專利名稱：一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子元器件用觸點(diǎn)領(lǐng)域，特別是涉及一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn)。
背景技術(shù)：
觸點(diǎn)是各種電子元器件中常用的元件，它體積雖小，但對(duì)其性能的要求很高，復(fù)合觸點(diǎn)應(yīng)用范圍廣泛且常常用到貴金屬材料，一般采用手工鉚接和自動(dòng)鉚接。目前市場(chǎng)上是用純銀的復(fù)合觸點(diǎn)，但純銀強(qiáng)度低、硬度低、抗熔焊性及耐電弧燒損性能低，且用量大、價(jià)格昂貴，生產(chǎn)成本高，只能應(yīng)用在無線電、通訊用微型開關(guān)及小電流電器等領(lǐng)域
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn)，采用了純銅和銀氧化鋅復(fù)合成型，生產(chǎn)成本低，環(huán)保無毒，具有抗熔焊、耐電磨損性好，燃弧時(shí)間短，分?jǐn)嘈阅芨?、抗大電流沖擊能力和抗電弧侵蝕能力強(qiáng)。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn)，包括銀化合物復(fù)合層和純銅基體，所述的純銅基體由錐臺(tái)狀頭部和圓柱狀腳部組成，所述的錐臺(tái)狀頭部的厚度大于圓柱狀腳部的厚度，銀化合物復(fù)合層復(fù)合于純銅基體的錐臺(tái)狀頭部一端并與錐臺(tái)狀頭部形成金字塔形錐體。所述的頭部復(fù)合層的厚度為0. 2mm 0. 6mm。所述的復(fù)合層化合物是由銀氧化鋅(AgZnO)制成。銀氧化鋅(AgZnO)環(huán)保無毒，具有抗熔焊、耐電磨損性好，燃弧時(shí)間短，分?jǐn)嘈阅芨?、抗大電流沖擊能力強(qiáng)的特點(diǎn)。與銀氧化鎘(AgCdO)觸頭材料相比具有更好的抗熔焊性，在3000 5000A的分?jǐn)嚯娏鳁l件下，具有更理想的抗電弧侵蝕能力。有益.效果本實(shí)用新型涉及提供一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn)，采用了純銅和銀氧化鋅材料復(fù)合成型，生產(chǎn)成本低，環(huán)保無毒，具有抗熔焊、耐電磨損性好，燃弧時(shí)間短，分?jǐn)嘈阅芨?、抗大電流沖擊能力和抗電弧侵蝕能力強(qiáng)，主要應(yīng)用于額定電流在200A以內(nèi)的中小容量低壓斷路器。

圖I是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本實(shí)用新型講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書所限定的范圍。如圖I所示，本實(shí)用新型的實(shí)施方式涉及一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn)，包括銀化合物復(fù)合層I和純銅基體2，所述的純銅基體2由錐臺(tái)狀頭部和圓柱狀腳部組成，所述的錐臺(tái)狀頭部的厚度大于圓柱狀腳部的厚度，銀化合物復(fù)合層I復(fù)合于純銅基體2的錐臺(tái)狀頭部一端并與錐臺(tái)狀頭部形成金字塔形錐體，所述的復(fù)合層化合物是由銀氧化鋅(AgZnO)制成,所述的頭部復(fù)合層的厚度為0. 2mm 0. 6mm。本實(shí)用新型主要的加工工藝是復(fù)合冷鐓，銀氧化鋅(AgZnO)和純銅兩種材料的絲材在冷鐓機(jī)沖擊力下，兩種金屬形成徑向塑性變形形成鐓形狀。
權(quán)利要求1.ー種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn)，包括銀化合物復(fù)合層(I)和純銅基體(2)，其特征在干所述的純銅基體(2)由錐臺(tái)狀頭部和圓柱狀腳部組成，所述的錐臺(tái)狀頭部的厚度大于圓柱狀腳部的厚度，銀化合物復(fù)合層(I)復(fù)合于純銅基體(2)的錐臺(tái)狀頭部一端并與錐臺(tái)狀頭部形成金字塔形錐體。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn)，其特征在于，所述的頭部復(fù)合層的厚度為0. 2mm 0. 6mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn)，其特征在于，所述的復(fù)合層化合物是由銀氧化鋅制成。
專利摘要本實(shí)用新型及一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點(diǎn)，包括銀化合物復(fù)合層(1)和純銅基體(2)，所述的純銅基體(2)由錐臺(tái)狀頭部和圓柱狀腳部組成，所述的錐臺(tái)狀頭部的厚度大于圓柱狀腳部的厚度，銀化合物復(fù)合層(1)復(fù)合于純銅基體(2)的錐臺(tái)狀頭部一端并與錐臺(tái)狀頭部形成金字塔形錐體。本實(shí)用新型采用銀氧化鋅和純銅復(fù)合成型，生產(chǎn)成本低，環(huán)保無毒，具有抗熔焊、耐電磨損性好，燃弧時(shí)間短，分?jǐn)嘈阅芨?、抗大電流沖擊能力和抗電弧侵蝕能力強(qiáng)，主要應(yīng)用于額定電流在200A以內(nèi)的中小容量低壓斷路器。
文檔編號(hào)H01H1/04GK202585144SQ20122014965
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月11日
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