專利名稱：光半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及主要用于光纖通信的光半導(dǎo)體裝置，更具體地，涉及像應(yīng)對了多溝道化的光接收元件(光電二極管PD)那樣的光半導(dǎo)體光接收元件陣列。
背景技術(shù)：
伴隨著近年來的波長復(fù)用通信等光纖通信技術(shù)的發(fā)展，必須有檢測更多溝道的光的光接收元件。另一方面，為了防止伴隨著多溝道化的裝置的大型化，同時還希望進行裝置的小型集成化。針對這些要求，形成了陣列狀的光接收元件的光半導(dǎo)體裝置，因可以接收多溝道的光且是小型裝置而被廣泛使用。 圖IA是專利文獻I中記載的現(xiàn)有的光半導(dǎo)體裝置的外觀圖。而圖IB是包含光接收部的剖面圖。在圖IA中例示了具有四個元件的光接收部的光半導(dǎo)體元件陣列，但元件數(shù)目可以根據(jù)用途進行增減而使用。圖I所示的光半導(dǎo)體裝置，通過具有在導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110上形成的光吸收層112且具有多個與導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110相反的導(dǎo)電性的擴散區(qū)120而形成。在此，光吸收層112具有絕緣性。另外，在這樣的構(gòu)成中，在光吸收層112的正上方設(shè)置導(dǎo)電性半導(dǎo)體層114，在導(dǎo)電性半導(dǎo)體層114上形成擴散區(qū)120。另外，在半導(dǎo)體襯底110上通過蒸鍍等形成背面電極118，在導(dǎo)電性半導(dǎo)體層114上形成絕緣膜116和表面電極119。在此，用金屬焊料130把光半導(dǎo)體元件100固定在背面電極118上，用鍵合引線132使表面電極119與在電氣布線板134上形成的電氣布線136連接地安裝。作為用來構(gòu)成光半導(dǎo)體元件100的材料，使用硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等。在以下的說明中，使用在長距離光纖通信中被廣泛使用的InP系的材料進行說明。導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110是η型InP (載流子濃度為I X 1018cm_3)，光吸收層112是絕緣型(n_型)砷化銦鎵(InGaAs，載流子濃度為I X 1014cm_3)，導(dǎo)電性半導(dǎo)體層114是η型InP (載流子濃度為I X IO17CnT3)，在導(dǎo)電性半導(dǎo)體層114上形成的擴散區(qū)120是摻雜了 Zn的P型的ΙηΡ(載流子濃度為IX IO18CnT3)。在導(dǎo)電性半導(dǎo)體層114上形成的絕緣膜116使用氮化硅(SiN)。該絕緣膜116還同時發(fā)揮半導(dǎo)體接合的鈍化功能并用作光入射時的無反射涂層。光接收部140的光接收直徑是80 μ m，光接收元件的間隔是250 μ m。另外，導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110的厚度為約200 μ m。在此，為了使背面電極118有效地用作光接收元件陣列的共用陰極，一般設(shè)置歐姆電極。即，插入用來降低InP襯底110與金屬焊料130界面處的肖特基勢壘的合金。本現(xiàn)有例，由于是η型襯底，所以使用含鍺的金、鎳的合金。在InP襯底上通過蒸鍍而淀積合金后，通過熱處理使金、鍺向InP襯底擴散，降低肖特基勢壘，進行界面的歐姆化。另外，雖然圖I中沒有記載，有時還在歐姆電極118的底部進一步附加使用了鈦、鉬、金等的電極。下面說明圖I所示的光半導(dǎo)體裝置的動作。首先，在表面電極119與背面電極118之間施加反向偏置電壓。像圖IB所示的那樣，從表面經(jīng)由絕緣膜116輸入到光接收部140的入射光150的大部分在光吸收層112處被光電轉(zhuǎn)換，成為電子171和空穴172這兩種載流子。在此，因反向偏置電壓被耗盡了的光吸收層112(絕緣型InGaAs)中產(chǎn)生能帶的傾斜。因此，在光吸收層112中產(chǎn)生的各載流子即電子171、空穴172分別因漂移而向半導(dǎo)體襯底110 (η型InP)和ρ型擴散區(qū)120 (ρ型InP)移動，最終從在表面、背面上形成的電極向外部輸出。在此，被輸入到光吸收層112的入射光150的一部分在光吸收層112處不能完全地光電轉(zhuǎn)換，成為襯底內(nèi)透射光152。襯底內(nèi)透射光152有時也被背面電極118反射,一部分再次被輸入到光吸收層112，但像圖IB的虛線箭頭154所示的那樣，也存在到達相鄰元件162的光?！ぴ趫DI所示的現(xiàn)有的光半導(dǎo)體裝置中，如果像上述那樣被背面電極118反射的襯底內(nèi)透射光152的一部分到達相鄰元件162和其附近的光吸收層112，則出現(xiàn)在相鄰元件162中產(chǎn)生串?dāng)_(漏電流)170的問題。由于產(chǎn)生漏電流170，在光纖通信中的光強度監(jiān)視時，出現(xiàn)了產(chǎn)生光強度的檢測誤差的問題。發(fā)明人分析了這樣的串?dāng)_的主要原因，推測以下三個現(xiàn)象是主要原因。S卩，(I)因襯底背面處的漫反射而到達相鄰元件的光串?dāng)_；(2)因到達相鄰元件附近的吸收層的光產(chǎn)生的載流子(電子和空穴)的擴散所造成的電氣串?dāng)_；(3)在輸入元件的光吸收層處未能完全地光電轉(zhuǎn)換的襯底內(nèi)透射光造成的、包含(I)和(2)的現(xiàn)象在內(nèi)的某種現(xiàn)象造成的串?dāng)_。在此，在現(xiàn)有文獻中公開了針對(2)和(3)的現(xiàn)象的對策。首先，關(guān)于(2)的現(xiàn)象，在專利文獻I中具有在光接收元件之間設(shè)置第二半導(dǎo)體接合層的結(jié)構(gòu)。由此，相鄰元件附近的吸收層處產(chǎn)生的載流子可以通過漂移被抽出，可以改善串?dāng)_。其次，關(guān)于(3)的現(xiàn)象，通過加厚光吸收層、設(shè)置多個光吸收層等的方法，可以減少襯底內(nèi)透射光，可以改善串?dāng)_。但是，不能完全地抑制襯底內(nèi)透射光。因此，降低現(xiàn)象(I)中的因背面處的漫反射造成的串?dāng)_是很重要的課題。但是，在現(xiàn)有文獻中未公開降低現(xiàn)象(I)中的背面處的漫反射本身的技術(shù)。在此，用圖IB說明發(fā)生漫反射的原因。在導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110的底部設(shè)置歐姆電極作為背面電極118。這樣的歐姆電極，像上述那樣，是通過熱處理使金、鍺向InP內(nèi)擴散。因此，InP與歐姆合金的界面變?yōu)榇植跔顟B(tài)。在圖IB中示意性地示出背面電極118與InP的界面是變粗糙了的樣子。該背面的粗糙成為漫反射的主要原因，出現(xiàn)了產(chǎn)生到相鄰元件的串?dāng)_的問題。

實用新型內(nèi)容(本實用新型的目的)本實用新型正是鑒于這樣的問題而提出的，其目的在于提供充分降低光接收元件間的漏電流的、小型且簡單的光半導(dǎo)體裝置。(所采用的方案)本實用新型是一種光半導(dǎo)體裝置，包括導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底、在導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底上形成的光吸收層、和在光吸收層上形成的導(dǎo)電性半導(dǎo)體層，其特征在于導(dǎo)電性半導(dǎo)體層通過具有多個與導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底相反的導(dǎo)電類型的擴散區(qū)，而在光半導(dǎo)體裝置中形成陣列狀的光接收元件；在導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底的底部包括鏡面狀的薄膜。在本實用新型的一個實施方式中，其特征在于鏡面狀的薄膜包括包含阻擋金屬(barrier metal)的背面電極。在本實用新型的一個實施方式中，其特征在于鏡面狀的薄膜形成圖案，上述圖案的全部或者一部分設(shè)置成使通過光接收部的光軸來到中央。在本實用新型的一個實施方式中，其特征在于光半導(dǎo)體裝置在鏡面狀的薄膜的底部形成有作為姆歐電極的第二背面電極。 在本實用新型的一個實施方式中，其特征在于鏡面狀的薄膜包括絕緣膜。在本實用新型的一個實施方式中，其特征在于鏡面狀的薄膜包括絕緣膜和該絕緣膜底部的背面電極。在本實用新型的一個實施方式中，其特征在于鏡面狀的薄膜形成圖案，上述圖案的全部或者一部分設(shè)置成使通過光接收部的光軸來到中央。在本實用新型的一個實施方式中，其特征在于鏡面狀的薄膜包括絕緣膜和該絕緣膜底部的第一背面電極，且形成圖案，上述圖案的全部或者一部分設(shè)置成使通過光接收部的光軸來到中央；光半導(dǎo)體裝置在鏡面狀的薄膜的底部形成有作為姆歐電極的第二背面電極。在本實用新型的一個實施方式中，其特征在于光半導(dǎo)體裝置被收存于框體。在本實用新型的一個實施方式中，其特征在于光半導(dǎo)體裝置具有二維地配置了光接收元件的結(jié)構(gòu)。(實用新型的有益效果)如果使用根據(jù)本實用新型的光半導(dǎo)體裝置，則由于背面電極是鏡面狀的薄膜，所以可以容易地抑制向相鄰的光接收元件泄漏的漏電流，減少光半導(dǎo)體裝置的光強度檢測時的誤差。另外，通過在整個背面上在構(gòu)圖了的背面電極或絕緣膜的底面上設(shè)置歐姆電極，可以減小背面上的接觸電阻。另外，通過使用二維地配置的光半導(dǎo)體元件和使背面電極為鏡面狀的薄膜，可以改善串?dāng)_。另外，通過在具有高氣密性的狀態(tài)下被收存到框體內(nèi)，保護光半導(dǎo)體元件免受外部環(huán)境影響，耐濕性優(yōu)良，能夠確保高可靠性。本實用新型的上述和其它的特征可以通過以下的結(jié)合附圖進行的詳述更清楚地理解。

圖IA和圖IB是用來說明現(xiàn)有的光半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，圖IA是外觀圖，圖IB是剖面圖。圖2A和圖2B是示出根據(jù)本實用新型的實施方式I的光半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，圖2A是剖面圖，圖2B是背面結(jié)構(gòu)的細節(jié)圖。[0039]圖3是用來說明把根據(jù)本實用新型的實施方式I的光半導(dǎo)體元件收存到框體中時的結(jié)構(gòu)的圖。圖4是示出根據(jù)本實用新型的實施方式I的光半導(dǎo)體元件的評價結(jié)果的曲線圖。圖5A和圖5B是用來說明根據(jù)本實用新型的實施方式2的光半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，圖5A是剖面圖，圖5B是底面圖。圖6A和圖6B是用來說明根據(jù)本實用新型的實施方式2的另一方式的光半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，圖6A是剖面圖，圖6B是底面圖。圖7A和圖7B是用來說明根據(jù)本實用新型的實施方式3的光半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的 圖，圖7A是剖面圖，圖7B是底面圖。圖8A和圖SB是用來說明根據(jù)本實用新型的實施方式3的另一方式的光半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，圖8A是剖面圖，圖8B是底面圖。圖9是用來說明根據(jù)本實用新型的實施方式4的光半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖10是用來說明根據(jù)本實用新型的實施方式4的另一方式的光半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖IlA和圖IlB是用來說明根據(jù)本實用新型的實施方式5的光半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，圖IlA是剖面圖，圖IlB是底面圖。圖12A和圖12B是用來說明根據(jù)本實用新型的實施方式5的另一方式的光半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，圖12A是剖面圖，圖12B是底面圖。圖13A和圖13B是用來說明根據(jù)本實用新型的實施方式6的光半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，圖13A是剖面圖，圖13B是底面圖。圖14A和圖14B是用來說明根據(jù)本實用新型的實施方式6的另一方式的光半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖，圖14A是剖面圖，圖14B是底面圖。圖15是用來說明根據(jù)本實用新型的實施方式7的光半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖16是用來說明把根據(jù)本實用新型的實施方式7的光半導(dǎo)體元件收存到框體中時的結(jié)構(gòu)的圖。圖17是示出根據(jù)本實用新型的實施方式7的半導(dǎo)體元件的評價結(jié)果的曲線圖。
具體實施方式
用圖2A、圖2B、圖3和圖4說明本實用新型的光半導(dǎo)體裝置中的實施方式I。圖2A和圖2B是光半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成圖，圖2A是包含光接收部的剖面圖，圖2B是背面結(jié)構(gòu)的細節(jié)圖。在圖2A中例示了具有多個光接收部的光半導(dǎo)體元件陣列，但元件數(shù)目可以根據(jù)用途進行增減而使用。圖2A和圖2B所示的光半導(dǎo)體裝置，通過具有在導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110上形成的光吸收層112且具有多個與導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110相反的導(dǎo)電性的擴散區(qū)120而形成。在此，光吸收層112具有絕緣性。另外，在該構(gòu)成中，在光吸收層112的正上方設(shè)置導(dǎo)電性半導(dǎo)體層114，擴散區(qū)120在導(dǎo)電性半導(dǎo)體層114上形成。另外，在半導(dǎo)體襯底110上通過蒸鍍等形成背面電極118，在導(dǎo)電性半導(dǎo)體層114上形成絕緣膜116和表面電極119。作為用來構(gòu)成光半導(dǎo)體元件的材料，使用硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等。在此，與現(xiàn)有例同樣地，使用在長距離光纖通信中被廣泛使用的InP系的材料進行說明。導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110是η型InP (載流子濃度為I X 1018cm_3)，光吸收層112是絕緣型(n_型)砷化銦鎵(InGaAs，載流子濃度為I X 1014cm_3)，導(dǎo)電性半導(dǎo)體層114是η型InP (載流子濃度為I X IO17CnT3)，在導(dǎo)電性半導(dǎo)體層114上形成的擴散區(qū)120是摻雜了 Zn的P型的ΙηΡ(載流子濃度為IX IO18CnT3)。在導(dǎo)電性半導(dǎo)體層114上形成的絕緣膜116使用氮化硅(SiN)。該絕緣膜116還同時發(fā)揮半導(dǎo)體接合的鈍化功能并用作光入射時的無反射涂層。光接收部140的光接收直徑是80 μ m，光接收元件的間隔是250 μ m。另外，導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110的厚度為約200 μ m。在此，與圖IB所示的現(xiàn)有例的剖面圖在結(jié)構(gòu)上的不同之處在于背面電極118的結(jié)構(gòu)。即，在本實用新型中，在半導(dǎo)體襯底110的背面，作為背面電極118的組成不使用由合 金構(gòu)成的歐姆金屬，而是設(shè)置鏡面狀的薄膜。其材料可以是包含金屬、絕緣膜在內(nèi)的多種材料。在本實施方式中，使用包含阻擋金屬的金屬，阻擋金屬是為了防止材料間相互擴散而在容易擴散的材料間插入的金屬。在本實施方式中，由于使用金布線和金錫焊料，所以使用用來防止金和InP的擴散的鉬作為阻擋金屬。用圖2B說明背面結(jié)構(gòu)的細節(jié)。在作為導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110使用的η型InP的底部，首先通過蒸鍍設(shè)置與InP的緊密結(jié)合性好的鈦1182。然后在鈦1182的底部通過蒸鍍設(shè)置作為阻擋金屬的鉬1184。進而在鉬1184的底部通過蒸鍍設(shè)置金1186。各層的厚度為約500Λ。通過這樣的結(jié)構(gòu)，由于InP與金隔著阻擋金屬，即使利用加熱工序等也難以發(fā)生相互擴散。因此，InP與背面金屬的邊界變?yōu)槠交臓顟B(tài)，用SEM顯微鏡確認了形成了良好的鏡面狀的薄膜。下面說明本實施方式中的光半導(dǎo)體裝置的動作。首先，在表面電極119與背面電極118之間施加反向偏置電壓。像圖2Α所示的那樣，從表面經(jīng)由絕緣膜116輸入到光接收部140的入射光150的大部分在光吸收層112處被光電轉(zhuǎn)換，成為電子和空穴這兩種載流子。在此，因反向偏置電壓被耗盡了的光吸收層112(絕緣型InGaAs)中產(chǎn)生能帶的傾斜。因此，在光吸收層112中產(chǎn)生的各載流子即電子、空穴分別因漂移而向半導(dǎo)體襯底110(η型InP)和ρ型擴散區(qū)120 (ρ型InP)移動，最終從在表面、背面上形成的電極向外部輸出。在此，被輸入到光吸收層112的入射光150的一部分在光吸收層112處不能完全地光電轉(zhuǎn)換，成為襯底內(nèi)透射光152。襯底內(nèi)透射光152被背面電極118反射。在此,背面電極118是鏡面狀的薄膜，背面處沒有漫反射，示出像鏡面反射那樣的反射動作。因此，可以減少像現(xiàn)有例那樣的因背面處的漫反射造成的到達相鄰元件的光，可以期待改善串?dāng)_?？梢园褕D2Α和圖2Β所示的光半導(dǎo)體元件收存到圖3所示的框體182和窗蓋184。光半導(dǎo)體元件100被收存到由陶瓷構(gòu)成的箱形的框體182內(nèi)，并被該框體182和可以向光接收部140輸入光的由藍寶石等構(gòu)成的窗蓋184氣密性密封。雖然圖中未示出，框體182和窗蓋184用金屬焊料130接合起來，所以具有高的氣密性，從而可以保護光半導(dǎo)體元件100免受外部環(huán)境影響，耐濕性優(yōu)良、確保高可靠性。光半導(dǎo)體元件100在使光接收部140與窗蓋184相對置的狀態(tài)下用金屬焊料130等把背面電極118與框體182固定起來，且利用鍵合引線132把表面電極119與框體內(nèi)的電氣布線136連接起來?？蝮w內(nèi)的電氣布線136貫通框體182而延長到框體182的表面(未圖示)，可以實現(xiàn)到與外部連接的電氣布線板等的電氣連接。圖4示出對從光纖輸入了光時的串?dāng)_量進行評價得到的結(jié)果，其中，橫軸表示距離z(um)，縱軸表示串?dāng)_(dB)，401表示現(xiàn)有產(chǎn)品的相鄰串?dāng)_，402表示本發(fā)明的相鄰串?dāng)_，403表示IOdB的改善。在把光半導(dǎo)體元件100搭載到圖3所示的框體182上且不用窗蓋184進行密封的狀態(tài)下，通過用光纖向光接收部140輸入光進行了該評價。在此，輸入光的波長為1.55 μ m，在室溫環(huán)境下進行了測定?？v軸所示的串?dāng)_的值是輸入元件中的光接收電流與相鄰元件中的光接收電流之比。在測定時，使光接收部與光纖端面的距離(z)變化地觀測了串?dāng)_的變化。由上述實驗的結(jié)果可以確認，現(xiàn)有產(chǎn)品中的相鄰串?dāng)_在z < 600μπι的區(qū)域為-35dB -42dB，而使用本實用新型的元件時為_45dB _52dB左右，可以確認有IOdB的串?dāng)_的改善。在本實施方式中，由于背面電極118不使用歐姆電極，所以InP襯底110與背面電極118之間是肖特基接觸。因此會擔(dān)心接觸電阻。但是由于作為共用電極的背面電極118的接觸面積大，所以在通常的工作條件下該接觸電阻的增加多數(shù)情況下不會導(dǎo)致品質(zhì)上出 問題。例如，增加1Ω左右的電阻時，在負載電阻50Ω的傳送路徑中帶寬的劣化小到50/51左右。另外，即使接觸電阻造成電壓下降，在ImA的光接收電流下電壓降也是ImV左右，是可以忽視的程度。另外，本實施方式中導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110是η型。但在是相反的導(dǎo)電類型的P型時也有同樣的改善效果。此時，導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110是P型，光吸收層112是P—型，導(dǎo)電性半導(dǎo)體層114是ρ型，在導(dǎo)電性半導(dǎo)體層114上形成的擴散區(qū)120是η型。另外，在本實施方式中，由于背面示出像鏡面反射那樣的反射動作，所以輸入到輸入元件160的光吸收層112的襯底內(nèi)透射光152的量增加。因此，還起到增加輸入元件160的光接收靈敏度的效果。用圖5Α和圖5Β說明本實用新型的光半導(dǎo)體裝置中的實施方式2。圖5Α和圖5Β是光半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成圖，圖5Α是包含光接收部的剖面圖，圖5Β是附加金屬焊料之前的底面圖。該光半導(dǎo)體裝置與實施方式I同樣地，通過具有在導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110上形成的光吸收層112且具有多個與導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110相反的導(dǎo)電性的擴散區(qū)120而形成。其它的載流子濃度、電極等的構(gòu)成與實施方式I相同，所以省略說明。本實施方式與實施方式I在結(jié)構(gòu)上的不同之處在于，背面電極118不是整面電極，而是形成圖案的電極。通過在導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110的底部涂敷有機光刻膠并曝光的去除(lift-off)工序進行構(gòu)圖。構(gòu)圖的位置設(shè)置在隔著InP襯底110與光接收元件表面上的各光接收部140相反的一側(cè)。即，背面的圖案設(shè)置成，通過光接收部的光軸來到中央。在本實施方式中，像圖5B所示的那樣，電極的圖案為圓形，其直徑為Φ = 200 μ m0無圖案的區(qū)域是剝離了導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110的狀態(tài)。背面電極的組成，與實施方式I同樣地，不使用由合金構(gòu)成的歐姆金屬，而是設(shè)置鏡面狀的薄膜。在本實施方式中，與實施方式I同樣地，使用包含阻擋金屬的金屬。在本實施方式中，由于使用金布線和金錫焊料，所以使用用來防止金和InP的擴散的鉬作為阻擋金屬。在作為導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110使用的η型InP的底部，通過蒸鍍依次設(shè)置鈦、鉬、金。各層的厚度為約500人。通過這樣的結(jié)構(gòu)，與實施方式I同樣地，InP與金的相互擴散被抑制，形成了良好的鏡面狀的薄膜。而且，在本實施方式中，由于背面電極不是配置在整個面上，所以可以減少容易因熱變化而產(chǎn)生應(yīng)力的鉬的面積。因此，即使有熱變化也能保持鏡面狀態(tài)，可以形成難以發(fā)生剝離的薄膜。下面說明根據(jù)本實施方式的光半導(dǎo)體裝置的動作。與實施方式I同樣地，首先，在表面電極119與背面電極118之間施加反向偏置電壓。像圖5A所不的那樣,從表面經(jīng)由絕緣膜116輸入到光接收部140的入射光1 50的大部分在光吸收層112處被光電轉(zhuǎn)換。在此，被輸入到光吸收層112的入射光150的一部分在光吸收層112處不能完全地光電轉(zhuǎn)換，成為襯底內(nèi)透射光152，被背面電極118反射。在此，背面電極118是鏡面狀的薄膜，背面處沒有漫反射，示出像鏡面反射那樣的反射動作。因此，可以減少像現(xiàn)有例那樣的因背面處的漫反射造成的到達相鄰元件的光，改善了串?dāng)_。在本實施方式中，由于背面電極118不使用歐姆電極，所以InP襯底110與背面電極118之間是肖特基接觸。而且，由于背面電極118形成圖案，因此比實施方式I更擔(dān)心接觸電阻的增加。但是，與實施方式I同樣地，由于作為共用電極的背面電極118的接合面積大，所以在通常的工作條件下該接觸電阻的增加多數(shù)情況下不會導(dǎo)致品質(zhì)上出問題。下面，用圖6A和圖6B說明實施方式2的另一方式。圖6A和圖6B是光半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成圖，圖6A是包含光接收部的剖面圖，圖6B是底面圖。在本結(jié)構(gòu)中，與圖5A和圖5B所示的實施方式不同之處在于背面的圖案形狀。在本方式中，除了設(shè)置成使通過光接收部的光軸來到中央的圖案(直徑為200μπι)以外，還在其周邊部分追加了小尺寸(直徑為約50μπι)的背面電極。通過這樣的結(jié)構(gòu)，除了圖5Α和圖5Β所示的實施方式中的實用新型的效果以外，通過小尺寸的背面電極與金屬焊料的緊密接合，可以提高光半導(dǎo)體元件與金屬焊料間的接合強度，可以實現(xiàn)向電氣布線、框體的堅固的搭載。另外，通過增加背面電極的面積，可以減小接觸電阻。用圖7Α和圖7Β說明本實用新型的光半導(dǎo)體裝置中的實施方式3。圖7Α和圖7Β是光半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成圖，圖7Α是包含光接收部的剖面圖，圖7Β是底面圖。該光半導(dǎo)體裝置與上述的實施方式同樣地，通過具有在導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110上形成的光吸收層112且具有多個與導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110相反的導(dǎo)電性的擴散區(qū)120而形成。其它的載流子濃度、電極等的構(gòu)成與上述的實施方式相同，所以省略說明。本實施方式與上述的實施方式在結(jié)構(gòu)上的不同之處在于，在背面上設(shè)置了包含阻擋金屬的電極作為第一背面電極1187之后，進一步設(shè)置歐姆電極作為第二背面電極1188。在本實施方式中，第一背面電極1187不是整面電極，而是形成圖案的結(jié)構(gòu)，而且在其底部，在整個背面上設(shè)置了歐姆電極作為第二背面電極1188。構(gòu)圖的方向和結(jié)構(gòu)與實施方式2相同。即，由于通過去除工序進行制作，其位置設(shè)置在隔著InP襯底110與光接收元件表面上的各光接收部140相反的一側(cè)。像圖7Β所示的那樣，第一背面電極1187的圖案為圓形，其直徑為Φ = 200 μ m0在本實施方式中，由于進一步設(shè)置歐姆電極作為第二背面電極1188，所以看起來底面整個面是歐姆電極。第一背面電極1187的組成，與上述的實施方式同樣地，使用包含阻擋金屬的金屬。在作為導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底Iio的η型InP的底部，通過蒸鍍依次設(shè)置鈦、鉬、金。各層的厚度為約500Λ。另一方面，第二背面電極1188使用含鍺的金、鎳的合金。在InP襯底110上通過蒸鍍而淀積合金后，進行熱處理，使與InP相接的金、鍺向InP擴散，降低肖特基勢壘，進行界面的歐姆化。通過這樣的結(jié)構(gòu)，與上述的實施方式同樣地，InP與金的相互擴散被抑制，形成了良好的鏡面狀的薄膜。另外，由于第一背面電極1187不是配置在整個面上，所以可以減少容易因熱變化而產(chǎn)生應(yīng)力的鉬的面積，即使有熱變化也能保持鏡面狀態(tài)，可以形成難以發(fā)生剝離的薄膜。而且，在本結(jié)構(gòu)中，由于在不配置第一背面電極的區(qū)域上形成歐姆接觸，所以可以減小接觸電阻。下面說明根據(jù)本實施方式的光半導(dǎo)體裝置的動作。首先，在表面電極119與背面電極1187之間施加反向偏置電壓。像圖7Α所示的那樣，從表面經(jīng)由絕緣膜116輸入到光接收部140的入射光150的大部分在光吸收層112處被光電轉(zhuǎn)換。在此，被輸入到光吸收層112的入射光150的一部分在光吸收層112處不能完全地光電轉(zhuǎn)換,成為襯底內(nèi)透射光 152，被第一背面電極1187反射。在此，第一背面電極1187是鏡面狀的薄膜，背面處沒有漫反射，示出像鏡面反射那樣的反射動作。因此，可以減少像現(xiàn)有例那樣的因背面處的漫反射造成的到達相鄰元件162的光，改善了串?dāng)_。另外，未設(shè)置第一背面電極1187的背面，因歐姆處理而使背面與InP的界面變粗糙。但是，由于幾乎沒有到達該區(qū)域的襯底內(nèi)透射光152，所以散射的影響可以忽視。在本實施方式中，與上述的實施方式相比，由于在不配置第一背面電極1187的區(qū)域上形成歐姆接觸，所以可以減小接觸電阻。根據(jù)制作的元件的電流-電壓特性，確認了接觸電阻的增加在1Ω以內(nèi)時，是良好的特性。下面，用圖8Α和圖8Β說明的實施方式3的另一方式。圖8Α和圖8Β是半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成圖，圖8Α是包含光接收部的剖面圖，圖8Β是底面圖。在本結(jié)構(gòu)中，與圖7Α和圖7Β所示的實施方式的不同之處在于背面的圖案形狀。在本實施方式中，除了設(shè)置成使通過光接收部140的光軸來到中央的圖案(直徑為200 μ m)以外，還在其周邊部分追加了小尺寸(直徑為約50μπι)的背面電極。通過這樣的結(jié)構(gòu)，除了圖7Α和圖7Β所示的實施方式中的實用新型的效果以外，通過小尺寸的背面電極與金屬焊料的緊密接合，可以提高光半導(dǎo)體元件與金屬焊料間的接合強度，可以實現(xiàn)向電氣布線、框體的堅固的搭載。從進行制作的光半導(dǎo)體元件的剝離試驗(沖模剪切強度試驗，die shear test)的結(jié)果可以看出，在3個樣品的試驗中，從短邊按壓時強度平均為2kgf。這是與現(xiàn)有例相同的沖模剪切強度。用圖9說明本實用新型的光半導(dǎo)體裝置中的實施方式4。圖9是光半導(dǎo)體裝置的包含光接收部的剖面圖。該光半導(dǎo)體裝置，與上述的實施方式同樣地，通過具有在導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110上形成的光吸收層112，且具有多個與導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110相反的導(dǎo)電性的擴散區(qū)120而形成。其它的載流子濃度、電極等的構(gòu)成與上述實施例相同，所以省略說明。本實施方式與上述的實施方式在結(jié)構(gòu)上的不同之處在于，作為鏡面狀的薄膜配置了絕緣膜190。在本實施方式中，在整個背面上通過氣相成長法堆積了使用了氮化硅的絕緣膜 190。[0093]下面說明根據(jù)本實施方式的光半導(dǎo)體裝置的動作。首先，在表面電極119與金屬焊料130之間施加反向偏置電壓。像圖9所示的那樣，從表面經(jīng)由絕緣膜116輸入到光接收部140的入射光150的大部分在光吸收層112處被光電轉(zhuǎn)換。在此,被輸入到光吸收層112的入射光150的一部分在光吸收層112處不能完全地光電轉(zhuǎn)換，成為襯底內(nèi)透射光152，透過絕緣膜190，被其底部的金屬焊料130反射。在此，由于絕緣膜190與金屬焊料130的相互擴散等的影響少，所以金屬焊料130是鏡面狀的薄膜，背面處沒有漫反射，示出像鏡面反射那樣的反射動作。因此，可以減少像現(xiàn)有例那樣的因背面處的漫反射造成的到達相鄰元件162的光，改善了串?dāng)_。另外，背面的絕緣膜190與金屬焊料130之間電氣絕緣。因此，通過使金屬焊料130回繞接觸導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110的側(cè)面，進行導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110與金屬焊料130的導(dǎo)通。因此，由于InP襯底110與金屬焊料130之間是肖特基接觸，所以會擔(dān)心接觸電阻的增加。但是，通過增加金屬焊料130的量等來確保與側(cè)面的接觸面積，在通常的工作條件下該接觸電阻的增加多數(shù)情況下不會導(dǎo)致品質(zhì)上出問題。 下面，用圖10說明實施方式4的另一方式。圖10是光半導(dǎo)體裝置的包含光接收部的剖面圖。在本結(jié)構(gòu)中，與圖9所示的實施方式的不同之處在于，在設(shè)置在背面上的絕緣膜190的底部進一步設(shè)置背面電極118。另外，絕緣膜190的厚度為約O. 2 μ m，可以滿足針對輸入光的高反射率條件。另外，由于背面電極118夾著絕緣膜190，所以不會發(fā)生它與InP的相互擴散，所以也可以是不使用阻擋金屬的金屬，例如只有鈦和金的組成。通過這樣的結(jié)構(gòu)，除了圖9所示的實施方式中的實用新型的效果以外，由于存在背面電極，可以形成比由金屬焊料構(gòu)成的薄膜更穩(wěn)定的鏡面狀的薄膜。另外，由于絕緣膜滿足聞反射率條件，所以可以比圖9所不的實施方式更加提聞反射率，改善串?dāng)_和提聞光接收靈敏度。另外，在背面電極不使用阻擋金屬時，由于不會因熱變化而產(chǎn)生應(yīng)力，所以即使有熱變化也能保持鏡面狀態(tài)，可以形成難以發(fā)生剝離的薄膜。用圖11說明本實用新型的光半導(dǎo)體裝置中的實施方式5。圖11是光半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成圖，圖IlA是包含光接收部的剖面圖，圖IlB是附加金屬焊料之前的底面圖。該光半導(dǎo)體裝置，與上述的實施方式同樣地，通過具有在導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110上形成的光吸收層112且具有多個與導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110相反的導(dǎo)電性的擴散區(qū)120而形成。其它的載流子濃度、電極等的構(gòu)成與上述的實施例相同，所以省略說明。本實施方式與上述的實施方式在結(jié)構(gòu)上的不同之處在于，作為鏡面狀的薄膜配置了絕緣膜190，而且絕緣膜190不是在整個面上配置的，而是形成圖案的絕緣膜。通過在絕緣膜190上用去除(lift-off)工序制作構(gòu)圖了的金屬，以該金屬為掩模進行蝕刻而進行構(gòu)圖。構(gòu)圖的位置設(shè)置在隔著InP襯底與光接收元件表面上的各光接收部相反的一側(cè)。即，背面的圖案設(shè)置成，使通過光接收部的光軸來到中央。在本實施方式中，像圖IlB所示的那樣，電極的圖案為圓形，其直徑為Φ = 200 μ m0無圖案的區(qū)域是剝離了導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110的狀態(tài)。下面說明本實施方式中的光半導(dǎo)體裝置的動作。與上述的實施方式同樣地，首先，在表面電極119與金屬焊料130之間施加反向偏置電壓。像圖IlA所示的那樣，從表面經(jīng)由絕緣膜116輸入到光接收部140的入射光150的大部分在光吸收層112處被光電轉(zhuǎn)換。在此，被輸入到光吸收層112的入射光150的一部分在光吸收層112處不能完全地光電轉(zhuǎn)換，成為襯底內(nèi)透射光152，透過絕緣膜190，被其底部的金屬焊料130反射。在此，由于絕緣膜190與金屬焊料130的相互擴散等的影響少，所以金屬焊料130是鏡面狀的薄膜，背面處沒有漫反射，示出像鏡面反射那樣的反射動作。因此，可以減少像現(xiàn)有例那樣的因背面處的漫反射造成的到達相鄰元件162的光，改善了串?dāng)_。另外，背面的絕緣膜190與金屬焊料130之間電氣絕緣。因此，通過使金屬焊料130與剝離了導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110的區(qū)域接觸，以及使金屬焊料130回繞接觸導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110的側(cè)面，進行導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110與金屬焊料130的導(dǎo)通。因此，由于InP襯底110與金屬焊料130之間是肖特基接觸，所以會擔(dān)心接觸電阻的增加。但是，通過增大導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110剝離了的區(qū)域與金屬焊料130的接觸面積，或者增加金屬焊料130的量·等來確保與側(cè)面的接觸面積，在通常的工作條件下，該接觸電阻的增加多數(shù)情況下不會導(dǎo)致品質(zhì)上出問題。下面，用圖12A和圖12B說明實施方式5的另一方式。圖12A是光半導(dǎo)體裝置的包含光接收部的剖面圖，圖12B是底面圖。在本結(jié)構(gòu)中，與圖11所示的實施方式的不同之處在于，在設(shè)置在背面上的絕緣膜190的底部進一步設(shè)置背面電極118。另外，絕緣膜190的厚度為約O. 2 μ m，可以滿足針對輸入光的高反射率條件。另外，由于背面電極118隔著絕緣膜190，所以不會發(fā)生它與InP的相互擴散，所以也可以是不使用阻擋金屬的金屬，例如只有鈦和金的組成。而且在本結(jié)構(gòu)中，與圖11所示的實施方式的不同之處在于背面的圖案形狀。在本方式中，除了設(shè)置成使通過光接收部的光軸來到中央的圖案(直徑為200μπι)以外，還在其周邊部分追加了多個小尺寸(直徑為約50 μ m)的背面電極。通過這樣的結(jié)構(gòu)，除了圖10所示的實施方式中的實用新型的效果以外，通過小尺寸的背面電極與金屬焊料的緊密接合，可以提高光半導(dǎo)體元件與金屬焊料間的接合強度，可以實現(xiàn)向電氣布線、框體的堅固的搭載。另外，由于背面電極118與導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110之間隔著絕緣膜190電氣絕緣，所以會因背面電極的面積增加而擔(dān)心接觸電阻增加，但通過增大剝離了導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110的區(qū)域與金屬焊料130的接觸面積，或者增加金屬焊料130的量等來確保與側(cè)面的接觸面積，在通常的工作條件下該接觸電阻的增加多數(shù)情況下不會導(dǎo)致品質(zhì)上出問題。另外，在背面電極不使用阻擋金屬時，由于不會因熱變化而產(chǎn)生應(yīng)力，所以即使有熱變化也能保持鏡面狀態(tài)，可以形成難以發(fā)生剝離的薄膜。用圖13A和圖13B說明本實用新型的光半導(dǎo)體裝置中的實施方式6。圖13A和圖13B是光半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成圖，圖13A是包含光接收部的剖面圖，圖13B是底面圖。該光半導(dǎo)體裝置，與上述的實施方式同樣地，通過具有在導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110上形成的光吸收層112，且具有多個與導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110相反的導(dǎo)電性的擴散區(qū)120而形成。其它的載流子濃度、電極等的構(gòu)成與上述的實施例相同，所以省略說明。本實施方式與上述的實施方式在結(jié)構(gòu)上的不同之處在于，作為鏡面狀的薄膜配置了絕緣膜190，而且在其底部，在整個背面上設(shè)置了歐姆電極作為背面電極118。在本實施方式中，絕緣膜190不是整個面的，而是形成圖案的結(jié)構(gòu)，而且在其底部，在整個背面上設(shè)置了歐姆電極作為背面電極118。構(gòu)圖的方向和結(jié)構(gòu)與實施方式5相同。S卩，由于用通過去除工序制作的金屬掩模通過蝕刻進行構(gòu)圖，其位置設(shè)置在隔著InP襯底與光接收元件表面上的各光接收部相反的一側(cè)。像圖13B所示的那樣，絕緣膜190的圖案為圓形，其直徑為Φ = 200 μ m0在本實施方式中，由于進一步設(shè)置歐姆電極，所以看起來底面整個面是歐姆電極。進行歐姆處理的背面電極118使用含鍺的金、鎳的合金。在InP襯底110上通過蒸鍍而堆積合金后，進行熱處理，使與InP相接的金、鍺向InP擴散，降低肖特基勢壘，進行界面的歐姆化。下面說明根據(jù)本實施方式的光半導(dǎo)體裝置的動作。首先，在表面電極119與背面電極118之間施加反向偏置電壓。像圖13Α和圖13Β所不的那樣,從表面經(jīng)由絕緣膜116輸入到光接收部140的入射光150的大部分在光吸收層112處被光電轉(zhuǎn)換。在此，被輸入到光吸收層112的入射光150的一部分在光吸收層112處不能完全地光電轉(zhuǎn)換,成為襯底內(nèi)透射光152，透過絕緣膜190，被其底部的背面電極118反射。在此，由于絕緣膜190與背面 電極118的相互擴散等的影響少，所以背面電極118是鏡面狀的薄膜，背面處沒有漫反射，示出像鏡面反射那樣的反射動作。因此，可以減少像現(xiàn)有例那樣的因背面處的漫反射造成的到達相鄰元件162的光，改善了串?dāng)_。而且，由于在不配置絕緣膜190的區(qū)域上形成歐姆接觸，所以可以減小接觸電阻。另外，未設(shè)置絕緣膜190的背面因歐姆處理而使與InP之間的界面變粗糙。但是，由于幾乎沒有到達該區(qū)域的襯底內(nèi)透射光152，所以散射的影響可以忽視。下面,用圖14Α和圖14Β說明實施方式6的另一方式。圖14Α和圖14Β是光半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成圖，圖14Α是包含光接收部的剖面圖，圖14Β是底面圖。在本結(jié)構(gòu)中，與圖13Α和圖13Β所示的實施方式的不同之處在于，在設(shè)置在背面上的絕緣膜190的底部進一步設(shè)置第一背面電極1187之后，進一步設(shè)置歐姆電極作為第二背面電極1188。另外，絕緣膜190的厚度為約O. 2 μ m，可以滿足針對輸入光的高反射率條件。另外，由于第一背面電極1187隔著絕緣膜190，所以不會發(fā)生與InP的相互擴散，所以也可以是不使用阻擋金屬的金屬，例如只有鈦和金的組成。而且在本結(jié)構(gòu)中，與圖13A和圖13B所示的實施方式的不同之處在于背面的圖案形狀。在本方式中，除了設(shè)置成使通過光接收部的光軸來到中央的圖案(直徑為200 μ m)以外，還在其周邊部分追加了多個小尺寸(直徑為約50μπι)的背面電極通過這樣的結(jié)構(gòu)，除了圖13Α和圖13Β所示的實施方式中的實用新型的效果以外，通過小尺寸的背面電極與金屬焊料的緊密接合，可以提高光半導(dǎo)體元件與金屬焊料間的接合強度，可以實現(xiàn)向電氣布線、框體的堅固的搭載。另外，在背面電極不使用阻擋金屬時，由于不會因熱變化而產(chǎn)生應(yīng)力，所以即使有熱變化也能保持鏡面狀態(tài)，可以形成難以發(fā)生剝離的薄膜。用圖15 圖17說明本實用新型的光半導(dǎo)體裝置中的實施方式7。在本實施方式中，把用上述實施方式進行了串?dāng)_改善的光半導(dǎo)體元件二維地配置。在圖15中例示了把光接收元件配置成4行X 3列的12溝道的光半導(dǎo)體元件陣列，但元件數(shù)目可以根據(jù)用途進行增減而使用。該光半導(dǎo)體裝置，與上述的實施方式同樣地，通過具有在導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110上形成的光吸收層112，且具有多個與導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底110相反的導(dǎo)電性的擴散區(qū)120而形成。其它的載流子濃度、電極等的構(gòu)成與上述的實施例相同，所以省略說明。在本實施例中，作為鏡面狀的薄膜，與實施方式I同樣地，在整個背面上配置包含阻擋金屬的金屬作為背面電極118。在圖16所示的構(gòu)成中，像圖示的那樣，把配置成兩列的光半導(dǎo)體元件陣列收存到框體182中。光半導(dǎo)體元件100被收存到由陶瓷構(gòu)成的箱形的框體182中。雖然圖中未示出，該框體182和可以向光接收部140輸入光的窗蓋用金屬焊料130接合起來，所以具有高的氣密性，從而可以保護光半導(dǎo)體元件100免受外部環(huán)境影響，耐濕性優(yōu)良、能夠確保高可靠性。光半導(dǎo)體元件100在使光接收部140與窗蓋184相對置的狀態(tài)下用金屬焊料130等把背面電極118與框體182固定起來，且利用鍵合引線132把表面電極119與框體內(nèi)的電氣布線136連接起來?？蝮w內(nèi)的電氣布線136貫通該框體182而延長到框體的表面(未圖示)，可以通過固定在框體182上的引線管腳138實現(xiàn)到與外部連接的電氣布線板等的電氣連接。圖17示出對從光纖輸入了光時的串?dāng)_量進行評價得到的結(jié)果，其中，橫軸表示距離z (um)，縱軸表示串?dāng)_(dB)，1701表示H)元件，1702表示H)光接收面，1703表示相鄰串?dāng)_，1704表示二維方向串?dāng)_，1705表示本發(fā)明的相鄰串?dāng)_，1706表示本發(fā)明的二維方向串?dāng)_，1707表示相同。在把光半導(dǎo)體元件100搭載到圖16所示的框體182上且不用窗蓋進行密封的狀態(tài)下，通過用光纖向光接收部140輸入光進行了該評價。在此，輸入光的波長為
I.55 μ m，在室溫環(huán)境下進行了測定。縱軸所示的串?dāng)_的值是輸入元件中的光接收電流與相鄰元件中的光接收電流之比。在測定時，使光接收部與光纖端面的距離(z)變化地觀測了串?dāng)_的變化。由上述實驗的結(jié)果看出，現(xiàn)有產(chǎn)品中的相鄰串?dāng)_在z < 600 μ m的區(qū)域為-35dB -42dB，而使用本實用新型的元件時為_45dB _52dB左右，可以確認有IOdB的串?dāng)_的改善，這在前面已經(jīng)描述了(參照圖4A和圖4B)。而且，關(guān)于二維方向的串?dāng)_，也是 與本實用新型的相鄰串?dāng)_大致相同的值，確認了良好的串?dāng)_改善效果。雖然參照具體實施方式
描述了本實用新型，但本實用新型不限于公開的具體實施方式
。所附權(quán)利要求書的范圍應(yīng)給予最寬泛的解釋以覆蓋所有的這種變更、等價的結(jié)構(gòu)和功能。
權(quán)利要求1.一種光半導(dǎo)體裝置，包括導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底、在上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底上形成的光吸收層、和在上述光吸收層上形成的導(dǎo)電性半導(dǎo)體層，其特征在于 上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體層通過具有多個與上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底相反的導(dǎo)電類型的擴散區(qū)，而在上述光半導(dǎo)體裝置中形成陣列狀的光接收元件； 在上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底的底部具有鏡面狀的薄膜。
2.如權(quán)利要求I所述的光半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述鏡面狀的薄膜具有包含阻擋金屬的背面電極。
3.如權(quán)利要求2所述的光半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述鏡面狀的薄膜形成圖案，上述圖案的全部或者一部分設(shè)置成使通過光接收部的光軸來到中央。
4.如權(quán)利要求3所述的光半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述光半導(dǎo)體裝置在上述鏡面狀的薄膜的底部形成有作為歐姆電極的第二背面電極。
5.如權(quán)利要求I所述的光半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述鏡面狀的薄膜具有絕緣膜。
6.如權(quán)利要求5所述的光半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述鏡面狀的薄膜還具有上述絕緣膜的底部的背面電極。
7.如權(quán)利要求6所述的光半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述鏡面狀的薄膜形成圖案，上述圖案的全部或者一部分設(shè)置成使通過光接收部的光軸來到中央。
8.如權(quán)利要求5所述的光半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述鏡面狀的薄膜還具有上述絕緣膜的底部的第一背面電極，且形成圖案，上述圖案的全部或者一部分設(shè)置成使通過光接收部的光軸來到中央； 上述光半導(dǎo)體裝置在上述鏡面狀的薄膜的底部形成有作為歐姆電極的第二背面電極。
9.如權(quán)利要求I 8中任一項所述的光半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述光半導(dǎo)體裝置被收存于框體。
10.如權(quán)利要求I 8中任一項所述的光半導(dǎo)體裝置，其特征在于 上述光半導(dǎo)體裝置具有二維地配置了上述光接收元件的結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實用新型提供一種光半導(dǎo)體裝置，該光半導(dǎo)體裝置包括導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底、在上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底上形成的光吸收層、和在上述光吸收層上形成的導(dǎo)電性半導(dǎo)體層，其特征在于上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體層通過具有多個與上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底相反的導(dǎo)電類型的擴散區(qū)，而在上述光半導(dǎo)體裝置中形成陣列狀的光接收元件；在上述導(dǎo)電性半導(dǎo)體襯底的底部具有鏡面狀的薄膜。該光半導(dǎo)體裝置充分降低了光接收元件間的串?dāng)_、小型且簡單，并且可以容易地抑制對相鄰的光接收元件的串?dāng)_，減少光半導(dǎo)體裝置的光強度檢測時的誤差外，減小背面上的接觸電阻，改善串?dāng)_，保護光半導(dǎo)體元件免受外部環(huán)境影響，耐濕性優(yōu)良，能夠確保高可靠性。
文檔編號H01L31/0224GK202817007SQ20122002547
公開日2013年3月20日 申請日期2012年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月27日
發(fā)明者土居芳行, 村本好史, 大山貴晴 申請人:Ntt電子股份有限公司, 日本電信電話株式會社