專利名稱：一種塑封ic開封方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種IC的濕法開封方法，特別涉及一種塑封IC開封方法。
背景技術：
隨著電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展與進步，塑封IC產(chǎn)品的可靠性問題已經(jīng)成為電子元器件供應商關心的主要問題之一。塑封IC剛開始時，可靠性是很差的。當然，IC美國是老大，日本的IC更差。所以日本的電子產(chǎn)品大多要靠進口美國的1C。一開始，美國對塑封IC的可靠性差，認為是理所當然的。他們稱要用高可靠性的1C，就要用陶瓷封裝的1C，因為那是通過嚴格的測試的。但是日本的失效分析專家做了實實在在的測試、失效分析、DPA (破壞性物理實驗，以良品開封為核心)，把失效的問題找出來了，通過不斷的改善，使日本的塑封IC可靠性也大大提高?，F(xiàn)在國內(nèi)的一些電子元器件供應商為了提高塑封IC產(chǎn)品的可靠性，需要對塑封IC產(chǎn)品進行開封，找出失效點，進而提出改進措施。目前國內(nèi)主要以購買美國和日本的自動開封機為主，進行塑封IC產(chǎn)品的開封，但是自動開封機具有以下幾個缺陷1.自動開封機成本較高，進口價格一般在3萬美金左右，而且后續(xù)不斷的向設備供應商購買一些專利酸液，對于國內(nèi)的中小型企業(yè)是一筆沉重的負擔。2.自動開封機開封需時較長，例如針對于一顆DIP8的塑封1C，需要時間大約為45分鐘左右，如果需要進行多顆塑封IC進行分析時，需時較長，嚴重影響效率。結合以上分析，需要一種適合中國中小企業(yè)的一種塑封IC的開封方法。目前個別企業(yè)都有自己相應的塑封IC開封方案，但技術均不成熟，存在較多缺陷其一，開封速度慢。其二，樣品芯片表面殘留膠多不干凈，不利于失效點觀察。除此之外還存在諸多問題，有待改進。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題是提供一種塑封IC開封方法，操作簡單、開封時間短，成本較低。本發(fā)明采用的技術方案是一種塑封開封方法，首先按照體積比為3:1將硝酸和硫酸配成混合酸液，加熱至5(T80°C后，將混合酸液滴注在芯片上方，使酸液與塑封料反應，直至芯片全部裸露出來，最后在裸露的芯片上方滴注硫酸以清洗芯片表面，最后將芯片清洗干凈即可。作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，酸液與塑封料反應直至芯片全部裸露出來的具體方法為將酸液滴注到塑封IC表面，使酸液充分與塑封料反應，反應結束后，用無水乙醇清洗，之后重復在塑封IC表面滴注酸液、清洗，直至芯片完全裸露出來。作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述塑封IC的表面設置有凹槽，所述酸液滴注在凹槽內(nèi)。作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，硝酸和硫酸均為分析純級。作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，滴注到塑封IC表面的酸液溫度為60°C。
作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，最后將芯片清洗干凈的方法為先用超聲波清洗，再用水清洗，最后用無水乙醇清洗。本發(fā)明的優(yōu)點本發(fā)明方法開封時間短的原因為一、硝酸和硫酸形成混酸進行腐蝕；二、芯片表面開有凹槽；三、對酸液進行加熱，而不是對樣品進行加熱，減小對樣品的影響。
具體實施例方式1.原材料準備需要準備的原材料有分析純級濃硫酸，分析純級濃硝酸，無水乙
醇，滴管一只，燒杯若干。2.腐蝕酸液配置將分析純級濃硝酸和分析純級濃硫酸按照3 1的體積比進行配制，配制酸液時一次不要配制太多。3.加熱腐蝕酸液將配置好的腐蝕酸液加熱到50 80°C之間后，穩(wěn)定溫度使酸液始終保持在50 80°C，建議溫度為60°C .可以將溫度計插入酸液中監(jiān)控酸液溫度。4.樣品準備清理樣品表面的異物，使酸液可以直接與塑封料接觸。最好在芯片上方位置制作出一個凹處，方便酸液停留腐蝕，這樣可以加快開封速度。5.樣品腐蝕將加熱好的酸液用滴管滴注在芯片上方位置，使酸液與塑封料反應，然后將樣品放入盛有無水乙醇的燒杯中清洗，清洗后繼續(xù)滴注，不斷重復以上操作，直到芯片全部裸露出來。6.芯片表面清理將分析純級濃硫酸滴注在裸露出的芯片表面，停滯5秒后將樣品放入盛有無水乙醇的燒杯中 清洗，反復操作3次。7.樣品清洗用水將樣品清洗3次，防止酸液殘留對人員造成傷害。最終將樣品放入無水乙醇中10秒后拿出即可。如果有超聲波清洗機，可以在樣品放入無水乙醇前進行超聲波清洗，效果會更好。用無水乙醇進行清洗能夠防止芯片表面有水痕遺留，影響觀察。最后說明的是，以上實例僅用以說明本發(fā)明的技術方案而非限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發(fā)明的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本技術方案的宗旨和范圍，其均應涵蓋在本發(fā)明的權利要求范圍當中。
權利要求
1.一種塑封IC開封方法，其特征在于首先按照體積比為3:1將硝酸和硫酸配成混合酸液，加熱至5(T80°C后，將混合酸液滴注在芯片上方，使酸液與塑封料反應，直至芯片全部裸露出來，最后在裸露的芯片上方滴注硫酸以清洗芯片表面，最后將芯片清洗干凈即可。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種塑封IC開封方法，其特征在于酸液與塑封料反應直至芯片全部裸露出來的具體方法為將酸液滴注到塑封IC表面，使酸液充分與塑封料反應，反應結束后，用無水乙醇清洗，之后重復在塑封IC表面滴注酸液、清洗，直至芯片完全裸露出來。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種塑封IC開封方法,其特征在于所述塑封IC的表面設置有凹槽，所述酸液滴注在凹槽內(nèi)。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種塑封IC開封方法，其特征在于硝酸和硫酸均為分析純級。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種塑封IC開封方法，其特征在于滴注到塑封IC表面的酸液溫度為60°C。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種塑封IC開封方法，其特征在于最后將芯片清洗干凈的方法為先用超聲波清洗，再用水清洗，最后用無水乙醇清洗。
7.—種塑封IC開封方法，其特征在于包括以下步驟 (1)將分析純級濃硝酸和分析純級濃硫酸按照31的體積比配制成腐蝕酸液； (2)將步驟(I)配置好的腐蝕酸液加熱，穩(wěn)定溫度使酸液始終保持在50 80°C； (3)清理塑封IC表面的異物，使酸液與塑封料充分接觸； (4)將步驟(2)加熱好的酸液用滴管滴注在步驟(3)處理后的芯片上方位置，使酸液與塑封料反應，然后將塑封IC放入盛有無水乙醇的燒杯中清洗，清洗后繼續(xù)滴注，不斷重復以上操作，直到芯片全部裸露出來； (5)將分析純級濃硫酸滴注在裸露出的芯片表面，停滯5秒后將樣品放入盛有無水乙醇的燒杯中清洗，反復操作3次； (6)用水將樣品清洗3次，防止酸液殘留對人員造成傷害，最終將樣品放入無水乙醇中10秒后拿出即可。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種塑封IC開封方法，首先按照體積比為3:1將硝酸和硫酸配成混合酸液，加熱至50~80℃后，將混合酸液滴注在芯片上方，使酸液與塑封料反應，直至芯片全部裸露出來，最后在裸露的芯片上方滴注硫酸以清洗芯片表面，最后將芯片清洗干凈即可。本發(fā)明開封方法操作簡單、開封時間短，且成本低廉。
文檔編號H01L21/02GK103065936SQ20121058008
公開日2013年4月24日 申請日期2012年12月27日 優(yōu)先權日2012年12月27日
發(fā)明者馮海科 申請人:西安芯派電子科技有限公司