專利名稱：一種有機半導(dǎo)體薄膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機半導(dǎo)體薄膜的制備方法。
背景技術(shù)：
隨著科技的發(fā)展和進步，顯示技術(shù)更新?lián)Q代，柔性顯示成為應(yīng)用熱點，柔性顯示技術(shù)的關(guān)鍵在柔性驅(qū)動板，而有機半導(dǎo)體薄膜是一種重要的柔性驅(qū)動薄膜材料，但是目前有機半導(dǎo)體薄膜的制備方法工藝繁雜，制備成本較高，不適宜于工業(yè)生產(chǎn)。因此，尋找有機半導(dǎo)體薄膜的一種工藝簡單、成本低廉的制備方法成為亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有機半導(dǎo)體薄膜的制備方法，其包括如下步驟(a)、對襯底使用去離子水進行清洗、烘干處理；(b)、然后在(a)步驟中處理過的襯底上將含有有機半導(dǎo)體材料和非鹵類溶劑的涂覆液涂覆到襯底上，其中該非鹵類溶劑在涂覆時的揮發(fā)速率為2X10_4mg/ (sec .cm2)-8 X lCT4mg/ (sec . cm2);((3)、然后對(13)步驟中的涂覆液進行干燥處理。有益效果本發(fā)明制備 的有機半導(dǎo)體薄膜經(jīng)過測試分析，顯示性能良好，而且該方法工藝要求簡單，制造成本低。
具體實施例方式下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。實施例1該有機半導(dǎo)體薄膜的制備方法，首先對玻璃襯底使用去離子水進行清洗、烘干處理；然后在處理過的襯底上將含有烷基噻吩低聚物和環(huán)己烷溶劑的涂覆液涂覆到襯底上，其中該環(huán)己烷溶劑在涂覆時的揮發(fā)速率為2X10_4mg/(sec . cm2);然后涂覆液進行干燥處理。實施例2該有機半導(dǎo)體薄膜的制備方法，首先對金屬襯底使用去離子水進行清洗、烘干處理；然后在處理過的襯底上將含有甲硅烷基乙炔基并五苯化合物和四氫呋喃溶劑的涂覆液涂覆到襯底上，其中該四氫呋喃溶劑在涂覆時的揮發(fā)速率為8X 10_4mg/ (sec . cm2);然后對涂覆液進行干燥處理。
實施例3
該有機半導(dǎo)體薄膜的制備方法，首先對塑料襯底使用去離子水進行清洗、烘干處理；然后在處理過的襯底上將含有苯醌衍生物和二甲苯溶劑的涂覆液涂覆到襯底上，其中該二甲苯溶劑在涂覆時的揮發(fā)速率為5X10_4mg/ (sec . cm2);然后對涂覆液進行干燥處理。
權(quán)利要求
1.一種有機半導(dǎo)體薄膜的制備方法，其包括如下步驟 (a)、對襯底使用去離子水進行清洗、烘干處理； (b)、然后在(a)步驟中處理過的襯底上將含有有機半導(dǎo)體材料和非鹵類溶劑的涂覆液涂覆到襯底上，其中該非鹵類溶劑在涂覆時的揮發(fā)速率為2X10_4mg/ (sec .cm2)-8 X lCT4mg/ (sec . cm2); (c)、然后對(b)步驟中的涂布進行干燥處理。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中揮發(fā)速率為5X10_4mg/ (sec · cm2)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，襯底為塑料、玻璃或金屬。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機半導(dǎo)體薄膜的制備方法，其包括如下步驟(a)、對襯底使用去離子水進行清洗、烘干處理；(b)、然后在(a)步驟中處理過的襯底上將含有有機半導(dǎo)體材料和非鹵類溶劑的涂覆液涂覆到襯底上，其中該非鹵類溶劑在涂覆時的揮發(fā)速率為2×10-4mg/(sec﹒cm2)-8×10-4mg/(sec﹒cm2)；(c)、然后對(b)步驟中的涂布進行干燥處理。
文檔編號H01L51/56GK103066216SQ20121058306
公開日2013年4月24日 申請日期2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月27日
發(fā)明者李崗, 國欣鑫, 張曉輝 申請人:青島艾德森能源科技有限公司