專利名稱：薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及顯示技術領域，特別涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置。
背景技術：
現(xiàn)有的薄膜晶體管TFT如圖I和2所示，包括在基板上由下至上依次層疊的柵極100、柵絕緣層200、有源層300及源/漏極400，源極和漏極之間形成有溝道，TFT的柵極100與陣列基板上的柵線500連接，TFT的源極與陣列基板上的數(shù)據(jù)線600連接。如圖2所示，現(xiàn)有的TFT的柵極100位于溝道底部，只從底部影響溝道，TFT導通后只形成一個漏電流溝道。因此，現(xiàn)有的TFT的開啟電流Ion較低，開口率低，且開啟電壓和負載較高
實用新型內容
(一 )要解決的技術問題本實用新型要解決的技術問題是如何提升薄膜晶體管的開啟電流。( 二 )技術方案為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種薄膜晶體管，包括依次層疊的柵極、柵絕緣層、有源層及源/漏極，源極和漏極之間形成有溝道，所述柵極具有至少一個柵極突出部，所述至少一個柵極突出部位于所述溝道兩側的開口的一側，且不與有源層及源/漏極接觸，所述柵絕緣層覆蓋所述柵極和至少一個柵極突出部。其中，所述柵極具有兩個柵極突出部第一柵極突出部和第二柵極突出部，所述第一柵極突出部位于所述溝道兩側的開口的一側，所述第二柵極突出部位于所述溝道兩側的開口的另一側，且所述第一柵極突出部和第二柵極突出部均不與有源層及源/漏極接觸，所述柵絕緣層覆蓋所述柵極和兩個柵極突出部。其中，所述柵極突出部的長度大于或等于所述溝道的長度。其中，所述柵極突出部的高度大于或等于所述柵絕緣層、有源層及源/漏極的厚度之和。本實用新型還提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括上述的薄膜晶體管。本實用新型還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。(三)有益效果本實用新型的薄膜晶體管TFT中，柵絕緣層和柵極向溝道方向延伸包裹溝道兩側的開口(或其中一側)，相當于形成多個漏電流溝道，因此，提高了 TFT的開啟電流Ion。

圖I是現(xiàn)有技術的一種薄膜晶體管結構示意圖；圖2是沿圖I中A-A向的剖視圖；圖3是本實用新型實施例I的一種薄膜晶體管結構示意圖；圖4是沿圖3中A-A向的剖視圖；[0018]圖5是本實用新型實施例2的一種薄膜晶體管結構示意圖；圖6是沿圖5中A-A向的剖視圖。
具體實施方式
以下結合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。實施例I如圖3和圖4所示，本實施例的薄膜晶體管包括包括在基板上由下至上依次層疊的柵極100、柵絕緣層200、有源層300及源/漏極400，源極和漏極之間形成有溝道，TFT的柵極100與陣列基板上的柵線500連接，TFT的源極與陣列基板上的數(shù)據(jù)線600連接。柵極100具有一個向上的柵極突出部101。柵極突出部101位于溝道的兩側開口(溝道沿A-A向 的兩個開口)的一側，且柵極突出部101不與有源層300和源/漏極400接觸。柵絕緣層200覆蓋整個柵極100和柵極突出部101，如圖4所示，由于柵極突出部101的存在，柵絕緣層200也形成了一個絕緣突出部201，絕緣突出部201介于柵極突出部101與有源層300及源/漏極400之間，隔離了柵極100和有源層300及源/漏極400，并覆蓋柵極突出部101。其中，柵極100和柵極突出部101分兩次沉積等工藝制作，先做柵極100再在柵極100上制作柵極突出部101，這兩者可以采用同種金屬材料也可以采用不同的金屬材料。制作完柵極突出部101再制作柵絕緣層200、有源層300及源/漏極400。由圖4可看出，柵極100從溝道的底部和一側包裹溝道，從兩個方向對溝道產(chǎn)生影響，相當于形成了兩個漏電流溝道，從而提高了 TFT的開啟電流Ion。在TFT大小相同的情況下，本實施例的TFT的Ion更大。而面板開啟所需要的Ion是一致的，也就是說在本實施例的TFT可以做的更小，由此減小了部分面板上的電容。在相同功耗的前提下，電容減低，可以適當提高柵線的電阻，保持功耗一致，也就是總的電容電阻衰減一致。提高電阻是通過減寬柵線的方式，柵線變窄，開口率提升。而且TFT的縮小本身也可以在某些形態(tài)的象素結構下提升開口率，比如橫向TFT，或大尺寸產(chǎn)品的象素結構。同時，TFT減小了以后，柵極與源極之間的電容也隨之減小，電容減小，其他對應的電路結構也可適當改變，提升開口率。由于TFT溝道在兩個方向被包圍，載流子活性在相同電壓下也會更高。需要的開啟電壓也更低?？梢越鉀Q低溫開啟不良等問題。優(yōu)選地，如圖3所示，柵極突出部101的長度L等于或大于溝道的長度L'。如圖4所示，柵極突出部101的高度H大于或等于柵絕緣層200、有源層300及源/漏極400的厚度之和，以將溝道一側的開口完全包圍，從而進一步地提高TFT的開啟電流Ion。實施例2如圖5和圖6所示，本實施例的薄膜晶體管包括包括在基板上由下至上依次層疊的柵極100、柵絕緣層200、有源層300及源/漏極400，源極和漏極之間形成有溝道，TFT的柵極100與陣列基板上的柵線500連接，TFT的源極與陣列基板上的數(shù)據(jù)線600連接。柵極100具有兩個向上的柵極突出部IOla和101b。柵極突出部IOla位于溝道兩側的開口的一側，柵極突出部IOlb位于溝道兩側的開口的另一側，且柵極突出部IOla和柵極突出部IOlb均不與有源層300及源/漏極400接觸。柵絕緣層200覆蓋整個柵極100和柵極突出部IOla和101b。如圖6所示，由于柵極突出部IOla和IOlb的存在，柵絕緣層200也形成了兩個絕緣突出部201a和201b，絕緣突出部201a介于柵極突出部IOla與有源層300及源/漏極400之間，并覆蓋柵極突出部101a。絕緣突出部201b介于柵極突出部IOlb與有源層300及源/漏極400之間，并覆蓋柵極突出部101b。絕緣突出部201a和201b隔離了柵極100和有源層300及源/漏極400。由圖6可看出，柵極100、柵極突出部IOla和柵極突出部IOlb從三個方向包圍了溝道。即從溝道的底部和兩側包裹溝道，從三個方向對溝道產(chǎn)生影響，相當于形成了三個漏電流溝道，從而提高了 TFT的開啟電流Ion。在TFT大小相同的情況下，本實施例的TFT的Ion更大。而面板開啟所需要的Ion是一致的，也就是說在本實施例的TFT可以做的更小，與現(xiàn)有的TFT相比，TFT更小，TFT的寬長比降低，TFT負載降低，可以進一步縮小柵極線寬，從而提升開口率。同時，TFT減小了以后，柵極與源極之間的電容也隨之減小，電容減小，其他對應的電路結構也可適當改變，提升開口率。由于TFT溝道在三個方向被包圍，載流子活性在相同電壓下也會更高。需要的開啟電壓也更低?？梢越鉀Q低溫開啟不良等問題。優(yōu)選地，如圖5所示，柵極突出部IOla和IOlb的長度L等于或大于溝道的長度L'。如圖6所示，柵極突出部IOla和IOlb的高度H大于或等于柵絕緣層200、有源層300及源/漏極400的厚度之和，以將溝道一側的開口完全包圍，從而進一步地提高TFT的開啟電流Ion。由于本實施例相對與實施例I對溝道的包圍從兩面增加到三面，因此相對于實施例I在提高TFT的開啟電流Ion等效果上會更好。上述實施例I和2是以底柵型的TFT為例進行說明的，對于頂柵型的TFT，柵極在頂部，因此柵極突出部向下延伸包圍源/漏極之間形成的溝道或位于溝道兩側的開口的一偵牝柵極突出部的結構與實施例I及實施例2中柵極突出部的結構類似，此處不再贅述。實施例3本實施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板中的TFT為實施例I或實施例2所述的TFT。實施例4本實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置中的陣列基板為實施例3所述的陣列基板。以上實施方式僅用于說明本實用新型，而并非對本實用新型的限制，有關技術領域的普通技術人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術方案也屬于本實用新型的范疇，本實用新型的專利保護范圍應由權利要求限定。
權利要求1.一種薄膜晶體管，包括依次層疊的柵極、柵絕緣層、有源層及源/漏極，源極和漏極之間形成有溝道，其特征在于，所述柵極具有至少一個柵極突出部，所述至少一個柵極突出部位于所述溝道兩側的開口的一側，且不與有源層及源/漏極接觸；所述柵絕緣層覆蓋所述柵極和所述至少一個柵極突出部。
2.如權利要求I所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極具有兩個柵極突出部第一柵極突出部和第二柵極突出部，所述第一柵極突出部位于所述溝道兩側的開口的一側，所述第二柵極突出部位于所述溝道兩側的開口的另一側，且所述第一柵極突出部和第二柵極突出部均不與有源層及源/漏極接觸，所述柵絕緣層覆蓋所述柵極和兩個柵極突出部。
3.如權利要求I或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極突出部的長度大于或等于所述溝道的長度。
4.如權利要求I或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極突出部的高度大于或等于所述柵絕緣層、有源層及源/漏極的厚度之和?！?br> 5.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括如權利要求I 4中任一項所述的薄膜晶體管。
6.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求5所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型公開了一種薄膜晶體管，涉及顯示技術領域，包括依次層疊的柵極、柵絕緣層、有源層及源/漏極，源極和漏極之間形成有溝道，所述柵極具有至少一個柵極突出部，所述至少一個柵極突出部位于所述溝道兩側的開口的一側，且不與有源層及源/漏極接觸；所述柵絕緣層覆蓋所述柵極和所述至少一個柵極突出部。還公開了一種包括上述薄膜晶體管的陣列基板及包括所述陣列基板的顯示裝置。本實用新型的薄膜晶體管中，柵絕緣層和柵極向溝道方向延伸包裹溝道兩側的開口(或其中一側)，因此，提高了TFT的開啟電流Ion，降低了開啟電壓和負載，提升了開口率。
文檔編號H01L29/786GK202487578SQ20122012096
公開日2012年10月10日 申請日期2012年3月27日 優(yōu)先權日2012年3月27日
發(fā)明者馬禹 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司