電子元件(包括主動(dòng)元件或被動(dòng)元件)，以同時(shí)提供至少兩種以上的功能給電子產(chǎn)品使用，并且本發(fā)明也可有效解決“傳統(tǒng)保護(hù)元件TVS的封裝方式需要經(jīng)由打線來(lái)達(dá)成電性連接”的缺陷。
[0009]為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制者。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本發(fā)明多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖。[0011]圖2A中的步驟(a)與步驟(b)分別為本發(fā)明多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟SlOO與步驟S102的上視示意圖。
[0012]圖2B中的步驟(a)與步驟(b)分別為本發(fā)明多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟SlOO與步驟S102的側(cè)視示意圖。
[0013]圖3A中的步驟(C)與步驟(d)分別為本發(fā)明多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟S104與步驟S106的上視示意圖。
[0014]圖3B中的步驟(C)與步驟(d)分別為本發(fā)明多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟S104與步驟S106的側(cè)視示意圖。[0015]圖4A中的步驟(e)與步驟(f)分別為本發(fā)明多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟S108與步驟SllO的上視示意圖。
[0016]圖4B中的步驟(e)與步驟(f)分別為本發(fā)明多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟S108與步驟SllO的側(cè)視示意圖。
[0017]圖5A中的步驟(g)與步驟(h)分別為本發(fā)明多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟S112與步驟S114的上視示意圖，其中圖5A的步驟(h)也是本發(fā)明多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0018]圖5B中的步驟(g)與步驟(h)分別為本發(fā)明多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟S112與步驟S114的側(cè)視示意圖，其中圖5B的步驟(h)也是本發(fā)明多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。
[0019]【主要元件符號(hào)說(shuō)明】
[0020]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)Z
[0021]基板單元I 基板本體10
[0022]第一側(cè)端100
[0023]共模濾波器11
[0024]導(dǎo)電接觸部110
[0025]電路單元2 第一導(dǎo)電層 21
[0026]第一末端210
[0027]第二導(dǎo)電層22
[0028]第二末端220
[0029]支撐單元3 支撐件30
[0030]導(dǎo)電接合層300
[0031]半導(dǎo)體單元 4瞬態(tài)電壓抑制器 40
[0032]第一電極401
[0033]第二電極402
[0034]封裝單元5封裝體50
[0035]第二側(cè)端500
[0036]電極單元 6頂端電極61
[0037]底端電極62
[0038]側(cè)端電極63【具體實(shí)施方式】
[0039]請(qǐng)參閱圖1、及圖2A至圖5B所示，其中圖1為流程圖，圖2A、圖3A、圖4A及圖5A為上視不意圖，圖2B、圖3B、圖4B及圖5B為側(cè)視不意圖。由上述圖中可知，本發(fā)明提供一種多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)Z (或稱電子元件封裝結(jié)構(gòu))的制作方法，其包括下列步驟:
[0040]首先，配合圖1、圖2A的步驟(a)及圖2B的步驟(a)所示，步驟SlOO為:提供一基板單元I，其包括一基板本體10及一內(nèi)埋在基板本體10內(nèi)部的共模濾波器11 (CommonMode Filter)，其中基板本體10具有多個(gè)第一側(cè)端100，且共模濾波器11具有多個(gè)從基板本體10的多個(gè)第一側(cè)端100外露的導(dǎo)電接觸部110。更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，由于具有防EMI功能的共模濾波器11可以預(yù)先被封裝在基板本體10內(nèi)，所以具有共模濾波器11的基板單元I屬于模塊化的構(gòu)件。另外，多個(gè)第一側(cè)端100可以依序相連以形成基板本體10的外周圍，并且共模濾波器11的多個(gè)導(dǎo)電接觸部110可從基板本體10的外周圍裸露而出。舉例來(lái)說(shuō)，本發(fā)明以四個(gè)導(dǎo)電接觸部110為其中一實(shí)施例來(lái)做說(shuō)明，然而本發(fā)明不以此實(shí)施例為限制。
[0041]接著，配合圖1、圖2A的步驟(b)及圖2B的步驟(b)所示，步驟S102為:形成多個(gè)第一導(dǎo)電層21與多個(gè)第二導(dǎo)電層22于基板本體10的頂端上。舉例來(lái)說(shuō)，本發(fā)明以四個(gè)第一導(dǎo)電層21及兩個(gè)第二導(dǎo)電層22為其中一實(shí)施例來(lái)做說(shuō)明，然而本發(fā)明不以此實(shí)施例為限制。
[0042]然后，配合圖1、圖3A的步驟(C)及圖3B的步驟(C)所示，步驟S104為:分別形成多個(gè)支撐件30于多個(gè)第一導(dǎo)電層21上。舉例來(lái)說(shuō)，每一個(gè)支撐件30為外觀呈現(xiàn)四邊形柱體的銅柱，并且本發(fā)明以四個(gè)支撐件30為其中一實(shí)施例來(lái)做說(shuō)明，然而本發(fā)明不以此實(shí)施例為限制。
[0043]接下來(lái)，配合 圖1、圖3A的步驟(d)及圖3B的步驟(d)所示，步驟S106為:分別形成多個(gè)導(dǎo)電接合層300于多個(gè)支撐件30的頂端上。舉例來(lái)說(shuō)，每一個(gè)導(dǎo)電接合層300可為鎳/錫(Ni/Sn)，并且本發(fā)明以四個(gè)導(dǎo)電接合層300為其中一實(shí)施例來(lái)做說(shuō)明，然而本發(fā)明不以此實(shí)施例為限制。
[0044]緊接著，配合圖1、圖4A的步驟(e)及圖4B的步驟(e)所示，步驟S108為:放置多個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器 40 (Transient Voltage Suppressor, TVS,或稱 TVS diode)于多個(gè)第一導(dǎo)電層21上，其中每一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40電性連接于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層21之間。更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，每一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40可設(shè)置于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層21的兩個(gè)支撐件30上。由于每一個(gè)支撐件30的頂端具有一導(dǎo)電接合層300，所以每一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40可通過(guò)回焊(reflow)的方式以設(shè)置于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層21的兩個(gè)支撐件30的兩個(gè)導(dǎo)電接合層300上。舉例來(lái)說(shuō)，本發(fā)明以兩個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40為其中一實(shí)施例來(lái)做說(shuō)明，因?yàn)槊恳粋€(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40的底端具有一第一電極401與一第二電極402，所以每一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40的第一電極401與第二電極402可分別電性接觸兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層21的兩個(gè)支撐件30的兩個(gè)導(dǎo)電接合層300，然而本發(fā)明不以此實(shí)施例為限制。
[0045]然后，配合圖1、圖4A的步驟(f)及圖4B的步驟(f)所示，步驟SllO為:形成一封裝體50于基板本體10的頂端上，以覆蓋多個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40，其中封裝體50具有多個(gè)分別連接于多個(gè)第一側(cè)端100的第二側(cè)端500，且每一個(gè)所述第一導(dǎo)電層21的第一末端210與每一個(gè)第二導(dǎo)電層22的第二末端220從封裝體50的多個(gè)第二側(cè)端500外露。舉例來(lái)說(shuō)，封裝體50可為任何的不透光封裝體膠體,且封裝體50可通過(guò)印刷(printing)或封膠(molding)的方式以形成在基板本體10的頂端上，然而本發(fā)明不以此實(shí)施例為限制。
[0046]接著，配合圖1、圖5A的步驟(g)及圖5B的步驟(g)所示，步驟S112為:形成多個(gè)頂端電極61于封裝體50的頂端上，且形成多個(gè)底端電極62于基板本體10的底端上，其中多個(gè)頂端電極61分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)第一導(dǎo)電層21與多個(gè)第二導(dǎo)電層22,且多個(gè)底端電極62分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)頂端電極61。舉例來(lái)說(shuō)，本發(fā)明以六個(gè)頂端電極61及六個(gè)底端電極62為其中一實(shí)施例來(lái)做說(shuō)明，然而本發(fā)明不以此實(shí)施例為限制。
[0047]最后，配合圖1、圖5A的步驟(h)及圖5B的步驟(h)所示，步驟S114為:形成多個(gè)電性連接于多個(gè)頂端電極61與多個(gè)底端電極62之間的側(cè)端電極63，其中每一個(gè)側(cè)端電極63設(shè)置于封裝體50的相對(duì)應(yīng)第二側(cè)端500與基板本體10的相對(duì)應(yīng)第一側(cè)端100上，以分別電性連接于相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層21的第一末端210、相對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電層22的第二末端220及相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電接觸部110。
[0048]然而，本發(fā)明的制作方法不以只制作單個(gè)多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)Z為限。例如，本發(fā)明也可同時(shí)制作出多個(gè)排列成陣列形狀或矩陣形狀的多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)Z，以因應(yīng)不同的使用需求。
[0049]因此，通過(guò)上述步驟SlOO至步驟S114的制作過(guò)程，如圖5A的步驟(h)及圖5B的步驟(h)所示，本發(fā)明可提供一種多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括:一基板單元1、一電路單元2、一半導(dǎo)體單元4、一封裝單元5及一電極單元6。
[0050]首先，基板單元I包括一基板本體10及一內(nèi)埋在基板本體10內(nèi)部的共模濾波器11 (也即第一電 子元件)，其中基板本體10具有多個(gè)第一側(cè)端100，且共模濾波器11具有多個(gè)從基板本體10的多個(gè)第一側(cè)端100外露的導(dǎo)電接觸部110。電路單元2包括多個(gè)設(shè)置于基板本體10的頂端上的第一導(dǎo)電層21及多個(gè)設(shè)置于基板本體10的頂端上的第二導(dǎo)電層22。半導(dǎo)體單元4包括多個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40 (也即第二電子元件)，其中每一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40電性連接于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層21之間。更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，每一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40設(shè)置于兩個(gè)相鄰的第一導(dǎo)電層21上，且每一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40電性連接于兩個(gè)相鄰的第一導(dǎo)電層21之間。封裝單元5包括一設(shè)置于基板本體10的頂端上以覆蓋多個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40的封裝體50，其中封裝體50具有多個(gè)分別連接于多個(gè)第一側(cè)端100的第二側(cè)端500，且每一個(gè)所述第一導(dǎo)電層21的第一末端210與每一個(gè)第二導(dǎo)電層22的第二末端220從封裝體50的多個(gè)第二側(cè)端500外露。電極單元6包括多個(gè)設(shè)置于封裝體50的頂端上的頂端電極61、多個(gè)設(shè)置于基板本體10的底端上的底端電極62、及多個(gè)設(shè)置且電性連接于多個(gè)頂端電極61與多個(gè)底端電極62之間的側(cè)端電極63，其中多個(gè)頂端電極61分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)第一導(dǎo)電層21與多個(gè)第二導(dǎo)電層22,多個(gè)底端電極62分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)頂端電極61,且每一個(gè)側(cè)端電極63設(shè)置于封裝體50的相對(duì)應(yīng)第二側(cè)端500與基板本體10的相對(duì)應(yīng)第一側(cè)端100上，以分別電性連接于相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層21的第一末端210、相對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電層22的第二末端220及相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電接觸部110。
[0051]再者，更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，本發(fā)明多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)Z還進(jìn)一步包括:一支撐單元3，其包括多個(gè)分別設(shè)置于多個(gè)第一導(dǎo)電層21上的支撐件30，且每一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40設(shè)置于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層21的兩個(gè)支撐件30上。舉例來(lái)說(shuō)，每一個(gè)支撐件30可為銅柱，每一個(gè)支撐件30的頂端具有一導(dǎo)電接合層300，且每一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40設(shè)置于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層21的兩個(gè)支撐件30的兩個(gè)導(dǎo)電接合層300上。另外，每一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40的底端具有一第一電極401與一第二電極402,且每一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40的第一電極401與第二電極402可分別電性接觸兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層21的兩個(gè)支撐件30的兩個(gè)導(dǎo)電接合層300。
[0052]〔實(shí)施例的可能效果〕
[0053]本發(fā)明實(shí)施例所提供的多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)Z，其可通過(guò)“一內(nèi)埋在基板本體10內(nèi)部的共模濾波器11”、“每一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器40通過(guò)兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的支撐件30，以電性連接于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層21之間”及“每一個(gè)側(cè)端電極63設(shè)置于封裝體50的相對(duì)應(yīng)第二側(cè)端500與基板本體10的相對(duì)應(yīng)第一側(cè)端100上，以分別電性連接于相對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電層21的第一末端210、相對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電層22的第二末端220及相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電接觸部110”的設(shè)計(jì)，以使得本發(fā)明多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)Z可同時(shí)用來(lái)封裝至少兩種以上不同類型或不同尺寸的電子元件(包括主動(dòng)元件或被動(dòng)元件)，以同時(shí)提供至少兩種以上的功能給電子產(chǎn)品使用，并且本發(fā)明也可有效解決“傳統(tǒng)保護(hù)元件TVS的封裝方式需要經(jīng)由打線來(lái)達(dá)成電性連接”的缺陷。故本發(fā)明具有降低封裝體積、制作成本及制作時(shí)間、增加電流傳送速度、無(wú)金線的等效電感于高頻產(chǎn)生諧振而使得高頻傳輸號(hào)更清晰。
[0054]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選可行實(shí)施例，非因此局限本發(fā)明的專利范圍，故舉凡運(yùn)用本發(fā)明說(shuō)明書及圖式內(nèi)容所為的等效技術(shù)變化，均包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一基板單元，包括一基板本體及一內(nèi)埋在所述基板本體的內(nèi)部的共模濾波器，其中所述基板本體具有多個(gè)第一側(cè)端，且所述共模濾波器具有多個(gè)從所述基板本體的多個(gè)所述第一側(cè)端外露的導(dǎo)電接觸部； 一電路單元，包括多個(gè)設(shè)置于所述基板本體的頂端上的第一導(dǎo)電層及多個(gè)設(shè)置于所述基板本體的頂端上的第二導(dǎo)電層； 一半導(dǎo)體單元，包括多個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器，其中每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器電性連接于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層之間； 一封裝單元，包括一設(shè)置于所述基板本體的頂端上以覆蓋多個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器的封裝體，其中所述封裝體具有多個(gè)分別連接于多個(gè)所述第一側(cè)端的第二側(cè)端，且每一個(gè)所述第一導(dǎo)電層的第一末端與每一個(gè)所述第二導(dǎo)電層的第二末端從所述封裝體的多個(gè)所述第二側(cè)端外露；以及 一電極單元，包括多個(gè)設(shè)置于所述封裝體的頂端上的頂端電極、多個(gè)設(shè)置于所述基板本體的底端上的底端電極及多個(gè)設(shè)置且電性連接于多個(gè)所述頂端電極與多個(gè)所述底端電極之間的側(cè)端電極，其中多個(gè)所述頂端電極分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)所述第一導(dǎo)電層與多個(gè)所述第二導(dǎo)電層，多個(gè)所述底端電極分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)所述頂端電極，且每一個(gè)所述側(cè)端電極設(shè)置于所述封裝體的相對(duì)應(yīng)的所述第二側(cè)端與所述基板本體的相對(duì)應(yīng)的所述第一側(cè)端上，以分別電性連接于相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層的所述第一末端、相對(duì)應(yīng)的所述第二導(dǎo)電層的所述第二末端及相對(duì)應(yīng)的所述導(dǎo)電接觸部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器設(shè)置于兩個(gè)相鄰的所述第一導(dǎo)電層上，且每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器電性連接于兩個(gè)相鄰的所述第一導(dǎo)電層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還進(jìn)一步包括一支撐單元，所述支撐單元包括多個(gè)分別設(shè)置于多個(gè)所述第一導(dǎo)電層上的支撐件，且每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器設(shè)置于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層的兩個(gè)所述支撐件上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一個(gè)所述支撐件為銅柱，每一個(gè)所述支撐件的頂端具有一導(dǎo)電接合層，且每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器設(shè)置于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層的兩個(gè)所述支撐件的兩個(gè)所述導(dǎo)電接合層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器的底端具有一第一電極與一第二電極，且每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器的所述第一電極與所述第二電極分別與兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層上的兩個(gè)所述支撐件的兩個(gè)所述導(dǎo)電接合層電性接觸。
6.一種多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一基板單元，包括一基板本體及一內(nèi)埋在所述基板本體的內(nèi)部的第一電子元件，其中所述第一電子元件具有多個(gè)從所述基板本體外露的導(dǎo)電接觸部； 一電路單元，包括多個(gè) 設(shè)置于所述基板本體的頂端上的第一導(dǎo)電層； 一半導(dǎo)體單元，包括多個(gè)第二電子元件，其中每一個(gè)所述第二電子元件電性連接于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層之間； 一封裝單元，包括一設(shè)置于所述基板本體的頂端上以覆蓋多個(gè)所述第二電子元件的封裝體，其中每一個(gè)所述第一導(dǎo)電層的末端從所述封裝體外露；以及 一電極單元，包括多個(gè)設(shè)置于所述封裝體的頂端上的頂端電極、多個(gè)設(shè)置于所述基板本體的底端上的底端電極及多個(gè)設(shè)置且電性連接于多個(gè)所述頂端電極與多個(gè)所述底端電極之間的側(cè)端電極，其中每一個(gè)所述側(cè)端電極電性連接于相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層的所述末端與相對(duì)應(yīng)的所述導(dǎo)電接觸部。
7.一種多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括下列步驟: 提供一基板單元，包括一基板本體及一內(nèi)埋在所述基板本體的內(nèi)部的共模濾波器，其中所述基板本體具有多個(gè)第一側(cè)端，且所述共模濾波器具有多個(gè)從所述基板本體的多個(gè)所述第一側(cè)端外露的導(dǎo)電接觸部； 在所述基板本體的頂端上形成多個(gè)第一導(dǎo)電層與多個(gè)第二導(dǎo)電層； 在多個(gè)所述第一導(dǎo)電層上放置多個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器，其中每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器電性連接于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層之間； 在所述基板本體的頂端上形成一封裝體，以覆蓋多個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器，其中所述封裝體具有多個(gè)分別連接于多個(gè)所述第一側(cè)端的第二側(cè)端，且每一個(gè)所述第一導(dǎo)電層的末端與每一個(gè)所述第二導(dǎo)電層的第二末端從所述封裝體的多個(gè)所述第二側(cè)端外露； 在所述封裝體的頂端上形成多個(gè)頂端電極，且在所述基板本體的底端上形成多個(gè)底端電極，其中多個(gè)所述頂端電極分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)所述第一導(dǎo)電層與多個(gè)所述第二導(dǎo)電層，且多個(gè)所述底端電極分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)所述頂端電極；以及 形成多個(gè)電性連接于 多個(gè)所述頂端電極與多個(gè)所述底端電極之間的側(cè)端電極，其中每一個(gè)所述側(cè)端電極設(shè)置于所述封裝體的相對(duì)應(yīng)的所述第二側(cè)端與所述基板本體的相對(duì)應(yīng)的所述第一側(cè)端上，以分別電性連接于相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層的所述第一末端、相對(duì)應(yīng)的所述第二導(dǎo)電層的所述第二末端及相對(duì)應(yīng)的所述導(dǎo)電接觸部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在所述基板本體的頂端上形成多個(gè)所述第一導(dǎo)電層與多個(gè)所述第二導(dǎo)電層的步驟后，還進(jìn)一步包括:在多個(gè)所述第一導(dǎo)電層上分別形成多個(gè)支撐件，其中每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器設(shè)置于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層的兩個(gè)所述支撐件上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，每一個(gè)所述支撐件為銅柱，每一個(gè)所述支撐件的頂端具有一導(dǎo)電接合層，且每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器設(shè)置于兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層的兩個(gè)所述支撐件的兩個(gè)所述導(dǎo)電接合層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器的底端具有一第一電極與一第二電極，且每一個(gè)所述瞬態(tài)電壓抑制器的所述第一電極與所述第二電極分別與兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電層上的兩個(gè)所述支撐件的兩個(gè)所述導(dǎo)電接合層電性接觸。
【文檔編號(hào)】H01L21/58GK103904047SQ201210568469
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月24日
【發(fā)明者】張懷祿, 張育嘉, 傅國(guó)榮 申請(qǐng)人:佳邦科技股份有限公司