專利名稱：一種覆晶薄膜芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種具有高散熱效率的覆晶薄膜芯片封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展對芯片的功能，尺寸有著越來越高的要求。而要求芯片越多功能和高密度設(shè)計的情況下，芯片的發(fā)熱量也必然相應(yīng)的增加。而現(xiàn)有的技術(shù)主要是采用在芯片上設(shè)置虛擬芯片，并在虛擬芯片上增加散熱單元，芯片工作時所產(chǎn)生的熱量，通過虛擬芯片以及散熱單元傳遞至外界，實現(xiàn)散熱的目的；也有采用在芯片的表面形成整合型散熱單元，實現(xiàn)散熱。上述現(xiàn)有技術(shù)的散熱基本上都是 采用設(shè)置散熱材質(zhì)來達到散熱效果，但這不僅給芯片封裝整體造成質(zhì)量增加的缺點，而且在使用軟性電路板的場合，增加的重量還會造成軟性電路板結(jié)構(gòu)上的負擔(dān)。此外，以增加材料的方式散熱，存在不利于芯片微型化和工業(yè)化生產(chǎn)，提升制造成本等缺點。因此，現(xiàn)有技術(shù)有待于改善和提高。

實用新型內(nèi)容為克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本實用新型的目的是提供不增加成本的前提下具有高散熱效率的通過覆晶薄膜封裝工藝制作而成的封裝結(jié)構(gòu)。本實用新型是通過以下技術(shù)手段來實現(xiàn)上述目的的一種覆晶薄膜芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片和由絕緣層，凸塊、導(dǎo)線層和樹脂層形成的襯底，所述的芯片設(shè)置于襯底上，芯片的下表面電接觸襯底，芯片的上表面中部設(shè)置有鋸齒形散熱結(jié)構(gòu)。本實用新型的有益效果是由于采用上述結(jié)構(gòu)，即將芯片配置與襯底上，在芯片的上表面設(shè)置鋸齒形散熱機構(gòu)，增加與外界空氣的接觸面積，從而使得芯片在工作時產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至外界空氣中，實現(xiàn)高效散熱。

附圖I為本實用新型一種覆晶薄膜芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖中各標(biāo)號分別是(I)芯片，(2)絕緣層，(3)凸塊，(4)導(dǎo)線層，(5)樹脂層，(6)鋸齒形散熱結(jié)構(gòu)。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進一步的詳細說明參看圖1，本實用新型一種覆晶薄膜芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片I和由絕緣層2，凸塊3、導(dǎo)線層4和樹脂層5形成的襯底，所述的芯片I設(shè)置于襯底上，芯片I的下表面電接觸襯底，芯片I的上表面中部設(shè)置有鋸齒形散熱結(jié)構(gòu)6。本實用新型所例舉的實施例并非對自己的限定，凡是未脫離本實用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任 何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型的技術(shù)方案范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種覆晶薄膜芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片和由絕緣層，凸塊、導(dǎo)線層和樹脂層形成的襯底，其特征是所述的芯片設(shè)置于襯底上，芯片的下表面電接觸襯底，芯片的上表面中部設(shè)置有鋸齒形散熱結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實用新型公開了一種覆晶薄膜芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片和由絕緣層，凸塊、導(dǎo)線層和樹脂層形成的襯底，所述的芯片設(shè)置于襯底上，芯片的下表面電接觸襯底，芯片的上表面中部設(shè)置有鋸齒形散熱結(jié)構(gòu)。由于采用上述結(jié)構(gòu)，即將芯片配置與襯底上，在芯片的上表面設(shè)置鋸齒形散熱機構(gòu)，增加與外界空氣的接觸面積，從而使得芯片在工作時產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至外界空氣中，實現(xiàn)高效散熱。
文檔編號H01L23/367GK202513138SQ20122011269
公開日2012年10月31日 申請日期2012年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月15日
發(fā)明者祁麗芬 申請人:祁麗芬