專利名稱：一種pin-fet光接收組件的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及ー種光接收組件，尤其涉及ー種PIN-FET光接收組件。
背景技術：
原有PIN-FET(P-Intrinsic-N Field Effect Transistor)光接收組件，由光電轉(zhuǎn)換器、跨阻抗放大器(TIA)組成，均不帶致冷器，而且跨阻抗放大電路由分立元件組裝而成，如圖I所示的跨阻放大電路包括ー個NPN型三極管Q3、一 PNP型三極管Q2、和ー個場效應管Q1，其中所述場效應管Ql的柵極與光電轉(zhuǎn)換器O3D或APD)的電信號連接、源極接地、漏極與PNP型三極管Q2的發(fā)射極連接；PNP三極管的基極與預定電壓值的正電源連接、集電極與預定電壓值的負電源連接并與NPN三極管的基極連接；NPN三極管的發(fā)射極與第一電阻串聯(lián)后作為放大信號輸出端、發(fā)射極與第二電阻串聯(lián)與負電源連接、集電極與預定電壓值的電源連接，所述跨阻連接在NPN三極管Q3的發(fā)射極與場效應管的柵極之間。上述電路缺點跨阻抗放大器由分離元件組成，容易產(chǎn)生寄生電感，信號容易受干擾，影響接收精度，可靠性差，同時由于應用環(huán)境溫度變化影響光電器件和半導體器件的工作特性，特別是在軍エ產(chǎn)品和要求接收精度高的傳感系統(tǒng)應用中，其接收靈敏度難以保證。

實用新型內(nèi)容為克服以上缺點，本實用新型提供接收靈敏度高、可靠性好的PIN-FET光接收組件。本實用新型提供ー種PIN-FET光接收組件，包括一封裝外殼，該外殼內(nèi)設有一光電ニ極管芯片H)、一溫度傳感器、ー熱沉、一信號光輸入光纖、一半導體致冷器和一跨阻抗放大器集成芯片，所述溫度傳感器與一外部控制電路連接，所述跨阻抗放大器集成芯片輸入端與所述光電ニ極管芯片ro陰極連接，PD陽極接地；所述熱沉底部安裝半導體致冷器，所述光電ニ極管芯片ro、溫度傳感器、信號光輸入光纖和跨阻抗放大器集成芯片固定于所述熱沉表面，所述光電ニ極管芯片ro將輸入光信號轉(zhuǎn)換為電信號后，經(jīng)所述跨阻抗放大器集成芯片放大輸出。所述光電ニ極管芯片H)為ー PIN或APD芯片。所述溫度傳感器為ー熱敏電阻。所述光纖通過低溫玻璃焊料與熱沉焊接固定。所述外殼為雙列直插式管殼或蝶型管殼。由于本實用新型PIN-FET光接收組件采用跨阻抗放大器集成芯片代替?zhèn)鹘y(tǒng)分離元件構(gòu)成的跨阻抗放大電路，且該結(jié)構(gòu)PIN-FET光接收組件帶有致冷器，既能滿足軍エ產(chǎn)品和高靈敏度傳感系統(tǒng)所要求的靈敏度和線性度高的要求，又能保證PIN-FET光接收組件在恒溫狀態(tài)下工作，參數(shù)穩(wěn)定，集成化氣密封裝保證了組件的可靠性要求。

[0010]圖I表示現(xiàn)有技術的PIN-FET光接收組件的跨阻抗放大電路圖；圖2表示本實用新型PIN-FET光接收組件結(jié)構(gòu)示意圖；圖3表示圖2所示的跨阻抗放大器集成芯片電路示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖詳細描述本實用新型最佳實施例。如圖2所不的一種PIN-FET光接收組件,包括一封裝外殼，該外殼內(nèi)設有一光電二極管芯片roi、一溫度傳感器2、一熱沉3、一信號光輸入光纖4、一半導體致冷器5和一跨阻抗放大器集成芯片6,光電二極管芯片PDl為一 PIN或APD芯片。溫度傳感器2與一外部控制電路連接，溫度傳感器2可以是一熱敏電阻。如圖3所示的跨阻抗放大器集成芯片 6輸入端與光電二極管芯片roi陰極連接，ro陽極接地。熱沉3底部安裝半導體致冷器5， 光電二極管芯片F(xiàn)1DU溫度傳感器2、信號光輸入光纖和跨阻抗放大器集成芯片6固定于熱沉3表面，其中信號光輸入光纖4通過低溫玻璃焊料與熱沉3焊接固定。光電二極管芯片 PDl將輸入光信號轉(zhuǎn)換為電信號后，經(jīng)跨阻抗放大器集成芯片6放大輸出。封裝外殼根據(jù)組件封裝要求，可以是雙列直插式管殼或蝶型管殼。
權(quán)利要求1.一種PIN-FET光接收組件,包括一封裝外殼,其特征在于,該外殼內(nèi)設有一光電二極管芯片F(xiàn)1D(I)、一溫度傳感器(2)、一熱沉(3)、一信號光輸入光纖(4)、一半導體致冷器(5)和一跨阻抗放大器集成芯片￠)，所述溫度傳感器(2)與一外部控制電路連接，所述跨阻抗放大器集成芯片(6)輸入端與所述光電二極管芯片ro(i)陰極連接，PD陽極接地；所述熱沉(3)底部安裝半導體致冷器(5)，所述光電二極管芯片ro(i)、溫度傳感器(2)、所述光纖(4)和跨阻抗放大器集成芯片(6)固定于所述熱沉(3)表面，所述光電二極管芯片 PD(I)將輸入光信號轉(zhuǎn)換為電信號后經(jīng)所述跨阻抗放大器集成芯片(6)放大輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的PIN-FET光接收組件，其特征在于，所述光電二極管芯片 PD(I)為一 PIN 或 APD 芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的PIN-FET光接收組件，其特征在于，所述溫度傳感器(2)為一熱敏電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的PIN-FET光接收組件，其特征在于，所述光纖(4)通過低溫玻璃焊料與熱沉(3)焊接固定。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的PIN-FET光接收組件，其特征在于，所述封裝外殼為雙列直插式管殼或蝶型管殼。
專利摘要本實用新型提供一種PIN-FET光接收組件，包括一封裝外殼，該外殼內(nèi)設有一光電二極管芯片PD、一溫度傳感器、一熱沉、一信號光輸入光纖、一半導體致冷器和一跨阻抗放大器集成芯片，所述溫度傳感器與一外部控制電路連接，所述跨阻抗放大器集成芯片輸入端與所述光電二極管芯片PD陰極連接，PD陽極接地；所述熱沉底部安裝半導體致冷器，所述光電二極管芯片PD、溫度傳感器、信號光輸入光纖和跨阻抗放大器集成芯片固定于所述熱沉表面，所述光電二極管芯片PD將輸入光信號轉(zhuǎn)換為電信號后，經(jīng)所述跨阻抗放大器集成芯片放大輸出。由于跨阻抗放大器集成芯片代替?zhèn)鹘y(tǒng)分離元件，且?guī)в兄吕淦?，其接收靈敏度高，能保證在恒溫狀態(tài)下工作，參數(shù)穩(wěn)定，可靠性好。
文檔編號H01L31/024GK202384374SQ20122001371
公開日2012年8月15日 申請日期2012年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月12日
發(fā)明者劉兆兵, 婁永國, 胡思強, 黃章勇 申請人:江西飛信光纖傳感器件有限公司, 深圳市飛康技術有限公司