專利名稱：多芯片集成大功率led模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種LED模組，尤其是一種多芯片集成大功率LED模組。
背景技術(shù)：
LED (Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)是一種新型光源,和傳統(tǒng)光源相比它具有長(zhǎng)壽、節(jié)能、低電壓、體積小、無(wú)污染的優(yōu)點(diǎn)。如圖I及圖2所示，現(xiàn)有的多芯片集成大功率LED模組100’包括具有圍壩21’的底座20’、固定于圍壩21’內(nèi)并與底座20’內(nèi)電路板焊接的若干LED芯片30’、連接LED芯片30’及電路板的導(dǎo)線40’以及硅膠層50’。該硅膠層50’將LED芯片30’和導(dǎo)線40’包裹在內(nèi)部。由于LED芯片30’被包裹在硅膠層50’內(nèi)部，LED芯片30’發(fā)射的光線透過(guò) 硅膠入射空氣時(shí)，入射角度大，反射率高，從而導(dǎo)致光源的光效低。故，需要一種新的技術(shù)方案以解決上述問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種能夠提高光效的多芯片集成大功率LED模組。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型多芯片集成大功率LED模組可采用如下技術(shù)方案一種多芯片集成大功率LED模組，包括底座、連接于底座上的若干LED芯片以及包裹所述LED芯片的硅膠層，還包括與LED芯片對(duì)應(yīng)設(shè)置的若干透鏡，所述透鏡頂端位于硅膠層之外。與背景技術(shù)相比，本實(shí)用新型多芯片集成大功率LED模組由于將所述透鏡位于硅膠層之外，所述LED芯片發(fā)出的光線能夠垂直入射透鏡表面進(jìn)入空氣，透光率大幅提高。

圖I為現(xiàn)有技術(shù)的多芯片集成大功率LED模組的側(cè)視剖面示意圖。圖2為現(xiàn)有技術(shù)的多芯片集成大功率LED模組的俯視示意圖。圖3為本實(shí)用新型的多芯片集成大功率LED模組的側(cè)視剖面示意圖。圖4為本實(shí)用新型的多芯片集成大功率LED模組的俯視示意圖。圖5為本實(shí)用新型的多芯片集成大功率LED模組中底座的側(cè)視剖面示意圖。圖6為本實(shí)用新型的多芯片集成大功率LED模組中透鏡模組的側(cè)視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本實(shí)用新型，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍，在閱讀了本實(shí)用新型之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。請(qǐng)參閱圖3至圖6所示，本實(shí)用新型一種多芯片集成大功率LED模組100，包括底座20、連接于底座20上的若干LED芯片30、包裹所述LED芯片30的硅膠層40以及透鏡模塊50。所述透鏡模塊50包括底板51及自底板51向上凸起的所述若干透鏡52。所述底座20設(shè)有圍壩21，所述LED芯片30及透鏡52設(shè)于圍壩21的圍繞范圍內(nèi)。透鏡模塊50的外部輪廓和圍壩21相匹配，且所述底板51稍微嵌入圍壩21內(nèi)部，但又能懸于LED芯片30上方。所述透鏡52與LED芯片30 對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述透鏡52頂端位于娃膠層40之外,所述底板51被所述硅膠層40覆蓋。在本實(shí)施方式中，所述透鏡52均為半球形透鏡，所述LED芯片30設(shè)置于透鏡52的球心的投影上。在本實(shí)施方式中，所述透鏡的材料可以為玻璃、硅膠或PC塑料等。 由于所述透鏡52位于硅膠層40之外，所述LED芯片30發(fā)出的光線能夠垂直入射透鏡表面進(jìn)入空氣，透光率大幅提高，尤其是所述LED芯片30設(shè)置于透鏡52的球心的投影上更能夠達(dá)到這種效果。經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，能夠使LED光源光效提高10%左右。
權(quán)利要求1.一種多芯片集成大功率LED模組，包括底座、連接于底座上的若干LED芯片以及包裹所述LED芯片的硅膠層，其特征在于還包括與LED芯片對(duì)應(yīng)設(shè)置的若干透鏡，所述透鏡頂端位于娃膠層之外。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多芯片集成大功率LED模組，其特征在于還包括一個(gè)透鏡模塊，該透鏡模塊包括底板及自底板向上凸起的所述若干透鏡，所述底板被所述硅膠層覆至Jhl o
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的多芯片集成大功率LED模組，其特征在于所述底座上設(shè)有圍壩，所述LED芯片及透鏡設(shè)于圍壩的圍繞范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多芯片集成大功率LED模組，其特征在于所述透鏡為半球形透鏡，所述LED芯片設(shè)置于透鏡的球心的投影上。
專利摘要一種多芯片集成大功率LED模組，包括底座、連接于底座上的若干LED芯片以及包裹所述LED芯片的硅膠層，還包括與LED芯片對(duì)應(yīng)設(shè)置的若干透鏡，所述透鏡頂端位于硅膠層之外，所述LED芯片發(fā)出的光線能夠垂直入射透鏡表面進(jìn)入空氣，透光率大幅提高。
文檔編號(hào)H01L33/58GK202495476SQ20122009274
公開(kāi)日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月13日
發(fā)明者洪從勝 申請(qǐng)人:江蘇奧雷光電有限公司