專利名稱：Led支架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種LED支架。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)2121型LED支架一般包括絕緣本體、及與絕緣本體一體成型的兩個導(dǎo)電端子。所述絕緣本體與導(dǎo)電端子構(gòu)成一個芯片封裝腔，所述芯片封裝腔一般為圓口圓底結(jié)構(gòu)，且LED支架的封裝腔一般底部會小于開口，如此，導(dǎo)致芯片封裝腔面積過小，不利于LED芯片的封裝。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種LED芯片封裝腔更大的LED支架。 為此，本實(shí)用新型提供了一種LED支架，包括至少一對導(dǎo)電端子、及與導(dǎo)電端子一體成型的絕緣本體，所述絕緣本體、及導(dǎo)電端子構(gòu)成用于收容LED芯片的封裝腔，所述封裝腔包括由導(dǎo)電端子構(gòu)成的腔底、形成于絕緣本體上的開口、及位于腔底與開口之間的全反射弧面，所述收容腔的腔底為方形結(jié)構(gòu)，所述開口為圓形結(jié)構(gòu)。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的LED支架的封裝腔設(shè)計為方底圓口結(jié)構(gòu)，在保證出光均勻的情況下，還增大了封裝腔底部面積，便于固晶焊線。

圖I為本實(shí)用新型LED支架的立體組合圖。圖2為本實(shí)用新型LED支架的立體分解圖。圖3為本實(shí)用新型LED支架的俯視圖。圖4為沿圖3所示虛線的剖視圖。
具體實(shí)施方式
請參閱圖I至圖4所示,本實(shí)用新型LED支架包括絕緣本體10、一體成型于絕緣本體10內(nèi)的至少兩個導(dǎo)電端子20。所述絕緣本體10、及導(dǎo)電端子20構(gòu)成一端開口的芯片封裝腔30。所述絕緣本體10底部設(shè)有隔離塊12用于在導(dǎo)電端子20與絕緣本體10 —體成型時將導(dǎo)電端子20電性隔離。所述絕緣本體10底部兩側(cè)設(shè)有若干卡固槽13。所述導(dǎo)電端子20包括固焊區(qū)22、及位于固焊區(qū)22對側(cè)的焊接部21。所述導(dǎo)電端子20的兩側(cè)及端部的上端部分延伸形成有成型時收容于絕緣本體10卡固槽13內(nèi)的卡固部23。請參閱圖3所示，所述封裝腔30包括由導(dǎo)電端子20的固焊區(qū)22構(gòu)成的腔底31、形成于絕緣本體10上端的開口 32及位于腔底31與開口 32之間的自上而下傾斜的全反射弧面33。所述封裝腔30的腔底31為方形結(jié)構(gòu)，且方形腔底31的四個角設(shè)有倒圓角310，所述開口 32為圓形結(jié)構(gòu)，如此，可保證在圓形開口 32出光口使光斑更均勻的情況下，方形腔底31使產(chǎn)品封裝面積更大而方便固晶焊線。 所述導(dǎo)電端子20表面整體鍍銀，銀是 高導(dǎo)電率、高導(dǎo)熱率、高反射率的金屬，導(dǎo)電端子20表面鍍銀提高了導(dǎo)電率、導(dǎo)熱率，同時1 反射率的表面提1 了廣品的發(fā)光殼度。
權(quán)利要求1.一種LED支架，包括至少一對導(dǎo)電端子、及與導(dǎo)電端子一體成型的絕緣本體，所述絕緣本體、及導(dǎo)電端子構(gòu)成用于收容LED芯片的封裝腔，所述封裝腔包括由導(dǎo)電端子構(gòu)成的腔底、形成于絕緣本體上的開口、及位于腔底與開口之間的全反射弧面，其特征在于所述收容腔的腔底為方形結(jié)構(gòu)，所述開口為圓形結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求I所述的LED支架，其特征在于所述導(dǎo)電端子包括固焊區(qū)、及位于固焊區(qū)對側(cè)的焊接部，所述封裝腔的腔底由導(dǎo)電端子的固焊區(qū)構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求2所述的LED支架，其特征在于所述導(dǎo)電端子的兩側(cè)及端部的上端部分向外延伸形成有卡固部。
4.如權(quán)利要求3所述的LED支架，其特征在于所述絕緣本體的底部兩側(cè)設(shè)有收容固定導(dǎo)電端子卡固部的卡固槽。
5.如權(quán)利要求4所述的LED支架，其特征在于所述絕緣本體的底部設(shè)有將導(dǎo)電端子電性隔離的隔離塊。
6.如權(quán)利要求I所述的LED支架，其特征在于所述全反射弧面是自上而下傾斜延伸形成。
7.如權(quán)利要求I所述的LED支架，其特征在于所述導(dǎo)電端子的表面鍍銀。
8.如權(quán)利要求I所述的LED支架，其特征在于所述封裝腔的腔底四角設(shè)有倒圓角。
專利摘要一種LED支架，包括至少一對導(dǎo)電端子、及與導(dǎo)電端子一體成型的絕緣本體，所述絕緣本體、及導(dǎo)電端子構(gòu)成用于收容LED芯片的封裝腔，所述封裝腔包括由導(dǎo)電端子構(gòu)成的腔底、形成于絕緣本體上的開口、及位于腔底與開口之間的全反射弧面，所述收容腔的腔底為方形結(jié)構(gòu)，所述開口為圓形結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型的LED支架出光均勻、且便于固晶焊線。
文檔編號H01L33/48GK202601723SQ201220212449
公開日2012年12月12日 申請日期2012年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月14日
發(fā)明者張永林, 孫業(yè)民, 劉澤, 陳文菁, 潘武靈 申請人:廣東長盈精密技術(shù)有限公司