發(fā)光二極管發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管發(fā)光裝置，包括具有光入射面的導(dǎo)光元件以及設(shè)置在導(dǎo)光元件的光入射面一側(cè)的發(fā)光二極管燈條，該發(fā)光二極管燈條包括電路板、設(shè)置在電路板上的多個(gè)發(fā)光二極管晶粒、設(shè)置在電路板上的多個(gè)封裝層，該多個(gè)封裝層與該多個(gè)發(fā)光二極管晶粒一一對(duì)應(yīng)，且各封裝層覆蓋與之對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管晶粒，各封裝層包括一遠(yuǎn)離所述電路板的出光面，該封裝層的出光面與導(dǎo)光元件的光入射面正對(duì)設(shè)置，且該封裝層的出光面與導(dǎo)光元件的光入射面之間沒(méi)有空氣間隙。該發(fā)光二極管發(fā)光裝置可減少光線由發(fā)光二極管封裝層入射至光學(xué)元件的過(guò)程中所發(fā)生的全反射現(xiàn)象以盡量減少光能量損失，提高發(fā)光二極管發(fā)光裝置的光利用效率。
【專利說(shuō)明】發(fā)光二極管發(fā)光裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，尤其涉及一種具有發(fā)光二極管光源的發(fā)光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，其作為一種新型的發(fā)光源，已經(jīng)被越來(lái)越多地應(yīng)用到各領(lǐng)域當(dāng)中，如路燈、交通燈、信號(hào)燈、射燈及裝飾燈等。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用發(fā)光二極管及導(dǎo)光板來(lái)構(gòu)建發(fā)光二極管發(fā)光裝置。所述導(dǎo)光板包括光入射面，所述發(fā)光二極管與導(dǎo)光板的光入射面相對(duì)且間隔設(shè)置。該發(fā)光二極管通常包括封裝基底、設(shè)置在封裝基底上的發(fā)光二極管芯片，以及設(shè)置在封裝基底上并覆蓋該發(fā)光二極管芯片的封裝體，該封裝體的遠(yuǎn)離所述封裝基底的一側(cè)的表面為出光面。在發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光透射過(guò)封裝體并射向?qū)Ч獍骞馊肷涿娴倪^(guò)程中，當(dāng)光線從封裝體出光面出射至封裝體外部的空氣中時(shí)，光是從光密介質(zhì)傳向光疏介質(zhì)的，因此部分到達(dá)封裝體出光面與空氣的交界面的光會(huì)產(chǎn)生全反射現(xiàn)象，使得發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光無(wú)法完全出射而進(jìn)入導(dǎo)光板內(nèi)部，從而造成光能量的損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，有必要提供一種可減少全反射現(xiàn)象以盡量減少光能量損失的發(fā)光二極管發(fā)光裝置。
[0005]一種發(fā)光二極管發(fā)光裝置，包括具有光入射面的導(dǎo)光元件以及設(shè)置在導(dǎo)光元件的光入射面一側(cè)的發(fā)光二極管燈條，該發(fā)光二極管燈條包括電路板、設(shè)置在電路板上的多個(gè)發(fā)光二極管晶粒、設(shè)置在電路板上的多個(gè)封裝層，該多個(gè)封裝層與該多個(gè)發(fā)光二極管晶粒一一對(duì)應(yīng)，且各封裝層覆蓋與之對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管晶粒，各封裝層包括一遠(yuǎn)離所述電路板的出光面，該封裝層的出光面與導(dǎo)光元件的光入射面正對(duì)設(shè)置，且該封裝層的出光面與導(dǎo)光元件的光入射面之間沒(méi)有空氣間隙。
[0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述發(fā)光二極管發(fā)光裝置的發(fā)光二極管封裝層的出光面與光學(xué)元件之間不存在空氣間隙，避免了傳統(tǒng)發(fā)光二極管發(fā)光裝置中封裝層與空氣接觸而形成的巨大折射率差異，使得從而經(jīng)由封裝層的出光面出射的光線不易產(chǎn)生全反射，以盡量減少光能量損失。
[0007]下面參照附圖，結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖2為本發(fā)明第二實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖3為本發(fā)明第三實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖4為本發(fā)明第四實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。[0012]主要元件符號(hào)說(shuō)明
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管發(fā)光裝置，包括具有光入射面的導(dǎo)光元件以及設(shè)置在導(dǎo)光元件的光入射面一側(cè)的發(fā)光二極管燈條，該發(fā)光二極管燈條包括電路板、設(shè)置在電路板上的多個(gè)發(fā)光二極管晶粒、設(shè)置在電路板上的多個(gè)封裝層，該多個(gè)封裝層與該多個(gè)發(fā)光二極管晶粒一一對(duì)應(yīng)，且各封裝層覆蓋與之對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管晶粒，其特征在于:各封裝層包括一遠(yuǎn)離所述電路板的出光面，該封裝層的出光面與導(dǎo)光元件的光入射面正對(duì)設(shè)置，且該封裝層的出光面與導(dǎo)光元件的光入射面之間沒(méi)有空氣間隙。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管發(fā)光裝置，其特征在于，各封裝層的出光面與導(dǎo)光元件的光入射面直接接觸。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管發(fā)光裝置，其特征在于，該發(fā)光二極管發(fā)光裝置還包括與所述多個(gè)封裝層及發(fā)光二極管晶粒一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)介質(zhì)層，該多個(gè)介質(zhì)層相互分離，且各封裝層與導(dǎo)光元件的光入射面之間夾設(shè)有一個(gè)所述介質(zhì)層。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管發(fā)光裝置，其特征在于，各介質(zhì)層的折射率小于與該介質(zhì)層對(duì)應(yīng)的封裝體的折射率。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管發(fā)光裝置，其特征在于，各介質(zhì)層的折射率大于導(dǎo)光元件的折射率。
6.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管發(fā)光裝置,其特征在于，各介質(zhì)層位于與其對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管晶粒的出光路徑上，并覆該發(fā)光二極管晶粒的出光角。
7.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光 二極管發(fā)光裝置，其特征在于，各介質(zhì)層的尺寸大于與其對(duì)應(yīng)的封裝層的出光面面積。
8.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管發(fā)光裝置，其特征在于，各介質(zhì)層的厚度小于或等于5毫米。
9.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管發(fā)光裝置，其特征在于，各介質(zhì)層的厚度小于或等于0.1毫米。
10.如權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管發(fā)光裝置，其特征在于，各封裝面為朝向?qū)Ч庠墓馊肷涿嫱蛊鸬那蛎妫撉蛎娴那蛐呐c發(fā)光二極管晶粒的幾何中心重合。
【文檔編號(hào)】H01L33/54GK103904068SQ201210569514
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月25日
【發(fā)明者】蔡明達(dá), 張忠民, 徐智鵬 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司