具有金屬氧化物的薄膜晶體管基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管基板及其制造方法。所述薄膜晶體管包括布置在基板上的柵極，布置在柵極上的柵絕緣膜，布置在柵絕緣膜上并包括金屬氧化物的有源層，與有源層的一側(cè)相接觸的源極和與有源層的另一側(cè)相接觸的像素電極，和插入到源極和像素電極之間的蝕刻終止層。
【專利說明】具有金屬氧化物的薄膜晶體管基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具有金屬氧化物的薄膜晶體管基板及其制造方法，所述薄膜晶體管基板能夠通過降低溝道長度而降低功耗并通過降低薄膜晶體管區(qū)域的大小而應(yīng)用于高分辨率模型。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著多媒體的發(fā)展，平板顯示器(FPD)的重要性增加。因此，若干顯示器都被商業(yè)化，例如液晶顯示器(IXD)、等離子顯示面板(PDP)、場發(fā)射顯示器(FED)、有機(jī)場發(fā)光裝置等。
[0003]它們之中，相比于陰極射線管，液晶顯示裝置具有優(yōu)異的可視性、平均功耗小且散熱少。此外，場發(fā)光裝置由于響應(yīng)速率高至小于lms、功耗低且因自發(fā)光而視角極大，所以成為下一代顯示裝置的焦點(diǎn)。
[0004]驅(qū)動顯示裝置的方法包括無源矩陣法以及使用薄膜晶體管的有源矩陣。無源矩陣法是通過以直角形成陽極和陰極和選擇線來驅(qū)動顯示裝置的方式，而有源矩陣法是薄膜晶體管與每個(gè)像素電極相連并且根據(jù)與薄膜晶體管的柵極相連的電容器的電容所保持的電壓來驅(qū)動顯示裝置的方式。
[0005]非常重要的是具有能夠維持薄膜晶體管的長使用期限的耐久性以及電可靠性以及諸如遷移性、漏電流等的基本特性。在此，薄膜晶體管的有源層主要通過非晶硅或多晶硅而形成。如果使用非晶硅，成膜工藝更簡單且制造成本低，但問題是可能不能確保電可靠性。此外，如果使用多晶硅，問題是由于工藝的高溫，非常難于大面積應(yīng)用并且根據(jù)結(jié)晶法不能確保均一性。
[0006]另一方面，如果由金屬氧化物形成有源層，盡管是在低溫形成有源層，但可以獲得高遷移性，并且根據(jù)氧含量，由于電阻的巨大改變而可以容易地獲得想要的特性。因此，在薄膜晶體管中的應(yīng)用近來引起了巨大的興趣。特別地，金屬氧化物半導(dǎo)體可以是，例如氧化鋅(ZnO)、銦鋅氧化物(InZnO)、鋅錫氧化物(ZnSnO)、銦鎵鋅氧化物(InGaZn04)等。
[0007]圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的包括金屬氧化物的薄膜晶體管基板的截面圖。參照圖1，在基板10上布置柵極15和柵絕緣膜20，并在柵絕緣膜20上布置由金屬氧化物組成的有源層25。在有源層25上布置保護(hù)有源層25的蝕刻終止層30，并在蝕刻終止層30上布置源極35a和漏極35b以與有源層25相接觸，從而形成薄膜晶體管。此外，布置鈍化膜40以保護(hù)薄膜晶體管和與漏極35b相接觸的像素電極45。
[0008]薄膜晶體管形成有蝕刻終止層30以防止在源極35a和漏極35b的制造工序期間直接損壞有源層25。在此情形下，問題是由于蝕刻終止層30，有源層25的溝道長度非常長。因此，現(xiàn)有技術(shù)中由非晶硅組成的有源層的溝道長度長約5 μ m,而現(xiàn)有技術(shù)中由金屬氧化物組成的有源層的溝道長度長約ΙΟμπι。結(jié)果，由于顯示裝置的功耗增加，并且薄膜晶體管的面積增加，存在分辨率下降的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明致力于提供一種制造薄膜晶體管基板的方法，所述薄膜晶體管基板能夠通過降低溝道長度而降低功耗并通過降低薄膜晶體管區(qū)域的大小而應(yīng)用于高分辨率模型。
[0010]一方面，提供一種薄膜晶體管基板，包括:布置在基板上的柵極，布置在柵極上的柵絕緣膜，布置在柵絕緣膜上并包括金屬氧化物的有源層，與有源層基本上平行于基板的一側(cè)相接觸的源極和與有源層基本上平行于基板的另一側(cè)相接觸的像素電極；和插入到源極和像素電極之間的蝕刻終止層。
[0011]另一方面，一種制造薄膜晶體管基板的方法，包括:在基板上形成柵極，在柵極上形成柵絕緣膜，在柵絕緣膜上形成包括金屬氧化物的有源層，形成與有源層的一側(cè)相接觸的源極以及與有源層的另一側(cè)相接觸的像素電極以及在源極和像素電極之間形成蝕刻終止層。
[0012]另一方面，一種薄膜晶體管基板，包括:布置在基板上的柵極，布置在柵極上的柵絕緣膜，布置在柵絕緣膜上并包括金屬氧化物的有源層，覆蓋至少部分有源層的蝕刻終止層，至少部分覆蓋蝕刻終止層和有源層的源極，和至少部分被有源層和蝕刻終止層覆蓋的像素電極。
[0013]另一方面，一種薄膜晶體管基板，包括:布置在基板上的柵極，布置在柵極上的柵絕緣膜，布置在柵絕緣膜上并包括金屬氧化物的有源層，至少部分覆蓋有源層的蝕刻終止層，至少部分覆蓋蝕刻終止層和有源層的像素電極，和至少部分被有源層和蝕刻終止層覆蓋的源極。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]附圖提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且并入說明書而組成說明書的一部分。所述附圖示出本發(fā)明的實(shí)施方式，并且與說明書文字一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0015]圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中包括金屬氧化物的薄膜晶體管的橫截面圖。
[0016]圖2示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的平面圖。
[0017]圖3示出在圖2的薄膜晶體管基板中沿線Ι-1'的橫截面圖。
[0018]圖4a_4d示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造工藝的截面圖。
[0019]圖5示出圖3的薄膜晶體管基板的平面圖。
[0020]圖6示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。
[0021]圖7示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的平面圖。
[0022]圖8示出在圖7的薄膜晶體管基板中沿線11-11’的截面圖。
[0023]圖9a_9d示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造工藝的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]現(xiàn)在將具體參考本發(fā)明的示范性實(shí)施方式，其實(shí)例于附圖中示出。盡可能貫穿附圖使用相同標(biāo)號來表示相同或相似部件。應(yīng)注意如果現(xiàn)有技術(shù)被確定為會誤導(dǎo)本發(fā)明的實(shí)施方式，那么將省略對其的詳細(xì)說明。[0025]圖2示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的平面圖，圖3示出在圖2的薄膜晶體管基板中沿線1-1’的橫截面圖。下文，作為薄膜晶體管基板的實(shí)例，將描述用于邊緣場方式的液晶顯示器的薄膜晶體管基板，并且特別地，示出并描述一個(gè)子像素作為實(shí)例。
[0026]參照圖2和圖3，根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的薄膜晶體管基板110包括在基板100上跨柵絕緣膜120交叉的柵線117和數(shù)據(jù)線155，以及在每個(gè)交叉部形成的薄膜晶體管(T)。此外，通過柵線117和數(shù)據(jù)線155的交叉結(jié)構(gòu)限定像素區(qū)。像素區(qū)包括像素電極125和公共電極170，它們跨鈍化膜160和蝕刻終止層140形成以形成邊緣場。像素電極125具有與像素區(qū)對應(yīng)的近似矩形的形狀(例如，板形)，而公共電極170形成具有多個(gè)平行帶的形狀。
[0027]公共電極170連接到對準(zhǔn)柵線117的公共線177。通過公共線177向公共電極170提供參考電壓(或公共電壓)用于LED驅(qū)動。
[0028]薄膜晶體管(T)允許響應(yīng)于柵線117的柵信號而將數(shù)據(jù)線155的像素信號充到像素電極并維持它。為此目的，薄膜晶體管(T)包括從柵線117分支的柵極115、從數(shù)據(jù)線155分支的源極150、與源極150相對的像素電極125以及在柵絕緣膜120上覆蓋柵極115并在源極150和像素電極125之間形成溝道的有源層130。此外，薄膜晶體管(T)可進(jìn)一步包括歐姆接觸層，用于在有源層130和源極150之間的歐姆接觸以及在有源層130和像素電極125之間的歐姆接觸。
[0029]特別地，如果由金屬氧化物形成有源層130，由于高電荷遷移性質(zhì)，改變電容的大面積的薄膜晶體管基板是有利的。然而，金屬氧化物半導(dǎo)體材料進(jìn)一步包括在上表面上的蝕刻終止層140以防止蝕刻劑來確保元件穩(wěn)定性。具體地，蝕刻終止層140形成為防止在通過蝕刻工序形成源極150時(shí)引入的蝕刻劑來蝕刻有源層130。在本發(fā)明的這一實(shí)施方式中，蝕刻終止層140形成在基板110的前表面，并且形成接觸孔145來僅暴露有源層130的一部分區(qū)域。
[0030]柵線117的一端設(shè)有柵焊墊(GP)以從外部接收柵信號。柵焊墊(GP)通過柵焊墊接觸孔(GPH)與柵焊墊終端(GPT)接觸，柵焊墊接觸孔(GPH)穿過柵絕緣膜120、蝕刻終止層140和鈍化膜160。另一方面，數(shù)據(jù)線155的一端設(shè)有數(shù)據(jù)焊墊(DP)以從外部接收像素信號。數(shù)據(jù)焊墊(DP)通過數(shù)據(jù)焊墊接觸孔(DPH)與數(shù)據(jù)焊墊終端(DPT)相接觸，數(shù)據(jù)焊墊接觸孔(DPH)穿過鈍化膜160。
[0031]在本發(fā)明的這一實(shí)施方式中，在柵絕緣膜120上方，像素電極125與有源層130接觸，以便像素電極125同時(shí)用作像素電極和漏極。另一方面，公共電極170形成為跨鈍化膜160和覆蓋像素電極125的蝕刻終止層140與像素電極125重疊。因此，在像素電極125和公共電極之間形成電場，使得在薄膜晶體管基板和濾色器基板間水平設(shè)置的液晶分子通過介電各向異性旋轉(zhuǎn)。此外，根據(jù)液晶分子的旋轉(zhuǎn)度，透光率改變以實(shí)施灰度。
[0032]下文，將具體描述上述圖2和圖3的制造薄膜晶體管基板的方法。在此，與上述在圖2和圖3中的制造薄膜晶體管基板的方法相同的參考標(biāo)記表示相同的元件，因此，將省略對相同元件的詳細(xì)描述。圖4a-4d示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造工藝的截面圖，圖5示出圖3的薄膜晶體管基板的平面圖。
[0033]參照圖4a，在透明基板110上沉積柵極金屬。柵極金屬包括選自由鑰(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)和銅(Cu)組成組中的一種或諸如其合金的低電阻金屬材料。柵極115是通過使用第一掩模來構(gòu)圖柵極金屬而形成。盡管附圖中未示出，但在形成柵極115的同時(shí)形成柵線。
[0034]隨后，在包括柵極115的基板110上形成柵絕緣膜120。柵絕緣膜120可使用硅的氧化物(SiOx)或硅的氮化物(SiNx)并且可由它們形成為多層。此后，在柵絕緣膜120上沉積像素電極材料。像素電極材料可包括銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。像素電極125通過使用第二掩模來構(gòu)圖像素電極材料而形成。像素電極125以板形形成在像素區(qū)，并且也形成在與柵極115相應(yīng)的部分區(qū)域上。
[0035]接下來，參照圖4b，在形成有像素電極125的基板110上沉積金屬氧化物并通過使用第三掩模來構(gòu)圖以形成覆蓋柵極115的有源層130。在此，有源層130可由金屬氧化物形成，并且金屬氧化物可為例如，氧化鋅(ZnO)、銦鋅氧化物(InZnO)、鋅錫氧化物(ZnSnO)、銦鎵鋅氧化物(InGaZnCM)等。在此情形下，有源層130覆蓋柵極115并且形成在像素電極125上以與部分像素電極125接觸。
[0036]隨后，在有源層130的頂部形成蝕刻終止層140。蝕刻終止層140可由硅的氧化物(SiOx)或硅的氮化物(SiNx)形成。此外，通過使用第四掩模來蝕刻一部分蝕刻終止層140而形成接觸孔145以暴露出有源層130的一側(cè)的上部。
[0037]接下來，參照圖4c，在形成有蝕刻終止層140的基板110上沉積源極金屬，并且使用第五掩模構(gòu)圖基板110，以形成源極150和數(shù)據(jù)焊墊終端(DPT)。源極金屬包括選自由鑰(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)和銅(Cu)組成組中的一種或諸如其合金的低電阻金屬材料。源極150通過蝕刻終止層140的接觸孔145接觸有源層130 —側(cè)的上部。盡管附圖中未示出，但同時(shí)形成源極150和數(shù)據(jù)線。
[0038]因此，薄膜晶體管⑴形成為包括柵極115、有源層130、像素電極125和源極150。像素電極125同時(shí)用作漏極和像素電極。
[0039]接下來，在形成有源極150和數(shù)據(jù)焊墊終端(DPT)的基板110上沉積硅的氧化物(SiOx)或硅的氮化物(SiNx)以形成鈍化膜160。此外，通過使用第六掩模來蝕刻一部分鈍化膜160而形成數(shù)據(jù)焊墊接觸孔(GPH)以暴露數(shù)據(jù)焊墊終端(DPT)。
[0040]隨后，參照圖4d，在基板110上部沉積銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)并使用第七掩模來構(gòu)圖基板110以形成公共電極170、公共線177和數(shù)據(jù)焊墊(DP)。公共電極170在像素區(qū)中形成為對應(yīng)于像素電極125，并且具有彼此平行的若干條形的公共電極是以恒定間隔布置的形狀。
[0041]參照圖5，根據(jù)本發(fā)明在按照上述制造的薄膜晶體管中，與有源層接觸的源極和像素電極形成在不同層，以致可以降低有源層的溝道長度。此外，有源層130的溝道(CH)形成在直接接觸有源層130的一側(cè)的下部的像素電極125和通過接觸孔145接觸有源層130的另一側(cè)的上部的源極150之間。在此情形下，由于溝道(CH)的長度(L)對應(yīng)于從源極150的接觸部到像素電極125的接觸部的距離，因此可以顯著降低溝道(CH)的長度(L)。
[0042]在一個(gè)實(shí)施方式中，源極和像素電極覆蓋有源層130的程度大到足以使溝道(CH)的長度小于大部分的有源層的的總長度。例如，溝道(CH)的長度可以小于源極覆蓋有源層130上(或下)的程度(距離)。類似地，溝道(CH)的長度可以小于像素電極覆蓋有源層130上(或下)的程度(距離)。[0043]此外，由于可以跨有源層130在不同層上形成源極150和像素電極125，可以降低有源層130的總體尺寸。因此，有利的是根據(jù)薄膜晶體管面積的降低，子像素的尺寸降低，由此可用于高分辨率模型。
[0044]此外，可以跨有源層130在不同層上形成源極150和像素電極125，并且可以使用與傳統(tǒng)薄膜晶體管相同的七片掩模來制造薄膜晶體管，其與源極/漏極形成在相同層。因此，有利的是可以降低有源層的溝道長度。而不增加制造成本和處理時(shí)間。
[0045]此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，像素電極125形成為由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，例如金屬氧化物系列如ITO并且像素電極125同時(shí)執(zhí)行像素電極125和漏極的功能。特別地，如果像素電極125與有源層130直接接觸，那么金屬氧化物的有源層130和像素電極125都由基于氧化物的系列構(gòu)成。因此,有利的是由于接口的入口屏障(ingress barrier)降低，不需歐姆層就可以具有優(yōu)異的電特性。
[0046]另一方面，薄膜晶體管基板可以形成為具有與上述圖2-5不同的結(jié)構(gòu)。下文，與圖3所示相同的參考標(biāo)記表示相同的元件,并因此將省略相同元件的具體描述。圖6示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。
[0047]參照圖6，在基板110上布置柵極115，以及在柵極115上布置柵絕緣膜120。在柵絕緣膜120上布置源極150和數(shù)據(jù)焊墊終端(DPT)，并且它們接觸源極150的一側(cè)。此夕卜，在柵絕緣膜120上形成包括金屬氧化物的有源層130。在有源層130和在數(shù)據(jù)焊墊終端(DPT)上布置蝕刻終止層140，并且在蝕刻終止層140上布置像素電極125。像素電極125通過形成在蝕刻終止層140上的通孔145與有源層130的另一側(cè)接觸。
[0048]此外，在形成有像素電極125的基板110上形成鈍化膜160，并在鈍化膜170上形成公共電極170、公共線177和數(shù)據(jù)焊墊(DP)。公共電極170形成為與上述像素電極125相對，并且數(shù)據(jù)焊墊(DP)通過數(shù)據(jù)焊墊接觸孔(DPH)連接數(shù)據(jù)焊墊終端(DPT)以通過穿過鈍化膜160和蝕刻終止層140而暴露出數(shù)據(jù)焊墊終端(DPT)。
[0049]在圖6的薄膜晶體管基板100上，不同于上述圖3的結(jié)構(gòu)，以不同方式布置源極150和像素電極125。換言之，在圖3的結(jié)構(gòu)中，源極150和像素電極125分別跨有源層130布置在上部和下部。相反，在圖6的結(jié)構(gòu)中，源極150和像素電極125可分別跨有源層130而布置在下部和上部。
[0050]圖7示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的平面圖。圖8示出在圖6的薄膜晶體管基板中沿線11-11’的截面圖。
[0051]下文，與前述實(shí)施方式相同的參考標(biāo)記表示起相同的作用的元件，因此將易于理解本發(fā)明。
[0052]參照圖7和圖8，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，薄膜晶體管基板200包括在基板110上跨柵絕緣膜120交叉的柵線117和數(shù)據(jù)線155，以及形成在每個(gè)交叉部的薄膜晶體管(T)。像素區(qū)設(shè)有像素電極125和公共電極170，它們跨鈍化膜160和蝕刻終止層140形成。公共電極170連接到對準(zhǔn)柵線117的公共線177。
[0053]薄膜晶體管(T)形成為包括從柵線117分支的柵極115、連接數(shù)據(jù)線155的源極150、與源極150相對的像素電極125和在柵絕緣膜120上覆蓋柵極115并在柵極150和像素電極125之間形成溝道的有源層130。蝕刻終止層140形成在有源層130上，并且蝕刻終止層140包括第一通孔165和第二通孔167以僅暴露有源層130區(qū)域的一部分。[0054]柵線117的一端設(shè)有柵焊墊(GP)以從外部接收柵信號。柵焊墊(GP)通過柵焊墊接觸孔(GPH)與柵焊墊終端(GPT)接觸，柵焊墊接觸孔(GPH)穿過柵絕緣膜120、蝕刻終止層140和鈍化膜160。同時(shí)，數(shù)據(jù)線155的一端設(shè)有數(shù)據(jù)焊墊(DP)以從外部接收像素信號。數(shù)據(jù)焊墊(DP)通過數(shù)據(jù)焊墊接觸孔(DPH)與數(shù)據(jù)焊墊終端(DPT)相接觸，數(shù)據(jù)焊墊接觸孔(DPH)穿過鈍化膜160。
[0055]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的像素電極125與柵絕緣膜120上的有源層130接觸，以便像素電極125同時(shí)用作像素電極和漏極。另一方面，公共電極170形成為跨鈍化膜160和覆蓋像素電極125的蝕刻終止層140與像素電極125重疊。
[0056]下文，將具體描述制造上述圖7和圖8的薄膜晶體管基板的方法。圖9a_9d示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的制造工藝的截面圖。
[0057]參照圖9a，在透明基板110上沉積柵極金屬。柵極金屬包括選自由鑰(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)和銅(Cu)組成組中的一種或諸如其合金的低電阻金屬材料。柵極115通過使用第一掩模來構(gòu)圖柵極金屬而形成。盡管附圖中未示出，但在形成柵極115的同時(shí)形成柵線。
[0058]隨后，在包括柵極115的基板110上形成柵絕緣膜120。柵絕緣膜120可使用硅的氧化物(SiOx)或硅的氮化物(SiNx)并且可由它們形成為多層。此后，在柵絕緣膜120上沉積像素電極材料。像素電極材料可包括銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。像素電極125通過使用第二掩模來構(gòu)圖像素電極而形成。像素電極125以板形形成在像素區(qū)，并且也形成在與柵極115相應(yīng)的部分區(qū)域中。
[0059]接下來，參照圖％，在形成有像素電極125的基板110上沉積金屬氧化物并通過使用第三掩模來構(gòu)圖以形成覆蓋柵極115的有源層130。在此，有源層130可由金屬氧化物形成，并且金屬氧化物可為例如，氧化鋅(ZnO)、銦鋅氧化物(InZnO)、鋅錫氧化物(ZnSnO)、銦鎵鋅氧化物(InGaZnCM)等。在此情形下，有源層130覆蓋柵極115并且形成在像素電極125上以與部分像素電極125接觸。
[0060]隨后，在形成有有源層130的基板110的上部形成蝕刻終止層140。蝕刻終止層140可由硅的氧化物(SiOx)或硅的氮化物(SiNx)形成。接下來，在形成有蝕刻終止層140的基板110上沉積金屬氧化物，并且使用第四掩模構(gòu)圖基板110，以形成數(shù)據(jù)線155和數(shù)據(jù)焊墊終端(DPT)。數(shù)據(jù)金屬包括選自由鑰(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)和銅(Cu)組成組中的一種或諸如其合金的低電阻金屬材料。
[0061]接下來，參照圖9c，在形成有數(shù)據(jù)線155和數(shù)據(jù)焊墊終端(DPT)的基板110上沉積硅的氧化物(SiOx)或硅的氮化物(SiNx)以形成鈍化膜160。此外，使用第五掩模蝕刻一部分的蝕刻終止層140和鈍化膜160而形成暴露出有源層130的另一側(cè)的上部的第一通孔165。同時(shí)，蝕刻鈍化膜160以形成暴露數(shù)據(jù)線155的第二通孔167和形成暴露出數(shù)據(jù)焊墊終端(DPT)的數(shù)據(jù)焊墊接觸孔(DPH)。
[0062]隨后，參照圖9d，在基板110前部沉積銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)并使用第六掩模來構(gòu)圖以形成公共電極170、公共線177、數(shù)據(jù)焊墊(DP)和源極150。公共電極170形成為對應(yīng)于像素區(qū)中的像素電極125，并且具有以恒定間隔設(shè)置的形狀，其像素電極為彼此平行的若干條。源極150通過暴露出有源層130的另一側(cè)的第一孔165和暴露出數(shù)據(jù)線155的第二孔167，分別與有源層130和數(shù)據(jù)線155接觸。因此，源極150連接有源層130和數(shù)據(jù)線155以將數(shù)據(jù)信號傳送至有源層130。
[0063]當(dāng)然，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，按上述圖8和圖9制造的薄膜晶體管基板與按上述圖3和圖4的實(shí)施方式的效果相同，只是，可以使用比圖3和圖4的實(shí)施方式少一片的總共6片掩模來制備圖8和圖9的薄膜晶體管基板。具體地，在圖8和圖9的實(shí)施方式中，只使用了一個(gè)接觸孔掩模，而在圖3和圖4的實(shí)施方式中，使用兩個(gè)接觸孔掩模。因此，優(yōu)點(diǎn)在于可以降低薄膜晶體管基板的制造成本和加工時(shí)間。
[0064]盡管參照一些示例性的實(shí)施方式描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解能被本領(lǐng)域技術(shù)人員想到的眾多其他修改和實(shí)施方式都落入本發(fā)明的范圍和原理內(nèi)。更具體地，此外，對在說明書、附圖和所附權(quán)利要求范圍內(nèi)的主題組合設(shè)置的組成部件和/或設(shè)置，各種改變和修改是可能的。除組成部件和/或設(shè)置中的改變和修改之外，可替換的應(yīng)用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說也是顯而易見的。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管基板，包括: 布置在基板上的柵極； 布置在柵極上的柵絕緣膜； 布置在柵絕緣膜上并包括金屬氧化物的有源層； 與有源層基本上平行于基板的一側(cè)相接觸的源極和與有源層基本上平行于基板的另一側(cè)相接觸的像素電極；和 插入到源極和像素電極之間的蝕刻終止層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜晶體管基板，其中像素電極直接與有源層的一側(cè)的下部接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的薄膜晶體管基板，其中像素電極完全被蝕刻終止層覆蓋。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜晶體管基板，其中源極通過蝕刻終止層中的接觸孔，直接與有源層的一側(cè)的上部接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜晶體管基板，進(jìn)一步包括: 布置在蝕刻終止層上并與有源層相鄰設(shè)置的數(shù)據(jù)線； 布置在數(shù)據(jù)線和蝕刻終止層上的鈍化膜；和 布置在鈍化膜上的公共電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的薄膜晶體管基板，其中 鈍化膜包括暴露出有源層的一側(cè)的上部的第一通孔和暴露出數(shù)據(jù)線的第二通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的薄膜晶體管基板，其中 源極通過第一通孔和第二通孔與有源層的一側(cè)的上部和數(shù)據(jù)線相接 觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的薄膜晶體管基板，其中 源極包括與公共電極相同的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜晶體管基板，其中 源極直接與有源層的一側(cè)的下部接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的薄膜晶體管基板，其中 像素電極布置在蝕刻終止層上并通過形成在蝕刻終止層上的接觸孔與有源層接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的薄膜晶體管基板，其中 源極完全被蝕刻終止層覆蓋。
12.一種制造薄膜晶體管基板的方法，包括: 在基板上形成柵極； 在柵極上形成柵絕緣膜； 在柵絕緣膜上形成包括金屬氧化物的有源層； 形成與有源層的一側(cè)相接觸的源極以及與有源層的另一側(cè)相接觸的像素電極；和 在源極和像素電極之間形成蝕刻終止層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，進(jìn)一步包括: 在形成了源極的基板上形成鈍化膜；和 在鈍化膜上形成公共電極。
14.一種制造薄膜晶體管基板的方法，包括:在基板上形成柵極； 在柵極上形成柵絕緣膜； 在柵絕緣膜上形成像素電極； 在柵絕緣膜上形成包括金屬氧化物的有源層以與像素電極的一側(cè)相接觸； 在有源層和像素電極上形成蝕刻終止層； 在蝕刻終止層上形成與有源層相鄰的數(shù)據(jù)線； 在形成有數(shù)據(jù)線的基板上形成鈍化膜，其中形成暴露出有源層的第一通孔和暴露出數(shù)據(jù)線的第二通孔；和 在鈍化膜上形成公共電極和源極，其中源極形成為通過第一通孔和第二通孔與有源層和數(shù)據(jù)線接觸。
15.一種薄膜晶體管基板，包括: 布置在基板上的柵極； 布置在柵極上的柵絕緣膜； 布置在柵絕緣膜上并包括金屬氧化物的有源層； 覆蓋至少部分有源層的蝕刻終止層； 至少部分覆蓋蝕刻終止層和有源層的源極；和 至少部分被有源層和蝕刻終止層覆蓋的像素電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的薄膜晶體管基板，其中: 蝕刻終止層覆蓋除了穿過蝕刻終止層的孔以外的有源層；和 源極通過該孔與有源層接觸。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的薄膜晶體管基板，進(jìn)一步包括: 布置在源極和蝕刻終止層上的鈍化膜；和 在與有源層相鄰的區(qū)域，布置在鈍化膜上的公共電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的薄膜晶體管基板，其中，在與有源層相鄰的區(qū)域，像素電極覆蓋柵絕緣膜并且被蝕刻終止層、鈍化膜和公共電極所覆蓋。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的薄膜晶體管基板，進(jìn)一步包括: 布置在蝕刻終止層上的鈍化膜，并且其中源極至少部分覆蓋鈍化膜；和 在與有源層相鄰的區(qū)域，布置在鈍化膜上的公共電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的薄膜晶體管基板，其中，在與有源層相鄰的區(qū)域，像素電極覆蓋柵絕緣膜并且被蝕刻終止層、鈍化膜和公共電極所覆蓋。
21.根據(jù)權(quán)利要求15的薄膜晶體管基板，其中 源極沿有源區(qū)的長度，接觸有源層第一距離； 像素電極沿所述長度，接觸有源層第二距離；和 其中，沿薄膜晶體管基板長度的溝道區(qū)長度小于第一和第二距離。
22.一種 薄膜晶體管基板，包括: 布置在基板上的柵極； 布置在柵極上的柵絕緣膜； 布置在柵絕緣膜上并包括金屬氧化物的有源層； 至少部分覆蓋有源層的蝕刻終止層；至少部分覆蓋蝕刻終止層和有源層的像素電極；和至少部分被有源層和蝕刻終止層覆蓋的源極。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的薄膜晶體管基板，其中蝕刻終止層覆蓋除了穿過蝕刻終止層的通孔以外的有源層；以及其中像素電極通過所述通孔接觸有源層。
24.根據(jù)權(quán)利要求22的薄膜晶體管基板，其中源極沿有源區(qū)的長度，接觸有源層第一距離；像素電極沿所述長度，接觸有源層第二距離；和其中，沿薄膜晶體管基板長`度的溝道區(qū)長度小于第一和第二距離。
【文檔編號】H01L21/77GK103531591SQ201210568595
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月6日
【發(fā)明者】柳尙希 申請人:樂金顯示有限公司