專利名稱：復(fù)合底板的厚膜平面超大功率電阻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)合底板的厚膜平面超大功率電阻器。
背景技術(shù)：
目前，在市場(chǎng)上銷售的600W以上的厚膜超大功率電阻器，它對(duì)瓷基板上的介質(zhì)面積和散熱效果都有很高的要求，即電阻器的額定功率和瓷基板上的介質(zhì)面積成正比，同時(shí)為了安裝及散熱的目的，瓷基板還要和金屬底板進(jìn)行加錫焊接。由于瓷基板和金屬具有不同的熱膨脹系數(shù)，焊接過(guò)程會(huì)引起金屬底板嚴(yán)重的變形，底板面積越大，變形越嚴(yán)重。而粘合底板式的結(jié)構(gòu)存在本身的散熱效率局限性，因此它一般只適用于彡300W功率電阻器領(lǐng)域
實(shí)用新型內(nèi)容
·針對(duì)上述技術(shù)中存在的不足之處，本實(shí)用新型提供一種復(fù)合底板的厚膜平面超大功率電阻器，對(duì)瓷基板和金屬在焊接時(shí)因不同的熱膨脹系數(shù)產(chǎn)生的變形進(jìn)行了有效的補(bǔ)償，根本上保證了底板的散熱效果，可以適用于600W以上的厚膜超大功率電阻器。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種復(fù)合底板的厚膜平面超大功率電阻器，包括第一陶瓷片、銅片、第二陶瓷片、電極和電阻漿料層，所述銅片焊接固定在第一陶瓷片和第二陶瓷片之間，所述電極和電阻漿料層燒結(jié)在第一陶瓷片上，所述電極與電阻漿料層連接。其中，所述電阻器還包括引腳，所述引腳與電極焊接。其中，所述電阻器還包括內(nèi)殼體、外殼體和銅柱，所述第一陶瓷片、銅片、第二陶瓷片、電極和電阻漿料層置于所述內(nèi)殼體內(nèi)，所述內(nèi)殼體固定在外殼體內(nèi)，所述銅柱固定在外殼體上。其中，所述第一陶瓷片為厚膜平面瓷基板，其尺寸為長(zhǎng)50. 8mm X寬46. 4mmX厚I. 27mm ;所述第二陶瓷片為鍍鎳瓷基板，其尺寸為長(zhǎng)56. 05mmX寬50. 8mm X厚O. 635mm ;銅片11的尺寸為長(zhǎng)55. 9_ X寬50. 3_ X厚O. 8_。本實(shí)用新型的有益效果是與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的復(fù)合底板的厚膜平面超大功率電阻器，將銅片焊接固定在第一陶瓷片和第二陶瓷片之間，利用真空焊接形成三明治形狀，對(duì)瓷基板和金屬在焊接時(shí)因不同的熱膨脹系數(shù)產(chǎn)生的變形進(jìn)行了有效的補(bǔ)償，根本上保證了底板的散熱效果，可以適用于600W以上的厚膜超大功率電阻器。

圖I為本實(shí)用新型的復(fù)合底板的厚膜平面超大功率電阻器的結(jié)構(gòu)圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明如下10、第一陶瓷片 11、銅片[0012]12、第二陶瓷片13、電極14、電阻漿料層15、內(nèi)殼體16、外殼體17、銅柱18、引腳
具體實(shí)施方式
為了更清楚地表述本實(shí)用新型，
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地描述。請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型的復(fù)合底板的厚膜平面超大功率電阻器，包括第一陶瓷片10、銅片11、第二陶瓷片12、電極13和電阻漿料層14，銅片11焊接固定在第一陶瓷片10和第二陶瓷片12之間，電極13和電阻漿料層14燒結(jié)在第一陶瓷片10上，電極13與電阻漿料層14連接。相較于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本實(shí)用新型提供的復(fù)合底板的厚膜平面超大功率電阻器，將銅片焊接固定在第一陶瓷片和第二陶瓷片之間，利用真空焊接形成三明治形狀，對(duì)瓷基板和金屬在焊接時(shí)因不同的熱膨脹系數(shù)產(chǎn)生的變形進(jìn)行了有效的補(bǔ)償，根本上保證了底板的散熱效果，可以適用于600W以上的厚膜超大功率電阻器。在本實(shí)施例中，上述電阻器還包括引腳18，引腳18與電極13焊接?？梢岳斫獾氖牵捎陔娮枋莾啥穗娮釉骷?，電極13—般為兩個(gè)，分別通過(guò)引腳18引出，實(shí)現(xiàn)電阻器的功能。當(dāng)然，在優(yōu)選的實(shí)施例中，電極13可以為鈀銀電極，但是本實(shí)用新型并不局限于此，其他材料做成的引腳或者電極都屬于對(duì)本實(shí)用新型的簡(jiǎn)單變形或者變換，落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。在本實(shí)施例中，上述電阻器還包括內(nèi)殼體15、夕卜殼體16和銅柱17,第一陶瓷片10、銅片11、第二陶瓷片12、電極13和電阻漿料層14置于內(nèi)殼體15內(nèi)，內(nèi)殼體15固定在外殼體16內(nèi)，銅柱17固定在外殼體16上?？梢岳斫獾氖牵瑸榱嗽鰪?qiáng)絕緣效果，將組裝好的第一陶瓷片10、銅片11、第二陶瓷片12、電極13和電阻漿料層14封裝在硅膠層或者樹脂層中再固定在內(nèi)殼體內(nèi)，可以提高元器件的電子性能，但是本實(shí)用新型并不局限于此，只要是采用三明治結(jié)構(gòu)組成的大功率電阻器，均屬于對(duì)本實(shí)用新型的簡(jiǎn)單變形或者變換，落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。在本實(shí)施例中，上述第一陶瓷片10為厚膜平面瓷基板，其尺寸為長(zhǎng)50. 8mm X寬46. 4mmX厚I. 27mm ;第二陶瓷片12為鍍鎳瓷基板，其尺寸為長(zhǎng)56. 05mm X寬50. 8mm X厚O. 635mm ;銅片11的尺寸為長(zhǎng)55. 9mm X寬50. 3mm X厚O. 8mm?？梢岳斫獾氖?，這種尺寸只是一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的例舉而已，本實(shí)用新型并不局限于第一陶瓷片、第二陶瓷片和銅片的尺寸，只要是采用三明治結(jié)構(gòu)組成的大功率電阻器，均屬于對(duì)本實(shí)用新型的簡(jiǎn)單變形或者變換，落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。本實(shí)用新型的組裝過(guò)程為在長(zhǎng)50. 8_、寬46. 4_、厚度I. 27mm的96%氧化鋁陶瓷瓷片上先印制燒結(jié)(經(jīng)過(guò)850°C )鈀銀電極，然后在陶瓷瓷片上的兩端印制燒結(jié)(經(jīng)過(guò)8500C )電阻漿料，再將上述氧化鋁陶瓷瓷片放在長(zhǎng)55. 9mm、寬50. 3mm、厚度O. 8mm的銅片上(兩者之間均勻涂上焊錫膏)，緊接著將上述整體部分放在長(zhǎng)56. 05mm、寬50. 8mm、厚度
O.635mm的96%氧化鋁陶瓷瓷片上(兩者之間均勻涂上焊錫膏)，再在涂上焊錫膏的鈀銀電極上放置Φ0. 8_的引腳，最后將全部整體部分放入真空焊接爐進(jìn)行焊接，取出焊接后的產(chǎn)品再分別進(jìn)行裝內(nèi)殼、灌硅膠、裝銅柱、涂透明膠、裝外殼即可。以上公開的僅為本實(shí)用新型的幾個(gè)具體實(shí)施例，但是本實(shí)用新型并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍?！?br> 權(quán)利要求1.一種復(fù)合底板的厚膜平面超大功率電阻器，其特征在于，包括第一陶瓷片、銅片、第ニ陶瓷片、電極和電阻漿料層，所述銅片焊接固定在第一陶瓷片和第二陶瓷片之間，所述電極和電阻漿料層燒結(jié)在第一陶瓷片上，所述電極與電阻漿料層連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的復(fù)合底板的厚膜平面超大功率電阻器，其特征在于，所述電阻器還包括引腳，所述引腳與電極焊接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的復(fù)合底板的厚膜平面超大功率電阻器，其特征在于，所述電阻器還包括內(nèi)殼體、外殼體和銅柱，所述第一陶瓷片、銅片、第二陶瓷片、電極和電阻漿料層置于所述內(nèi)殼體內(nèi)，所述內(nèi)殼體固定在外殼體內(nèi)，所述銅柱固定在外殼體上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合底板的厚膜平面超大功率電阻器，其特征在于，所述第一陶瓷片為厚膜平面瓷基板，其尺寸為長(zhǎng)50. 8mm X寬46. 4mmX厚I. 27mm ;所述第二陶瓷片為鍍鎳瓷基板，其尺寸為長(zhǎng)56. 05mm X寬50. 8mmX厚0. 635mm ;銅片(11)的尺寸為長(zhǎng)55. 9mm X 寬 50. 3mm X 厚 0. 8mm。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種復(fù)合底板的厚膜平面超大功率電阻器，該電阻器包括第一陶瓷片、銅片、第二陶瓷片、電極和電阻漿料層，銅片焊接固定在第一陶瓷片和第二陶瓷片之間，電極和電阻漿料層燒結(jié)在第一陶瓷片上，電極與電阻漿料層連接。本實(shí)用新型提供的復(fù)合底板的厚膜平面超大功率電阻器，將銅片焊接固定在第一陶瓷片和第二陶瓷片之間，利用真空焊接形成三明治形狀，對(duì)瓷基板和金屬在焊接時(shí)因不同的熱膨脹系數(shù)產(chǎn)生的變形進(jìn)行了有效的補(bǔ)償，根本上保證了底板的散熱效果，可以適用于600W以上的厚膜超大功率電阻器。
文檔編號(hào)H01C17/00GK202758689SQ20122016345
公開日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2012年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月17日
發(fā)明者魏莊子, 艾小軍 申請(qǐng)人:深圳意杰(Ebg)電子有限公司