專利名稱：多基島露出型多圈多芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種多基島露出型多圈多芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的高密度基板封裝結(jié)構(gòu)的制造工藝流程如下所示步驟一、參見(jiàn)圖3，取一玻璃纖維材料制成的基板，步驟二、參見(jiàn)圖4，在玻璃纖維基板上所需的位置上開(kāi)孔，步驟三、參見(jiàn)圖5，在玻璃纖維基板的背面披覆一層銅箔， 步驟四、參見(jiàn)圖6，在玻璃纖維基板打孔的位置填入導(dǎo)電物質(zhì)，步驟五、參見(jiàn)圖7，在玻璃纖維基板的正面披覆一層銅箔，步驟六、參見(jiàn)圖8，在玻璃纖維基板表面披覆光阻膜，步驟七、參見(jiàn)圖9，將光阻膜在需要的位置進(jìn)行曝光顯影開(kāi)窗，步驟八、參見(jiàn)圖10，將完成開(kāi)窗的部分進(jìn)行蝕刻，步驟九、參見(jiàn)圖11，將基板表面的光阻膜剝除，步驟十、參見(jiàn)圖12，在銅箔線路層的表面進(jìn)行防焊漆(俗稱綠漆)的披覆，步驟十一、參見(jiàn)圖13，在防焊漆需要進(jìn)行后工序的裝片以及打線鍵合的區(qū)域進(jìn)行開(kāi)窗，步驟十二、參見(jiàn)圖14，在步驟十一進(jìn)行開(kāi)窗的區(qū)域進(jìn)行電鍍，相對(duì)形成基島和引腳，步驟十三、完成后續(xù)的裝片、打線、包封、切割等相關(guān)工序。上述傳統(tǒng)高密度基板封裝結(jié)構(gòu)存在以下不足和缺陷I、多了一層的玻璃纖維材料，同樣的也多了一層玻璃纖維的成本；2、因?yàn)楸仨氁玫讲ＡЮw維，所以就多了一層玻璃纖維厚度約10(Tl50Mm的厚度空間；3、玻璃纖維本身就是一種發(fā)泡物質(zhì)，所以容易因?yàn)榉胖玫臅r(shí)間與環(huán)境吸入水分以及濕氣，直接影響到可靠性的安全能力或是可靠性的等級(jí)；4、玻璃纖維表面被覆了一層約5(Tl00Mffl的銅箔金屬層厚度，而金屬層線路與線路的蝕刻距離也因?yàn)槲g刻因子的特性只能做到5(Tl00Mffl的蝕刻間隙(參見(jiàn)圖15，最好的制作能力是蝕刻間隙約等同于被蝕刻物體的厚度)，所以無(wú)法真正的做到高密度線路的設(shè)計(jì)與制造；5、因?yàn)楸仨氁褂玫姐~箔金屬層，而銅箔金屬層是采用高壓粘貼的方式，所以銅箔的厚度很難低于50Mm的厚度，否則就很難操作如不平整或是銅箔破損或是銅箔延展移位等等；6、也因?yàn)檎麄€(gè)基板材料是采用玻璃纖維材料，所以明顯的增加了玻璃纖維層的厚度10(Tl50Mm，無(wú)法真正的做到超薄的封裝；[0023]7、傳統(tǒng)玻璃纖維加貼銅箔的工藝技術(shù)因?yàn)椴馁|(zhì)特性差異很大(膨脹系數(shù))，在惡劣環(huán)境的工序中容易造成應(yīng)力變形，直接的影響到元件裝載的精度以及元件與基板粘著性與
可靠性。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供一種多基島露出型多圈多芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其工藝簡(jiǎn)單，不需使用玻璃纖維層，減少了制造成本，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了玻璃纖維材料帶來(lái)的環(huán)境污染，而且金屬基板線路層采用的是電鍍方法，能夠真正做到高密度線路的設(shè)計(jì)和制造。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種多基島露出型多圈多芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，它包括基島、引腳和芯片，所述基島和芯片均有多個(gè)，所述多個(gè)芯片倒裝于多個(gè)基島和引腳正面，所述芯片底部與基島和引腳正面之間設(shè)置有底部填充膠，所述基島外圍的區(qū)域、基島和引腳之間的區(qū)域、引腳與引腳之間的區(qū)域、基島和引腳上部的區(qū)域、基島和引腳下部的區(qū)域以及芯片外均包封有塑封料，所述基島和引腳下部的塑封料表面上開(kāi)設(shè)有小孔，所述小·孔與基島或引腳背面相連通，所述小孔內(nèi)設(shè)置有金屬球，所述金屬球與基島或引腳背面相接觸，所述引腳有多圈。所述金屬球與基島或引腳背面之間設(shè)置有金屬保護(hù)層。所述基島包括基島上部、基島下部和中間阻擋層，所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。所述引腳包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果I、本實(shí)用新型不需要使用玻璃纖維層，所以可以減少玻璃纖維層所帶來(lái)的成本；2、本實(shí)用新型沒(méi)有使用玻璃纖維層的發(fā)泡物質(zhì)，所以可靠性的等級(jí)可以再提高，相對(duì)對(duì)封裝體的安全性就會(huì)提高；3、本實(shí)用新型不需要使用玻璃纖維層物質(zhì)，所以就可以減少玻璃纖維材料所帶來(lái)的環(huán)境污染；4、本實(shí)用新型的二維金屬基板線路層所采用的是電鍍方法，而電鍍層的總厚度約在l(Tl5Mffl，而線路與線路之間的間隙可以輕松的達(dá)到25ΜΠ1以下的間隙，所以可以真正地做到高密度內(nèi)引腳線路平鋪的技術(shù)能力；5、本實(shí)用新型的二維金屬基板因采用的是金屬層電鍍法，所以比玻璃纖維高壓銅箔金屬層的工藝來(lái)得簡(jiǎn)單，且不會(huì)有金屬層因?yàn)楦邏寒a(chǎn)生金屬層不平整、金屬層破損以及金屬層延展移位的不良或困惑；6、本實(shí)用新型的二維金屬基板線路層是在金屬基材的表面進(jìn)行金屬電鍍，所以材質(zhì)特性基本相同，所以鍍層線路與金屬基材的內(nèi)應(yīng)力基本相同，可以輕松的進(jìn)行惡劣環(huán)境的后工程(如高溫共晶裝片、高溫錫材焊料裝片以及高溫被動(dòng)元件的表面貼裝工作)而不容易產(chǎn)生應(yīng)力變形。

[0036]圖I為本實(shí)用新型一種多基島露出型多圈多芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2為圖I的俯視圖。圖:T圖14為傳統(tǒng)的高密度基板封裝結(jié)構(gòu)的制造工藝流程的各工序示意圖。圖15為玻璃纖維表面銅箔金屬層的蝕刻狀況示意圖。其中基島I引腳2芯片3塑封料4小孔5金屬保護(hù)層6金屬球7底部填充膠8。
具體實(shí)施方式
參見(jiàn)圖I、圖2，本實(shí)用新型一種多基島露出型多圈多芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，它包括基島I、引腳2和芯片3，所述基島I和芯片3均有多個(gè)，所述多個(gè)芯片3倒裝于多個(gè)基島I和引腳2正面，所述芯片3底部與基島I和引腳2正面之間設(shè)置有底部填充膠8，所述基島I外圍的區(qū)域、基島I和引腳2之間的區(qū)域、引腳2與引腳2之間的區(qū)域、基島I和引腳2上部的區(qū)域、基島I和引腳2下部的區(qū)域以及芯片3外均包封有塑封料4，所述基島I和引腳2下部的塑封料4表面上開(kāi)設(shè)有小孔5，所述小孔5與基島I或引腳2背面相連通，所述小孔5內(nèi)設(shè)置有金屬球7，所述金屬球7與基島I或引腳2背面相接觸，所述引腳2有多圈。所述金屬球7與基島I或引腳2背面之間設(shè)置有金屬保護(hù)層6，所述金屬保護(hù)層6為抗氧化劑。所述金屬球7材料采用錫或是錫合金。所述基島I包括基島上部、基島下部和中間阻擋層，所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。所述引腳2包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。
權(quán)利要求1.一種多基島露出型多圈多芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括基島(I)、引腳(2)和芯片(3)，所述基島(I)和芯片(3)均有多個(gè)，所述多個(gè)芯片(3)倒裝于多個(gè)基島(I)和引腳(2)正面，所述芯片(3)底部與基島(I)和引腳(2)正面之間設(shè)置有底部填充膠(8)，所述基島(I)外圍的區(qū)域、基島(I)和引腳(2)之間的區(qū)域、引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域、基島(I)和引腳(2)上部的區(qū)域、基島(I)和引腳(2)下部的區(qū)域以及芯片(3)外均包封有塑封料(4)，所述基島(I)和引腳(2)下部的塑封料(4)表面上開(kāi)設(shè)有小孔(5)，所述小孔(5)與基島(I)或引腳(2)背面相連通，所述小孔(5)內(nèi)設(shè)置有金屬球(7)，所述金屬球(7)與基島(I)或引腳(2)背面相接觸，所述引腳(2)有多圈。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種多基島露出型多圈多芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述金屬球(7)與基島(I)或引腳(2)背面之間設(shè)置有金屬保護(hù)層(6)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種多基島露出型多圈多芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基島(I)包括基島上部、基島下部和中間阻擋層，所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種多基島露出型多圈多芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述引腳(2)包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種多基島露出型多圈多芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，它包括基島(1)、引腳(2)和芯片(3)，所述基島(1)和芯片(3)均有多個(gè)，所述多個(gè)芯片(3)倒裝于多個(gè)基島(1)和引腳(2)正面，所述芯片(3)底部與基島(1)和引腳(2)正面之間設(shè)置有底部填充膠(8)，所述基島(1)外圍的區(qū)域、基島(1)和引腳(2)之間的區(qū)域、引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域以及芯片(3)外均包封有塑封料(4)，所述基島(1)和引腳(2)下部的塑封料(4)表面上開(kāi)設(shè)有小孔(5)，所述小孔(5)內(nèi)設(shè)置有金屬球(7)，所述引腳(2)有多圈。本實(shí)用新型的有益效果是降低了制造成本，提高了封裝體的安全性和可靠性，能夠真正做到高密度線路的設(shè)計(jì)和制造。
文檔編號(hào)H01L23/31GK202564238SQ20122020444
公開(kāi)日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2012年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月9日
發(fā)明者王新潮, 李維平, 梁志忠 申請(qǐng)人:江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司