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      蒽化合物以及包含該蒽化合物的有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法

      文檔序號(hào):7248936閱讀:321來源:國知局
      蒽化合物以及包含該蒽化合物的有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種蒽化合物和包含該蒽化合物的有機(jī)發(fā)光二極管。有機(jī)發(fā)光二極管包括至少兩個(gè)在第一電極和第二電極之間形成的疊層,以及在該疊層之間形成的包括N-型CGL和P-型CGL的電荷產(chǎn)生層(CGL),其中N-型CGL由蒽化合物形成。
      【專利說明】蒽化合物以及包含該蒽化合物的有機(jī)發(fā)光二極管
      [0001]本申請(qǐng)要求于2012年9月3日提交的韓國專利申請(qǐng)10-2012-0097356號(hào)的權(quán)益,其在此引入作為參考用于所有目的,如同在此完全闡明一樣。
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0002]本申請(qǐng)涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED),更具體地,涉及一種包含蒽化合物的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
      【背景技術(shù)】
      [0003]最近,平板顯示器(FPD)的重要性隨著多媒體的發(fā)展而不斷增加。因此,各種顯示器例如液晶顯示器(IXD)、等離子體顯示板(PDP)、場發(fā)射顯示器(FED)、和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)得以商業(yè)化。
      [0004]特別是,OLED具有不超過1ms的高響應(yīng)速度、消耗少量的能量、并且是自發(fā)光的。另外,因?yàn)閷?duì)于視角不存在問題,OLED作為電影顯示介質(zhì)不論設(shè)備大小均具有優(yōu)勢。另外,因?yàn)镺LED可以在低溫下制造,并基于常規(guī)的半導(dǎo)體工藝技術(shù)具有簡單的制造工藝,因此OLED作為下一代FPD而受到重視。
      [0005]OLED包括陽極電極和陰極電極之間的發(fā)光層,使得由陽極電極提供的空穴和由陰極電極提供的電子在發(fā)光層中彼此結(jié)合形成激子,即空穴和電子的配對(duì)。通過激子回到基態(tài)產(chǎn)生能量發(fā)射出光。
      [0006]OLED發(fā)展出了多種結(jié)構(gòu)。其中,開發(fā)出了多個(gè)發(fā)光層層疊的串聯(lián)型0LED。串聯(lián)型OLED具有以下結(jié)構(gòu):在陽極電極和陰極電極之間層疊由多個(gè)各自由空穴注入層(HIL)/空穴傳輸層(HTL)/發(fā)光層/電子傳輸層(ETL)/電子注入層(EIL)形成的疊層。特別是,將由N-型CGL和P-型CGL形成的電荷產(chǎn)生層(CGL)設(shè)置在疊層之間從而產(chǎn)生電荷或?qū)㈦姾勺⑷氲桨l(fā)光層中。
      [0007]然而,在CGL中,由于N-型CGL和P-型CGL間存在能級(jí)差,將通過電荷產(chǎn)生在P-型CGL和鄰近空穴注入層之間的界面上產(chǎn)生的電子注入到N-型CGL的特性是不足的。另外,當(dāng)常規(guī)的N-型CGL摻雜有堿金屬時(shí),堿金屬會(huì)擴(kuò)散到P-型CGL中導(dǎo)致OLED的壽命減少。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0008]本發(fā)明致力于提供一種蒽化合物以及包含該蒽化合物的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED),其中提供了一種新型N-型CGL從而降低了 OLED的驅(qū)動(dòng)電壓,提高了 OLED的發(fā)光效率,并且延長了 OLED的壽命。
      [0009]一方面,存在式1所示的蒽化合物,
      [0010][式1]
      [0011]
      【權(quán)利要求】
      1.一種如式I所示的蒽化合物, [式I]
      2.如權(quán)利要求1所述的蒽化合物,其中為選自由
      3.如權(quán)利要求1所述的蒽化合物,其中R6為選自由氫、
      4.一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED),包括: 至少兩個(gè)在第一電極和第二電極之間形成的疊層,以及 在該疊層之間形成的包括N-型CGL和P-型CGL的電荷產(chǎn)生層(CGL), 其中所述N-型CGL由根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的蒽化合物形成。
      5.如權(quán)利要求4所述的OLED,其中每個(gè)疊層包括形成在所穿插的發(fā)光層一側(cè)的空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL)以及形成在另一側(cè)的電子傳輸層(ETL)。
      6.如權(quán)利要求5所述的OLED,其中所述疊層中與第二電極相鄰的疊層進(jìn)一步包括電子注入層(EIL)。
      7.如權(quán)利要求4所述的OLED,其中所述疊層的發(fā)光層發(fā)出不同顏色的光成分。
      8. 如權(quán)利要求4所述的0LED,其中所述N-型CGL摻雜有堿金屬。
      【文檔編號(hào)】H01L51/50GK103664746SQ201210596401
      【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月3日
      【發(fā)明者】金孝錫, 徐正大, 全銀珠, 金信韓 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司
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