有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：基板，在所述基板中限定有紅色像素區(qū)、綠色像素區(qū)和藍(lán)色像素區(qū)；形成在所述基板上的第一電極和第一空穴傳輸層；形成在所述第一空穴傳輸層上、所述紅色像素區(qū)、所述綠色像素區(qū)和所述藍(lán)色像素區(qū)的每個(gè)中的第一發(fā)射公共層、第二發(fā)射公共層、第三發(fā)射公共層；以及形成在所述第三發(fā)射公共層上的電子傳輸層和第二電極。因此，防止了混色，克服了由于缺陷掩模導(dǎo)致的局限性，簡化了工藝，并且節(jié)省了制造成本。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本申請涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為一種新型的平板顯示裝置，有機(jī)發(fā)光顯示裝置為自發(fā)光顯示裝置，并且比液晶顯示(LCD)裝置具有更好的視角和對(duì)比度。而且，由于有機(jī)發(fā)光顯示裝置不需要單獨(dú)的背光，因此使有機(jī)發(fā)光顯示裝置變得輕薄成為可能，并且與LCD裝置和其他的平板顯示裝置相比，有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有優(yōu)異的功耗。此外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置采用低直流(DC)電壓驅(qū)動(dòng)，具有快速的響應(yīng)時(shí)間，并且制造成本較低。
[0003]在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，電子和空穴被分別從陰極和陽極注入到發(fā)光材料層中，并且，當(dāng)注入的電子和空穴組合的激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)，會(huì)發(fā)射光。在這種情況下，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的類型根據(jù)光的發(fā)射方向被分為頂部發(fā)射型、底部發(fā)射型以及雙發(fā)射型，并且根據(jù)驅(qū)動(dòng)類型被分為無源矩陣型和有源矩陣型。
[0004]具體地，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括在紅色像素區(qū)(Rp)、綠色像素區(qū)(Rg)和藍(lán)色像素區(qū)(Rb)的每一個(gè)中形成的第一電極(陽極)、空穴傳輸層、包括紅色有機(jī)發(fā)射圖案、綠色有機(jī)發(fā)射圖案和藍(lán)色有機(jī)發(fā)射圖案的發(fā)射材料層、電子傳輸層以及第二電極(陰極)。
[0005]在具有該配置的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，當(dāng)電壓被施加到第一電極和第二電極時(shí)，空穴通過空穴傳輸層移動(dòng)到發(fā)射材料層，電子通過電子傳輸層移動(dòng)到發(fā)射材料層，并且空穴和電子在發(fā)射材料層中結(jié)合，因此發(fā)射光。
[0006]在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，精細(xì)金屬掩模(FMM)工藝用于將布置在基板上的兩個(gè)電極之間的發(fā)射材料層圖案化。
[0007]但是，由于掩模制造技術(shù)的局限性，難以將FMM工藝應(yīng)用于大尺寸和高分辨率。也就是說，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置應(yīng)用于大區(qū)域時(shí)，掩模由于其重量而下沉，因此難以形成期望的圖案。而且，由于掩模和沉積部分之間的分離距離，導(dǎo)致有機(jī)材料的擴(kuò)展增加，因此，難以實(shí)現(xiàn)高分辨率。
[0008]出于這個(gè)原因，需要各種制造高分辨率有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]因此，本發(fā)明致力于一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其基本上消除了由于相關(guān)技術(shù)的局限和缺點(diǎn)所導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。
[0010]本發(fā)明的一個(gè)方面致力于一種實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的光輸出效率、保持色彩特性、簡化工藝并且節(jié)省制造成本的高分辨率有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0011]本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)和特征將在接下來的說明書中進(jìn)行部分闡述，且部分對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說通過查看下面的內(nèi)容變得明顯或者可從本發(fā)明的實(shí)踐中獲知。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在本文所記載的說明書和權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)或得到。[0012]為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如同在此被實(shí)施且廣泛描述的，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括:基板，在所述基板中限定有紅色像素區(qū)、綠色像素區(qū)和藍(lán)色像素區(qū)；形成在所述基板上的第一電極和第一空穴傳輸層；形成在所述第一空穴傳輸層上、所述紅色像素區(qū)、所述綠色像素區(qū)和所述藍(lán)色像素區(qū)的每個(gè)中的第一發(fā)射公共層、第二發(fā)射公共層、第三發(fā)射公共層；以及形成在所述第三發(fā)射公共層上的電子傳輸層和第二電極。
[0013]在本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，包括:在限定有紅色像素區(qū)、綠色像素區(qū)和藍(lán)色像素區(qū)的基板上方形成第一電極；在所述第一電極上形成第一空穴傳輸層；在所述第一空穴傳輸層上、與所述紅色像素區(qū)相對(duì)應(yīng)的位置形成第二空穴傳輸層；在所述第二空穴傳輸層以及與所述綠色像素區(qū)和所述藍(lán)色像素區(qū)相對(duì)應(yīng)的各個(gè)位置的第一空穴傳輸層上形成第一發(fā)射公共層；在所述第一發(fā)射公共層上、與所述綠色像素區(qū)對(duì)應(yīng)的位置形成第三空穴傳輸層；在所述第三空穴傳輸層以及與所述紅色像素區(qū)和所述藍(lán)色像素區(qū)相對(duì)應(yīng)的各個(gè)位置的第一發(fā)射公共層上形成第二發(fā)射公共層；在所述第二發(fā)射公共層上、與所述藍(lán)色像素區(qū)對(duì)應(yīng)的位置形成第四空穴傳輸層；在所述第四空穴傳輸層以及與所述紅色像素區(qū)和所述綠色像素區(qū)相對(duì)應(yīng)的各個(gè)位置的第二發(fā)射公共層上形成第三發(fā)射公共層；在所述第三發(fā)射公共層上形成電子傳輸層；在所述電子傳輸層上形成第二電極。
[0014]應(yīng)當(dāng)理解為，本發(fā)明上述概括描述和以下的詳細(xì)描述都是示例性和說明性的，旨在對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]所包括的附圖用來提供本發(fā)明進(jìn)一步的理解，并且這些附圖被合并到本申請并構(gòu)成本申請的一部分，例示本發(fā)明的實(shí)施方式并與說明書一起對(duì)本發(fā)明的原理進(jìn)行解釋。在附圖中:
[0016]圖1是示意性地例示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖；
[0017]圖2是示出根據(jù)比較例和實(shí)施方式的各個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)射光譜的比較的視圖；以及
[0018]圖3至5是示出根據(jù)比較例和實(shí)施方式的各個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的效率特性(Cd/A)-亮度(cd/m2)的比較的視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]在下文中，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式。相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。在下面的描述中，當(dāng)相關(guān)已知功能或構(gòu)造的詳細(xì)描述被確定為不必要地模糊了本發(fā)明的重點(diǎn)時(shí)，不提供該詳細(xì)描述。
[0020]圖1是示意性地例示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖。
[0021]如圖1所示，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括在基板(未示出)上堆疊的第一電極(陽極)110、空穴注入層120、第一空穴傳輸層130、第二空穴傳輸層132、第三空穴傳輸層134、第四空穴傳輸層136、發(fā)射材料層140 (包括第一發(fā)射公共層142、第二發(fā)射公共層144、第三發(fā)射公共層146)、電子傳輸層150、第二電極(陰極)160以及覆蓋層170，其中在該基板中限定了紅色像素區(qū)Rp、綠色像素區(qū)Gp和藍(lán)色像素區(qū)Bp。
[0022]盡管未示出，但在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，通過之間的交叉限定了多個(gè)像素區(qū)Rp、Gp和Bp的多條選通線和多條數(shù)據(jù)線、以及分別與選通線和數(shù)據(jù)線中的對(duì)應(yīng)的線平行地延伸的多條電源線布置在基板(未示出)上。連接到對(duì)應(yīng)的選通線和數(shù)據(jù)線的開關(guān)薄膜晶體管(TFT)和連接到開關(guān)TFT的驅(qū)動(dòng)TFT布置在每個(gè)像素區(qū)Rp、Gp和Bp中。這里，驅(qū)動(dòng)TFT連接到第一電極110。
[0023]在一個(gè)實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光顯不裝置包括在第一電極110和面對(duì)該第一電極110的第二電極160之間的有機(jī)層。該有機(jī)層包括空穴注入層120、第一空穴傳輸層130、第二空穴傳輸層132、第三空穴傳輸層134、第四空穴傳輸層136、發(fā)射材料層140 (包括第一發(fā)射公共層142、第二發(fā)射公共層144、第三發(fā)射公共層146)、以及電子傳輸層150。這里，第一發(fā)射公共層142可由紅色有機(jī)材料形成，第二發(fā)射公共層144可由綠色有機(jī)材料形成，第三發(fā)射公共層146可由藍(lán)色有機(jī)材料形成。
[0024]第一電極110在基板(未示出)上的紅色像素區(qū)Rp、綠色像素區(qū)Gp和藍(lán)色像素區(qū)Bp中形成為板狀。該第一電極110為反射電極，并且例如可具有包括如氧化錫銦(ITO)的透明導(dǎo)電材料層(具有高功函數(shù))以及如銀或銀合金的反射材料層的多層結(jié)構(gòu)。
[0025]空穴注入層120和第一空穴傳輸層130形成在第一電極110上與紅色像素區(qū)Rp、綠色像素區(qū)Gp和藍(lán)色像素區(qū)Bp對(duì)應(yīng)的各個(gè)位置。第一空穴傳輸層130可稱為公共層，并且可以不設(shè)置空穴注入層120?？昭ㄗ⑷雽?20與第一空穴傳輸層130的厚度可以是大約100 A至大約600 A，但是也可以考慮空穴注入特性和空穴傳輸特性進(jìn)行調(diào)整。
[0026]第二空穴傳輸層132形成在第一空穴傳輸層130上與紅色像素區(qū)Rp對(duì)應(yīng)的位置。也就是說，第二空穴傳輸層132形成在第一空穴傳輸層130和第一發(fā)射公共層142之間。第二空穴傳輸層132的厚度可以是大約100 A至大約1100 A，但可以考慮空穴傳輸特性進(jìn)行調(diào)整?？蛇x地，可不設(shè)置第二空穴傳輸層132。
[0027]第三空穴傳輸層134形成在第一發(fā)射公共層142上與綠色像素區(qū)Gp對(duì)應(yīng)的位置。也就是說，第三空穴傳輸層134形成在第一發(fā)射公共層142和第二發(fā)射公共層144之間。第三空穴傳輸層134的厚度可以是大約100人至大約750 A，但可以考慮空穴傳輸特性進(jìn)行調(diào)整。可選地，可不設(shè)置第三空穴傳輸層134。
[0028]第四空穴傳輸層136形成在第二發(fā)射公共層144上與藍(lán)色像素區(qū)Bp對(duì)應(yīng)的位置。也就是說，第四空穴傳輸層136形成在第二發(fā)射公共層144和第三發(fā)射公共層146之間。第四空穴傳輸層136的厚度可以是大約100 A至大約400 A，但可以考慮空穴傳輸特性進(jìn)行調(diào)整?？蛇x地，可不設(shè)置第四空穴傳輸層136。
[0029]在一個(gè)實(shí)施方式中，第三空穴傳輸層134的厚度可小于第二空穴傳輸層132的厚度并大于第四空穴傳輸層136的厚度，但本發(fā)明的精神和范圍并不限于此。
[0030]發(fā)射材料層140形成在與紅色像素區(qū)Rp、綠色像素區(qū)Gp和藍(lán)色像素區(qū)Bp對(duì)應(yīng)的各個(gè)位置。也就是說，發(fā)射材料層140在每個(gè)像素區(qū)中形成為公共層，并且因此，發(fā)射材料層140甚至可無需FMM而形成。
[0031]在一個(gè)實(shí)施方式中，第一發(fā)射公共層142形成在第二空穴傳輸層132和布置在與綠色像素區(qū)Gp和藍(lán)色像素區(qū)Bp對(duì)應(yīng)的各位置的第一空穴傳輸層130上。第二發(fā)射公共層144形成在第三空穴傳輸層134和布置在與紅色像素區(qū)Rp和藍(lán)色像素區(qū)Bp對(duì)應(yīng)的各位置的第一發(fā)射公共層142上。第三發(fā)射公共層146形成在第四空穴傳輸層136和布置在與紅色像素區(qū)Rp和綠色像素區(qū)Gp對(duì)應(yīng)的各位置的第二發(fā)射公共層144上。
[0032]第一發(fā)射公共層142、第二發(fā)射公共層144、第三發(fā)射公共層146可形成為具有同樣的厚度。例如，第一發(fā)射公共層142、第二發(fā)射公共層144、第三發(fā)射公共層146的每一個(gè)的厚度可以是大約100 A至大約400 A，但也可以考慮發(fā)射特性來調(diào)整。
[0033]電子傳輸層150形成在第三發(fā)射公共層146上與紅色像素區(qū)Rp、綠色像素區(qū)Gp、藍(lán)色像素區(qū)Bp對(duì)應(yīng)的各個(gè)位置，并且因此可被稱作公共層。電子傳輸層150的厚度可以是大約250 A至大約350人，但也可考慮電子傳輸特性來調(diào)整。電子傳輸層150可用作電子傳輸和注入層，但電子注入層可以單獨(dú)地形成在電子傳輸層150上。
[0034]第二電極160形成在電子傳輸層150上。例如，第二電極160由Mg和Ag的合金(Mg: Ag)形成，并且有半透射特性。也就是說，從發(fā)射材料層140發(fā)出的光通過第二電極160傳送到外部，在這種情況下，由于第二電極160具有半透射特性，所以一些光再次傳送到第一電極110。
[0035]因此，在第一電極110 (用作反射電極)和第二電極160之間進(jìn)行反復(fù)反射。這被稱作微腔效應(yīng)。也就是說，光在陽極(第一電極110)和陰極(第二電極160)之間的腔中被反復(fù)反射，因此增加了光效率。
[0036]在這種情況下，分別從第一發(fā)射公共層142、第二發(fā)射公共層144、第三發(fā)射公共層146發(fā)射的光具有不同的波長，并且因此，不同地設(shè)置被限定為第一電極110和第二電極160之間的距離的腔厚度“d”。S卩，綠色像素區(qū)Gp的厚度“d”小于發(fā)射具有最長波長的紅光的紅色像素區(qū)Rp的厚度“d”，并且大于發(fā)射具有最短波長的藍(lán)光的藍(lán)色像素區(qū)Bp的厚度“d”。
[0037]因此，在本發(fā)明中，通過調(diào)整第二空穴傳輸層132、第三空穴傳輸層134、第四空穴傳輸層136各自的厚度，不同地形成第一電極110和第二電極160之間的距離。也就是說，第三空穴傳輸層134的厚度小于第二空穴傳輸層132的厚度，并且大于第四空穴傳輸層136的厚度。
[0038]覆蓋層170增加了光提取效果，并且可由第一空穴傳輸層130、第二空穴傳輸層132、第三空穴傳輸層134、第四空穴傳輸層136的材料、電子傳輸層150的材料、以及紅色發(fā)射公共層142、綠色發(fā)射公共層144、藍(lán)色發(fā)射公共層146的主體材料中的一種來形成?？蛇x地，可不設(shè)置覆蓋層170。
[0039]如上面描述的，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)光發(fā)光顯不裝置保持了光輸出效率和色彩特性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量的圖像。
[0040]然而，與每個(gè)像素區(qū)相對(duì)應(yīng)地使用具有開口的FMM，在各像素區(qū)Rp、Gp和Bp中形成材料圖案。在這種情況下，在單獨(dú)的腔室中需要使用FMM的工藝，以形成具有不同厚度的第二空穴傳輸層132、第三空穴傳輸層134、第四空穴傳輸層136。
[0041]首先，形成第一電極110，然后，在第一腔室中在沒有FMM的情況下形成空穴注入層120和第一空穴傳輸層130。在空穴注入層120中，P型摻雜物(例如硼(B))可摻雜到第一空穴傳輸層130的材料中。
[0042]隨后，在第二腔室中通過使用第一 FMM在紅色像素區(qū)Rp中形成第二空穴傳輸層132。在第二空穴傳輸層132中，P型摻雜物(例如硼(B))可摻雜到第一空穴傳輸層130的材料中。
[0043]隨后，在第三腔室中在沒有FMM的情況下由紅色有機(jī)材料形成第一發(fā)射公共層142。
[0044]隨后，在第四腔室中通過使用第二 FMM在綠色像素區(qū)Gp中形成第三空穴傳輸層134。在第三空穴傳輸層134中，P型摻雜物(例如硼(B))可摻雜到第一空穴傳輸層130的材料中。
[0045]隨后，在第五腔室中在沒有FMM的情況下由綠色有機(jī)材料形成第二發(fā)射公共層144。
[0046]隨后，在第六腔室中通過使用第三FMM在藍(lán)色像素區(qū)Bp中形成第四空穴傳輸層136。在第四空穴發(fā)射層136中，P型摻雜物(例如硼(B))可摻雜到第一空穴傳輸層130的材料中。
[0047]隨后，在第七腔室中在沒有FMM的情況下由藍(lán)色有機(jī)材料形成第三發(fā)射公共層146。
[0048]最后，分別在第八至第十腔室中在沒有FMM的情況下順序形成電子傳輸層150、第二電極160和覆蓋層170。
[0049]也就是說，可以在總共十個(gè)腔室中僅使用3個(gè)FMM來執(zhí)行工藝，以實(shí)現(xiàn)微腔結(jié)構(gòu)。
[0050]如上面描述的，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置能解決由于缺陷掩模引起的問題、簡化工藝并節(jié)省制造成本。
[0051]圖2和表1示出了根據(jù)比較例和實(shí)施方式的各個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)射光譜的比較。
`[0052]【表1】
[0053]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括: 基板，在所述基板中限定有紅色像素區(qū)、綠色像素區(qū)和藍(lán)色像素區(qū)； 形成在所述基板上的第一電極和第一空穴傳輸層； 形成在所述第一空穴傳輸層上、所述紅色像素區(qū)、所述綠色像素區(qū)和所述藍(lán)色像素區(qū)的每個(gè)中的第一發(fā)射公共層、第二發(fā)射公共層、第三發(fā)射公共層；以及形成在所述第三發(fā)射公共層上的電子傳輸層和第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括: 第二空穴傳輸層，所述第二空穴傳輸層與所述紅色像素區(qū)相對(duì)應(yīng)地布置，并且形成在所述第一空穴傳輸層和所述第一發(fā)射公共層之間； 第三空穴傳輸層，所述第三空穴傳輸層與所述綠色像素區(qū)相對(duì)應(yīng)地布置，并且形成在所述第一發(fā)射公共層和所述第二發(fā)射公共層之間；以及 第四空穴傳輸層，所述第四空穴傳輸層與所述藍(lán)色像素區(qū)相對(duì)應(yīng)地布置，并且形成在所述第二發(fā)射公共層和所述第三發(fā)射公共層之間。
3.如權(quán)利要求1 所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括形成在所述第一電極和所述第一空穴傳輸層之間的空穴注入層。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第三空穴傳輸層的厚度小于所述第二空穴傳輸層的厚度，并且大于所述第四空穴傳輸層的厚度。
5.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二空穴傳輸層、所述第三空穴傳輸層、所述第四空穴傳輸層中的每個(gè)是通過將P型摻雜物摻雜到形成所述第一空穴傳輸層的材料中形成的。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一電極為包括銀合金的反射電極。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一電極是反射電極，并且 所述第二電極具有半透射特性。
8.—種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 在限定有紅色像素區(qū)、綠色像素區(qū)和藍(lán)色像素區(qū)的基板上方形成第一電極； 在所述第一電極上形成第一空穴傳輸層； 在所述第一空穴傳輸層上、與所述紅色像素區(qū)相對(duì)應(yīng)的位置形成第二空穴傳輸層；在所述第二空穴傳輸層以及與所述綠色像素區(qū)和所述藍(lán)色像素區(qū)相對(duì)應(yīng)的各個(gè)位置的第一空穴傳輸層上形成第一發(fā)射公共層； 在所述第一發(fā)射公共層上、與所述綠色像素區(qū)對(duì)應(yīng)的位置形成第三空穴傳輸層；在所述第三空穴傳輸層以及與所述紅色像素區(qū)和所述藍(lán)色像素區(qū)相對(duì)應(yīng)的各個(gè)位置的第一發(fā)射公共層上形成第二發(fā)射公共層； 在所述第二發(fā)射公共層上、與所述藍(lán)色像素區(qū)對(duì)應(yīng)的位置形成第四空穴傳輸層；在所述第四空穴傳輸層以及與所述紅色像素區(qū)和所述綠色像素區(qū)相對(duì)應(yīng)的各個(gè)位置的第二發(fā)射公共層上形成第三發(fā)射公共層； 在所述第三發(fā)射公共層上形成電子傳輸層； 在所述電子傳輸層上形成第二電極。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，所述方法還包括在形成所述第一空穴傳輸層之前，在所述第一電極上形成空穴注入層。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第三空穴傳輸層的厚度小于所述第二空穴傳輸層的厚度，并且大于所述第四空穴傳輸層的厚度。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一電極為包括銀合金的反射電極。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第二空穴傳輸層、所述第三空穴傳輸層、所述第四空穴傳輸層中的每個(gè)是通過將P型摻雜物摻雜到形成所述第一空穴傳輸層的材料中形成的。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，其中， 所述第一電極是反射電極，并且 所述第二電極具 有半透射特性。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103794622SQ201210596629
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月31日
【發(fā)明者】金美娜, 金洸賢, 樸鎮(zhèn)鎬 申請人:樂金顯示有限公司