光致抗蝕膜和使用該光致抗蝕膜的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光致抗蝕膜和使用所述光致抗蝕膜的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法。所述光致抗蝕膜包括支持膜上的光至熱轉換層，和所述光至熱轉換層上的熱敏性聚合物層，其中，由于所述光致抗蝕膜包含熱敏性聚合物，因而該光致抗蝕膜通過調節(jié)溫度和使用脫離膜而容易脫離轉移襯底。
【專利說明】光致抗蝕膜和使用該光致抗蝕膜的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求2012年8月27日遞交的韓國專利申請第10-2012-0093762號的優(yōu)先權，并通過援引將其全文并入本文中。
【技術領域】
[0003]本發(fā)明涉及一種光致抗蝕膜，更具體而言，涉及一種光致抗蝕膜和使用所述光致抗蝕膜的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法。
【背景技術】
[0004]有機發(fā)光顯示(0LED)裝置是一種新型的平面顯示裝置，0LED裝置本身能夠發(fā)光。與液晶顯示(LED)裝置相比，0LED裝置具有更寬的視角和更高的對比度。另外，0LED裝置不需要額外的背光單元，因此0LED裝置能夠實現薄型化和輕量化。此外，0LED裝置在能耗方面也具有優(yōu)勢。另外，0LED裝置具有較快的響應速度，并且0LED裝置能夠由低直流(DC)電壓驅動，還能夠以低制造成本制得。
[0005]為了使0LED裝置的襯底上的兩個電極之間的發(fā)光層(EML)圖案化，已經使用了精細金屬掩模(FMM)法或噴墨法。
[0006]不過，由于掩模制造技術的局限性，FMM法難以適用于大型高分辨率的裝置。而且，FMM法還可能因掩模的重量而產生掩模下垂的問題。噴墨法采用了液體型材料，因而其可能降低在制造過程中曝光的發(fā)光裝置的功能效率。尤其是，在采用現有技術的蝕刻工藝的方法中，發(fā)光裝置與用于蝕刻金屬的溶液直接接觸，因而可能會出現斷路，或者可能使裝置的特性劣化。
[0007]為了克服這些問題，已經引入了剝離(lift-off)工藝，即使在包括曝光、顯影和蝕刻步驟的光掩蔽工藝中僅執(zhí)行曝光和顯影步驟而不進行蝕刻步驟，所述剝離工藝也能夠形成細微的圖案。
[0008]然而，相當于現有技術的光致抗蝕膜的干膜抗蝕劑(DFR)具有很強的粘合強度。因此，在移除光致抗蝕圖案的步驟中，可能會出現殘留層。也就是說，殘留層可能在發(fā)光層(EML)中引起缺陷，因此降低裝置的效率。
[0009]熱敏性聚合物(thermo-responsive polymer)是通過在水溶液中隨溫度變化的聚合物溶解度的快速改變而發(fā)生可逆相變的材料。
[0010]熱敏性聚合物可大致分為具有最低臨界溶解溫度(LCST)的材料和具有最高臨界溶解溫度(UCST)的材料。例如，具有LCST的熱敏性聚合物在LCST或高于LCST的溫度下具有疏水性，由此發(fā)生相分離。
[0011]在醫(yī)療領域中，熱敏性聚合物通常用于控制藥物釋放。近些年，熱敏性聚合物由于在各種領域中的應用研究而引起關注。
【發(fā)明內容】

[0012]因此，本發(fā)明涉及一種光致抗蝕膜和使用所述光致抗蝕膜的0LED裝置的制造方法，其基本上消除了因現有技術的局限性和缺點而造成的一個或多個問題。
[0013]本發(fā)明的一個方面涉及一種0LED的制造方法，該方法通過使用采用了熱敏性聚合物的光致抗蝕膜而有利于提高顯示裝置的效率。
[0014]本發(fā)明的另一方面涉及一種0LED的制造方法，該方法通過使用采用了熱敏性聚合物的光致抗蝕膜而有利于以最小的損傷形成圖案。
[0015]對于本發(fā)明的其他的優(yōu)點和特征，一部分將在下面的說明中闡述，其他部分將在研究以下內容后對本領域技術人員而言變得顯而易見或者可以通過對本發(fā)明的實施而獲知。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點將通過書面說明書及其權利要求以及附圖中具體指出的結構來實現和獲得。
[0016]在一方面，為實現這些和其他的優(yōu)點，并根據本發(fā)明的目的，如本文所具體及寬泛描述的，一些實施方式的光致抗蝕膜可包括位于支持膜上的光至熱轉換層(light-to-heatconversion layer);和位于所述光至熱轉換層上的熱敏性聚合物層。
[0017]在本發(fā)明的另一方面，一些實施方式的0LED裝置的制造方法可包括:在轉移襯底上形成包括支持膜、光至熱轉換層(LTHC)和熱敏性聚合物層的光致抗蝕膜；使所述光致抗蝕膜曝露；用紅外線(IR)照射曝露的所述光致抗蝕膜以形成光致抗蝕圖案；在所述光致抗蝕圖案上沉積發(fā)光層；和通過調節(jié)溫度使所述光致抗蝕圖案脫離所述轉移襯底。
[0018]應當明白，對本發(fā)明的以上一般描述和以下詳細描述都僅是示例性的，旨在為所要求保護的本發(fā)明提供進一步解釋。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]包含附圖是為了提供對本發(fā)明的進一步理解，并將其并入本申請中構成本申請的一部分，附圖描繪了本發(fā)明的示例性實施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0020]圖1是本發(fā)明的一個實施方式的光致抗蝕膜的截面圖；和
[0021]圖2?6是使用本發(fā)明一個實施方式的光致抗蝕膜的0LED裝置的制造方法的截面視圖。
【具體實施方式】
[0022]下面將詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式，其實例在附圖中示出。只要可能，相同的附圖標記將在全部附圖中用來表示相同或類似的部件。應注意的是，如果確定現有技術會誤導本發(fā)明，則將略去對現有技術的詳細描述。
[0023]圖1是本發(fā)明的一個實施方式的光致抗蝕膜的截面圖。
[0024]如圖1所示，本發(fā)明的一個實施方式的光致抗蝕膜100包括支持膜110、光至熱轉換層(LTHC) 120和熱敏性聚合物層130 (例如，ΡΕ0-ΡΡ0-ΡΕ0三嵌段共聚物)。
[0025]根據本發(fā)明的一個實施方式，光致抗蝕膜100可以通過以下方式形成:在支持膜110上形成LTHC層120，然后在LTHC層120上形成熱敏性聚合物層130(例如，ΡΕ0-ΡΡ0-ΡΕ0三嵌段共聚物)。[0026]首先，支持膜110可包括具有良好透射率的聚合物膜，例如，聚酯(PS)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)和聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等。另外，支持膜110可包含對LTHC層120具有良好粘附性的材料，不過并不限于此。
[0027]此外，支持膜110可以保護并支持LTHC層120和熱敏性聚合物層130。
[0028]LTHC層120可吸收光中的紅外線，并且可以將一部分所吸收的光轉換為熱。在這種情況中，LTHC層120可具有適合于高效地吸收光的光密度。LTHC層120可以由吸光材料形成以吸收光。例如，LTHC層120可包括鋁(A1)、銀(Ag)或者它們的氧化物或硫化物的金屬膜，或者可包括聚合物有機膜，該有機膜包含但不限于炭黑、石墨或紅外線染料。在一些實施方式中，當LTHC層吸收光并將一部分所吸收的光轉換為熱時，這樣的轉換可以導致LTHC層膨脹。在該情況中，金屬膜LTHC層120可通過氣相沉積法、電子束蒸發(fā)法或濺射法形成。同時，有機膜LTHC層120可通過普通的膜涂覆法形成，S卩，凹版涂覆法、擠壓涂覆法、旋轉涂覆法或刮刀涂覆法中的一種。
[0029]熱敏性聚合物層130可以由熱敏性聚合物形成。本文所述的熱敏性聚合物在溫度升至高于聚合物狀態(tài)下的預定值時可發(fā)生水和聚合物的相分離，但在溫度低于所述預定溫度的低溫水溶液中可溶。本文所述的熱敏性聚合物還可以在溫度降至低于聚合物狀態(tài)下的預定值時發(fā)生水和聚合物的相分離，但在溫度高于所述預定溫度的高溫水溶液中可溶。
[0030]例如，所述熱敏性聚合物可包含具有醚基的聚合物，其包括但不限于聚氧化乙烯(ΡΕ0)、聚氧化乙烯(ΡΕ0)-氧化丙烯(ΡΡ0)共聚物、ΡΕ0-ΡΡ0-ΡΕ0三嵌段共聚物、PE0-PLGA-PE0三嵌段共聚物或聚乙烯基甲基醚(PVME)。在其他實施方式中，本文所述的熱敏性聚合物還可包括N-異丙基丙烯酰胺、N-異丙基丙烯酰胺、N-叔丁基丙烯酰胺、N, N’- 二乙基丙烯酰胺、甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯和N-(L)-1-羥基甲基等。在另外一些實施方式中，本文所述的熱敏性聚合物還可包括聚[低聚(乙二醇)甲基醚甲基丙烯酸酯](POEGMA)、P0EGMA-嵌段-聚(N-異丙基丙烯酰胺)(POEGMA_b_PNIPAM)、P0EGMA_ 嵌段-聚(N, N- 二乙基丙烯酰胺)(POEGMA-b-PDEAM).POEGMA-嵌段-[PNIPAM-共-聚(丙烯酸五氟苯酯)](P0EGMA-b- (PNIPAM-co-PPFPA))。
[0031]另外，熱敏性聚合物可包括具有醇基的聚合物，其包括但不限于丙烯酸羥基丙酯、羥基丙基甲基纖維素、羥基丙基纖維素、羥基乙基纖維素、甲基纖維素和聚乙烯醇等。熱敏性聚合物可包括具有N-取代的酰胺基的聚合物，其包括但不限于聚(N-丙烯?；量┩?、聚(N-丙烯?；哙?、聚(丙烯?；?L-氨基酸酰胺)或聚乙基噁唑啉。
[0032]在一些實施方式中，本文所述的共聚物(例如ΡΕ0-ΡΡ0-ΡΕ0三嵌段共聚物)的LCST可以通過調節(jié)親水性部分(如ΡΕ0)和疏水性部分(如ΡΡ0)中的聚合度來調整。
[0033]另外，本文所述的共聚物可依據其單體的數量來分類。例如，ΡΕ0-ΡΡ0-ΡΕ0三嵌段共聚物可根據ΡΕ0和ΡΡ0的數量來分類，即，以“F”表示的F38、F68、F77、F77、F98、F108和 F127 ;以“1/’表示的 L31、L42、L43、L44、L62、L72 和 L101 ;和以“P”表示的 P75、P103 和P104，其中，ΡΕ0-ΡΡ0-ΡΕ0三嵌段共聚物的以上實例具有ΡΕ0-ΡΡ0-ΡΕ0結構，不過，它們的組成和類型彼此略有不同。
[0034]舉例而言，LCST超過 100 °C 的材料可以包括 E0100P065E010(l、E0132P05(lE0132、eo76po29eo76 或E01Q3P039E01Q3 ；LCST 超過 80°C 的材料可以包括 eo17po6Qeo17、eo27po61eo27 或eo37po56eo37。[0035]然而，用于本發(fā)明的熱敏性聚合物層130的熱敏性聚合物的種類并不限于以上實例。也就是說，本發(fā)明的熱敏性聚合物層130可以使用各種熱敏性聚合物來形成。
[0036]熱敏性聚合物層130可以通過以下方式來形成:使用氣刀、輥涂機、噴涂機、浸涂機、凹板式涂覆機、旋涂機、刮棒涂覆機、刮漿刀和狹縫涂覆機中的任一種將熱敏性聚合物噴灑或涂覆在LTHC層120上。熱敏性聚合物層130的厚度可以為0.5 μ m?25.0 μ m，1.0 μ m ?20.0 μ m, 5.0 μ m ?15.0 μ m, 10.0 μ m ?15.0 μ m,或 5.0 μ m ?10.0 μ m。
[0037]除了以上結構之外，光致抗蝕膜100中還可包含各種類型的添加劑。例如，光致抗蝕膜100中可包含光引發(fā)劑或光致生酸劑，或者添加劑(例如，粘合劑或包含該粘合劑的單體)可以包含在光致抗蝕膜100中(例如，在熱敏層中、LTHC層中或支持膜中)。
[0038]在該情況中，LTHC層120的組分中可以包含粘合劑，其中，當用光照射光致抗蝕膜100時所述粘合劑將LTHC層120中的轉移材料轉移。例如，所述粘合劑可包括丙烯酸酯聚合物(例如，酚醛清漆樹脂、聚酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯或聚氨酯丙烯酸酯)。用于制備一些實施方式的高分子粘合劑的適宜的丙烯酸烷基酯包括丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸丁酯等。適宜的α，β-烯屬不飽和羧酸包括丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸和馬來酸或馬來酸酐等。在產生自由基的聚合引發(fā)劑(例如，過氧化合物，如過氧化苯甲酰、過氧化二叔戊基或過氧化二碳酸二異丙酯；偶氮引發(fā)劑，如1，1’ -偶氮二環(huán)己腈、2，2’ -偶氮雙(2-甲基丙腈))存在時，一些實施方式的高分子粘合劑可以通過本領域的技術人員已知的任一種加聚技術來制備，所述加聚技術包括溶液聚合、本體聚合、珠狀聚合和乳液聚合等。
[0039]另外，LTHC層120的組分中可以包含光引發(fā)劑，其中，通過在用光照射時固化粘合齊IJ，所述光引發(fā)劑可增強光致抗蝕膜100的硬度。例如，所述光引發(fā)劑可包括苯乙酮、肟、芳香族酮類(二苯甲酮、Ν，Ν’ -四甲基-4，4’ - 二氨基二苯甲酮(米希勒酮)、Ν，Ν’ -四甲基_4，4’ - 二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4’ -二甲基氨基二苯甲酮、2-乙基蒽醌和菲醌等)、安息香類(安息香醚(例如安息香甲基醚、安息香乙基醚和安息香苯基醚)、甲基安息香和乙基安息香等)、芐基衍生物(芐基二甲基縮酮等)、2，4，5-三芳基咪唑二聚物(例如，2_ (鄰氯苯基)_4，5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰氯苯基)-4，5-二(間甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(鄰氟苯基)-4，5- 二苯基咪唑二聚物、2-(鄰甲氧基苯基)-4，5- 二苯基咪唑二聚物、2-(對甲氧基苯基)-4，5- 二苯基咪唑二聚物、2，4- 二(對甲氧基苯基)-5-苯基咪唑二聚物、2- (2，4- 二甲氧基苯基)-4，5- 二苯基咪唑二聚物和2-(對甲基巰基苯基)-4，5- 二苯基咪唑二聚物等)和吖啶衍生物(9-苯基吖啶和1，7-雙(9，9’ -吖啶基)庚烷等)。所述光引發(fā)劑還可以包括例如具有取代基或不具有取代基的多環(huán)醌，其是在一個共軛碳環(huán)體系中具有兩個環(huán)內碳原子的化合物，例如，9，10-蒽醌、1-氯蒽醌、2-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1，4-萘醌、9，10-菲醌、1，2-苯并蒽醌、2，3-苯并蒽醌、2-甲基-1，4-萘醌、2，3-二氯萘醌、1，4-二甲基蒽醌、2，3-二甲基蒽醌、2-苯基蒽醌、2，3- 二苯基蒽醌、蒽醌α -磺酸的鈉鹽、3-氯-2-甲基蒽醌、惹烯醌、7，8，9，10-四氫萘并萘醌和1，2，3，4-四氫苯并(a)蒽_7，12-二酮。其他同樣有用的光引發(fā)劑(即使其中一些可能在低至85°C的溫度下也具有熱活性)在美國專利第2，760，863號中有所描述，包括:鄰位醒酮羰基(ketaldonyl)醇類，例如安息香、pivaloin、偶姻醚類(如安息香甲基醚和安息香乙基醚);α -烴取代的芳族偶姻(包括α -甲基安息香、α -烯丙基安息香和α _苯基安息香)?？梢杂米饕l(fā)劑的有:美國專利第2，850，445,2, 875，047,3, 097，096,3, 074，974、3，097，097和3，145，104號中公開的光還原性染料和還原劑，以及吩嗪、噁嗪和醌類染料；美國專利第3，427，161,3, 479，185和3，549，367號中描述的米希勒酮、二苯甲酮、具有氫供體的2，4，5-三苯基咪唑基二聚物及其混合物。這些光引發(fā)劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。根據所需的圖案和曝光過程的波長范圍，可以適當地確定光引發(fā)劑的種類或含量。
[0040]另外，LTHC層120中的組分中可以包含光致生酸劑，其中，在用光照射時所述光致生酸劑產生酸。例如，光致生酸劑可包括三芳基硫鎗鹽、二芳基碘鎗鹽、磺酸鹽或者它們的合金。在一些實施方式中，光致生酸劑可包括三氟甲磺酸三苯基硫鎗、N-羥基琥珀酰亞胺或其混合物。
[0041]因此，本發(fā)明一個實施方式的光致抗蝕膜100可以布置在預定的轉移襯底上以形成所需的圖案。在該情況中，可以按照使轉移襯底的上表面與熱敏性聚合物層130接觸的方式來設置所述轉移襯底。因此，可以將本發(fā)明一個實施方式的光致抗蝕膜100轉移至該轉移襯底上，由此形成圖案。
[0042]下表1顯示了本發(fā)明一個實施方式的光致抗蝕膜100的脫離率和發(fā)光層(EML)的保留率的結果。另外，實施方式1和2顯示了取決于熱敏性聚合物的厚度的脫離率和發(fā)光層(EML)的保留率的結果。
[0043]實施例
[0044]比較例
[0045]在轉移襯底上形成現有技術的干膜抗蝕劑(DFR)，然后評估干膜抗蝕劑(DFR)的脫離率和發(fā)光層(EML)的保留率。
[0046]S卩，在沉積了發(fā)光層(EML)之后，使溫度在120°C保持5分鐘，然后移除干膜抗蝕劑(DFR)，由此評估脫離率和發(fā)光層(EML)的保留率。
[0047]根據評估結果，脫離率為3%，發(fā)光層(EML)的保留率為4%。
[0048]此處，脫離率根據“干膜抗蝕劑(DFR)的移除面積/干膜抗蝕劑(DFR)的總面積”來計算，發(fā)光層(EML)的保留率根據“保留在轉移襯底上的發(fā)光層(EML)的面積/沉積在轉移襯底上的發(fā)光層(EML)的總面積”來計算。
[0049]實施例1
[0050]在轉移襯底上形成被覆F127 (Ε0100Ρ065Ε0100)的光致抗蝕膜，然后評估光致抗蝕膜的脫離率和發(fā)光層(EML)的保留率。
[0051]此時，使用刮棒涂覆機法用熱敏性聚合物F127涂覆光致抗蝕膜，涂覆到光致抗蝕膜上的PEO-PPO-PEO (F127)的厚度為6 μ m。
[0052]在沉積了發(fā)光層(EML)之后，使溫度在120°C保持5分鐘，然后移除光致抗蝕膜，由此評估脫離率和發(fā)光層(EML)的保留率。
[0053]根據評估結果，脫離率為58%，發(fā)光層(EML)的保留率為65%，其中，使用與比較例中提及的相同的方法計算脫離率和發(fā)光層(EML)的保留率。
[0054]實施例2
[0055]在轉移襯底上形成被覆F127 (Ε0100Ρ065Ε0100)的光致抗蝕膜，然后評估光致抗蝕膜的脫離率和發(fā)光層(EML)的保留率。[0056]此時，使用刮棒涂覆機法用熱敏性聚合物F127涂覆光致抗蝕膜，涂覆到光致抗蝕膜上的 PEO-PPO-PEO (F127)的厚度為 16 μ m。
[0057]在沉積了發(fā)光層(EML)之后，使溫度在120°C保持5分鐘，然后移除光致抗蝕膜，由此評估脫離率和發(fā)光層(EML)的保留率。
[0058]根據評估結果，脫離率為72%，發(fā)光層(EML)的保留率為83%，其中，使用與比較例中提及的相同的方法計算脫離率和發(fā)光層(EML)的保留率。
[0059]如下表1所示，使用包含熱敏性聚合物的光致抗蝕膜的實施方式1和2中脫離率和發(fā)光層(EML)的保留率均高于比較例中的相應值。
[0060]表1
[0061]
【權利要求】
1.一種光致抗蝕膜，所述光致抗蝕膜包括:支持膜上的光至熱轉換層；和所述光至熱轉換層上的熱敏性聚合物層。
2.如權利要求1所述的光致抗蝕膜，其中，所述熱敏性聚合物層包含具有醚基的聚合物、具有醇基的聚合物或具有N-取代的酰胺基的聚合物。
3.如權利要求1所述的光致抗蝕膜，其中，所述支持膜是聚合物膜。
4.如權利要求1所述的光致抗蝕膜，其中，所述光至熱轉換層包括金屬膜、聚合物有機膜或者它們的混合物。
5.如權利要求4所述的光致抗蝕膜，其中，所述金屬膜包含鋁(A1)、銀(Ag)或者它們的氧化物或硫化物，所述聚合物有機膜包含炭黑、石墨或紅外線染料。
6.如權利要求2所述的光致抗蝕膜，其中，所述具有醚基的聚合物選自由聚氧化乙烯(PEO)、聚氧化乙烯(PEO)-氧化丙烯(PPO)共聚物、PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物、PEO-PLGA-PEO三嵌段共聚物和聚乙烯基甲基醚(PVME)組成的組，所述具有醇基的聚合物選自由丙烯酸羥基丙酯、羥基丙基甲基纖維素、羥基丙基纖維素、羥基乙基纖維素、甲基纖維素、聚乙烯醇組成的組，并且所述具有N-取代的酰胺基的 聚合物選自由聚(N-丙烯?；量┩?、聚(N-丙烯?；哙?、聚(丙烯酰基-L-氨基酸酰胺)或聚乙基噁唑啉組成的組。
7.如權利要求1所述的光致抗蝕膜，其中，所述熱敏性聚合物層包含PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物。
8.如權利要求1所述的光致抗蝕膜，其中，所述熱敏性聚合物層包含Ε01(ι(ιΡ065Ε0.、Ε0132Ρ05(ιΕ0132、Ε076Ρ029Ε076、Ε0103Ρ039Ε0103> εο17ρο60εο17、εο27ρο61εο27 或 εο37ρο56εο37。
9.如權利要求1所述的光致抗蝕膜，其中，所述熱敏性聚合物層的厚度為0.5μπι~25.0 μ m0
10.如權利要求1所述的光致抗蝕膜，其中，所述光至熱轉換層包含:粘合劑，包含粘合劑的單體，光引發(fā)劑，光致生酸劑，或它們的混合物。
11.一種用于制造OLED裝置的方法，所述方法包括:在轉移襯底上形成包括支持膜、光至熱轉換層(LTHC)和熱敏性聚合物層的光致抗蝕膜；通過用紅外線(IR)照射曝露的所述光致抗蝕膜來形成光致抗蝕圖案；在所述光致抗蝕圖案上沉積發(fā)光層；和通過調節(jié)溫度使所述光致抗蝕圖案脫離所述轉移襯底。
12.如權利要求11所述的方法，其中，所述熱敏性聚合物層包含具有醚基的聚合物、具有醇基的聚合物或具有N-取代的酰胺基的聚合物。
13.如權利要求11所述的方法，其中，所述光至熱轉換層通過氣相沉積法、電子束蒸發(fā)法或濺射法形成。
14.如權利要求11所述的方法，其中，所述光至熱轉換層包括金屬膜、聚合物有機膜或者它們的混合物。
15.如權利要求14所述的方法，其中，所述金屬膜包含鋁(A1)、銀(Ag)或者它們的氧化物或硫化物，所述聚合物有機膜包含炭黑、石墨或紅外線染料。
16.如權利要求12所述的方法，其中，所述具有醚基的聚合物選自由聚氧化乙烯(PEO)、聚氧化乙烯(PEO)-氧化丙烯(PPO)共聚物、PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物、PE0-PLGA-PE0三嵌段共聚物和聚乙烯基甲基醚(PVME)組成的組，所述具有醇基的聚合物選自由丙烯酸羥基丙酯、羥基丙基甲基纖維素、羥基丙基纖維素、羥基乙基纖維素、甲基纖維素、聚乙烯醇組成的組，并且所述具有N-取代的酰胺基的聚合物選自由聚(N-丙烯?；量┩?、聚(N-丙烯?；哙?、聚(丙烯?；?L-氨基酸酰胺)或聚乙基噁唑啉組成的組。
17.如權利要求11所述的方法，其中，所述熱敏性聚合物層包含PEO-PPO-PEO三嵌段共聚物。
18.如權利要求11所述的方法，其中，所述熱敏性聚合物層包含Ε01(ι(ιΡ065Ε0.、Ε0132Ρ05(ιΕ0132、Ε076Ρ029Ε076、Ε0103Ρ039Ε0103> εο17ρο60εο17、εο27ρο61εο27 或 εο37ρο56εο37。
19.如權利要求11所述的方法，其中，所述光至熱轉換層包含:粘合劑，包含粘合劑的單體，光引發(fā)劑，光致生酸劑，或它們的混合物。
20.如權利要求11所述的方法，其中，用IR照射曝露的所述光致抗蝕膜包括:在超過約lOOOnm的波長范圍內調節(jié)能量密`度和/或照射時間。
【文檔編號】H01L51/56GK103631093SQ201210576915
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年12月27日 優(yōu)先權日:2012年8月27日
【發(fā)明者】樸宰賢, 金珍郁, 金瑋镕, 閔慧理, 金玟知, 孫榮兌, 申英燮 申請人:樂金顯示有限公司