專利名稱：鍍膜基板及鍍膜設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及便于基板邊緣識別的鍍膜基板及鍍膜設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著社會進(jìn)步及科技發(fā)展，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD)已經(jīng)成為當(dāng)今時(shí)代顯示領(lǐng)域的主流產(chǎn)品，在エ業(yè)生產(chǎn)、日常生活中起到了至關(guān)重要的作用，越來越受到人們的
青睞。 現(xiàn)有的TFT-IXD生產(chǎn)エ藝中，有各種光學(xué)邊緣檢測設(shè)備或探測器來探測TFT玻璃基板(Glass)邊緣，在產(chǎn)線中這些設(shè)備或探測器都是固定的，但玻璃基板邊緣的物理?xiàng)l件隨著附著在其上面的膜層(Film)的變化而變化，進(jìn)而可能導(dǎo)致個(gè)別邊緣探測系統(tǒng)在特定情形下失效，也就是無法識別膜層邊緣(Film Edge)和玻璃基板邊緣(Glass Edge)。光學(xué)邊緣探測識別往往都是基于光亮度梯度的變化來判斷是否有邊緣存在(參考中國專利02152223. 5)。對于特定的光學(xué)邊緣探測設(shè)備，總有自己對應(yīng)的邊緣識別算法，無論何種算法都有自己的適用范圍，在其適用范圍之外的個(gè)別特殊邊緣就有可能被誤識別。例如陣列基板的打標(biāo)機(jī)(TNT185F Toray Engineering Co. Ltd. Japan)在識別玻璃基板上鍍的32寸柵極(Gate)膜時(shí)就出現(xiàn)玻璃基板邊緣識別錯(cuò)誤的現(xiàn)象。其原因就是鍍膜設(shè)備上夾板2的邊緣為直角結(jié)構(gòu)，上夾板2夾緊玻璃基板4鍍膜后，由于靶材材料向上夾板2和玻璃基板4之間間隙的擴(kuò)散，膜層5的邊緣會形成斜坡形結(jié)構(gòu)(如圖I、圖2所示)，通常膜層邊緣6斜坡的傾角a在60度至80度之間，與基板邊緣9的90度直角接近。進(jìn)行邊緣探測時(shí)探測到的鍍膜基板邊緣的灰度變化如圖2所示，膜層邊緣6處的亮度梯度與基板邊緣9處的亮度梯度接近(即圖2中II的灰度變化率接近于I的灰度變化率)，打標(biāo)機(jī)有可能根據(jù)膜層邊緣6處的灰度變化，將膜層邊緣6識別為基板邊緣。在光學(xué)邊緣探測設(shè)備一定，同時(shí)物體邊緣條件在一定范圍內(nèi)可變(膜層邊緣條件無特殊要求，例如其坡度可以調(diào)整)的前提下，我們可以換種思路，嘗試從エ藝上改變物體邊緣條件，來適應(yīng)光學(xué)邊緣探測器，使其邊緣識別達(dá)到最佳。

實(shí)用新型內(nèi)容(一 )要解決的技術(shù)問題本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是改變玻璃基板上膜層的邊緣條件，提高其與玻璃基板邊緣的光亮度梯度差異，提高玻璃基板邊緣識別率。( ニ )技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種鍍膜基板，在基板上覆蓋有膜層，膜層的邊緣截面呈斜坡形，斜坡的長度大于800 u m。優(yōu)選地，所述斜坡的長度大于等于1400 ilm。[0012]本實(shí)用新型還提供了ー種制作上述鍍膜基板的鍍膜設(shè)備，該鍍膜設(shè)備包括靶材和基板夾具，所述基板夾具位于靶材的下方，所述基板夾具包括上夾板和下托板，所述上夾板和下托板之間有壓カ調(diào)節(jié)裝置，用于調(diào)節(jié)上夾板和下托板夾緊基板的壓力。 其中，壓カ調(diào)節(jié)裝置為安裝在上夾板和下托板之間的壓縮彈簧。其中，上夾板中央開ロ的邊緣截面為向外突出的弧形。其中，上夾板中央開ロ的邊緣截面為向內(nèi)側(cè)傾斜的斜面。(三)有益效果上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型鍍膜設(shè)備制作的鍍膜基板降低了膜層邊緣的厚度梯度，使透過膜層邊緣的光亮度梯度發(fā)生顯著變化，區(qū)別于基板邊緣透過的光亮度梯度，進(jìn)而提聞了基板邊緣識別率。

圖I是現(xiàn)有技術(shù)中鍍膜裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)鍍膜基板邊緣探測時(shí)的灰度圖；圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一中鍍膜裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例一中鍍膜基板邊緣探測時(shí)的灰度圖；圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例ニ中鍍膜裝置上夾板邊緣結(jié)構(gòu)示意圖。其中，I :靶材；2 :上夾板；3 :下托板；4 :玻璃基板；5 :膜層；6 :膜層邊緣；7 :壓カ調(diào)節(jié)裝置；8 :上夾板邊緣；9 :基板邊緣。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)ー步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。實(shí)施例一本實(shí)施例中的鍍膜設(shè)備如圖3所示。靶材I的下方裝有基板夾具，玻璃基板4夾在基板夾具的上夾板2和下托板3之間。上夾板邊緣8截面為橢圓弧形。上夾板2和下托板3之間設(shè)有壓カ調(diào)節(jié)裝置7，該壓カ調(diào)節(jié)裝置由弾性材料制成，例如可采用壓縮彈簧，用于控制上夾板2和下托板3夾緊基板的壓カ。采用上述實(shí)施例中的鍍膜設(shè)備對玻璃基板4進(jìn)行鍍膜時(shí)，靶材I濺射出來的靶材原子/分子附著在玻璃基板4上，形成膜層5，膜層5的厚度通常小于0. 4 y m。雖然上夾板2緊壓玻璃基板4 (為更加清楚的表示上夾板與玻璃基板和膜層的結(jié)構(gòu)關(guān)系，放大了圖I、圖
3、圖5中的上夾板與玻璃基板的距離。實(shí)際中上夾板是將玻璃基板緊壓在下托板上的)，依然會有靶材原子/分子從其接觸位置的縫隙滲入上夾板2和玻璃基板4的接觸區(qū)域，使膜層5的邊緣呈現(xiàn)斜坡形。對壓カ調(diào)節(jié)裝置7進(jìn)行調(diào)整，減小上夾板2與玻璃基板4之間的壓力，會増大靶材原子/分子滲入的程度，延長膜層邊緣6的斜坡，使斜坡的坡度減小。隨著斜坡坡度的減小，進(jìn)行邊緣探測時(shí)，膜層邊緣6的亮度梯度也隨之減小，從而増大了膜層邊緣6和基板邊緣9的亮度梯度的差距，使基板邊緣9識別的準(zhǔn)確性更高。如圖4中所示，采用本實(shí)用新型所鍍膜層邊緣6斜坡長度可以達(dá)到800 u m以上，此時(shí)即可明顯降低膜層邊緣的厚度梯度，使透過膜層邊緣的光亮度梯度發(fā)生顯著變化。進(jìn)ー步地，在膜層邊緣6斜坡長度達(dá)到MOOym及以上吋，斜坡的傾角P小于0.016度，相比現(xiàn)有技術(shù)遠(yuǎn)小于基板邊緣9的90度直角；進(jìn)行邊緣探測時(shí)膜層邊緣6的亮度梯度相比圖2中所示現(xiàn)有技術(shù)中膜層邊緣6的亮度梯度有顯著的減小，明顯區(qū)別于基板邊緣9的亮度梯度(即圖4中II的灰度變化率遠(yuǎn)小于 I的灰度變化率)。壓カ調(diào)節(jié)裝置7結(jié)構(gòu)簡単，并且可以很好的適應(yīng)不同厚度的玻璃基板鍍膜，提供ー個(gè)一定范圍內(nèi)可調(diào)的壓カ環(huán)境，便于靶材原子/分子的滲入。除此之外，還可采用其他方式的壓カ調(diào)節(jié)裝置，例如在上夾板和下托板之間加裝精密絲杠，轉(zhuǎn)動絲杠以調(diào)節(jié)上夾板與玻璃基板之間的壓力。此外，在圖3所示的鍍膜設(shè)備中，由于上夾板邊緣8是橢圓弧形結(jié)構(gòu)，降低了上夾板邊緣8與玻璃基板的接觸密度，使靶材原子/分子更容易滲入上夾板2和玻璃基板4的接觸區(qū)域，有利于延長膜層邊緣6的斜坡，進(jìn)ー步減小邊緣探測時(shí)，膜層邊緣6的亮度梯度。實(shí)施例ニ如圖5所示，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，上夾板邊緣8還可以為向內(nèi)側(cè)傾斜的斜面，同樣可以降低上夾板邊緣8與玻璃基板的接觸密度，使靶材原子/分子更容易滲入上夾板2和玻璃基板4的接觸區(qū)域，以達(dá)到本實(shí)用新型的技術(shù)效果。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供ー種由上述鍍膜設(shè)備制得的鍍膜基板，包括基板及覆蓋在基板上的膜層；其中，膜層的邊緣截面呈斜坡形，斜坡的長度大于SOOil m。優(yōu)選地，所述斜坡的長度可以大于等于1400 Pm。上述鍍膜基板的鍍膜傾角明顯變小，這樣在進(jìn)行邊緣探測時(shí)膜層邊緣的亮度梯度相比圖2中所示現(xiàn)有技術(shù)中膜層邊緣的亮度梯度有顯著的減小，明顯區(qū)別于基板邊緣的亮度梯度，從而提聞基板邊緣的識別率。在上述實(shí)施例中，鍍膜基板所采用的基板都是以玻璃基板4為例；在實(shí)際應(yīng)用中，上述方案不止適用于對基于玻璃基板的鍍膜基板進(jìn)行鍍膜邊緣探測，而且還可以適用于所有采用可透光基板的鍍膜基板。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種鍍膜基板，在基板上覆蓋有膜層，其特征在于，所述膜層的邊緣截面呈斜坡形，斜坡的長度大于800 V- m。
2.如權(quán)利要求I所述的鍍膜基板，其特征在于，所述斜坡的長度大于等于1400Pm。
3.制作如權(quán)利要求I或2所述鍍膜基板的鍍膜設(shè)備，包括靶材和基板夾具，所述基板夾具位于靶材的下方，所述基板夾具包括上夾板和下托板，其特征在于，所述上夾板和下托板之間有壓カ調(diào)節(jié)裝置，用于調(diào)節(jié)上夾板和下托板夾緊基板的壓力。
4.如權(quán)利要求3所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述壓カ調(diào)節(jié)裝置為安裝在上夾板和下托板之間的壓縮彈簧。
5.如權(quán)利要求3所述的鍍膜設(shè)備，其特征在干，所述上夾板中央開ロ的邊緣截面為向 外突出的弧形。
6.如權(quán)利要求3所述的鍍膜設(shè)備，其特征在干，所述上夾板中央開ロ的邊緣截面為向內(nèi)側(cè)傾斜的斜面。
專利摘要本實(shí)用新型屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及便于基板邊緣識別的鍍膜基板及鍍膜設(shè)備。本實(shí)用新型鍍膜設(shè)備包括靶材和基板夾具位于靶材的下方，基板夾具包括上夾板和下托板；上夾板和下托板之間有壓力調(diào)節(jié)裝置，用于調(diào)節(jié)上夾板和下托板夾緊基板的壓力。通過調(diào)節(jié)上夾板與基板之間的壓力，使所鍍膜層邊緣截面呈斜坡形，斜坡的長度大于800μm。降低了膜層邊緣的厚度梯度，使透過膜層邊緣的光亮度梯度發(fā)生顯著變化，區(qū)別于基板邊緣透過的光亮度梯度，進(jìn)而提高了基板邊緣識別率。
文檔編號H01L21/67GK202423273SQ20122004059
公開日2012年9月5日 申請日期2012年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月8日
發(fā)明者張尚明 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司