專利名稱：一種移動(dòng)通信微波陶瓷基座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于陶瓷金屬接合技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種通過(guò)陶瓷金屬接合形成的移動(dòng)通信微波器件陶瓷基座。
背景技術(shù)：
目前，用于移動(dòng)通信微波器件陶瓷基座均采用金屬基座，如圖I、圖2所示，該金屬基座為直徑Φ 14IM、厚度4IM的圓盤狀金屬體，中央設(shè)有一部分為圓錐形腔體、另一部分為圓柱形腔體的通孔，圓錐形腔體上、下底直徑分別為Φ6. 4 mm、Φ3. 2 mm，圓柱形腔體的直徑為Φ3.2ΙΜ。金屬基座采用殷鋼(4J36)棒材，經(jīng)過(guò)機(jī)械加工，然后再進(jìn)行表面鍍銀處理完成。金屬基座不僅材料成品昂貴，而且加工成本也高，更重要的是金屬基座的熱穩(wěn)定性和膨脹系數(shù)，遠(yuǎn)不能滿足高性能微波器件的要求。 發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中金屬基座的不足而提供一種高性能、低成本的移動(dòng)通信微波器件用陶瓷金屬?gòu)?fù)合基座。本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是一種移動(dòng)通信微波陶瓷基座，包括中央設(shè)有由一部分為圓錐形腔體、另一部分為圓柱形腔體構(gòu)成通孔的圓盤狀基座，其特征在于該基座為陶瓷基座；在該陶瓷基座靠圓錐形腔體的端部外表面及側(cè)部外表面上設(shè)有復(fù)合金屬層。本實(shí)用新型技術(shù)解決方案中所述的復(fù)合金屬層為2層復(fù)合金屬層。本實(shí)用新型技術(shù)解決方案中所述的2層復(fù)合金屬層中與陶瓷基座接觸的第I金屬層為Mtl-Mn金屬層，另一第2金屬層為銀金屬層。本實(shí)用新型技術(shù)解決方案中所述的Mtl-Mn金屬層厚度為40微米。本實(shí)用新型采用中央設(shè)有由一部分為圓錐形腔體、另一部分為圓柱形腔體構(gòu)成通孔的圓盤狀陶瓷基座，并在該靠圓錐形腔體的端部外表面及側(cè)部外表面上設(shè)有復(fù)合金屬層來(lái)代替金屬基座，用于移動(dòng)通信微波器件后，既能發(fā)揮陶瓷基材的優(yōu)良熱穩(wěn)定性和好的膨脹系數(shù)，又能保持基座的導(dǎo)電性能，克服現(xiàn)有技術(shù)中金屬基座的不足。本實(shí)用新型具有高性能和低成本的特點(diǎn)。本實(shí)用新型主要用于代替移動(dòng)通信微波器件中的金屬基座。

圖I是現(xiàn)有金屬基座的結(jié)構(gòu)不意圖。圖2是圖I的俯視圖。圖3是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳述。如圖3所示。本實(shí)用新型一種移動(dòng)通信微波陶瓷基座由基座I和2層復(fù)合金屬層2、3構(gòu)成?；鵌采用陶瓷基材制成，直徑為Φ 14 mm，厚度為4 mm，形狀為圓盤狀。基座I中央設(shè)有一部分為圓錐形腔體、另一部分為圓柱形腔體的通孔，圓錐形腔體上、下底直徑分別為Φ6. 4 mm、Φ3. 2 mm,圓柱形腔體的直徑為Φ3. 2 mm。2層復(fù)合金屬層2、3設(shè)置在基座I靠圓錐形腔體的上端部外表面、側(cè)部外表面上。與基座I接觸的第I金屬層2為Mtl-Mn金屬層，第2金屬層3為銀金屬層。用Mtl-Mn法金屬化膏劑涂覆在基座I上底外表面、側(cè)部外表面上，然后通過(guò)高溫?zé)Y(jié)、固化，實(shí)現(xiàn)Mtl-Mn層與陶瓷基材的牢固連接，Mtl-Mn金屬層厚度為 40微米。第2金屬層3是在第I金屬層2的基礎(chǔ)上，采用通用鍍銀的工藝方法，將銀層鍍覆在Mtl-Mn層上。
權(quán)利要求1.一種移動(dòng)通信微波陶瓷基座，包括中央設(shè)有由一部分為圓錐形腔體、另一部分為圓柱形腔體構(gòu)成通孔的圓盤狀基座(1)，其特征在于該基座(I)為陶瓷基座；在該陶瓷基座(I)靠圓錐形腔體的端部外表面及側(cè)部外表面上設(shè)有復(fù)合金屬層(2、3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種移動(dòng)通信微波陶瓷基座，其特征在于所述的復(fù)合金屬層(2、3)為2層復(fù)合金屬層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種移動(dòng)通信微波陶瓷基座，其特征在于所述的2層復(fù)合金屬層(2、3)中與陶瓷基座接觸的第I金屬層(2)為Mtl-Mn金屬層，另一第2金屬層(3)為銀金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種移動(dòng)通信微波陶瓷基座，其特征在于所述的Mtl-Mn金屬層厚度為40微米。
專利摘要本實(shí)用新型的名稱為一種移動(dòng)通信微波陶瓷基座。屬于陶瓷金屬接合技術(shù)領(lǐng)域。它主要是解決金屬基座不僅材料成品昂貴，而且加工成本也高，更重要的是金屬基座的熱穩(wěn)定性和膨脹系數(shù)，遠(yuǎn)不能滿足高性能微波器件的要求的問(wèn)題。它的主要特征是包括中央設(shè)有由一部分為圓錐形腔體、另一部分為圓柱形腔體構(gòu)成通孔的圓盤狀基座；該基座為陶瓷基座；在該陶瓷基座外表面及通孔內(nèi)表面設(shè)有復(fù)合金屬層。本實(shí)用新型具有高性能和低成本的特點(diǎn)，主要用于代替移動(dòng)通信微波器件中的金屬基座。
文檔編號(hào)H01P1/00GK202601814SQ20122022701
公開日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2012年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月21日
發(fā)明者廖全意 申請(qǐng)人:湖北同昇新材料科技有限公司