有機發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光二級管(OLED)顯示裝置及其制造方法，該OLED顯示裝置使用基于氧化物的半導(dǎo)體作為TFT的有源層。在該OLED顯示裝置中，在柵極的上部形成有源層并將源極圖案化以完全覆蓋有源層的溝道區(qū)，以阻隔從有源層的上下部分透出的光線，從而提升氧化物TFT的可靠性。
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置及其制造方法，更具體地，涉及一種通過光刻工藝將OLED像素圖案化的OLED顯示裝置，及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，對用于便攜式信息媒介信息顯示的興趣以及需求與日俱增，因此將輕便的平板顯示器(FPD)替代作為現(xiàn)有的顯示裝置的陰極射線管顯示器(CRT)的研究日益活躍并已商業(yè)化。
[0003]在Fro領(lǐng)域中，更輕薄且耗電更少的液晶顯示(IXD)裝置業(yè)已受到關(guān)注；但，由于LCD裝置是受光裝置而非發(fā)光裝置，因此在亮度、對比度以及可視角度等方面存在劣勢，故而需要積極地開發(fā)出一種能克服上述缺點的新型顯示裝置。
[0004]作為一種新型顯示裝置，LED顯示裝置是自發(fā)光型的裝置，因此它在可視角度以及對比度方面優(yōu)異，同時由于它無需背光因此很輕薄，而且相比于IXD裝置，它還有功耗上的優(yōu)勢。此外，OLED顯示裝置可以由DC和低電壓驅(qū)動、響應(yīng)速度快，因此在制造成本上格外具有優(yōu)勢。
[0005]與IXD裝置或等離子顯示面板(I3DP)不同，OLED顯示裝置的整個制造工藝就是沉積和封裝，因此制造工藝非常簡單。此外，當(dāng)使用其中每個像素都有薄膜晶體管(TFT)作為開關(guān)元件的有源矩陣來驅(qū)動OLED顯示裝置時，通過施加低電流就可以獲得相同的亮度，因此，很有優(yōu)勢的是，OLED顯示裝置功耗低、高間距(高分辨率或高解析度)以及能擴大尺寸。
[0006]以下，將參考附圖來詳細(xì)描述OLED顯示裝置的基本結(jié)構(gòu)以及工作特性。
[0007]圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)OLED顯示裝置的發(fā)光原理的視圖。
[0008]如圖1所示,現(xiàn)有技術(shù)OLED顯示裝置包括0LED。該OLED包括形成在作為像素電極的陽極18和作為公共電極的陰極28之間的有機化合物層30a、30b、30c、30d和30e。
[0009]這里，有機化合物層30a、30b、30c、30d和30e包括:空穴注入層30a、空穴傳輸層30b、發(fā)光層30c、電子傳輸層30d和電子注入層30e。
[0010]當(dāng)將驅(qū)動電壓施加到陽極18和陰極28時，穿過空穴傳輸層30b的空穴和穿過電子傳輸層30e的電子遷移到發(fā)光層30c以形成激子(電子空穴對)，從而發(fā)光層30c發(fā)出可見光。
[0011]在OLED顯示裝置中，各具有上述結(jié)構(gòu)的OLED的像素以矩陣的形式排列并由數(shù)據(jù)電壓和掃描電壓選擇性控制來顯示圖像。
[0012]OLED顯示裝置可以分為無源矩陣型OLED顯示裝置和使用TFT作為開關(guān)元件的有源矩陣型顯示裝置。其中，在有源矩陣型OLED顯示裝置中，選擇性地將作為有源元件的TFT導(dǎo)通以選擇像素，并由在存儲電容器中維持的電壓來維持像素發(fā)光。
[0013]圖2是現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置中像素的等效電路圖。即，圖2示出了具有現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣型OLED顯示裝置中的2T1C(包括兩個電阻器和一個電容器)的像素的等效電路圖的實例。[0014]參考圖2，有源矩陣型OLED顯示裝置的像素包括:0LED、彼此交叉的數(shù)據(jù)線DL和柵線GL、開關(guān)TFT SW、驅(qū)動TFT DR和存儲電容器Cst。
[0015]這里，響應(yīng)來自柵線GL的掃描脈沖來導(dǎo)通開關(guān)TFT Sff以在源極和漏極間形成電流路徑。在開關(guān)TFT SW導(dǎo)通期間，通過開關(guān)TFT SW的源極和漏極將來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓施加到驅(qū)動TFT DR的柵極和存儲電容器Cst。
[0016]這里，驅(qū)動TFT DR根據(jù)施加到其柵極的數(shù)據(jù)電壓，控制在OLED中的電流。存儲電容器Cst存儲在數(shù)據(jù)電壓和低電勢電壓源電壓VSS間的電壓并在其一幀期間均一地維持它。
[0017]近年來，隨著對用于便攜式裝置的小尺寸顯示面板外的中型和大型顯示器市場的興趣升溫，白色有機發(fā)光二極管(W-OLED)作為能滿足這種市場需求的技術(shù)日益凸顯。W-OLED使用濾色器來實現(xiàn)紅、綠和藍(lán)色。此外，為了得到大尺寸的OLED顯示裝置，需要開發(fā)能穩(wěn)定工作并具有確保恒定電流特性持久性的晶體管作為驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)。
[0018]因此，開發(fā)了以氧化物半導(dǎo)體形成有源層的氧化物TFT。以下，將詳細(xì)描述使用氧化物TFT的現(xiàn)有技術(shù)W-OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)。
[0019]圖3是示出現(xiàn)有技術(shù)W-OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示意性截面圖。如圖3所示的現(xiàn)有技術(shù)W-OLED顯示裝置具有在TFT(COT)上的濾色器結(jié)構(gòu)，其中濾色器形成在下陣列基板上。
[0020]參考圖3，具有COT結(jié)構(gòu)的W-OLED顯示裝置通過使用形成在陣列基板10上的濾色器17來實現(xiàn)紅、綠和藍(lán)色。具體地，陣列基板包括:限定多個像素區(qū)的多條柵線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)、在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成的TFT、在每個像素區(qū)內(nèi)形成的濾色器17和像素電極18。
[0021]TFT包括:連接到柵線的柵極21、連接到數(shù)據(jù)線的源極22和連接到像素電極的漏極23。此外，TFT包括用于使柵極21和源極以及漏極22和23絕緣的柵絕緣層15a和有源層24，該有源層由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成并在源極22和漏極23之間通過施加到柵極21上的柵電壓形成導(dǎo)電溝道。
[0022]在氧化物TFT中使用的氧化物半導(dǎo)體具有弱鍵合結(jié)構(gòu)。因此，為了防止對背面溝道區(qū)的損壞，需要額外在有源層24上形成蝕刻停止層25，因此存在執(zhí)行額外的相應(yīng)處理工藝的弊端。在這種情況下，在底部柵結(jié)構(gòu)中使用蝕刻停止層25來確保背面溝道的穩(wěn)定性。
[0023]在如上述配置的TFT的上部形成保護(hù)膜15b，并在像素區(qū)的保護(hù)膜15b上形成紅、綠和藍(lán)濾色器17。在形成有濾色器17的陣列基板10的正面上形成覆蓋層(overcoatlayer) 15c,以補償在濾色器17和TFT間的步階。
[0024]在覆蓋層15c上形成像素電極18。在這種情況下，通過接觸孔將像素電極18電連接到漏極23。
[0025]這里，雖然未示出，但在形成有像素電極18的陣列基板10上形成分區(qū)，并在形成有分區(qū)的陣列基板10上形成白色有機發(fā)光層。在有機發(fā)光層上形成公共電極作為陰極。
[0026]在現(xiàn)有技術(shù)的具有如上所述配置有蝕刻停止層的W-OLED顯示裝置中，為了形成像素電極，需要至少11個掩模，例如柵布線(即，柵極和柵線)、有源層、蝕刻停止層、柵觸點、數(shù)據(jù)布線(即，源極、漏極和數(shù)據(jù)線)、保護(hù)層、紅綠和藍(lán)色濾色器、覆蓋層、像素電極等，且由于層間的疊加，因而寄生電容很大。[0027]此外，如上所述，雖然為了確保背面溝道的穩(wěn)定性使用了蝕刻停止層，但由于從有源層的上部和下部透入的光，因此很難確?？煽啃裕瑫r雖然需要高溫?zé)崽幚韥硖岣呖煽啃?，但很難使用銅(Cu)作為柵布線。
[0028]作為參考，在現(xiàn)有技術(shù)OLED顯示裝置中，在單個像素區(qū)內(nèi)存在包括驅(qū)動TFT和開關(guān)TFT的兩個或更多個TFT，因此還需要上述的柵觸點來連接驅(qū)動TFT的柵極和開關(guān)TFT的漏極。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0029]本發(fā)明的一個方面提供了一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置以及其制造方法，其中阻隔了從有源層的上側(cè)和下側(cè)透入的光而提升了氧化物薄膜晶體管(TFT)的可靠性并簡化制造工藝。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置，包括:形成在陣列基板上并包括柵極的柵線；形成在其間設(shè)置有柵絕緣層的柵線上并由非晶氧化鋅半導(dǎo)體構(gòu)成的有源層；分別形成在該有源層的源極區(qū)和漏極區(qū)上的第一源極和第一漏極；在其上形成有第一源極和第一漏極的陣列基板上形成的層間絕緣層；在其上形成有層間絕緣層的陣列基板上形成并覆蓋顯示圖像的像素區(qū)的紅、綠和藍(lán)濾色器；在其上形成有濾色器的陣列基板上形成并包括了分別使得第一源極和第一漏極暴露的第一接觸孔和第二接觸孔的第一保護(hù)層；在第一保護(hù)層上形成并分別通過第一接觸孔和第二接觸孔電連接到第一源極和第一漏極的第二源極和第二漏極；在其上形成有第二源極和第二漏極的陣列基板上形成并具有使得第二漏極暴露的第三接觸孔的第二保護(hù)層；在第二保護(hù)層上形成并通過第三接觸孔電連接到第二漏極的像素電極；在其上形成有像素電極的陣列基板上形成用以劃分像素區(qū)的分區(qū)；在其上形成有分區(qū)的陣列基板上形成的白色有機發(fā)光層；和在有機發(fā)光層上形成的公共電極，其中柵極形成為覆蓋有源層的下部而第二源極形成為從上覆蓋有源層的溝道區(qū)。
[0031]可以形成濾色器來覆蓋TFT區(qū)以及像素區(qū)。
[0032]該OLED顯示裝置進(jìn)一步包括覆蓋層，該覆蓋層形成為覆蓋在其中形成濾色器的像素區(qū)以及TFT區(qū)。
[0033]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的方法，包括:在陣列基板上形成第一導(dǎo)電層、柵絕緣層和有源層；在有源層的源極區(qū)和漏極區(qū)上形成由第二導(dǎo)電層構(gòu)成的第一源極和第一漏極，并在有源層下形成包括了由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的柵極的柵線；在其上形成有第一源極、第一漏極、柵極和柵線的陣列基板上形成層間絕緣層；形成紅、綠和藍(lán)濾色器以覆蓋顯示圖像的像素區(qū)；在其上形成有濾色器的陣列基板上形成第一保護(hù)層，該保護(hù)層具有分別暴露出第一源極和第一漏極的第一接觸孔和第二接觸孔；形成分別通過第一接觸孔和第二接觸孔電連接到第一源極和第一漏極的第二源極和第二漏極，該第二源極和第二漏極由在第一保護(hù)層上的第三導(dǎo)電層構(gòu)成；在其上形成有第二源極和第二漏極的陣列基板上形成第二保護(hù)層，該第二保護(hù)層包括暴露出第二漏極的第三接觸孔；形成通過第三接觸孔電連接到第二漏極的像素電極，該像素電極由在第二保護(hù)層上的第四導(dǎo)電層構(gòu)成；在其上形成有像素電極的陣列基板上形成用以劃分像素區(qū)的分區(qū)；在其上形成有分區(qū)的陣列基板上形成白色有機發(fā)光層；以及在有機發(fā)光層上形成公共電極。
[0034]第一導(dǎo)電層可以由不透明的低阻導(dǎo)電材料構(gòu)成，例如鑰、鑰-鈦等的鑰合金、鉻、鉭或鈦。
[0035]有源層可以由非晶氧化鋅半導(dǎo)體構(gòu)成。
[0036]第二導(dǎo)電層可以通過將諸如銅等形成的低阻導(dǎo)電材料作為主布線層，而使用鑰鈦等作為上下部分的阻隔層而形成三層結(jié)構(gòu)。
[0037]可以通過相同的掩模工藝形成第一源極、第一漏極、柵極和柵線。
[0038]當(dāng)形成柵極和柵線時，可以在陣列基板的焊盤部中形成由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的第一數(shù)據(jù)焊盤線和第一柵焊盤線。
[0039]當(dāng)形成第一源極和第一漏極時，可以在第一數(shù)據(jù)焊盤線和第一柵焊盤線上形成由第二導(dǎo)電層形成第二數(shù)據(jù)焊盤線和第二柵焊盤線。
[0040]當(dāng)形成第二保護(hù)層時，可以選擇性地將第二保護(hù)層、第一保護(hù)層和層間絕緣層圖案化以在陣列基板的焊盤部中形成分別暴露出第二數(shù)據(jù)焊盤線和第二柵焊盤線的第四接觸孔和第五接觸孔。
[0041]當(dāng)形成像素電極時，可以在陣列基板的焊盤部中形成通過第四接觸孔和第五接觸孔電連接到第二數(shù)據(jù)焊盤線和第二柵焊盤線的數(shù)據(jù)焊盤電極和柵焊盤電極。
[0042]當(dāng)形成柵極和柵線時，可以在陣列基板的焊盤部中形成由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的第一柵焊盤線。
[0043]當(dāng)形成第一源極和第一漏極時，可以在第一柵焊盤線上形成由第二導(dǎo)電層構(gòu)成的
第二柵焊盤線。
[0044]當(dāng)形成第二源極和第二漏極時，可以在陣列基板的焊盤部中形成由第三導(dǎo)電層構(gòu)成的數(shù)據(jù)焊盤線。
[0045]當(dāng)形成第二保護(hù)層時，可以選擇性地將第二保護(hù)層、第一保護(hù)層和層間絕緣層圖案化以在陣列基板的焊盤部中形成分別暴露出數(shù)據(jù)焊盤線和第二柵焊盤線的第四接觸孔和第五接觸孔。
[0046]當(dāng)形成像素電極時，可以在陣列基板的焊盤部中形成分別通過第四接觸孔和第五接觸孔電連接到數(shù)據(jù)焊盤線和第二柵焊盤線的數(shù)據(jù)焊盤電極和柵焊盤電極。
[0047]可以形成濾色器以覆蓋TFT區(qū)以及像素區(qū)。
[0048]該方法進(jìn)一步包括:在形成濾色器后，形成覆蓋在其中形成有濾色器的像素區(qū)和TFT區(qū)的覆蓋層。
[0049]可以形成柵極來覆蓋有源層的下部，第二源極形成為延伸并從上覆蓋有源層的溝道區(qū)。
[0050]可以將第三導(dǎo)電層形成為雙層結(jié)構(gòu)，其中用諸如銅等的低阻導(dǎo)電材料作為主布線而用鑰鈦作為底部的阻隔層。
[0051]如前所述，在根據(jù)本發(fā)明實施例的使用基于氧化物半導(dǎo)體作為TFT的有源層的OLED顯示裝置及其制造方法中，由于在柵極的上部形成有源層并對源極圖案化以完全覆蓋有源層的溝道區(qū)，因此能阻隔從有源層的上部和下部引入的光。從而，能提升氧化物TFT的
可靠性。
[0052]此外，在根據(jù)本發(fā)明實施例的OLED顯示裝置及其制造方法中，由于取消了蝕刻停止層，因此簡化了工藝，同時由于通過在層間重疊部分中形成濾色器或覆蓋層而形成間隙，從而使得寄生電容最小化。
[0053]在這種情況下，由于在第一掩模工藝期間先執(zhí)行高溫?zé)崽幚硪蕴嵘趸锇雽?dǎo)體的可靠性，并在第二掩模工藝期間通過使用銅而形成柵布線，因此能將本發(fā)明應(yīng)用到大尺寸的超聞清(UD)顯不裝置等。
[0054]在下面的描述中將列出本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點，這些特征和優(yōu)點將從下面結(jié)合附圖的描述中顯而易見。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0055]圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的有機發(fā)光二級管(OLED)顯示裝置的發(fā)光原理的示圖。
[0056]圖2是現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置中的像素的等效電路圖。
[0057]圖3是示意性示出現(xiàn)有技術(shù)的白色(W)-OLED顯示裝置結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0058]圖4是示意性示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的OLED顯示裝置結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0059]圖5A-5H是按序示出用于制造圖4中所示的根據(jù)本發(fā)明第一實施例的OLED顯示裝置的方法的截面圖。
[0060]圖6A-6F是具體地示出如圖5A所示的根據(jù)本發(fā)明第一實施例的第一掩模工藝的截面圖。
[0061]圖7是示意性示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的OLED顯示裝置結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0062]圖8A-8G是按序示出用于制造如圖7所示的根據(jù)本發(fā)明第二實施例的OLED顯示裝置的方法的截面圖。
[0063]圖9是示意性示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的OLED顯示裝置結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0064]圖10A-10G是按序示出制造如圖9所示的根據(jù)本發(fā)明第三實施例的OLED顯示裝置的方法的截面圖。
【具體實施方式】
[0065]以下將參考附圖來描述根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置及其制造方法，以便本領(lǐng)域的技術(shù)人員能輕易地實現(xiàn)本發(fā)明。此外，在不受限于這里所述的實施例外的各種形式都能實現(xiàn)本發(fā)明。
[0066]圖4是示意性示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的OLED顯示裝置結(jié)構(gòu)的截面圖，在其作為實例示出的結(jié)構(gòu)中，白色有機發(fā)光二極管(W-OLED)顯示裝置具有在TFT(COT)上的濾色器結(jié)構(gòu)，其中在下陣列基板上形成濾色器。
[0067]這里，如在圖中所示，單個像素包括:像素部、數(shù)據(jù)焊盤部和柵焊盤部，N條柵線和M條數(shù)據(jù)線交叉以在實際的OLED裝置中形成MXN個像素，為了描述的目的，在附圖中僅示出了單個像素。
[0068]如圖所示，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的W-OLED顯示裝置中，在由諸如透明玻璃、塑料等絕緣材料構(gòu)成的陣列基板110上形成柵線116，該柵線116包括:柵極121、第一數(shù)據(jù)焊盤線117p’和第一柵焊盤線116p’。
[0069]柵線116在水平方向延伸并傳送柵信號。這里，柵線116連接到第一柵焊盤線116p’以連接不同層或外部驅(qū)動電路(未示出)，同時柵極121可以形成柵線116的一部分。當(dāng)產(chǎn)生柵信號的柵驅(qū)動電路集成在陣列基板110上時，可以延伸柵線116以直接連接到柵驅(qū)動電路。
[0070]在包括了柵極121和預(yù)設(shè)的第一柵焊盤線116p’的柵線116上形成柵絕緣層115a,該柵絕緣層115a由娃的氮化物層SiNx、氧化娃層SiO2等構(gòu)成。
[0071]在柵絕緣層115a上形成由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的有源層124，在這種情況下，在柵極121上布置有源層124以便柵極121完全覆蓋其下部。
[0072]這里，例如，在本發(fā)明第一實施例中，有源層124由氧化物半導(dǎo)體形成，但本發(fā)明并不限于此，有源層124也可以由氫化非晶硅或多晶硅形成。
[0073]使用氧化物半導(dǎo)體作為有源層124的氧化物TFT具有高遷移性并能低溫制造，因此益于使用在透明電子電路中。
[0074]此外，與已有的非晶硅TFT不同，這里制造的氧化物TFT具有無η+層的結(jié)構(gòu)，從而能顯著簡化工藝。
[0075]例如，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的氧化物TFT中，由于通過使用非晶氧化鋅(ZnO)半導(dǎo)體來形成有源層124，因此滿足了高遷移性及恒定電流檢測條件的同時還確保了均一性，因此可以將其應(yīng)用到大尺寸顯示器。
[0076]S卩，根據(jù)氧的多少，氧化鋅是能實現(xiàn)三種品質(zhì)的材料，例如導(dǎo)電性、半導(dǎo)體特性以及電阻性，因此可以將使用非晶氧化鋅半導(dǎo)體材料的氧化物TFT作為有源層124應(yīng)用到大尺寸顯示器。
[0077]此外，近年來，對透明電子電路傾注了巨大的興趣和投入，且由于使用非晶氧化鋅半導(dǎo)體材料作為有源層124的氧化物TFT具有高遷移性并能低溫制造，因此益于使用在透明電子電路中。
[0078]具體地，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的氧化物TFT中，有源層由在ZnO中包含諸如銦(In)和鎵(Ga)等重金屬的a-1GZO形成。
[0079]a-1GZO半導(dǎo)體是透明的以允許可見光透過，并且由于，由a_IGZ0形成的氧化物TFT具有f lOOcmVVs的遷移性，因此相較于非晶硅TFT，展現(xiàn)出了高遷移特性。此外，由于a-1GZO半導(dǎo)體能在低溫處理，因此它能產(chǎn)生輕便的柔性產(chǎn)品。
[0080]此外，由a-1GZ0半導(dǎo)體形成的氧化物TFT具有與非晶硅TFT相似的特性，因此它具有與非晶硅TFT同樣簡單的組件結(jié)構(gòu)，因此能被應(yīng)用到大尺寸平板顯示裝置中。
[0081]在有源層124的源極區(qū)和漏極區(qū)上分別形成第一源極122’和第一漏極123’，而在第一數(shù)據(jù)焊盤線117p’和第一柵焊盤線116p’上分別形成第二數(shù)據(jù)焊盤線117p和第二柵焊盤線116p。
[0082]這里，第一源極122’、第一漏極123’、第二數(shù)據(jù)焊盤線117p和第二柵焊盤線116p可以使用諸如銅(Cu)等的低阻導(dǎo)電材料形成作為主布線，在這種情況下，它們可以形成三層結(jié)構(gòu)，即，使用鑰鈦(MoTi)等作為其上部和下部的阻隔層。但本發(fā)明并不限于此。
[0083]在第一源極122’、第一漏極123’、第二數(shù)據(jù)焊盤線117p和第二柵焊盤線116p上形成由硅的氮化物層、氧化硅層等形成的層間絕緣層115b。
[0084]這里，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的W-OLED顯示裝置中，在顯示圖像的像素區(qū)的層間絕緣層115b上形成紅、綠和藍(lán)濾色器117。
[0085]形成由光丙烯基構(gòu)成的覆蓋層115c以覆蓋形成有濾色器117的像素區(qū)和TFT區(qū)。[0086]在其上形成有覆蓋層115c的陣列基板110的整個表面上形成由硅的氮化物層、氧化硅層等形成的第一保護(hù)層115d。
[0087]在這種情況下，去除第一保護(hù)層115d的特定區(qū)域以形成暴露出一部分的第一源極122’和第一漏極123’的第一接觸孔和第二接觸孔。
[0088]在第一保護(hù)層115d上形成數(shù)據(jù)線(未示出)，并在第一保護(hù)層115d上形成分別通過第一接觸孔和第二接觸孔與第一源極122’和第一漏極123’電連接的第二源極122和第二漏極123。
[0089]這里，第二源極122形成為延伸成完全從上覆蓋有源層124的溝道區(qū)，與下柵極21一起阻隔從有源層124的上下部分引入的光，從而提升了氧化物TFT的可靠性。
[0090]數(shù)據(jù)線傳送數(shù)據(jù)信號并在垂直方向上延伸以與柵線116交叉。這里，數(shù)據(jù)線包括末端部(未示出)，該末端部有很大的區(qū)域來在向柵極121延伸的第二源極122和不同層或外部驅(qū)動電路(未示出)間進(jìn)行連接。當(dāng)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路集成在陣列基板110上時，可以將數(shù)據(jù)線延伸以直接連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路。
[0091]這里，數(shù)據(jù)線、第二源極122和第二漏極123可以使用諸如銅(Cu)等的低阻導(dǎo)電材料作為主布線，在這種情況下，數(shù)據(jù)線、第二源極122和第二漏極123可以形成雙層的結(jié)構(gòu)，即，使用MoTi等作為下面的阻隔層。但，本發(fā)明并不限于此。
[0092]在其上形成有數(shù)據(jù)線、第二源極122和第二漏極123的陣列基板110上形成特定的第二保護(hù)層115e。
[0093]這里，在像素部的第二保護(hù)層115e中形成暴露出第二漏極123的一部分的第三接觸孔，而在焊盤部的第二保護(hù)層115e、第一保護(hù)層115d和層間絕緣層115b中分別形成暴露出第二數(shù)據(jù)焊盤線117p和第二柵焊盤線116p的一部分的第四接觸孔和第五接觸孔。
[0094]在第二保護(hù)層115e上形成像素電極118、數(shù)據(jù)焊盤電極127p和柵焊盤電極126p。像素電極118、數(shù)據(jù)焊盤電極127p和柵焊盤電極126p可以由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等的透明導(dǎo)電材料，或由諸如鋁、銀或其合金等的反射導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0095]這里，作為正極的像素電極118通過第三接觸孔電連接到第二漏極123，而數(shù)據(jù)焊盤電極127p和柵焊盤電極126p分別通過第四接觸孔和第五接觸孔電連接到第二數(shù)據(jù)焊盤線117p和第二柵焊盤線116p。
[0096]雖然未示出，但在其上形成有像素電極118的陣列基板上形成分區(qū)。這里，分區(qū)可以圍繞在像素電極118的邊緣，像堤岸一樣以限定開口，并且分區(qū)由有機絕緣材料或無機絕緣材料構(gòu)成。分區(qū)還可以由包括黑色顏料的光敏劑構(gòu)成，在這種情況下，該分區(qū)用作隔光元件。
[0097]在其上形成有分區(qū)的陣列基板110上形成白色有機發(fā)光層。
[0098]這里，有機發(fā)光層可以具有多層的結(jié)構(gòu)，除用于發(fā)光的發(fā)光層外，還包括用以提升發(fā)光層發(fā)光效率的輔助層。輔助層包括用以平衡電子和空穴的電子傳輸層和空穴傳輸層以及用以增強電子和空穴注入的電子注入層和空穴注入層等。
[0099]在無機發(fā)光層上形成公共電極作為負(fù)極。這里，公共電極接收公共電壓并可以由諸如鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等的反射導(dǎo)電材料，或諸如ΙΤ0、ΙΖ0等的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0100]在如上所述配置的根據(jù)本發(fā)明第一實施例的W-OLED顯示裝置中，柵極121連接到柵線116和數(shù)據(jù)線，而連接到柵極121的第二源極122和第二漏極123與有源層124 —起形成開關(guān)TFT。雖然未示出，但連接到第二漏極123的驅(qū)動?xùn)艠O、連接到驅(qū)動電壓線的驅(qū)動源極和連接到像素118的驅(qū)動漏極與驅(qū)動有源層一起構(gòu)成驅(qū)動TFT。
[0101]此外，像素電極118、有機發(fā)光層和公共電極可以形成有機發(fā)光二極管，而存儲電極和驅(qū)動電壓線彼此重疊以構(gòu)成存儲電容器。
[0102]如上所述，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的W-OLED顯示裝置中，有源層124形成在上述柵極121上，并且第二源極122形成為完全覆蓋有源層124的溝道區(qū)，從而阻隔從有源層124的上下側(cè)引入的光。從而，能提升氧化物TFT的可靠性。
[0103]此外，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的W-OLED顯示裝置中，由于在使用氧化物半導(dǎo)體形成有源層124的同時刪除了蝕刻停止層，因此簡化了工藝，并且由于在層間重疊部中形成覆蓋層115c而形成了間隙，因此能使得寄生電容最小化。
[0104]在這種情況下，在第一掩模工藝期間，先執(zhí)行高溫?zé)崽幚硪蕴嵘趸锇雽?dǎo)體的可靠性，并在第二掩模工藝期間用銅作為柵布線以獲得能被應(yīng)用到大尺寸超高清(UD)顯示裝置等的效果。
[0105]此外，由于刪除了蝕刻停止層且無需額外使用用于連接驅(qū)動TFT的柵極和開關(guān)TFT的第二漏極123的柵觸點的掩模，因此簡化了工藝。以下將詳細(xì)描述用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實施例的W-OLED顯示裝置的方法。
[0106]圖5A-5H是按序示出用于制造圖4中所示的根據(jù)本發(fā)明第一實施例的OLED顯示裝置的方法的截面圖，其中為了描述的目的，所示的制造陣列基板的方法中，單個像素包括:像素部、數(shù)據(jù)焊盤部和柵焊盤部。
[0107]如圖5A所示，在由諸如透明玻璃、塑料等絕緣材料構(gòu)成的陣列基板110上形成第一導(dǎo)電層130、柵絕緣層115a和有源層124。
[0108]這里，應(yīng)用到TFT的根據(jù)本發(fā)明實施例的氧化物半導(dǎo)體可以通過低溫沉積(或低溫蒸發(fā))獲得，因此可以使用應(yīng)用于低溫工藝的基板，例如塑料基板、鈉鈣玻璃等。此外，由于氧化物半導(dǎo)體呈現(xiàn)非晶的特性，因此可以使用用于大尺寸顯示器的基板。
[0109]通過在陣列基板110的整個表面沉積第一導(dǎo)電層130、絕緣層和氧化物半導(dǎo)體并通過光刻工藝(第一掩模工藝)選擇性地將它們圖案化，從而形成第一導(dǎo)電層130、柵絕緣層115a和有源層124。
[0110]在這種情況下,可以通過使用)半色調(diào)(half-tone)掩模或狹縫(slit mask)掩模(以下提及的半色調(diào)掩模也包括狹縫掩模)來實現(xiàn)第一掩模工藝，現(xiàn)將參考附圖詳細(xì)描述。
[0111]圖6A-6F是具體地示出如圖5A所示的根據(jù)本發(fā)明第一實施例的第一掩模工藝的截面圖。
[0112]如在圖6A中所示，按序在由諸如透明玻璃、塑料等構(gòu)成的陣列基板110上沉積第一導(dǎo)電層130、絕緣層115和半導(dǎo)體薄膜120。
[0113]這里，第一導(dǎo)電層130可以由低阻不透明的導(dǎo)電材料構(gòu)成，例如，鑰(Mo)、諸如鑰鈦(MoTi)等的鑰合金、鉻(Cr)、鉭(Ta)或鈦。而且，第一導(dǎo)電層130可以具有包括不同物理特性的兩層導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。
[0114]這里，絕緣層115可以由無機絕緣層形成，例如，硅的氮化物層或氧化硅層，或諸如氧化鉿(Hf)或氧化鋁的高介電氧化層，并可以通過使用化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)等形成。
[0115]可以將包括非晶氧化鋅半導(dǎo)體的氧化物半導(dǎo)體用作半導(dǎo)體薄膜120。
[0116]這里，非晶氧化鋅半導(dǎo)體，具體地為a-1GZO半導(dǎo)體，可以根據(jù)使用氧化鎵(Ga2O3)、氧化銦(In2O3)和氧化鋅(ZnO)的復(fù)合靶的濺射法形成，此外，也可以使用諸如CVD的化學(xué)氣相法或原子層沉積(ALD)而形成。
[0117]如上所述，使用氧化物半導(dǎo)體作為有源層的氧化物TFT具有高遷移性并能在低溫制造，因此能被使用在透明電子電路中。
[0118]此外，與已有的非晶硅TFT不同，氧化物TFT被制造為具有無η+層的結(jié)構(gòu)，從而簡化了工藝。
[0119]例如，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的氧化物TFT中，由于通過使用非晶氧化鋅半導(dǎo)體形成有源層，因此滿足了高遷移性和恒定電流檢測條件，并且由于確保了均一特性，因此能將這種氧化物TFT應(yīng)用到大尺寸顯示器。具體地，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的氧化物TFT中，可以用在ZnO中包含了諸如銦和鎵的重金屬的a-1GZO半導(dǎo)體形成有源層。
[0120]在沉積由a-1GZO半導(dǎo)體形成的半導(dǎo)體薄膜120后，以400°C或更高的溫度在其上進(jìn)行熱處理以提升氧化物半導(dǎo)體的可靠性。
[0121]接著，如在圖6B中所示，在其上沉積有半導(dǎo)體薄膜120的陣列基板110的整個表面上形成由諸如光刻膠等的感光材料構(gòu)成的感光層160，通過根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半色調(diào)掩模170將光線選擇性地照射到感光層160。
[0122]這里，半色調(diào)掩模170包括:允許照射光完全穿過的第一傳輸區(qū)I，只允許一部分光線穿過而阻隔一部分光的第二傳輸區(qū)II，以及完全阻隔照射光的阻隔區(qū)III。這里，只有穿過半色調(diào)掩模170的光線可以被照射到感光膜160。
[0123]因此，如圖6C所示，當(dāng)顯影通過半色調(diào)掩模180而暴露出的感光膜160時，在通過阻隔區(qū)(III)和第二傳輸區(qū)(II)而將光線完全阻隔或部分阻隔的區(qū)域中保持具有一定厚度的第一和第二感光圖案160a和160b，并完全去除在使光線完全穿過的傳輸區(qū)(I)區(qū)域上的感光膜以暴露出第三導(dǎo)電膜130的表面。
[0124]同時，形成在阻隔區(qū)II上的第一感光膜圖案160a比通過第二傳輸區(qū)II形成的第二感光膜圖案160b厚。此外，完全去除在使光完全穿過的第一傳輸區(qū)I上的感光膜。這是因為，使用了正性光刻膠，但并不受限于此，在本發(fā)明實施例中還可以使用負(fù)性光刻膠。
[0125]因此，如圖6D所示，通過使用第一和第二感光膜圖案160a和160b作為掩模，選擇性地去除底層的絕緣層和半導(dǎo)體薄膜的一部分以形成由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體薄膜120’，其中將柵絕緣層115a設(shè)置在第一導(dǎo)電層130上。同時，將由絕緣層構(gòu)成的柵絕緣層115a圖案化以使其與半導(dǎo)體薄膜120’具有基本相同的形狀。
[0126]隨后，執(zhí)行灰化工藝以去除第一和第二感光膜圖案160a和160b的一部分。接著，如圖6E所示，完全去除在第二傳輸區(qū)II上的第二感光膜圖案。
[0127]在這種情況下，第一感光膜圖案通過去除阻隔區(qū)(III)的區(qū)域上僅對應(yīng)于第二感光膜圖案的厚度而成為第三感光膜圖案160a’。
[0128]隨后，如圖6F所示，當(dāng)使用第三感光膜圖案160a’作為掩模來去除底層半導(dǎo)體薄膜的一部分時，在柵絕緣層115a上形成由半導(dǎo)體薄膜構(gòu)成的有源層124。[0129]接下來，如圖5B所示，在其上形成有有源層124的陣列基板110的整個表面沉積第二導(dǎo)電層后，通過光刻工藝(第二掩模工藝)選擇性圖案化以在有源層124的特定區(qū)域(即，源極和漏極區(qū)域)上形成由第二導(dǎo)電層構(gòu)成的第一源極和漏極122’和123’。
[0130]此外，通過第二掩模工藝選擇性地將第二導(dǎo)電層圖案化以在陣列基板110的焊盤部中形成由第二導(dǎo)電層構(gòu)成的第二數(shù)據(jù)焊盤線117p和第二柵焊盤線116p。
[0131]如上所述，第二導(dǎo)電層可以具有三層結(jié)構(gòu)，其中將MoTi等用作上和下阻隔層，而將諸如銅(Cu)等的低阻導(dǎo)電材料用作主布線。但，本發(fā)明并不受限于此。
[0132]這里，還可以通過第二掩模工藝選擇性地將第一導(dǎo)電層圖案化，因此，在陣列基板110的像素部中形成包括有由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的柵極121的柵線116，而在陣列基板110的焊盤部中形成由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的第一數(shù)據(jù)焊盤線117p’和第一柵焊盤線116p’。
[0133]柵線116傳送柵信號并在水平方向上延伸。在這種情況下，為了連接不同層或外部驅(qū)動電路(未示出)，將柵線116連接到第一柵焊盤線116p’，且柵極121形成柵線116的一部分。當(dāng)產(chǎn)生柵信號的柵驅(qū)動電路集成在陣列基板110上時，可以延伸柵線116以直接連接到柵驅(qū)動電路。
[0134]這里，在柵極121上布置有源層124以使柵極121完全覆蓋其下部。分別在第一數(shù)據(jù)焊盤線117p’和第一柵焊盤線116p’上布置第二數(shù)據(jù)焊盤線117p和第二柵焊盤線116p。
[0135]以這種方式，在本發(fā)明的實施例中，在第一掩模工藝期間，先在有源層124上執(zhí)行高溫?zé)崽幚硪蕴嵘趸颰FT的可靠性，且由于在第二掩模工藝期間由銅形成柵布線(即，第二數(shù)據(jù)焊盤線117p和第二柵焊盤線116p)，因此能將氧化物TFT應(yīng)用到超高清顯示裝置
坐寸ο
[0136]接下來，如圖5C所示，在第一源極122’、第一漏極123’、第二數(shù)據(jù)焊盤線117p和第二柵焊盤線116p上形成由硅的氮化物層、氧化硅層等構(gòu)成的層間絕緣層115b。
[0137]此外，通過三次光刻工藝(第三掩模工藝至第五掩模工藝)，在顯示圖像的像素區(qū)的層間絕緣層115b上形成紅、綠和藍(lán)濾色器117。
[0138]隨后，如圖所示，通過光刻工藝(第六掩模工藝)形成由光丙烯等構(gòu)成的覆蓋層115c來覆蓋形成濾色器117的像素區(qū)和TFT區(qū)。
[0139]接著，如圖5E所示，在其上形成有覆蓋層115c的基板陣列110的整個表面上形成由硅的氮化物層、氧化硅層等構(gòu)成的第一保護(hù)層115d。
[0140]隨后，通過光刻工藝(第七掩模工藝)選擇性地將第一保護(hù)層115d圖案化以形成分別暴露出第一源極122’和第一漏極123’的第一接觸孔140a和第二接觸孔140b。
[0141 ] 隨后，如圖5F所示，在第一保護(hù)層115d上沉積第三導(dǎo)電層并通過光刻工藝(第八掩模工藝)選擇性圖案化以在陣列基板110的像素部中形成由第三導(dǎo)電層構(gòu)成的數(shù)據(jù)線(未示出)并形成分別通過第一接觸孔140a和第二接觸孔140電連接到第一源極122’和第一漏極123’的第二源極122和第二漏極123。
[0142]這里，由于第二源極122形成為延伸成從上完全覆蓋有源層124的溝道區(qū)，因此它與下柵極121 —起阻隔從有源層124的上下側(cè)引入的光，從而提升了氧化物TFT的可靠性。
[0143]如上所述，數(shù)據(jù)線傳送數(shù)據(jù)信號并在垂直方向上延伸以與柵線116交叉。這里，數(shù)據(jù)線包括末端部(未示出)，該末端部有很大的區(qū)域來在向柵極121延伸的第二源極122和不同層或外部驅(qū)動電路(未示出)間進(jìn)行連接。當(dāng)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路集成在陣列基板110上時，可以將數(shù)據(jù)線延伸以直接連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路。
[0144]此時，可以將第三導(dǎo)電層形成為雙層的結(jié)構(gòu)，其中將MoTi等用作下層的阻隔層，而將諸如銅(Cu)等的低阻導(dǎo)電材料用作主布線。但，本發(fā)明并不受限于此。
[0145]接下來，如圖5G所示，在其上形成有數(shù)據(jù)線、第二源極122和第二漏極123的陣列基板110上形成特定的第二保護(hù)層115e。
[0146]隨后，通過光刻工藝(第九掩模工藝)將第二保護(hù)層115e選擇性圖案化以在像素部中形成暴露出第二漏極123的一部分的第三接觸孔140c，并將第二保護(hù)層115e、第一保護(hù)層115d和層間絕緣層115b選擇性圖案化以在陣列基板110的焊盤部中形成暴露出第二數(shù)據(jù)焊盤線117p和第二柵焊盤線116p的一部分的第四接觸孔140d和第五接觸孔140e。
[0147]接著，如圖5H所示，在其上形成有第二保護(hù)層115e的陣列基板的整個表面上沉積第四導(dǎo)電層，并通過光刻工藝(第十掩模工藝)選擇性圖案化以形成由第四導(dǎo)電層構(gòu)成的像素電極118。
[0148]此時，第四導(dǎo)電層可以由諸如ΙΤ0、IZO等的透明導(dǎo)電材料或諸如鋁、銀、或其合金等的反射導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0149]這里，作為陽極的像素電極118通過第三接觸孔140c電連接到第二漏極123，而數(shù)據(jù)焊盤電極127p和柵焊盤電極126p分別通過第四接觸孔140d和第五接觸孔140e電連接到第二數(shù)據(jù)焊盤線117p和第二柵焊盤線116p。
[0150]此外，雖然未示出，但在其上形成有像素電極118的陣列基板110上形成分區(qū)。這里，該分區(qū)圍繞著像素電極118的邊緣以限定開口，該分區(qū)由有機絕緣材料或無機絕緣材料構(gòu)成。此外，該分區(qū)還可以由包括黑色顏料的光敏劑構(gòu)成，在這種情況下，該分區(qū)用作隔光元件。
[0151]在其上形成有分區(qū)的陣列基板110上形成白色有機發(fā)光層。
[0152]這里，有機發(fā)光層可以具有多層的結(jié)構(gòu)，在除發(fā)光的發(fā)光層外還包括用以提升發(fā)光層發(fā)光效率的輔助層。該輔助層包括用以平衡電子和空穴的電子傳輸層和空穴傳輸層以及用以增強電子和空穴注入電子注入層和的空穴注入層等。
[0153]在無機發(fā)光層上形成公共電極作為負(fù)極。這里，公共電極接收公共電壓并可以由包括鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等的反射導(dǎo)電材料，或由諸如ΙΤ0、ΙΖ0等的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0154]在本發(fā)明的情況下，由于第二源極122形成為延伸成從上完全覆蓋有源層124的溝道區(qū)，因此它能與下柵極121 —起阻隔從有源層124的上下側(cè)引入的光，從而提升氧化物TFT的可靠性。此外，第二源極122用以防止將外部濕氣(H2O)或氫(H2)引入有源層124。
[0155]同時，數(shù)據(jù)焊盤線可以由構(gòu)成數(shù)據(jù)布線(即，第二源極、第二漏極和數(shù)據(jù)線)的第三導(dǎo)電層形成。
[0156]此外，由于濾色器形成為延伸到TFT區(qū)，因此可以省去覆蓋層，現(xiàn)結(jié)合本發(fā)明第二實施例詳細(xì)描述。
[0157]圖7是示意性示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的OLED顯示裝置結(jié)構(gòu)的截面圖，在其作為實例示出的結(jié)構(gòu)中，白色有機發(fā)光二極管(W-OLED)顯示裝置具有在TFT(COT)上的濾色器結(jié)構(gòu)，其中在下陣列基板上形成濾色器。
[0158]這里，單個像素包括:像素部、數(shù)據(jù)焊盤部和柵焊盤部，N條柵線和M條數(shù)據(jù)線交叉以在實際的OLED裝置中形成MXN個像素，為了描述的目的，在附圖中僅示出了單個像素。
[0159]如圖所示，在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的W-OLED顯示裝置中，在由諸如透明玻璃、塑料等絕緣材料構(gòu)成的陣列基板210上形成柵線216，該柵線包括:柵極221、第一數(shù)據(jù)焊盤線217p’和第一柵焊盤線216p’。
[0160]如上所述，柵線216沿水平方向延伸并傳送柵信號。這里，為了連接不同層或連接到外部驅(qū)動電路(未示出)而將柵線216連接到第一柵焊盤線216p’，并且柵極221可以形成柵線216的一部分。當(dāng)產(chǎn)生柵信號的柵驅(qū)動電路集成在陣列基板210上時，可以延伸柵線216以直接連接到該柵驅(qū)動電路。
[0161]在包括柵極221和預(yù)設(shè)的第一柵焊盤線216p’的柵線216上形成由硅的氮化物層SiNx、氧化娃層SiO2等構(gòu)成的柵絕緣層215a。
[0162]在柵絕緣層215a上形成由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的有源層224，在這種情況下，在柵極221上設(shè)置有源層224以使柵極221完全覆蓋其下部。
[0163]這里，與上述本發(fā)明第一實施例類似，例如，在本發(fā)明第二實施例中，有源層224由氧化物半導(dǎo)體形成，但本發(fā)明并不受限于此，有源層224還可以由氫化非晶硅或多晶硅構(gòu)成。
[0164]此外，使用氧化物半導(dǎo)體作為有源層224的氧化物TFT具有高遷移性并能在低溫下制造，因此益于在透明電子電路中使用。
[0165]此外，與已有的非晶硅TFT不同，所制造的氧化物TFT具有無η+層的結(jié)構(gòu)，因此顯著簡化了工藝。
[0166]例如，在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的氧化物TFT中，由于通過使用ZnO半導(dǎo)體形成有源層224，因此在滿足高遷移性和恒定電流檢測條件的同時，確保了應(yīng)用到大尺寸顯示器的均一特性。
[0167]具體地，在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的氧化物TFT中，有源層由在ZnO中包含諸如銦(In)和鎵(Ga)等重金屬的a-1GZO形成。
[0168]在有源層224的源極區(qū)和漏極區(qū)上分別形成第一源極222’和第一漏極223’，并在第一數(shù)據(jù)焊盤線217p’和第一柵焊盤線216p’上分別形成第二數(shù)據(jù)焊盤線217p和第二柵焊盤線216p。
[0169]這里，第一源極222’、第一漏極223’、第二數(shù)據(jù)焊盤線217p和第二柵焊盤線216p都可以使用諸如銅(Cu)等的低阻導(dǎo)電材料作為主布線，在這種情況下，它們可以形成為三層的結(jié)構(gòu)，其中使用鑰鈦(MoTi)等作為其上下部分的阻隔層。但，本發(fā)明并不受限于此。
[0170]在第一源極222’、第一漏極223’、第二數(shù)據(jù)焊盤線217p和第二柵焊盤線216p上形成由硅的氮化物層、氧化硅層等構(gòu)成的層間絕緣層215b。
[0171]這里，與本發(fā)明第一實施例不同，在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的W-OLED顯示裝置中，形成紅、綠和藍(lán)濾色器217來覆蓋TFT區(qū)和顯示圖像的像素區(qū)。
[0172]在形成有濾色器217的陣列基板210的整個表面上形成由硅的氮化物層、氧化硅層等構(gòu)成的第一保護(hù)層215c。
[0173]在這種情況下，去除第一保護(hù)層215c的特定區(qū)域以形成暴露出第一源極222’和第一漏極223’ 一部分的第一接觸孔和第二接觸孔。
[0174]在第一保護(hù)層215c上形成數(shù)據(jù)線(未示出)，在第一保護(hù)層215c上形成分別通過第一接觸孔和第二接觸孔電連接到第一源極222’和第一漏極223’的第二源極222和第二漏極223。
[0175]這里，第二源極222形成為延伸成完全從上覆蓋有源層224的溝道區(qū)，與下柵極221 一起阻隔從有源層224的上下部分引入的光，從而提升了氧化物TFT的可靠性。
[0176]數(shù)據(jù)線傳送數(shù)據(jù)信號并在垂直方向上延伸以與柵線216交叉。這里，數(shù)據(jù)線包括末端部(未示出)，該末端部具有很大的區(qū)域來在向柵極221延伸的第二源極222和不同層或外部驅(qū)動電路(未示出)間進(jìn)行連接。當(dāng)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路集成在陣列基板210上時，可以將數(shù)據(jù)線延伸為直接連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路。
[0177]這里，數(shù)據(jù)線、第二源極222和第二漏極223可以使用諸如銅(Cu)等的低阻導(dǎo)電材料作為主布線；在這種情況下，數(shù)據(jù)線、第二源極222和第二漏極223可以形成雙層的結(jié)構(gòu)，即，使用MoTi等作為其下的阻隔層。但本發(fā)明并不限于此。
[0178]在其上形成有數(shù)據(jù)線、第二源極222和第二漏極223的陣列基板210上形成特定的第二保護(hù)層215d。
[0179]這里，在像素部的第二保護(hù)層215d中形成暴露出第二漏極223的一部分的第三接觸孔，而在焊盤部的第二保護(hù)層215d、第一保護(hù)層215c和層間絕緣層215b中分別形成暴露出第二數(shù)據(jù)焊盤線217p和第二柵焊盤線216p的一部分的第四接觸孔和第五接觸孔。
[0180]在第二保護(hù)層215d上形成像素電極218、數(shù)據(jù)焊盤電極227p和柵焊盤電極226p。像素電極218、數(shù)據(jù)焊盤電極227p和柵焊盤電極226p可以由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等的透明導(dǎo)電材料，或由諸如鋁、銀或其合金等的反射導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0181]這里，作為正極的像素電極218通過第三接觸孔電連接到第二漏極223，而數(shù)據(jù)焊盤電極227p和柵焊盤電極226p分別通過第四接觸孔和第五接觸孔電連接到第二數(shù)據(jù)焊盤線217p和第二柵焊盤線216p。
[0182]雖然未示出，但在其上形成有像素電極218的陣列基板上形成分區(qū)。
[0183]在其上形成有分區(qū)的陣列基板210上形成白色有機發(fā)光層。
[0184]在無機發(fā)光層上形成公共電極作為負(fù)極。這里，公共電極接收公共電壓并可以由諸如鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等的反射導(dǎo)電材料，或由諸如ΙΤ0、ΙΖ0等的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0185]在如上述配置的根據(jù)本發(fā)明第二實施例的W-OLED顯示裝置中，柵極221連接到柵線216和數(shù)據(jù)線，而連接到柵極221的第二源極222和第二漏極223與有源層224 —起形成開關(guān)TFT。雖然未示出，但連接到第二電極223的驅(qū)動?xùn)艠O、連接到驅(qū)動電壓線的驅(qū)動源極、連接到像素218的驅(qū)動漏極與驅(qū)動有源層一起構(gòu)成驅(qū)動TFT。
[0186]此外，像素電極218、有機發(fā)光層和公共電極可以形成有機發(fā)光二極管，而存儲電極和驅(qū)動電壓線彼此重疊以構(gòu)成存儲電容器。
[0187]如上所述，在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的W-OLED顯示裝置中，有源層224形成在述柵極221上，并且第二源極222形成為完全覆蓋有源層224的溝道區(qū)，從而阻隔從有源層224的上下側(cè)引入的光。從而，提升了氧化物TFT的可靠性。
[0188]此外，在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的W-OLED顯示裝置中，由于在使用氧化物半導(dǎo)體形成有源層224的同時刪除了蝕刻停止層，因此簡化了工藝，并且由于在層間重疊部分中形成覆蓋層(即，第一保護(hù)層215c)而形成間隙，因此使得寄生電容最小化。[0189]在這種情況下，在第一掩模工藝期間，先執(zhí)行高溫?zé)崽幚硪蕴嵘趸锇雽?dǎo)體的可靠性，并在第二掩模工藝期間，用銅作為柵布線以獲得能被應(yīng)用到大尺寸超高清(UD)顯示裝置等的效果。
[0190]此外，由于刪除了蝕刻停止層且無需額外使用用于連接驅(qū)動TFT的柵極和開關(guān)TFT的第二漏極223的柵觸點的掩模，因此簡化了工藝。以下將詳細(xì)描述用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的W-OLED顯示裝置的方法。
[0191]圖8A-8G是按序示出用于制造圖7中所示的根據(jù)本發(fā)明第二實施例的OLED顯示裝置的方法的截面圖，其中為了描述的目的，在所示的制造陣列基板的方法中，單個像素包括:像素部、數(shù)據(jù)焊盤部和柵焊盤部。
[0192]如圖8A所示，在由諸如透明玻璃、塑料等絕緣材料構(gòu)成的陣列基板210上形成第一導(dǎo)電層230、柵絕緣層215a和有源層224。
[0193]這里，應(yīng)用到TFT的根據(jù)本發(fā)明實施例的氧化物半導(dǎo)體可以通過低溫沉積(或低溫蒸發(fā))獲得，因此可以使用應(yīng)用于低溫工藝的基板，例如塑料基板、鈉鈣玻璃等。此外，由于氧化物半導(dǎo)體展現(xiàn)了非晶的特性，因此可以使用用于大尺寸顯示器的基板。
[0194]通過在陣列基板210的整個表面沉積第一導(dǎo)電層230、絕緣層和氧化物半導(dǎo)體并通過光刻工藝(第一掩模工藝)選擇性地將它們圖案化，從而形成第一導(dǎo)電層230、柵絕緣層215a和有源層224。
[0195]在這種情況下，可以用上述第一實施例中相同的方式，使用半色調(diào)掩模來實現(xiàn)第
一掩模工藝。
[0196]這里，第一導(dǎo)電層230可以由低阻不透明的導(dǎo)電材料構(gòu)成，例如，鑰(Mo)、諸如鑰鈦(MoTi)等的鑰合金、鉻(Cr)、鉭(Ta)或鈦。而且，第一導(dǎo)電層230可以具有包括不同物理特性的兩層導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。
[0197]這里，絕緣層215可以由無機絕緣層形成，例如，硅的氮化物層或氧化硅層，或諸如氧化鉿(Hf)或氧化鋁的高介電氧化層。
[0198]可以將包括ZnO半導(dǎo)體的氧化物半導(dǎo)體用作半導(dǎo)體薄膜220。
[0199]例如，在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的氧化物TFT中，由于通過使用ZnO半導(dǎo)體形成有源層，因此滿足了高遷移性和恒定電流檢測條件，并且由于確保了均一特性，因此能將這種氧化物TFT應(yīng)用到大尺寸顯示器。具體地，在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的氧化物TFT中，可以用在ZnO中包含了諸如銦和鎵的重金屬的a-1GZO半導(dǎo)體形成有源層。
[0200]在沉積由a-1GZO半導(dǎo)體形成的半導(dǎo)體薄膜220后，以400°C或更高的溫度在其上進(jìn)行熱處理以提升氧化物半導(dǎo)體的可靠性。
[0201]接下來，如圖SB所示，在其上形成有有源層224的陣列基板210的整個表面沉積第二導(dǎo)電層后，通過光刻工藝(第二掩模工藝)選擇性圖案化以在有源層224的特定區(qū)域(即，源極和漏極區(qū)域)上形成由第二導(dǎo)電層構(gòu)成的第一源極和漏極222’和223’。
[0202]此外，通過第二掩模工藝選擇性地將第二導(dǎo)電層圖案化以在陣列基板210的焊盤部中形成由第二導(dǎo)電層構(gòu)成的第二數(shù)據(jù)焊盤線217p和第二柵焊盤線216p。
[0203]如上所述，第二導(dǎo)電層可以具有三層結(jié)構(gòu)，其中將MoTi等用作上和下阻隔層，而將諸如銅(Cu)等的低阻導(dǎo)電材料用作主布線。但，本發(fā)明并不受限于此。
[0204]這里，還可以通過第二掩模工藝選擇性地將第一導(dǎo)電層圖案化，因此，在陣列基板210的像素部中形成包括了由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的柵極221的柵線216，并在陣列基板210的焊盤部中形成由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的第一數(shù)據(jù)焊盤線217p’和第一柵焊盤線216p’。
[0205]如上所述，柵線216傳送柵信號并在水平方向上延伸。在這種情況下，為了連接不同層或外部驅(qū)動電路(未示出)，將柵線216連接到第一柵焊盤線216p’，且柵極221形成柵線216的一部分。當(dāng)產(chǎn)生柵信號的柵驅(qū)動電路集成在陣列基板210上時，可以延伸柵線216以直接連接到柵驅(qū)動電路。
[0206]這里，在柵極221上設(shè)置有源層224以使得柵極221完全覆蓋其下部。分別在第一數(shù)據(jù)焊盤線217p’和第一柵焊盤線216p’上設(shè)置第二數(shù)據(jù)焊盤線217p和第二柵焊盤線216p。
[0207]以這種方式，在本發(fā)明的實施例中，在第一掩模工藝期間，先在有源層224上執(zhí)行高溫?zé)崽幚硪蕴嵘趸颰FT的可靠性，且由于在第二掩模工藝期間由銅形成柵布線(即，第二數(shù)據(jù)焊盤線217p和第二柵焊盤線216p)，因此能將氧化物TFT應(yīng)用到超高清顯示裝置
坐寸ο
[0208]接下來，如圖SC所示，在第一源極222’、第一漏極223’、第二數(shù)據(jù)焊盤線217p和第二柵焊盤線216p上形成由硅的氮化物層、氧化硅層等構(gòu)成的層間絕緣層215b。
[0209]此外，通過三次光刻工藝(第三掩模工藝至第五掩模工藝)在顯示圖像的像素區(qū)的層間絕緣層215b上形成紅、綠和藍(lán)濾色器217。
[0210]如圖8D所示，在其上形成有濾色器217的基板陣列210的整個表面上形成由硅的氮化物層、氧化硅層等構(gòu)成的第一保護(hù)層215c。
[0211]隨后，通過光刻工藝(第六掩模工藝)選擇性地將第一保護(hù)層215c圖案化以形成分別暴露出第一源極222’和第一漏極223’的第一接觸孔240a和第二接觸孔240b。
[0212]隨后，如圖SE所示，在第一保護(hù)層215c上沉積第三導(dǎo)電層并通過光刻工藝(第七掩模工藝)選擇性圖案化以在陣列基板210的像素部中形成由第三導(dǎo)電層構(gòu)成的數(shù)據(jù)線(未示出)并形成分別通過第一接觸孔240a和第二接觸孔240b電連接到第一源極222’和第一漏極223’的第二源極222和第二漏極223。
[0213]這里，由于第二源極222形成為延伸成從上完全覆蓋有源層224的溝道區(qū)，因此它與下柵極221 —起阻隔從有源層224的上下側(cè)引入的光，從而提升了氧化物TFT的可靠性。
[0214]如上所述，數(shù)據(jù)線傳送數(shù)據(jù)信號并在垂直方向上延伸以與柵線216交叉。這里，數(shù)據(jù)線包括末端部(未示出)，該末端部有很大的區(qū)域來在向柵極221延伸的第二源極222和不同層或外部驅(qū)動電路(未示出)間進(jìn)行連接。當(dāng)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路集成在陣列基板210上時，可以將數(shù)據(jù)線延伸以直接連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路。
[0215]此時，第三導(dǎo)電層可以形成為具有雙層的結(jié)構(gòu)，其中將MoTi等用作下層的阻隔層，而將諸如銅(Cu)等的低阻導(dǎo)電材料用作主布線。但，本發(fā)明并不受限于此。
[0216]接下來，如圖8F所示，在其上形成有數(shù)據(jù)線、第二源極222和第二漏極223的陣列基板210上形成特定的第二保護(hù)層215d。
[0217]隨后，通過光刻工藝(第九掩模工藝)將第二保護(hù)層215d選擇性圖案化以在像素部中形成暴露出第二漏極223的一部分的第三接觸孔240c，并將第二保護(hù)層215d、第一保護(hù)層215c和層間絕緣層215b選擇性圖案化以在陣列基板210的焊盤部中形成暴露出第二數(shù)據(jù)焊盤線217p和第二柵焊盤線216p的一部分的第四接觸孔240d和第五接觸孔240e。[0218]接著，如圖SG所示，在其上形成有第二保護(hù)層215d的陣列基板的整個表面上沉積第四導(dǎo)電層，并通過光刻工藝(第十掩模工藝)選擇性圖案化以形成由第四導(dǎo)電層構(gòu)成的像素電極218。
[0219]此時，第四導(dǎo)電層可以由諸如ΙΤ0、IZO等的透明導(dǎo)電材料或諸如鋁、銀或其合金等的反射導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0220]這里，作為陽極的像素電極218通過第三接觸孔240c電連接到第二漏極223，而數(shù)據(jù)焊盤電極227p和柵焊盤電極226p分別通過第四接觸孔240d和第五接觸孔240e電連接到第二數(shù)據(jù)焊盤線217p和第二柵焊盤線216p。
[0221]此外，雖然未示出，但在其上形成有像素電極218的陣列基板210上形成分區(qū)。
[0222]在其上形成有分區(qū)的陣列基板210上形成白色有機發(fā)光層。
[0223]在無機發(fā)光層上形成公共電極作為負(fù)極。這里，公共電極接收公共電壓并可以由諸如鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等的反射導(dǎo)電材料，或由諸如ITO、IZO等的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0224]在本發(fā)明的情況下，由于第二源極222形成為延伸成從上完全覆蓋有源層224的溝道區(qū)，因此它能與下柵極221 —起阻隔從有源層224的上下側(cè)引入的光，從而提升氧化物TFT的可靠性。此外，第二源極222用以防止外部濕氣(H2O)或氫(H2)被引入有源層224。
[0225]同時，如上所述，數(shù)據(jù)焊盤線可以由構(gòu)成數(shù)據(jù)布線(即，第二源極、第二漏極和數(shù)據(jù)線)的第三導(dǎo)電層形成，這將通過本發(fā)明第三實施例詳細(xì)描述。
[0226]圖9是示意性示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的OLED顯示裝置結(jié)構(gòu)的截面圖，在其作為實例示出的結(jié)構(gòu)中，白色有機發(fā)光二極管(W-OLED)顯示裝置具有在TFT(COT)上濾色器結(jié)構(gòu)，其中在下陣列基板上形成濾色器。
[0227]這里，單個像素包括:像素部、數(shù)據(jù)焊盤部和柵焊盤部，N條柵線和M條數(shù)據(jù)線交叉以在實際的OLED裝置中形成MXN個像素，為了描述的目的，在附圖中僅示出了單個像素。
[0228]如圖所示，在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的W-OLED顯示裝置中，在由諸如透明玻璃、塑料等絕緣材料構(gòu)成的陣列基板310上形成柵線316，該柵線包括柵極321和第一柵焊盤線316p，。
[0229]在包括有柵極321和預(yù)設(shè)的第一柵焊盤線316p’上形成由硅的氮化物層SiNx、氧化娃層SiO2等構(gòu)成的柵絕緣層315a。
[0230]在柵絕緣層315a上形成由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的有源層324，在這種情況下，在柵極321上設(shè)置有源層324以使柵極321能完全覆蓋其下部。
[0231]這里，與上述本發(fā)明第一和第二實施例類似，例如，在本發(fā)明第三實施例中，有源層324由氧化物半導(dǎo)體形成，但本發(fā)明并不受限于此，有源層324還可以由氫化非晶硅或多晶硅構(gòu)成。
[0232]例如，在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的氧化物TFT中，由于通過使用ZnO半導(dǎo)體形成有源層324，因此滿足了高遷移性和恒定電流檢測條件，并確保了應(yīng)用到大尺寸顯示器的均一特性。
[0233]具體地，在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的氧化物TFT中，有源層由在ZnO中包含諸如銦(In)和鎵(Ga)等重金屬的a-1GZO形成。
[0234]在有源層324的源極區(qū)和漏極區(qū)上分別形成第一源極322’和第一漏極323’，并在第一柵焊盤線316p’上形成第二柵焊盤線316p。
[0235]這里，第一源極322’、第一漏極323’和第二柵焊盤線316p都可以使用諸如銅(Cu)等的低阻導(dǎo)電材料作為主布線，在這種情況下，它們可以形成為三層的結(jié)構(gòu)，即，使用鑰鈦(MoTi)等作為其上下部分的阻隔層。但，本發(fā)明并不受限于此。
[0236]在第一源極322’、第一漏極323’和第二柵焊盤線316p上形成由硅的氮化物層、氧化娃層等構(gòu)成的層間絕緣層315b。
[0237]這里，與本發(fā)明第一實施例不同，在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的W-OLED顯示裝置中，形成紅、綠和藍(lán)濾色器317來覆蓋TFT區(qū)和顯示圖像的像素區(qū)。
[0238]在形成有濾色器317的陣列基板310的整個表面上形成由硅的氮化物層、氧化硅層等構(gòu)成的第一保護(hù)層315c。
[0239]在這種情況下，去除第一保護(hù)層315c的特定區(qū)域以形成暴露出第一源極322’和第一漏極323’ 一部分的第一接觸孔和第二接觸孔。
[0240]在第一保護(hù)層315c上形成數(shù)據(jù)線(未示出)，在第一保護(hù)層315c上形成分別通過第一接觸孔和第二接觸孔電連接到第一源極322’和第一漏極323’的第二源極322和第二漏極323。這里，在本發(fā)明第三實施例的情況下，與本發(fā)明第一和第二實施例不同，在數(shù)據(jù)焊盤部中形成由漏布線(即，數(shù)據(jù)線、第二源極322和第二漏極323)形成的數(shù)據(jù)焊盤線317p。
[0241]這里，第二源極322形成為延伸以完全從上覆蓋有源層324的溝道區(qū)，與下柵極221 一起阻隔從有源層324的上下部分引入的光，從而提升了氧化物TFT的可靠性。
[0242]這里，數(shù)據(jù)線、第二源極和漏極322和323以及數(shù)據(jù)焊盤線317p可以使用諸如銅(Cu)等的低阻導(dǎo)電材料作為主布線，在這種情況下，數(shù)據(jù)線，第二源極322和第二漏極323可以形成為具有雙層的結(jié)構(gòu)，即使用MoTi等作為其下的阻隔層。但本發(fā)明并不限于此。
[0243]在其上形成有數(shù)據(jù)線、第二源極和漏極322和323以及數(shù)據(jù)焊盤線317p的陣列基板310上形成特定的第二保護(hù)層315d。
[0244]這里，在像素部的第二保護(hù)層315d中形成暴露出第二漏極323的一部分的第三接觸孔，而可在焊盤部的第二保護(hù)層315d、第一保護(hù)層315c和層間絕緣層315b中分別形成暴露出第二數(shù)據(jù)焊盤線317p和第二柵焊盤線316p的一部分的第四接觸孔和第五接觸孔。
[0245]在第二保護(hù)層315d上形成像素電極318、數(shù)據(jù)焊盤電極327p和柵焊盤電極326p。像素電極318、數(shù)據(jù)焊盤電極327p和柵焊盤電極326p可以由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等的透明導(dǎo)電材料，或由諸如鋁、銀或其合金等的反射導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0246]這里，作為正極的像素電極318通過第三接觸孔電連接到第二漏極323，而數(shù)據(jù)焊盤電極327p和柵焊盤電極326p分別通過第四接觸孔和第五接觸孔電連接到第二數(shù)據(jù)焊盤線317p和第二柵焊盤線316p。
[0247]雖然未示出，但在其上形成有像素電極318的陣列基板310上形成分區(qū)。
[0248]在其上形成有分區(qū)的陣列基板310上形成白色有機發(fā)光層。
[0249]在無機發(fā)光層上形成公共電極作為負(fù)極。這里，公共電極接收公共電壓并可以由諸如鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等的反射導(dǎo)電材料，或由諸如ΙΤ0、ΙΖ0等的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0250]現(xiàn)參考附圖描述用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的W-OLED顯示裝置的方法。
[0251]圖10A-10G是按序示出用于制造圖9所示的根據(jù)本發(fā)明第三實施例的OLED顯示裝置的方法的截面圖，其中為了描述的目的，在所示的制造陣列基板的方法中，單個像素包括:像素部、數(shù)據(jù)焊盤部和柵焊盤部。
[0252]如圖1OA所示，在由諸如透明玻璃、塑料等絕緣材料構(gòu)成的陣列基板310上形成第一導(dǎo)電層330、柵絕緣層315a和有源層324。
[0253]這里，應(yīng)用到TFT的根據(jù)本發(fā)明實施例的氧化物半導(dǎo)體可以通過低溫沉積(或低溫蒸發(fā))獲得，因此可以使用應(yīng)用于低溫工藝的基板，例如塑料基板、鈉鈣玻璃等。此外，由于氧化物半導(dǎo)體呈現(xiàn)非晶的特性，因此可以使用用于大尺寸顯示器的基板。
[0254]通過在陣列基板310的整個表面沉積第一導(dǎo)電層330、絕緣層和氧化物半導(dǎo)體并通過光刻工藝(第一掩模工藝)選擇性地將它們圖案化，從而形成第一導(dǎo)電層330、柵絕緣層315a和有源層324。
[0255]在這種情況下，可以與上述第一實施例中相同的方式，使用半色調(diào)掩模來實現(xiàn)第
一掩模工藝。
[0256]這里，第一導(dǎo)電層330可以由低阻不透明的導(dǎo)電材料構(gòu)成，例如，鑰(Mo)、諸如鑰鈦(MoTi)等的鑰合金、鉻(Cr)、鉭(Ta)或鈦。而且，第一導(dǎo)電層330可以具有包括不同物理特性的兩層導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。
[0257]這里，絕緣層315可以由無機絕緣層形成，例如，硅的氮化物層或氧化硅層，或由諸如氧化鉿(Hf)或氧化鋁的高介電氧化層。
[0258]可以將包括ZnO半導(dǎo)體的氧化物半導(dǎo)體用作半導(dǎo)體薄膜320。
[0259]例如，在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的氧化物TFT中，由于通過使用ZnO半導(dǎo)體形成有源層，因此滿足了高遷移性和恒定電流檢測條件，并且由于確保了均一特性，因此能將這種氧化物TFT應(yīng)用到大尺寸顯示器。具體地，在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的氧化物TFT中，可以用在ZnO中包含了諸如銦和鎵的重金屬的a-1GZO半導(dǎo)體形成有源層。
[0260]在沉積由a-1GZO半導(dǎo)體形成的半導(dǎo)體薄膜320后，以400°C或更高的溫度在其上進(jìn)行熱處理以提升氧化物半導(dǎo)體的可靠性。
[0261]接下來，如圖1OB所示，在其上形成有有源層324的陣列基板310的整個表面沉積第二導(dǎo)電層后，通過光刻工藝(第二掩模工藝)選擇性圖案化以在有源層324的特定區(qū)域(即，源極和漏極區(qū)域)上形成由第二導(dǎo)電層構(gòu)成的第一源極和漏極322’和323’。
[0262]此外，通過第二掩模工藝，選擇性地將第二導(dǎo)電層圖案化以在陣列基板310的焊盤部中形成由第二導(dǎo)電層構(gòu)成的第二柵焊盤線316p。
[0263]如上所述，第二導(dǎo)電層可以具有三層結(jié)構(gòu)，其中將MoTi等用作上和下阻隔層，而將諸如銅(Cu)等的低阻導(dǎo)電材料用作主布線。但，本發(fā)明并不受限于此。
[0264]這里，還可以通過第二掩模工藝選擇性地將第一導(dǎo)電層圖案化，因此，在陣列基板310的像素部中形成包括了由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的柵極321的柵線316，而在陣列基板310的焊盤部中形成由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的第一柵焊盤線316p’。
[0265]這里，在柵極321上設(shè)置有源層324以使得柵極321完全覆蓋其下部。在第一柵焊盤線316p’上沉積第二柵焊盤線316p。
[0266]在這種方式的本發(fā)明的實施例中，在第一掩模工藝期間，先在有源層224上執(zhí)行高溫?zé)崽幚硪蕴嵘趸颰FT的可靠性，且由于在第二掩模工藝期間，由銅形成柵布線(即，第二柵焊盤線316p)，因此能將氧化物TFT應(yīng)用到超高清顯示裝置等。[0267]接下來，如圖1OC所示，在第一源極322’、第一漏極323’和第二柵焊盤線316p上形成由硅的氮化物層、氧化硅層等構(gòu)成的層間絕緣層315b。
[0268]此外，通過三次光刻工藝(第三掩模工藝至第五掩模工藝)在顯示圖像的像素區(qū)的層間絕緣層315b上形成紅、綠和藍(lán)濾色器317。
[0269]隨后，如圖1OD所示，在其上形成有濾色器317的基板陣列310的整個表面上形成由硅的氮化物層、氧化硅層等構(gòu)成的第一保護(hù)層315c。
[0270]隨后，通過光刻工藝(第六掩模工藝)選擇性地將第一保護(hù)層315c圖案化以形成分別暴露出第一源極322’和第一漏極323’的第一接觸孔340a和第二接觸孔340b。
[0271]隨后，如圖1OE所示，在第一保護(hù)層315c上沉積第一導(dǎo)電層并通過光刻工藝(第七掩模工藝)選擇性圖案化以在陣列基板310的像素部中形成由第三導(dǎo)電層構(gòu)成的數(shù)據(jù)線(未示出)并形成分別通過第一接觸孔340a和第二接觸孔340b電連接到第一源極322’和第一漏極323’的第二源極322和第二漏極323。
[0272]這里，在本發(fā)明第三實施例的情況下，與本發(fā)明第一和第二實施例不同，通過第七掩模工藝，在數(shù)據(jù)焊盤部中形成由漏極布線(即，數(shù)據(jù)線、第二源極322和第二漏極323)形成的數(shù)據(jù)焊盤線317p。
[0273]這里，由于第二源極322形成為延伸成從上完全覆蓋有源層324的溝道區(qū)，因此它與下柵極321 —起阻隔從有源層324的上下側(cè)引入的光，從而提升了氧化物TFT的可靠性。
[0274]此時，第三導(dǎo)電層可以形成為雙層的結(jié)構(gòu)，其中將MoTi等用作下層的阻隔層，而將諸如銅(Cu)等的低阻導(dǎo)電材料用作主布線。但，本發(fā)明并不受限于此。
[0275]接下來，如圖1OF所示，在其上形成有數(shù)據(jù)線、第二源極和漏極222和323的陣列基板310上形成特定的第二保護(hù)層315d。
[0276]隨后，通過光刻工藝(第九掩模工藝)將第二保護(hù)層315d選擇性圖案化以在像素部中形成暴露出第二漏極323的一部分的第三接觸孔340c，并將第二保護(hù)層315d、第一保護(hù)層315c和層間絕緣層315b選擇性圖案化以在陣列基板310的焊盤部中形成暴露出第二數(shù)據(jù)焊盤線317p和第二柵焊盤線316p的一部分的第四接觸孔340d和第五接觸孔340e。
[0277]接著，如圖1OG所示，在其上形成有第二保護(hù)層315d的陣列基板的整個表面上沉積第四導(dǎo)電層，并通過光刻工藝(第十掩模工藝)選擇性圖案化以形成由第四導(dǎo)電層構(gòu)成的像素電極318。
[0278]此時，第四導(dǎo)電層可以由諸如ITO、IZO等的透明導(dǎo)電材料或由諸如鋁、銀或其合金等的反射導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0279]這里，作為陽極的像素電極318通過第三接觸孔340c電連接到第二漏極323，而數(shù)據(jù)焊盤電極327p和柵焊盤電極326p分別通過第四接觸孔340d和第五接觸孔340e電連接到第二數(shù)據(jù)焊盤線317p和第二柵焊盤線316p。
[0280]此外，雖然未示出，但在其上形成有像素電極318的陣列基板310上形成分區(qū)。
[0281]在其上形成有分區(qū)的陣列基板310上形成白色有機發(fā)光層。
[0282]在無機發(fā)光層上形成公共電極作為負(fù)極。這里，公共電極接收公共電壓并可以由諸如鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)、銀(Ag)等的反射導(dǎo)電材料，或由諸如ΙΤ0、ΙΖ0等的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
【權(quán)利要求】
1.一種制造有機發(fā)光二級管顯示裝置的方法，該方法包括: 在陣列基板上形成第一導(dǎo)電層、柵絕緣層和有源層； 在有源層的源極區(qū)和漏極區(qū)上形成由第二導(dǎo)電層構(gòu)成的第一源極和第一漏極，并在有源層下形成包括了由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的柵極的柵線； 在其上形成有第一源極、第一漏極、柵極和柵線的陣列基板上形成層間絕緣層； 形成紅、綠和藍(lán)濾色器以覆蓋顯示圖像的像素區(qū)； 在其上形成有濾色器的陣列基板上形成第一保護(hù)層，該第一保護(hù)層具有分別暴露出第一源極和第一漏極的第一接觸孔和第二接觸孔； 形成分別通過第一接觸孔和第二接觸孔電連接到第一源極和第一漏極的第二源極和第二漏極，該第二源極和第二漏極由在第一保護(hù)層上的第三導(dǎo)電層構(gòu)成； 在其上形成有第二源極和第二漏極的陣列基板上形成第二保護(hù)層，該第二保護(hù)層包括暴露出第二漏極的第三接觸孔； 形成通過第三接觸孔電連接到第二漏極的像素電極，該像素電極由在第二保護(hù)層上的第四導(dǎo)電層構(gòu)成； 在其上形成有像素電極的陣列基板上形成用以劃分像素區(qū)的分區(qū)； 在其上形成有分區(qū)的陣列基板上形成白色有機發(fā)光層；以及 在有機發(fā)光層上形成公共電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一導(dǎo)電層由不透明低阻導(dǎo)電材料構(gòu)成，例如、鑰，諸如鑰-鈦等的鑰合金、鉻、鉭或鈦。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中將所述第二導(dǎo)電層形成三層的結(jié)構(gòu)，在所述結(jié)構(gòu)中將鑰鈦作為上部和下部的阻隔層，而將諸如銅的低阻導(dǎo)電材料作為主布線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一源極、第一漏極、柵極和柵線均通過相同的掩模工藝形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中當(dāng)形成所述柵極和柵線時，在所述陣列基板的焊盤部形成由所述第一導(dǎo)電層形成的所述第一數(shù)據(jù)焊盤線和第一柵焊盤線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中當(dāng)形成所述第一源極和第一漏極時，在所述第一數(shù)據(jù)焊盤線和第一柵焊盤線上形成由第二導(dǎo)電層構(gòu)成的第二數(shù)據(jù)焊盤線和第二柵焊盤線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中當(dāng)形成所述第二保護(hù)層時，將所述第二保護(hù)層、第一保護(hù)層和層間絕緣層選擇性圖案化以在所述陣列基板的焊盤部中分別形成暴露出第二數(shù)據(jù)焊盤線和第二柵焊盤線的第四接觸孔和第五接觸孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中當(dāng)形成所述像素電極時，在所述陣列基板的焊盤部中形成通過第四接觸孔和第五接觸孔電連接到第二數(shù)據(jù)焊盤線和第二柵焊盤線的數(shù)據(jù)焊盤電極和柵焊盤電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中當(dāng)形成所述柵極和柵線時，在所述陣列基板的焊盤部中形成由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的第一柵焊盤線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中當(dāng)形成所述第一源極和第一漏極時，在所述第一柵焊盤線上形成由第二導(dǎo)電層構(gòu)成的第二柵焊盤線。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中當(dāng)形成所述第二源極和第二漏極時，在所述陣列基板的焊盤部中形成由第三導(dǎo)電層構(gòu)成的數(shù)據(jù)焊盤線。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中當(dāng)形成所述第二保護(hù)層時，將所述第二保護(hù)層、第一保護(hù)層和層間絕緣層選擇性圖案化以在所述陣列基板的焊盤部中形成暴露出所述數(shù)據(jù)焊盤線和第二柵焊盤線的第四接觸孔和第五接觸孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中當(dāng)形成所述像素電極時，在所述陣列基板的焊盤部中形成分別通過所述第四接觸孔和第五接觸孔電連接到所述數(shù)據(jù)焊盤線和第二柵焊盤線的數(shù)據(jù)焊盤電極和柵焊盤電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成所述濾色器以覆蓋所述TFT區(qū)以及像素區(qū)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括: 在形成所述濾色器后，形成覆蓋層以覆蓋在其中形成有濾色器的像素區(qū)和TFT區(qū)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成所述柵極以覆蓋所述有源層的下部，且所述第二源極形成為延伸成從上覆蓋所述有源層的溝道區(qū)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中將所述第三導(dǎo)電層形成為具有雙層的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中將諸如銅的低阻導(dǎo)電材料作為主布線，而將鑰鈦作為底部的阻隔層。
18.一種有機發(fā)光二級管顯示裝置，包括: 形成在陣列基板上并包括柵極的柵線； 形成在其間設(shè)置有柵絕緣層的柵線上，并由非晶氧化鋅半導(dǎo)體構(gòu)成的有源層； 分別形成在該有源層的源極區(qū)和漏極區(qū)上的第一源極和第一漏極； 在其上形成有第一源極和第·一漏極的陣列基板上形成的層間絕緣層； 在其上形成有層間絕緣層的陣列基板上形成并覆蓋顯示圖像的像素區(qū)的紅、綠和藍(lán)濾色器； 形成在其上形成有濾色器的陣列基板上并包括了分別暴露出第一源極和第一漏極的第一接觸孔和第二接觸孔的第一保護(hù)層； 形成在第一保護(hù)層上并分別通過第一接觸孔和第二接觸孔電連接到第一源極和第一漏極的第二源極和第二漏極； 形成在其上形成有第二源極和第二漏極的陣列基板上并具有暴露出第二漏極的第三接觸孔的第二保護(hù)層； 形成在第二保護(hù)層上并通過第三接觸孔電連接到第二漏極的像素電極； 在其上形成有像素電極的陣列基板上形成并用以劃分像素區(qū)的分區(qū)； 在其上形成有分區(qū)的陣列基板上形成的白色有機發(fā)光層；和 在有機發(fā)光層上形成的公共電極，其中 柵極形成為覆蓋有源層的下部，并且第二源極形成為從上覆蓋有源層的溝道區(qū)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的顯示裝置，其中所述濾色器形成為覆蓋TFT區(qū)以及像素區(qū)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的顯示裝置，進(jìn)一步包括覆蓋層，該覆蓋層覆蓋在其中形成有所述濾色器的像素區(qū)和TFT區(qū)。
【文檔編號】H01L51/52GK103579532SQ201210581139
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月10日
【發(fā)明者】曺基述, 全鎮(zhèn)埰 申請人:樂金顯示有限公司