專(zhuān)利名稱(chēng)：一種具有電極結(jié)構(gòu)的厚膜電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種具有電極結(jié)構(gòu)的厚膜電路板。
背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，厚膜電路技術(shù)及產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于通訊、家電、醫(yī)療和汽車(chē)電子領(lǐng)域。傳統(tǒng)的厚膜電路電極結(jié)構(gòu)通常采用銀鈀、銀鉬或金等貴金屬組成，眾所周知，由于貴金屬材料的稀缺性，導(dǎo)致貴金屬價(jià)格昂貴，由貴金屬材料構(gòu)成的傳統(tǒng)厚膜電路產(chǎn)品其價(jià)格也一直居高不下，在當(dāng)前貴金屬價(jià)格持續(xù)走高的今天，常規(guī)厚膜電路成本也成為當(dāng)前生產(chǎn)制造企業(yè)所必須關(guān)注頭等大事。成本因素日益成為厚膜電路產(chǎn)品最關(guān)鍵的竟?fàn)幜σ蛩?。一般而言，在厚膜電路的材料成本?gòu)成中，貴金屬賤金屬電極成本一般占到厚膜電路總 成本的40% -60%或以上，在部分產(chǎn)品中譬如油位傳感器、電子點(diǎn)火模塊中，其所占比例更是達(dá)到60% -80%左右。隨著貴金屬原材料價(jià)格的持續(xù)走高，厚膜電路的成本也是水漲船高，價(jià)格也迅速高漲，影響了產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，進(jìn)而影響了厚膜電路技術(shù)的大規(guī)模推廣應(yīng)用。此外，由于銀/鈀或銀/鉬等系列賤金屬電極漿料的抗焊料潤(rùn)融性較差，一些厚膜電路產(chǎn)品的耐焊接能力差，尤其是大電流錫焊時(shí)，產(chǎn)品賤金屬電極較容易被焊錫共晶熔融，俗語(yǔ)所謂“吃掉”。在一些領(lǐng)域如汽車(chē)電子調(diào)節(jié)器使用時(shí)，由于多次焊接，由銀鈀構(gòu)成的焊盤(pán)耐焊性差,成為業(yè)內(nèi)技術(shù)難點(diǎn)之一。另一方面，賤金屬電極如銅等材料，在高溫下甚至常溫下也比較容易出現(xiàn)氧化，為解決氧化問(wèn)題，本實(shí)用新型的發(fā)明人注意到，一種具有自組裝分子膜保護(hù)結(jié)構(gòu)的防氧化處理技術(shù)具有較好的抗氧化保護(hù)效果，因此，在本實(shí)用新型中，采用了自組裝分子膜保護(hù)作為處理氧化問(wèn)題的技術(shù)手段。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種低成本且可靠性高的具有電極結(jié)構(gòu)的厚膜電路板。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為包括有陶瓷基板，在陶瓷基板上制備有賤金屬電極，在賤金屬電極上設(shè)置保護(hù)層，在賤金屬電極和保護(hù)層上設(shè)置保護(hù)膜；還可以在賤金屬電極和保護(hù)層之間設(shè)置電阻體，所述電阻體的橫截面上具有至少一個(gè)切口。進(jìn)一步的，所述賤金屬電極的電極結(jié)構(gòu)的一部分由至少一種賤金屬材料構(gòu)成。進(jìn)一步的，所述賤金屬電極(b)是以厚膜絲印、光刻、真空濺射方式形成。進(jìn)一步的，所述保護(hù)膜是具有分子膜結(jié)構(gòu)的保護(hù)膜，主要由烷基硫醇一類(lèi)分子膜構(gòu)成。進(jìn)一步的，所述陶瓷基板的背面設(shè)置背電極或標(biāo)記。本實(shí)用新型中，采用了賤金屬電極結(jié)構(gòu)，即可以有效降低成本，同時(shí)，賤金屬還可以應(yīng)用于特殊場(chǎng)合，用以增加或強(qiáng)化厚膜電路的一些功能或可靠性。所述保護(hù)膜采用了一種由烷基硫醇等構(gòu)成自組裝分子膜結(jié)構(gòu)，自組裝分子膜具有不影響厚膜外觀(guān)和電氣性能等特點(diǎn)，主要用以解決賤金屬電極的氧化問(wèn)題和表面保護(hù)問(wèn)題。

圖I為本實(shí)用新型的具有電極結(jié)構(gòu)的厚膜電路板的示意圖。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
做進(jìn)一步說(shuō)明。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例I參見(jiàn)圖1，本實(shí)用新型的具有電極結(jié)構(gòu)的厚膜電路板，包括陶瓷基板1，在陶瓷基板I上制備有賤金屬電極2，在賤金屬電極2上設(shè)置保護(hù)層4，在賤金屬電極2和保護(hù)層4上設(shè)置保護(hù)膜5，由此構(gòu)成了本實(shí)用新型的主體特征。當(dāng)然，為追求不同的產(chǎn)品應(yīng)用，還可以在賤金屬電極2和保護(hù)層4之間設(shè)置電阻體3，所述電阻體3的橫截面上具有至少一個(gè)切口6。還可以在陶瓷基板I的背面設(shè)置背電極或標(biāo)記。其中，所述賤金屬電極2是以厚膜絲印、光刻、真空濺射方式形成。所述保護(hù)膜5是一種自組裝分子膜結(jié)構(gòu)，主要由烷基硫醇等構(gòu)成。所述賤金屬電極2由至少一種或以上賤金屬材料組成，或者，所述賤金屬電極2的電極結(jié)構(gòu)的一部分由至少一種賤金屬材料構(gòu)成。本實(shí)用新型中，采用了賤金屬電極結(jié)構(gòu)，既可以有效降低成本，同時(shí)，賤金屬還可以應(yīng)用于特殊場(chǎng)合，用以增加或強(qiáng)化厚膜電路的一些功能或可靠性。所述保護(hù)膜采用了一種由烷基硫醇等構(gòu)成自組裝分子膜結(jié)構(gòu)，自組裝分子膜為全透明厚度只有一個(gè)分子厚度，肉眼不可見(jiàn)等特點(diǎn)。該分子膜具有不影響厚膜外觀(guān)和電氣性能等優(yōu)點(diǎn)，主要用以解決賤金屬電極的氧化問(wèn)題和表面保護(hù)問(wèn)題。以上對(duì)本實(shí)用新型所提供的具有擾性結(jié)構(gòu)的具有電極結(jié)構(gòu)的厚膜電路板進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本實(shí)用新型的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
權(quán)利要求1.一種具有電極結(jié)構(gòu)的厚膜電路板，其特征在于包括有陶瓷基板，在陶瓷基板上制備有賤金屬電極，在賤金屬電極上設(shè)置保護(hù)層，在賤金屬電極和保護(hù)層上設(shè)置保護(hù)膜；還可以在賤金屬電極和保護(hù)層之間設(shè)置電阻體，所述電阻體的橫截面上具有至少一個(gè)切口。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有電極結(jié)構(gòu)的厚膜電路板，其特征在于所述賤金屬電極的電極結(jié)構(gòu)的一部分由至少一種賤金屬材料構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有電極結(jié)構(gòu)的厚膜電路板，其特征在于所述賤金屬電極是以厚膜絲印、光刻、真空濺射方式形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有電極結(jié)構(gòu)的厚膜電路板，其特征在于所述保護(hù)膜是具有分子膜結(jié)構(gòu)的保護(hù)膜，主要由烷基硫醇一類(lèi)分子膜構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有電極結(jié)構(gòu)的厚膜電路板，其特征在于所述陶瓷基板的背面設(shè)置背電極或標(biāo)記。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種具有電極結(jié)構(gòu)的厚膜電路板，包括有陶瓷基板，在陶瓷基板上制備有賤金屬電極，在賤金屬電極上設(shè)置保護(hù)層，在賤金屬電極和保護(hù)層上設(shè)置保護(hù)膜；還可以在賤金屬電極和保護(hù)層之間設(shè)置電阻體，所述電阻體的橫截面上具有至少一個(gè)切口。采用了賤金屬電極結(jié)構(gòu)，即可以有效降低成本，同時(shí)，賤金屬還可以應(yīng)用于特殊場(chǎng)合，用以增加或強(qiáng)化厚膜電路的一些功能或可靠性。
文檔編號(hào)H01L27/01GK202758889SQ20122002911
公開(kāi)日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月18日
發(fā)明者白云峰 申請(qǐng)人:東莞市簡(jiǎn)創(chuàng)電子科技有限公司